JPS6285219A - 光シヤツタアレイ - Google Patents
光シヤツタアレイInfo
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- JPS6285219A JPS6285219A JP22105985A JP22105985A JPS6285219A JP S6285219 A JPS6285219 A JP S6285219A JP 22105985 A JP22105985 A JP 22105985A JP 22105985 A JP22105985 A JP 22105985A JP S6285219 A JPS6285219 A JP S6285219A
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- electrode
- shutter array
- optical shutter
- groove
- electro
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、電気光学効果を利用した光シャッタアレイ、
特にワイヤボンディングの容易な光シャッタアレイに関
する。
特にワイヤボンディングの容易な光シャッタアレイに関
する。
〈従来技術〉
近年、ＰＬＺＴ等の電気光学効果を発揮する電気光学材
料が開発されている。ここで電気光学効果とは、印加さ
れた直流または低周波（光周波に比へて）の電界によっ
て媒質の屈折率が変化−４−る現象をいう。
料が開発されている。ここで電気光学効果とは、印加さ
れた直流または低周波（光周波に比へて）の電界によっ
て媒質の屈折率が変化−４−る現象をいう。
このような電気光学材料の代表例としては、９／６５／
３５の比率からなるＰＬＺＴ （Ｌａ９原ｒ−％ＰｂＺ
ｒＯ３／ ＰｂＴｉ０３＝ ６５ ／ ３５ （モル比
））の透明セラミックスが周知である。
３５の比率からなるＰＬＺＴ （Ｌａ９原ｒ−％ＰｂＺ
ｒＯ３／ ＰｂＴｉ０３＝ ６５ ／ ３５ （モル比
））の透明セラミックスが周知である。
このＰＬＺＴを利用したものとして光シャッタがある。
光シャッタは板状のＰＬＺＴ素子の片面に一定間隔を隔
てた一対のｔ面電極を形成したものを、偏光方向か互い
に直行する偏光子と検光子の間に設置した構造となって
おり、電極への印加電圧の０Ｎ−ＯＦＦによって偏光ｆ
−側から入射する光の透過、遮断を制御することができ
るものである。
てた一対のｔ面電極を形成したものを、偏光方向か互い
に直行する偏光子と検光子の間に設置した構造となって
おり、電極への印加電圧の０Ｎ−ＯＦＦによって偏光ｆ
−側から入射する光の透過、遮断を制御することができ
るものである。
このような光シャッタにおいて、偏光子側より強ＪＲ”
、波長えなる中−色光を入射させると、検光子゛を通
過する光の強度■は次式（１）で表わされる。
、波長えなる中−色光を入射させると、検光子゛を通
過する光の強度■は次式（１）で表わされる。
［：■ｏ ５ｉｎ２（９Δｎ） −−−−（１）
ここで、Ｌ ”光か通過する電気光学効果を４１する素
ｒ″のＪ′＾み（＝ ４４効光路長）Δｎ：複屈折 ■ｏ：人射光射光 強度：出射光強度 （１）式において、ΔｎＬ−λ／２となるように複屈折
を選べばＩ＝Ｉｏとなり、系を通過する光の強度■は最
大となる。このとき複屈折Δｎは素子に印加する電界の
大きさによって変えることができる。例えば、素ｆ〜が
２次の電気光学効果を有する場合、複屈折Δｎは印加す
る電界（Ｅ）の２乗に比例して変化し、次式（２）で表
わすことができる。
ここで、Ｌ ”光か通過する電気光学効果を４１する素
ｒ″のＪ′＾み（＝ ４４効光路長）Δｎ：複屈折 ■ｏ：人射光射光 強度：出射光強度 （１）式において、ΔｎＬ−λ／２となるように複屈折
を選べばＩ＝Ｉｏとなり、系を通過する光の強度■は最
大となる。このとき複屈折Δｎは素子に印加する電界の
大きさによって変えることができる。例えば、素ｆ〜が
２次の電気光学効果を有する場合、複屈折Δｎは印加す
る電界（Ｅ）の２乗に比例して変化し、次式（２）で表
わすことができる。
ここで、Ｒ：電気光学定数
Ｅ：電界強度
ｎ：屈折率
したがって、
なる大きさの矩形波電圧を印加すると、透過光強度Ｉは
０から最大値Ｎｏに変化することになる第４図に示すよ
うに、従来、光シャッタは板状のＰ Ｌ Ｚ Ｔ素子−
の片面に短冊状のさＹ面電極を形成した構造のものか用
いられていた。この光シャッタでは露出している電極の
表面積が広いため、ワイヤとの接続は容易に行うことか
