JPS628544A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
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- JPS628544A JPS628544A JP14653485A JP14653485A JPS628544A JP S628544 A JPS628544 A JP S628544A JP 14653485 A JP14653485 A JP 14653485A JP 14653485 A JP14653485 A JP 14653485A JP S628544 A JPS628544 A JP S628544A
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- semiconductor device
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は樹脂封止半導体装置に係り、特に、封止用レジ
ンとリードピンとの界面の剥離防止を志向した樹脂封止
半導体装置に関するものである。
ンとリードピンとの界面の剥離防止を志向した樹脂封止
半導体装置に関するものである。
〔発明の背景）
まず、従来の樹脂封止半導体装置を、第３図を用いて説
明する。
明する。
第３図は、従来の樹脂封止半導体装置の一例を示す縦断
面図である。
面図である。
２はタブ、１は、このタブ２上に固着された半導体チッ
プ、５は、この半導体ｔラグ１とリードピン５の一端側
とをはんだ部３ａで接続している導Ｓに係る金蔵である
。樹脂封止半導体装置は、上記のように構成されたもの
を、封止用レジン４によって、リードピン５の他端側か
外へ出るようにしてレジン封止してなるものである。
プ、５は、この半導体ｔラグ１とリードピン５の一端側
とをはんだ部３ａで接続している導Ｓに係る金蔵である
。樹脂封止半導体装置は、上記のように構成されたもの
を、封止用レジン４によって、リードピン５の他端側か
外へ出るようにしてレジン封止してなるものである。
このように構成した樹脂封止半導体装置は、離厘時、は
んだディラグ時、リードピンの折曲げ時などに、封止用
レジン４とリードピン５との界面で剥離を発生するおそ
れがあった。
んだディラグ時、リードピンの折曲げ時などに、封止用
レジン４とリードピン５との界面で剥離を発生するおそ
れがあった。
この種の剥離を防止するために、前記界面における、封
止剤レジンとリードピンとの接着・接合力を増加させる
手段が知られている。
止剤レジンとリードピンとの接着・接合力を増加させる
手段が知られている。
第４図は、従来の、封止用レジンとリードピンとの界面
における接着・接合力を増加させる手段を示す要部断面
図である。この第４図において、第３図と同一番号を付
したものは同一部分である。
における接着・接合力を増加させる手段を示す要部断面
図である。この第４図において、第３図と同一番号を付
したものは同一部分である。
第４図（イ）に係る手段（実開昭５３−５２７６＋Ｓ号
公報記載のもの）は、リードピン５に、アンカー効果を
もたせる友めに条痕６を設けるようにし比ものである。
公報記載のもの）は、リードピン５に、アンカー効果を
もたせる友めに条痕６を設けるようにし比ものである。
Ｍ４図（ロンに係る手段（実開昭５５−６６０６８号公
報記載のもの）は、リードピン５に、同じくアンカー効
果をもたせる次めに、孔７を穿設したものである。
報記載のもの）は、リードピン５に、同じくアンカー効
果をもたせる次めに、孔７を穿設したものである。
しかし、上記例れの手段によっても、界面の剥離を防止
するための効果が十分でないという、さらに改善すべき
問題点があり九。
するための効果が十分でないという、さらに改善すべき
問題点があり九。
〔発明の目的）
本発明は、上記した従来技術の問題点を除去して、封圧
用レジンとリードピンとの界面における接着・接合力が
大きく、前記界面で剥離を生じない樹脂封止半導体装置
の提供を、その目的とするものである。
用レジンとリードピンとの界面における接着・接合力が
大きく、前記界面で剥離を生じない樹脂封止半導体装置
の提供を、その目的とするものである。
