JPS6177347A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
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- JPS6177347A JPS6177347A JP59199012A JP19901284A JPS6177347A JP S6177347 A JPS6177347 A JP S6177347A JP 59199012 A JP59199012 A JP 59199012A JP 19901284 A JP19901284 A JP 19901284A JP S6177347 A JPS6177347 A JP S6177347A
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
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-
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋ａ）技術分野
この発明は半導体チップの電極部とリードフレー人間を
ワイヤ接続してから樹脂封止するＬＥＤ等の半導体装置
、特にガリウムヒ素系の光関連デバイスを製造する方法
に関する。
ワイヤ接続してから樹脂封止するＬＥＤ等の半導体装置
、特にガリウムヒ素系の光関連デバイスを製造する方法
に関する。
（ｂ）従来技術とその欠点
半導体チップを樹脂で封止する場合、樹脂には熱膨張係
数の小さなものを使用する必要がある。
数の小さなものを使用する必要がある。
一般にはこの材料として硬質エポキシ樹脂が選択されて
いる。しかし、温度サイクルに対する膨張や収縮は少な
（なるが、内部応力が非常に大きくなるため、封止され
る半導チップに対する影響を無視することができなくな
る。特に結晶の脆いガリウムヒ素（Ｇ、Ａ、）やガリウ
ムアルミヒ素（Ｇ、ＡＪＡＳ）等のガリウムヒ素糸素子
を半導体チップとして使用する場合には、応力ストレス
によって特性の変化をもたらす場合がある。そこでこの
問題を解決するため、従来は半導体チップの周囲をシリ
コン樹脂等で被覆するようにしていた。しかしながら、
半導体チップの電極部とリードフレーム間をワイヤ接続
するＬＥＤ等の半導体装置では、シリコン樹脂は密着性
がなくワイヤが断線する場合があり、信頼性が悪い欠点
があった。
いる。しかし、温度サイクルに対する膨張や収縮は少な
（なるが、内部応力が非常に大きくなるため、封止され
る半導チップに対する影響を無視することができなくな
る。特に結晶の脆いガリウムヒ素（Ｇ、Ａ、）やガリウ
ムアルミヒ素（Ｇ、ＡＪＡＳ）等のガリウムヒ素糸素子
を半導体チップとして使用する場合には、応力ストレス
によって特性の変化をもたらす場合がある。そこでこの
問題を解決するため、従来は半導体チップの周囲をシリ
コン樹脂等で被覆するようにしていた。しかしながら、
半導体チップの電極部とリードフレーム間をワイヤ接続
するＬＥＤ等の半導体装置では、シリコン樹脂は密着性
がなくワイヤが断線する場合があり、信頼性が悪い欠点
があった。
シリコン樹脂に代えて他の柔らかい樹脂を使用した場合
も同様にワイヤ断線率が高く、特にボンディング時の温
度で樹脂が軟化したときやチップ周囲に多くの樹脂を塗
布してリードフレームの固定強度が十分でなくなった場
合に、その樹脂と硬質エポキシ樹脂との境界部でワイヤ
断線の確立が高くなる欠点があった。
も同様にワイヤ断線率が高く、特にボンディング時の温
度で樹脂が軟化したときやチップ周囲に多くの樹脂を塗
布してリードフレームの固定強度が十分でなくなった場
合に、その樹脂と硬質エポキシ樹脂との境界部でワイヤ
断線の確立が高くなる欠点があった。
（Ｃ）発明の目的
この発明の目的は上記の欠点を解消し、工程数を増やさ
ずに半導体チップに対するストレスを防止し、且つワイ
ヤ断線を防止して歩留まりを向上する半導体製造方法を
提供することにある。
ずに半導体チップに対するストレスを防止し、且つワイ
ヤ断線を防止して歩留まりを向上する半導体製造方法を
提供することにある。
ｆｄ１発明の構成および効果
この発明は、半導体チップの少なくとも電極面をゴム系
樹脂で被覆し、次いで硬質エポキシ樹脂で封止すること
を特徴とする。
樹脂で被覆し、次いで硬質エポキシ樹脂で封止すること
を特徴とする。
この発明では半導体チップを被覆する材料としてゴム系
樹脂を使用する。シリコン樹脂等は比較的柔らかいが、
このゴム系樹脂は硬度があり、しかも熱膨張係数は硬質
エポキシ樹脂のそれと同じ程度の値である。このため硬
質エポキシ樹脂との境界面にて応力差が生じることを防
止でき、ワイヤ断線を殆どなくすことができる。また浸
漬法や塗布等によって数ミクロン−１０数ミクロン程度
の膜圧にするのが極めて容易であり、樹脂の使用量が多
くなって硬質エポキシ樹脂に対するリードフレームの固
定強度が低下するという不都合も生じることがない。さ
らにシリコン樹脂に比較して耐湿性が向上し、硬質エポ
キシ樹脂とのなじみもよく、密着強度を上げることがで
きる。
樹脂を使用する。シリコン樹脂等は比較的柔らかいが、
このゴム系樹脂は硬度があり、しかも熱膨張係数は硬質
エポキシ樹脂のそれと同じ程度の値である。このため硬
質エポキシ樹脂との境界面にて応力差が生じることを防
止でき、ワイヤ断線を殆どなくすことができる。また浸
漬法や塗布等によって数ミクロン−１０数ミクロン程度
の膜圧にするのが極めて容易であり、樹脂の使用量が多
くなって硬質エポキシ樹脂に対するリードフレームの固
定強度が低下するという不都合も生じることがない。さ
らにシリコン樹脂に比較して耐湿性が向上し、硬質エポ
キシ樹脂とのなじみもよく、密着強度を上げることがで
きる。
（８１実施例
第１図はこの発明に係る方法でＬＥＤチンプを製造する
ときの途中状態を示す図である。
ときの途中状態を示す図である。
Ｇ、Ａ、のＬＥＤチップ１をフェイスアップによってリ
ードフレーム２の端面にボンディングし、続いてリード
フレーム３の端面とチップ１の電極部とをワイヤ４で接
続する。次にチップｌの周囲にゴム系樹脂５を塗布する
。ゴム系樹脂を塗布するには、例えば希釈剤で薄めてか