できたが、駆動部２９に作用１−る電界かＰＬＺＴ板の
表面付近にしか作用せず、充分な電気光学効果かｊｉｔ
られないという欠点があった。
０から最大値Ｎｏに変化することになる第４図に示すよ
うに、従来、光シャッタは板状のＰ Ｌ Ｚ Ｔ素子−
の片面に短冊状のさＹ面電極を形成した構造のものか用
いられていた。この光シャッタでは露出している電極の
表面積が広いため、ワイヤとの接続は容易に行うことか
できたが、駆動部２９に作用１−る電界かＰＬＺＴ板の
表面付近にしか作用せず、充分な電気光学効果かｊｉｔ
られないという欠点があった。
このため第５図に示すように、ＰＬＺＴ基板に、板面に
対して市直な溝を形成し、詠溝に電極を埋設した構造の
′Ｉ？！、！４４（以下、溝型主棒と称す）を持つ光シ
ャタアレイを用いることによって有効光路長を長くし、
少ない駆動電圧で充分な電気光学効果を得られるように
することか提案されている（昭和６０年１０月３１１出
願の「光シャッタアレイ」）。
対して市直な溝を形成し、詠溝に電極を埋設した構造の
′Ｉ？！、！４４（以下、溝型主棒と称す）を持つ光シ
ャタアレイを用いることによって有効光路長を長くし、
少ない駆動電圧で充分な電気光学効果を得られるように
することか提案されている（昭和６０年１０月３１１出
願の「光シャッタアレイ」）。
しかし、このような溝墾電極の光シャッタアレイでは、
溝ヤ！電極のＰＬＺＴ板表面に露出した部分の面積が小
さいため、ワイヤホンディングがしにくいという欠点が
あり、また第５図に、１（すようにワイヤポンディング
を１ｆっだとしても接続したワイヤ１２の密り性か劣り
、断線しゃずいという欠点かある。
溝ヤ！電極のＰＬＺＴ板表面に露出した部分の面積が小
さいため、ワイヤホンディングがしにくいという欠点が
あり、また第５図に、１（すようにワイヤポンディング
を１ｆっだとしても接続したワイヤ１２の密り性か劣り
、断線しゃずいという欠点かある。
さらに、電極部のＰＬＺＴ板表面に露出した部分では、
２Ｖ／μ■位の電界が印加されると７！’：、’７気放
電かおこり、ｒ、、ｊａ棒が損傷を受けやすく、′電極
部の露出部分か使用中に劣化しゃずいという問題かある
。
２Ｖ／μ■位の電界が印加されると７！’：、’７気放
電かおこり、ｒ、、ｊａ棒が損傷を受けやすく、′電極
部の露出部分か使用中に劣化しゃずいという問題かある
。
〈発明の目的〉
本発明の目的は、Ｌ記欠点を解消し、容易にワイヤホン
ディングをすることかてさ、ワイヤの密７１性か良好で
、断線を生しることかない光シャッタアレイを提供する
ことにある。
ディングをすることかてさ、ワイヤの密７１性か良好で
、断線を生しることかない光シャッタアレイを提供する
ことにある。
本発明の他のＩＩ的は、空気放ｒ７：：；、等か起こり
にくい、耐久性のある光シャッタアレイを提供すること
にある。
にくい、耐久性のある光シャッタアレイを提供すること
にある。
〈発明の構成〉
このような目的は、以下の本発明によって達成される。
すなわち本発明の第１の発明は、電気光学効果を発揮す
る電気光学材料製透明基板に形成した溝に導電材料を充
填した電極部と、該電極部の少なくとも一部分に電気的
に接続するように形成された電極バッドを有することを
特徴とする光シャッタアレイである。
る電気光学材料製透明基板に形成した溝に導電材料を充
填した電極部と、該電極部の少なくとも一部分に電気的
に接続するように形成された電極バッドを有することを
特徴とする光シャッタアレイである。
本発明の第２の発明は、電気光学効果を発揮する電気光
学材料製透明基板に形成した溝に導電材料を充填した電
極部と、該電極部の少なくとも一部分に電気的に接続す
るように形成された電極パッドと、少なくとも電気光学
効果を発揮する駆動部上に形成した透明な絶縁膜とを有
することを特徴とする光シャッタアレイである。
学材料製透明基板に形成した溝に導電材料を充填した電
極部と、該電極部の少なくとも一部分に電気的に接続す
るように形成された電極パッドと、少なくとも電気光学
効果を発揮する駆動部上に形成した透明な絶縁膜とを有
することを特徴とする光シャッタアレイである。
ここで、前記溝がエツチングによって形成された溝であ
ることが良い。
ることが良い。
さらに、１１７ｆ記溝か機械油Ｙによって形成された溝
であることか好ましく、この場合、首記溝か、深さか５
０μｍ以りであることか良い。
であることか好ましく、この場合、首記溝か、深さか５
０μｍ以りであることか良い。
以ド、本発明の光シャッタアレイを添付図面に示す好適