本発明に係る樹脂封止半導体装置の構成は、タブ上に固
着した半導体チップとリードピンの一端側とを導線によ
って接続してなるものを、前記リードピンの他端側が外
へ出るようにしてレジン封止した樹脂封止半導体装置に
おいて、リードピンの、レジン封止される部分の外周に
、低弾性率の樹脂膜を形成するよ５にしたものである。
着した半導体チップとリードピンの一端側とを導線によ
って接続してなるものを、前記リードピンの他端側が外
へ出るようにしてレジン封止した樹脂封止半導体装置に
おいて、リードピンの、レジン封止される部分の外周に
、低弾性率の樹脂膜を形成するよ５にしたものである。
さらに詳しくは、次の通りである。
樹脂封止半導体装置は、物性の異なる部材で構成されて
いる。したがって、離型時やはんだディップ時の熱負荷
によって前記各部材の伸縮量が異なシ、その結果として
封止用レジン／リードピン（金Ｊｌｉ）の界面部に大き
い応力が発生することになる。一般に前記封止用レジン
はフィシを含有するため剛性の大きい物性をもち、且つ
前記リードピンとの接着・接合力も本来小さいため、上
記応力に耐えられない。そこでこの応力を吸収し、且つ
接着・接合力を増加させることができる、第３物質とし
て、前記リードピンの、レジン封止すれる部分の外周に
、低弾性率の樹脂膜を形成するようにしたものである。
いる。したがって、離型時やはんだディップ時の熱負荷
によって前記各部材の伸縮量が異なシ、その結果として
封止用レジン／リードピン（金Ｊｌｉ）の界面部に大き
い応力が発生することになる。一般に前記封止用レジン
はフィシを含有するため剛性の大きい物性をもち、且つ
前記リードピンとの接着・接合力も本来小さいため、上
記応力に耐えられない。そこでこの応力を吸収し、且つ
接着・接合力を増加させることができる、第３物質とし
て、前記リードピンの、レジン封止すれる部分の外周に
、低弾性率の樹脂膜を形成するようにしたものである。
Ｃ発明の実施例Ｊ
以下、本発明を実施例によって説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る樹脂封止半導体装置
の縦断面図、第２図は、第１図の１−Ｈ矢視断面図であ
る。各図において、第３図と同一番号を付したものは同
一部分である。
の縦断面図、第２図は、第１図の１−Ｈ矢視断面図であ
る。各図において、第３図と同一番号を付したものは同
一部分である。
そして、８は、リードピン５の、封止用レジン４に、よ
ってレジ７封止される部分の外周に形成された、低弾性
率の樹脂膜に係るエポキシ樹脂の皮膜である。
ってレジ７封止される部分の外周に形成された、低弾性
率の樹脂膜に係るエポキシ樹脂の皮膜である。
具体例によって説明する。
リードピン５は、銅系のリードピン〔神戸製鋼（株）製
のＭＦ２０２）であム弾性率がｆｌ、０００〜１２．５
００ ｋｇＥ／ｍｍ”、線膨張係数が（１トー１８）Ｘ
１０−シｔのものである。封止用レジン４は、石英入力
のエポキシ樹脂でｈり、弾性率が１．００ト２，５００
ｋｇｆ／ｍｍ２（２０°Ｃでの値）、線膨張係数が（
１０〜２５ ） Ｘ １０”−’／ ’Ｃのものである
。エポキシ樹脂の皮膜８は、主剤とシテエピコード８０
７、硬化剤としてエビキュアＴ〔いずれも油化シゴルｅ
） ｆｆ ］を使用して、皮＄１９．さ約８０μｍ の
皮膜を形成し走ものであシ（皮膜形成方法につ−ては後
述する）、弾性率力；約５００ｋｇｆ／ｍｍ： ＠膨
張係数が（２０〜５０）ＸＩＯ−’１０Ｃのものである
。すなわち、このエポキシ樹脂の皮膜８の弾性率は、前
記封止用レジン４の弾性率の１／２〜１４以下の大きさ
であり、柔軟性がある。
のＭＦ２０２）であム弾性率がｆｌ、０００〜１２．５
００ ｋｇＥ／ｍｍ”、線膨張係数が（１トー１８）Ｘ
１０−シｔのものである。封止用レジン４は、石英入力
のエポキシ樹脂でｈり、弾性率が１．００ト２，５００
ｋｇｆ／ｍｍ２（２０°Ｃでの値）、線膨張係数が（
１０〜２５ ） Ｘ １０”−’／ ’Ｃのものである
。エポキシ樹脂の皮膜８は、主剤とシテエピコード８０
７、硬化剤としてエビキュアＴ〔いずれも油化シゴルｅ
） ｆｆ ］を使用して、皮＄１９．さ約８０μｍ の
皮膜を形成し走ものであシ（皮膜形成方法につ−ては後