ら塗布する。
ードフレーム２の端面にボンディングし、続いてリード
フレーム３の端面とチップ１の電極部とをワイヤ４で接
続する。次にチップｌの周囲にゴム系樹脂５を塗布する
。ゴム系樹脂を塗布するには、例えば希釈剤で薄めてか
ら塗布する。
乾燥すると希釈剤が蒸発してゴム系樹脂による数ミクロ
ン−１０数ミクロンの薄膜が形成される。
ン−１０数ミクロンの薄膜が形成される。
浸漬法によっても薄膜を形成できるのは勿論である。以
上の工程を経てから硬質エポキシ樹脂６によるパンケー
ジングを行う。第２図はＬＥＤの完成状態を示している
。
上の工程を経てから硬質エポキシ樹脂６によるパンケー
ジングを行う。第２図はＬＥＤの完成状態を示している
。
第１図はこの発明に係る方法でＬＥＤを製造するときの
工程途中を示す図である。第２図は硬質エポキシ樹脂に
よる封止後のＬＥＤ完成状態を示す図である。 ■−半導体チツブ、２．３−リードフレーム、４−ワイ
ヤ、５−ゴム系樹脂、 ６−硬質エーポキシ樹脂。
工程途中を示す図である。第２図は硬質エポキシ樹脂に
よる封止後のＬＥＤ完成状態を示す図である。 ■−半導体チツブ、２．３−リードフレーム、４−ワイ
ヤ、５−ゴム系樹脂、 ６−硬質エーポキシ樹脂。
Claims (3)
- （１）半導体チップの電極部とリードフレーム間をワイ
ヤ接続してから樹脂封止する半導体製造方法において、
半導体チップの少なくとも電極面をゴム系樹脂で被覆し
、次いで硬質エポキシ樹脂で封止することを特徴とする
半導体製造方法。 - （２）使用する半導体チップがガリウムヒ素系の半導体
からなる特許請求の範囲第１項記載の半導体製造方法。 - （３）前記ゴム系樹脂を溶剤にて希釈した状態で半導体
チップ周囲に塗布し、乾燥後硬質エポキシ樹脂で封止す
るようにした特許請求の範囲第１項または第２項記載の
半導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59199012A JPS6177347A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59199012A JPS6177347A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 半導体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177347A true JPS6177347A (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=16400639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59199012A Pending JPS6177347A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177347A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0825653A2 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-25 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Optoelectronic device package |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5588357A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Hitachi Ltd | Resin mold semiconductor device |
| JPS55150258A (en) * | 1979-04-04 | 1980-11-22 | Rohm Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS5790967A (en) * | 1980-11-27 | 1982-06-05 | Nec Corp | Semiconductor device sealed with resin |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP59199012A patent/JPS6177347A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5588357A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Hitachi Ltd | Resin mold semiconductor device |
| JPS55150258A (en) * | 1979-04-04 | 1980-11-22 | Rohm Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS5790967A (en) * | 1980-11-27 | 1982-06-05 | Nec Corp | Semiconductor device sealed with resin |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0825653A2 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-25 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Optoelectronic device package |
| EP0825653A3 (de) * | 1996-07-31 | 1998-04-08 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Verpackung eines optoelektronischen Bauelements |
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