実施例について詳細に説明する。
実施例について詳細に説明する。
第１図は本発明の光シャッタアレイの第１構成例を小す
。第１ａ図はモ面図である。第１ｂ図は第１ａ図のＩ−
Ｉ線に沿った断面図である。
。第１ａ図はモ面図である。第１ｂ図は第１ａ図のＩ−
Ｉ線に沿った断面図である。
電極２は、ＰＬＺＴ基板１０表面にほぼ垂直に比較的深
い溝１９（第６図参照）を形成し、該溝１９に金属等を
スパッタリングするか、または４′Ｉｔ性接着剤を充填
した充填電極部１７である。電極２を溝型に形成するこ
とにより有効光路長く駆動部として慟（ＰＬＺＴ基板中
を通過する光路長）を長くすることができ、印加電圧を
下げることができる。また隣接画素間のクロストークを
防止することができる。
い溝１９（第６図参照）を形成し、該溝１９に金属等を
スパッタリングするか、または４′Ｉｔ性接着剤を充填
した充填電極部１７である。電極２を溝型に形成するこ
とにより有効光路長く駆動部として慟（ＰＬＺＴ基板中
を通過する光路長）を長くすることができ、印加電圧を
下げることができる。また隣接画素間のクロストークを
防止することができる。
ＰＬＺＴ基板１０への溝１９の形成は、ＨＣＩ等の強酸
等を用いるエツチング法により形成し、八ｇ、八ｕ、
Ｃｒ、６０％ ＡＲ，等のスパッタリングによって電極
２を形成してもよい。より好ましくは、ダイシングソー
等による機械加工を用いて溝１９を形成する。機械加工
を用いるとエツチング法を用いるより、より深い寸法精
度のよい溝を形成することかできる。機械加工により溝
１９を形成した後、導電性接着剤を過剰に充填し、接着
剤を硬化させた後、表面研磨して過剰な導電性接着剤を
除く。 電極パッド３は好ましくは１５０Ｘ １５０μ
ｍ以上の面積を持つ、Ａｇ、 Ａｕ、 （：Ｕ、 Ａ
Ｍ、Ｃｒ等の導電性材料またはこれらの金属の単層ある
いは複層の小型薄板であり、ＰＬＺＴ基板１０表面に形
成され、電極２と電気的に接続されている。電極パッド
３の形成は金属蒸着、スパッタ等で形成した金属薄膜（
第７ａ参照、電極バッド層１８）上に、フォトレジスト
をスピンナー等で塗布して、フォトレジストに電極パッ
ト３のパターンを形成する。 王水等のエツチング液で
金属薄膜をエツチングして、電極パッド３の部分だけ残
して電極パッド３を形成し、最後にフォトレジストを除
去して完成することが好ましい。
等を用いるエツチング法により形成し、八ｇ、八ｕ、
Ｃｒ、６０％ ＡＲ，等のスパッタリングによって電極
２を形成してもよい。より好ましくは、ダイシングソー
等による機械加工を用いて溝１９を形成する。機械加工
を用いるとエツチング法を用いるより、より深い寸法精
度のよい溝を形成することかできる。機械加工により溝
１９を形成した後、導電性接着剤を過剰に充填し、接着
剤を硬化させた後、表面研磨して過剰な導電性接着剤を
除く。 電極パッド３は好ましくは１５０Ｘ １５０μ
ｍ以上の面積を持つ、Ａｇ、 Ａｕ、 （：Ｕ、 Ａ
Ｍ、Ｃｒ等の導電性材料またはこれらの金属の単層ある
いは複層の小型薄板であり、ＰＬＺＴ基板１０表面に形
成され、電極２と電気的に接続されている。電極パッド
３の形成は金属蒸着、スパッタ等で形成した金属薄膜（
第７ａ参照、電極バッド層１８）上に、フォトレジスト
をスピンナー等で塗布して、フォトレジストに電極パッ
ト３のパターンを形成する。 王水等のエツチング液で
金属薄膜をエツチングして、電極パッド３の部分だけ残
して電極パッド３を形成し、最後にフォトレジストを除
去して完成することが好ましい。
第２図は本発明の光シャッタアレイの第２構成例を示す
。第２ａ図は・ド面図である。第２ｂ図は、第２ａ図の
■−■線に沿った断面図である。
。第２ａ図は・ド面図である。第２ｂ図は、第２ａ図の
■−■線に沿った断面図である。
充填電極部１７は、前述した第１構成例と同様である。
Ｐ Ｌ Ｚ Ｔ ＩＱ板１０の表面には、コンタクトホ
ール４を除いて透明絶縁膜６を設ける。コンタクトホー
ル４は、充填電極部１７のＰＬＺＴ基板１０表面に出て
いる部分の一部を、電極パット３と電気的に接続するた
めに透明絶縁膜６で覆わずに露出させたままにして残し
ておく部分である。コンタクトホール４を残す方法はフ
ォトリソグラフィ等を用いる。フォトリソグラフィ法は
、透明絶縁Ｉ漠６１：に設けたフォトレジストにコンタ
クトホール４をバターニングした後、エツチングによっ
てその部分の透明絶縁膜６を除去してコンタクトホール
４とする方法を用いる。
ール４を除いて透明絶縁膜６を設ける。コンタクトホー
ル４は、充填電極部１７のＰＬＺＴ基板１０表面に出て