述する）、弾性率力；約５００ｋｇｆ／ｍｍ： ＠膨
張係数が（２０〜５０）ＸＩＯ−’１０Ｃのものである
。すなわち、このエポキシ樹脂の皮膜８の弾性率は、前
記封止用レジン４の弾性率の１／２〜１４以下の大きさ
であり、柔軟性がある。
前記レボキシ樹脂の皮Ｍ８の形成方法の概要を説明する
。
。
リードピン５とタブ２とが形成されたリードフレームの
、前記タブ２およびはんだ部３ａをマスキングしたのち
、主剤としてエピコートを１００重量部、硬化剤として
エビキュアＴを２２重量部混合した液体中に、前記リー
ドフレームを浸漬する。
、前記タブ２およびはんだ部３ａをマスキングしたのち
、主剤としてエピコートを１００重量部、硬化剤として
エビキュアＴを２２重量部混合した液体中に、前記リー
ドフレームを浸漬する。
該液体中から取出したリードフレームを、約５０〜９０
０Ｃの雰囲気中で１〜２時間加熱することに；シ、リー
ドピン５の外周に、皮Ｍ厚さ約８０μｍ１弾性率約５０
０ｋｇｆ／ｍｍ’のエポキシ樹脂の皮膜８が形成された
。
０Ｃの雰囲気中で１〜２時間加熱することに；シ、リー
ドピン５の外周に、皮Ｍ厚さ約８０μｍ１弾性率約５０
０ｋｇｆ／ｍｍ’のエポキシ樹脂の皮膜８が形成された
。
次の表は、このようにしてエポキシ樹脂の皮膜８を形成
したのち、通常の方法によって、金線５るボンディング
し、さらに封止用レジン４によって樹脂封止してなる樹
脂封止半導体装置の信頼性試験結果（表中、実施例の左
側の鋼糸リードピン）と、第３図に係る従来例の信頼性
試験結果とを比較して示したものである。
したのち、通常の方法によって、金線５るボンディング
し、さらに封止用レジン４によって樹脂封止してなる樹
脂封止半導体装置の信頼性試験結果（表中、実施例の左
側の鋼糸リードピン）と、第３図に係る従来例の信頼性
試験結果とを比較して示したものである。
サイクル試験後の値
脣肴 サイクル数は２００サイクル
引罎半導体試験規器による
この表から明らかなように、界可強度、界面剥離長さ、
不良発生時間の何れも本実施例の方が優れておシ、接着
・接合力が著しく増加し、外部からの水分の浸入を防止
し、界面剥離を発生しないことがわかった。
不良発生時間の何れも本実施例の方が優れておシ、接着
・接合力が著しく増加し、外部からの水分の浸入を防止
し、界面剥離を発生しないことがわかった。
以上説明した実施例によれば、リードピン５の外周にエ
ポキシ樹脂の皮膜８を形成するようにしたので、刺止用
レジン４とリードピン５との゛界面における接着・接合
力が著しく増加し、界面剥離がなく、外部からの水分の
浸入を防止でき、樹脂封止半導体装置の耐湿信頼性が大
幅に向上するという効果がある。
ポキシ樹脂の皮膜８を形成するようにしたので、刺止用
レジン４とリードピン５との゛界面における接着・接合
力が著しく増加し、界面剥離がなく、外部からの水分の
浸入を防止でき、樹脂封止半導体装置の耐湿信頼性が大
幅に向上するという効果がある。
なお、本実施例は、鋼糸のリードピン５の外周にエポキ
シ樹脂の皮膜を形成するようにしたが、Ｆｅ −Ｎｉ系
（たとえば、ＪＩＳ規格４２アロイ）のリードピンの外
周にエポキシ樹脂の皮膜を形成しても同様の効果があシ
、その信頼性試験の結果は、前表の実施例の右ａ（４２
７０イリードピン）に示す通シである。エポキシ樹脂の
皮膜８の皮膜厚さは、本実施例においては約８０μｍと
したが、数μｍ〜１００μｍ程度であれば同等の効果を
奏する。
シ樹脂の皮膜を形成するようにしたが、Ｆｅ −Ｎｉ系
（たとえば、ＪＩＳ規格４２アロイ）のリードピンの外
周にエポキシ樹脂の皮膜を形成しても同様の効果があシ
、その信頼性試験の結果は、前表の実施例の右ａ（４２
７０イリードピン）に示す通シである。エポキシ樹脂の
皮膜８の皮膜厚さは、本実施例においては約８０μｍと
したが、数μｍ〜１００μｍ程度であれば同等の効果を
奏する。
さらに、皮膜の形成方法は、浸漬法ＶＣ限らず、スプレ
ー法、塗布法などであってもよく、また。
ー法、塗布法などであってもよく、また。
皮膜の形成は、半導体チップ１０面のコート時に同時に
行なってもよい。
行なってもよい。
さらにまた、本実施例においては、低弾性率の樹脂膜を
エポキシ樹脂膜にしたが、ウレタン樹脂膜などであって