いる部分の一部を、電極パット３と電気的に接続するた
めに透明絶縁膜６で覆わずに露出させたままにして残し
ておく部分である。コンタクトホール４を残す方法はフ
ォトリソグラフィ等を用いる。フォトリソグラフィ法は
、透明絶縁Ｉ漠６１：に設けたフォトレジストにコンタ
クトホール４をバターニングした後、エツチングによっ
てその部分の透明絶縁膜６を除去してコンタクトホール
４とする方法を用いる。
電極パット３は、電極２の接続用電極部１７を覆うよう
にしてＰＬＺＴ基板１基板１上トホール４内に設けられ
、電極２と電気的に接続される。
にしてＰＬＺＴ基板１基板１上トホール４内に設けられ
、電極２と電気的に接続される。
第３図は、本発明の光シャッタアレイの第３構成例を示
す。第３ａ図は゛Ｙ而面である。第３ｂ図は第３ａ図の
ｍ−■線に沿った断面図である。
す。第３ａ図は゛Ｙ而面である。第３ｂ図は第３ａ図の
ｍ−■線に沿った断面図である。
電極２、電極バッド３の構成は第２構成例と同様である
。
。
透明絶縁膜６は少なくとも、ＰＬＺＴ基板の駆動部２９
上に設けられる。ここで駆動部２９は実際に電界が印加
され、光が通過ずるＰＬＺＴ部分であり、電Ｍｉ部２８
は、他のデバイスとＰＬＺＴシャッタアレイを電気的に
接続する部分である。
上に設けられる。ここで駆動部２９は実際に電界が印加
され、光が通過ずるＰＬＺＴ部分であり、電Ｍｉ部２８
は、他のデバイスとＰＬＺＴシャッタアレイを電気的に
接続する部分である。
透明絶縁膜６は少なくとも駆動部２９Ｊ：に設けられれ
ばよく、電極部２８Ｆには第２構成例で示すように設け
てもよいし、第３構成例で示すように設けなくてもよい
。駆動部２９Ｆ以外に設けられる絶縁膜は透明である必
要はなく、電極バッド３の下に設けられるものは遮光性
を有する膜とすれば、この部分でのＰＬＺＴ基板の不要
な光透過や偏光を防止することができる。
ばよく、電極部２８Ｆには第２構成例で示すように設け
てもよいし、第３構成例で示すように設けなくてもよい
。駆動部２９Ｆ以外に設けられる絶縁膜は透明である必
要はなく、電極バッド３の下に設けられるものは遮光性
を有する膜とすれば、この部分でのＰＬＺＴ基板の不要
な光透過や偏光を防止することができる。
本発明に用いられる電気光学効果は、誘起される屈折率
変化Ｈ，Ｈ−か電Ｗの１東に比例する１次′７に気先学
効果（ポッケルス効果）と、２東に比例する２次電気光
学効！！！、（カー効果）のいずわを利用゛＝ｌ−るも
のでもよい。
変化Ｈ，Ｈ−か電Ｗの１東に比例する１次′７に気先学
効果（ポッケルス効果）と、２東に比例する２次電気光
学効！！！、（カー効果）のいずわを利用゛＝ｌ−るも
のでもよい。
Ｌ記の電気光パ−効果を発揮する電気光パ？材料として
は、ＰＬＺＴ、ＰＢＬＮ、ＰＬＨＴ、Ｓ Ｂ Ｎ 、
ＬｉＴａＯ３、１ｉＮｂ０３ 、 ＫＯ２：１０４、
ＢＮＮ、ＡＤＰ、Ｋｌ！２ ｐＨ４、ＫＴＮ等があるが
、特に２次電気光学効果を発揮するＰＬＺＴが好ましい
。
は、ＰＬＺＴ、ＰＢＬＮ、ＰＬＨＴ、Ｓ Ｂ Ｎ 、
ＬｉＴａＯ３、１ｉＮｂ０３ 、 ＫＯ２：１０４、
ＢＮＮ、ＡＤＰ、Ｋｌ！２ ｐＨ４、ＫＴＮ等があるが
、特に２次電気光学効果を発揮するＰＬＺＴが好ましい
。
ＰＬＺＴは１、ａとＰｂＺｒＯ３およびＰｂＴｉＯ３を
固溶体としたものであり、組成によって多くの種類があ
るが、９／６５／３５（７）比率からな７ＰＬＺＴ（Ｌ
ａ９原ｆ％、 ＰｂＺｒＯ３／ ＰｂＴｉＯ３＝ ６５
７３５モル比）のものが特に好ましい。
固溶体としたものであり、組成によって多くの種類があ
るが、９／６５／３５（７）比率からな７ＰＬＺＴ（Ｌ
ａ９原ｆ％、 ＰｂＺｒＯ３／ ＰｂＴｉＯ３＝ ６５
７３５モル比）のものが特に好ましい。
本発明の光シャッタアレイの電極２の充填電極部１７を
機械加重による溝１９に導電性接着剤を充填して形成す
る場合は、溝１９の深さは５０μｍ以に、巾１０〜５０
μｍとするのが良い。
機械加重による溝１９に導電性接着剤を充填して形成す
る場合は、溝１９の深さは５０μｍ以に、巾１０〜５０
μｍとするのが良い。
導電性接着剤は、ポリイミド樹脂、エポギシ樹脂等の樹
脂中にＡｕ、 Ａｇ、 （：ｕ等のフィラーを混練した
ものであり、代表例としてはレックスボンド（室町化学
製）等の市販品がある。
脂中にＡｕ、 Ａｇ、 （：ｕ等のフィラーを混練した
ものであり、代表例としてはレックスボンド（室町化学
製）等の市販品がある。
透明絶縁膜としては、ポリイミド、ポリカーボネート等
の有機化合物、 ５ｉ０２ 、Ｓｉ３ Ｎ ４、Ａ Ｍ
２０３等の無機化合物を用いることができる。
の有機化合物、 ５ｉ０２ 、Ｓｉ３ Ｎ ４、Ａ Ｍ
２０３等の無機化合物を用いることができる。
遮光性を有する絶縁膜としては、コールタールピッチ等
を用いることができる。
を用いることができる。
絶縁膜形成は、有機化合物はスピンナー塗布で設層し、
無機化合物は蒸着、スパッター、ＣＶＩ）等で設層する
。
無機化合物は蒸着、スパッター、ＣＶＩ）等で設層する
。
電極バットの、電極２への形成位置は、相互いにいかな
る位置をとってもよいが、隣接する電極２と接触するこ
とがなく、できるたけ広い面積をとるために第１ａ図、
第２ａ図、第３ａ図に示すｆ−鳥装置とすることか好ま
しい。その他斜め配置などでもよい。
る位置をとってもよいが、隣接する電極２と接触するこ
とがなく、できるたけ広い面積をとるために第１ａ図、
第２ａ図、第３ａ図に示すｆ−鳥装置とすることか好ま
しい。その他斜め配置などでもよい。
次に、本発明の光シャッタアレイの製造方法を簡昨に説
明する。
明する。
第６ａ図に示すように、ＰＬＺＴ基板１０にりｆシング
ツ−により溝１９を切削油Ｊニする。次に５レツクホン
ト（室町化学Ｔ１袋製）等の４電性接着剤を溝１９に充
填する。充填は溝１９の体積に等しい量よりは少し過剰
に充填しく第６ｂ図参照）、樹脂を加熱等により硬化さ
せた後５ＰＬＺＴ基板１０表面を研磨して（第６ｃ図参
照）、過剰な導電性接着剤を除く（第６ｄ図参照）。こ
のようにしてＰＬＺＴ基板１０に充填電極部分１７を形
成する。
ツ−により溝１９を切削油Ｊニする。次に５レツクホン
ト（室町化学Ｔ１袋製）等の４電性接着剤を溝１９に充
填する。充填は溝１９の体積に等しい量よりは少し過剰
に充填しく第６ｂ図参照）、樹脂を加熱等により硬化さ
せた後５ＰＬＺＴ基板１０表面を研磨して（第６ｃ図参
照）、過剰な導電性接着剤を除く（第６ｄ図参照）。こ
のようにしてＰＬＺＴ基板１０に充填電極部分１７を形
成する。
絶縁層６をｈしない尤シャッタアレイの場０−ム：は、
第７図に示すように、１−記電極を形成したＰＬＺＴ板
十に電極パッド層１８を形成する。電極バット層１８は
Ａ ＩＪ ／ ｔ： ｒの２層の構造または＾ｌの一層
構造とすることかできる。電極バット層の形成はスパッ
ター叉は蒸着等によって行う（第７ａ図参照）。次に、
ハント社製ボシレシスｈＨＰＲ５０４を用いたフォトリ
ソグラフにより電極バッド３となる以外の電極パッド層
１８の部分を除いて電極バッド３を形成１−る（第７ｂ
図参照）。
第７図に示すように、１−記電極を形成したＰＬＺＴ板
十に電極パッド層１８を形成する。電極バット層１８は
Ａ ＩＪ ／ ｔ： ｒの２層の構造または＾ｌの一層
構造とすることかできる。電極バット層の形成はスパッ
ター叉は蒸着等によって行う（第７ａ図参照）。次に、
ハント社製ボシレシスｈＨＰＲ５０４を用いたフォトリ
ソグラフにより電極バッド３となる以外の電極パッド層
１８の部分を除いて電極バッド３を形成１−る（第７ｂ
図参照）。
絶縁層６を自゛する光シャッタアレイの場合には、第８
図に示すように、第６図に示したようにして得られた電
極部を有するＰＬＺＴ板上に透明絶縁膜６を形成する。
図に示すように、第６図に示したようにして得られた電
極部を有するＰＬＺＴ板上に透明絶縁膜６を形成する。
ポリイミドをスピンナー塗布することが好ましい（第８
ａ図参照）。
ａ図参照）。
次に、フォトレジストをマスクとして透明絶縁膜のエツ
チングをするフォトリソグラフにより電極部１７に対応
する透明絶縁膜６にコンタクトホール４をあける（第８
ｂ図参照）。この透明絶縁膜６上に電極パッド層１８を
形成する。電極パッド層１８は透明絶縁膜６を有しない
光シャッタアレイの場合と同様である。次に、フォトリ
ソグラフを用いて電極バッド３以外の電極パッド層１８
を除いて電極バッド３を形成する（第（６図参照）。こ
のようにして、充填電極部１７は絶縁膜６のコンタクト
ホール４に充填された接続用電極部１６を電極バッド３
に接続される。
チングをするフォトリソグラフにより電極部１７に対応
する透明絶縁膜６にコンタクトホール４をあける（第８
ｂ図参照）。この透明絶縁膜６上に電極パッド層１８を
形成する。電極パッド層１８は透明絶縁膜６を有しない
光シャッタアレイの場合と同様である。次に、フォトリ
ソグラフを用いて電極バッド３以外の電極パッド層１８
を除いて電極バッド３を形成する（第（６図参照）。こ
のようにして、充填電極部１７は絶縁膜６のコンタクト
ホール４に充填された接続用電極部１６を電極バッド３
に接続される。
〈発明の作用〉
第３図に示す構成の光シャッタアレイの例について、第