もよい。
エポキシ樹脂膜にしたが、ウレタン樹脂膜などであって
もよい。
〔発明の効果）
以上詳細に説明し念ように本発明によれば、封止用レジ
ンとリードピンとの界面における接着・接合力が大きく
、前記界面で剥離を生じないＪｆＨｍ封止半導体装置を
提供することができる。
ンとリードピンとの界面における接着・接合力が大きく
、前記界面で剥離を生じないＪｆＨｍ封止半導体装置を
提供することができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る樹脂封止半導体装置
の縦断面図、第２図は、第１図のｆｆ−１ｒ矢視断面図
、第３図は、従来の樹脂封止半導体装置の一例を示す縦
断面図、第４図は、従来の、封止用レジンとリードピン
との界面における接着・接合力を増加させる手段を示す
要部断面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・タブ、３・・・金線、
４・・・封止用レジン、５・・・リードピン、８・・・
エポキシ樹脂の皮膜。
の縦断面図、第２図は、第１図のｆｆ−１ｒ矢視断面図
、第３図は、従来の樹脂封止半導体装置の一例を示す縦
断面図、第４図は、従来の、封止用レジンとリードピン
との界面における接着・接合力を増加させる手段を示す
要部断面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・タブ、３・・・金線、
４・・・封止用レジン、５・・・リードピン、８・・・
エポキシ樹脂の皮膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、タブ上に固着した半導体チップとリードピンの一端
側とを導線によって接続してなるものを、前記リードピ
ンの他端側が外へ出るようにしてレジン封止した樹脂封
止半導体装置において、リードピンの、レジン封止され
る部分の外周に、低弾性率の樹脂膜を形成したことを特
徴とする樹脂封止半導体装置。 ２、低弾性率の樹脂膜を、エポキシ樹脂の皮膜にしたも
のである特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止半導体装
置。 ３、エポキシ樹脂の皮膜を、浸漬法によって形成したエ
ポキシ樹脂の皮膜にしたものである特許請求の範囲第２
項記載の樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14653485A JPS628544A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14653485A JPS628544A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628544A true JPS628544A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15409820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14653485A Pending JPS628544A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628544A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5089878A (en) * | 1989-06-09 | 1992-02-18 | Lee Jaesup N | Low impedance packaging |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP14653485A patent/JPS628544A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5089878A (en) * | 1989-06-09 | 1992-02-18 | Lee Jaesup N | Low impedance packaging |
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