４図を用いて説明する。本発明の光シャッタアレイ１の
入射光５側に偏光子８を、出射光７側に検光子−９を！
７．いに１行に対向して配置する。このとき偏光Ｆ８の
偏光面の方向は、矢印１４で示す方向であり、検光子６
の偏光面の方向は、これと直交する矢印１５で示す方向
である。
４図を用いて説明する。本発明の光シャッタアレイ１の
入射光５側に偏光子８を、出射光７側に検光子−９を！
７．いに１行に対向して配置する。このとき偏光Ｆ８の
偏光面の方向は、矢印１４で示す方向であり、検光子６
の偏光面の方向は、これと直交する矢印１５で示す方向
である。
偏光子８に大射光５である平行光束を、偏光ｆ８に直交
的に入射させる。この入射光束は自然偏光である。
的に入射させる。この入射光束は自然偏光である。
すると、偏光子８を透過したモ行光束は、偏光ｆ８の作
用により直線偏光とされ、その偏光面は１４の方向とな
る。
用により直線偏光とされ、その偏光面は１４の方向とな
る。
そして、直線偏光された・Ｙ行光束は、光シャッタアレ
イ１の駆動部２９を透過するが、そのとき、電極に電圧
が印加されていなけば、透過光の偏光状態に何の変化も
生じない。従って偏光状態を変化させずに透過した光は
、検光子９に到達すると、この検光子９の偏光面の方向
と、到達した光の偏光方向とが直交することにより、検
光子９により遮断される。
イ１の駆動部２９を透過するが、そのとき、電極に電圧
が印加されていなけば、透過光の偏光状態に何の変化も
生じない。従って偏光状態を変化させずに透過した光は
、検光子９に到達すると、この検光子９の偏光面の方向
と、到達した光の偏光方向とが直交することにより、検
光子９により遮断される。
光シャッタアレイｌの電極２に電圧が印加されていると
、駆動部２９に電界が作用し、電気光学効果を生じる。
、駆動部２９に電界が作用し、電気光学効果を生じる。
この電気光学効果により、常光線と異常光線との間には
位相のずれが発生し、この部分を透過した光は、一般に
楕円偏光となる。
位相のずれが発生し、この部分を透過した光は、一般に
楕円偏光となる。
このように楕円偏光した光は、その内に、矢印１５で示
す方向の偏光成分を存しているので、この偏光成分の光
は、検光子９を透過して出射光７となる。
す方向の偏光成分を存しているので、この偏光成分の光
は、検光子９を透過して出射光７となる。
第４図に示す例と異なり、偏光子８と検光子９の偏光面
の方向を同一になるように偏光子８と検光子９を互いに
平行に対向して配置した場合には、光シャッタアレイｌ
の電極に電圧を印加すると透過光は検光子９により遮断
され、電極に電圧を印加しないと透過光はさらに検光子
９を透過する。
の方向を同一になるように偏光子８と検光子９を互いに
平行に対向して配置した場合には、光シャッタアレイｌ
の電極に電圧を印加すると透過光は検光子９により遮断
され、電極に電圧を印加しないと透過光はさらに検光子
９を透過する。
このように電極への印加電圧の０Ｎ−ＯＦＦによって光
シャッタアレイの光の透過、遮断を制御することができ
る。
シャッタアレイの光の透過、遮断を制御することができ
る。
本発明の光シャッタアレイは、ＰＬＺＴ基板表面にほぼ
垂直に、比較的深く（溝型に）形成されているので、電
極の巾かせまく一画素を小さくすることができ、イｆ効
光路長が大きくとれ、駆動電力を下げることができ電界
の湾曲が小さいので隣り合う画素間のクロストークを防
止し鮮明な画像かえられる。
垂直に、比較的深く（溝型に）形成されているので、電
極の巾かせまく一画素を小さくすることができ、イｆ効
光路長が大きくとれ、駆動電力を下げることができ電界
の湾曲が小さいので隣り合う画素間のクロストークを防
止し鮮明な画像かえられる。
第４図に示すこのような溝型に形成された電極２はワイ
ヤボンディングによって電源１３と接続されることが多
いか、従来ワイヤボンディングが容易ではなかった。本
発明は比較的大きな面積の電極バッドを有するので、ワ
イヤボンディングが容易で確実である。
ヤボンディングによって電源１３と接続されることが多
いか、従来ワイヤボンディングが容易ではなかった。本
発明は比較的大きな面積の電極バッドを有するので、ワ
イヤボンディングが容易で確実である。
さらに少なくとも駆動部表面を透明絶縁膜で覆っである
ので光シヤツタ電極が空気放電する危険がなく、使用中
の摩耗等に対しても耐久性がある。
ので光シヤツタ電極が空気放電する危険がなく、使用中
の摩耗等に対しても耐久性がある。
この光シャッタアレイは、１例としてハードコピー用の
プリンタに利用することができる。これは、光シャッタ
アレイの出射光側に集光性光伝送体アレ仁感光体、現′
像装置および転写チャージャーを備えたプリンタを配置
しく図示せず）、尤シャッタアレイの光の透過、遮断の
制御によって紙面に印字を行うものである。
プリンタに利用することができる。これは、光シャッタ
アレイの出射光側に集光性光伝送体アレ仁感光体、現′
像装置および転写チャージャーを備えたプリンタを配置
しく図示せず）、尤シャッタアレイの光の透過、遮断の
制御によって紙面に印字を行うものである。
〈実 施 例〉
実ｈｂ例１
組成９／６５／３５のＰＬＺＴ基板長さ３０ｍｍ×幅３
０００μｍＸ厚み３００μｍｌｚにｒｌＪ３５μｍＸ長
さ３０００μｍＸ深さ２００ μ＋ｉの溝１１９本をダ
イシングソーを用いて機械加工した。この溝に導電性樹
脂レックスボンド（室町化学製）を充填して′ＩＫ棒と
した。さらにＰ Ｌ Ｚ Ｔ ＪＡ板表面にＡｕ／（＋
ｒ２層スパッタリングおよびフォトリソグラフィ法によ
って１００μＩＩ Ｘ２００μｌの電極バットを形成し
た。実施例１において作製した光シャッタアレイの構成
配置を第９図に示した。図中において数字は寸法を示し
、低位はμｌである。
０００μｍＸ厚み３００μｍｌｚにｒｌＪ３５μｍＸ長
さ３０００μｍＸ深さ２００ μ＋ｉの溝１１９本をダ
イシングソーを用いて機械加工した。この溝に導電性樹
脂レックスボンド（室町化学製）を充填して′ＩＫ棒と
した。さらにＰ Ｌ Ｚ Ｔ ＪＡ板表面にＡｕ／（＋
ｒ２層スパッタリングおよびフォトリソグラフィ法によ
って１００μＩＩ Ｘ２００μｌの電極バットを形成し
た。実施例１において作製した光シャッタアレイの構成
配置を第９図に示した。図中において数字は寸法を示し
、低位はμｌである。
電極パッドサイズとしてワイヤボンディングが容易な１
００Ｘ２００μｍの比較的大きな面積が充分確保できた
。
００Ｘ２００μｍの比較的大きな面積が充分確保できた
。
この電極パッドを用いてワイヤボンディングを１１っか
ところ容易に確実にワイヤボンティングを行うことかて
きた。さらにワイヤの断線も牛しなかった。
ところ容易に確実にワイヤボンティングを行うことかて
きた。さらにワイヤの断線も牛しなかった。
実施例２
実施例１と同様のｐ ｉ、 ｚ Ｔ居板に同様サイズの
溝をダイシングソーを用いてｌａ絨加上し、同様の導電
性樹脂を充填して電極とした。次にポリイミド樹脂をＰ
ＬＺＴ基板トに約１．５μｍ厚さに設層し、フォトレジ
ストをポリイミド樹脂十に設層し、フォトレジストにコ
タクトホールをバターニングしてポリイミド樹脂をエツ
チング液でエツチングした後、フォトレジストを除いて
Ａｇスパッタリングおよびフォトリソグラフィ法で実施
例１と同様の電極パッドを形成した。
溝をダイシングソーを用いてｌａ絨加上し、同様の導電
性樹脂を充填して電極とした。次にポリイミド樹脂をＰ
ＬＺＴ基板トに約１．５μｍ厚さに設層し、フォトレジ
ストをポリイミド樹脂十に設層し、フォトレジストにコ
タクトホールをバターニングしてポリイミド樹脂をエツ
チング液でエツチングした後、フォトレジストを除いて
Ａｇスパッタリングおよびフォトリソグラフィ法で実施
例１と同様の電極パッドを形成した。
実施例２において作製した光シャッタアレイの構成配置
を第１０図に示した。図中において数字はす法を示し、
中−位はμｍである。
を第１０図に示した。図中において数字はす法を示し、
中−位はμｍである。
丁”島配列にすることで電極パッドサイズは２００ｘ２
００μｍと大きくとれパッド間もゆとりをもってとれる
ためクロストークが少なく鮮明な画像かえられた。
００μｍと大きくとれパッド間もゆとりをもってとれる
ためクロストークが少なく鮮明な画像かえられた。
この尤シャッタアレイの耐絶縁性を測定したところ、電
極配置り最も電極間隔の狭いところで測定して、電界強
度４０ｖ／μｍでも放′ポによる破壊は起こらず、本発
明の効果が部分であることが確認できた。ポリイミド樹
脂絶縁１摸のない従来の光シャッタアレイが約２Ｖ／μ
ｍで空気放電を起こすのに比して耐絶縁性か高い。
極配置り最も電極間隔の狭いところで測定して、電界強
度４０ｖ／μｍでも放′ポによる破壊は起こらず、本発
明の効果が部分であることが確認できた。ポリイミド樹
脂絶縁１摸のない従来の光シャッタアレイが約２Ｖ／μ
ｍで空気放電を起こすのに比して耐絶縁性か高い。
〈発明の効果〉
本発明の光シャッタアレイは１′に気光学材料表面にほ
ぼｌ［直に深く設けた電極（溝型主棒）におけるワイヤ
ボンディングか容易でワイヤの密着性か良く断線等のな
い光シャッタアレイである。このため、駆動′１゛に力
を低くすることができ、隣接画素間のクロストークが防
げる溝型′１ニ棒の利点を生かしなから、ワイヤボンテ
ィングか困難であるといる従来の溝型主棒の欠点を改良
した。
ぼｌ［直に深く設けた電極（溝型主棒）におけるワイヤ
ボンディングか容易でワイヤの密着性か良く断線等のな
い光シャッタアレイである。このため、駆動′１゛に力
を低くすることができ、隣接画素間のクロストークが防
げる溝型′１ニ棒の利点を生かしなから、ワイヤボンテ
ィングか困難であるといる従来の溝型主棒の欠点を改良
した。
また、′１に極の従来空気中に露出していた部分を透明
絶縁膜で覆う構成とすれば、空気放電による電極の損傷
かなく使用耐久性か良＜ＰＬＺＴｗ板表面の光反射も防
ぐことかできる。
絶縁膜で覆う構成とすれば、空気放電による電極の損傷
かなく使用耐久性か良＜ＰＬＺＴｗ板表面の光反射も防
ぐことかできる。
さらに、少なくとも駆動部上を透明絶縁ＩＩ！２で覆い
、その他のＰＬＺＴ基板表面を遮光性のある絶縁膜で覆
う構成とすれば、駆動部以外のＰＬＺＴ板の不用の光透
過による不変な偏光を防ぐことができ鮮明なコントラス
トの画像かえられる。
、その他のＰＬＺＴ基板表面を遮光性のある絶縁膜で覆
う構成とすれば、駆動部以外のＰＬＺＴ板の不用の光透
過による不変な偏光を防ぐことができ鮮明なコントラス
トの画像かえられる。
第１ａ図は、本発明の光シャッタアレイの第１構成例を
＞ｌ’＜す゛Ｖ面図である。 第１ｂ図は、第１ａ図のＩ−１線に沿った断面図である
。 第２ａ図は、本発明の光シャッタアレイの第２構成例を
示す゛上面図である。 第２ｂ図は、第２ａ図の■−■線に沿った断面図である
。 第３ａ図は１本発明の光シャッタアレイの第３構成例を
示す゛Ｐ、血図である。 第３ｂ図は５第３ａ図の■−■線に沿った断面図である
。 第４図は、光シャッタアレイの原理を説明する図である
。 第５図は、従来例の光シャッタアレイ電極構造を示す断
面図である。 第６図は、本発明の光シャッタアレイの製造工程例の１
例を示す説明図である。 第７図は、本発明の光シャッタアレイの製造工程例の１
例を示す説明図である。 第８図は、本発明の光シャッタアレイの製造工程例の１
例を示す説明図である。 第９図は、本発明の実施例１の絶縁層のない光シャッタ
アレイを示す斜視図である。 第１０図は、本発明の実施例２の絶縁層のある光シャッ
タアレイを示す斜視図である。 符号の説明 ｌ・・・光シャッタアレイ、２−電極、３−電極パッド
、４−コンタクトホール、５・−入射光、６−透明絶縁
膜、７・−出射光、８−偏光子、９−検光子、１Ｏ−Ｐ
ＬＺＴ基板、ｉ ｉ−・・スイッチ、１２・−ワイヤ、
１３−電源、１４．１５−偏光面の方向、 １６−・・接続用電極部、１７・・・充＃１電極部、１
８−・・電極パッド層、１９・−溝、２８・−電極部、
２９−・・駆動部 特許出願人 富士写真フィルム株式会社Ｆ Ｉ Ｇ、
１ａ Ｆ Ｉ Ｇ、 ２ａ ＦＩＧ、３ａ Ｆ Ｉ Ｇ、 ３ｂ Ｆ Ｉ Ｇ、 ４ ＦＩＧ、５ ＦＩＧ、６ １ｏ １７ ＦＩＧ、９ ３５（単位Ｐｍ） 下−条尼ネ市正＋４！； （自発） 昭和６１年１０月３１１１ 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 ２、発明の名称 光シャッタアレイ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 神奈川県南足柄市中沼２１０番地名 称
（５２０）富士写真フィルム株式会社代表者 大
西 實 ４、代理人 〒１０１電話８６４−４４９８住 所
東京都千代田区岩本町３丁目２番２号図面 ６、補正の内容 第１ａ図、第１ｂ図、第２ａ図、第２ｂ図、第３ａ図お
よびＦＩＧ、２ａ
＞ｌ’＜す゛Ｖ面図である。 第１ｂ図は、第１ａ図のＩ−１線に沿った断面図である
。 第２ａ図は、本発明の光シャッタアレイの第２構成例を
示す゛上面図である。 第２ｂ図は、第２ａ図の■−■線に沿った断面図である
。 第３ａ図は１本発明の光シャッタアレイの第３構成例を
示す゛Ｐ、血図である。 第３ｂ図は５第３ａ図の■−■線に沿った断面図である
。 第４図は、光シャッタアレイの原理を説明する図である
。 第５図は、従来例の光シャッタアレイ電極構造を示す断
面図である。 第６図は、本発明の光シャッタアレイの製造工程例の１
例を示す説明図である。 第７図は、本発明の光シャッタアレイの製造工程例の１
例を示す説明図である。 第８図は、本発明の光シャッタアレイの製造工程例の１
例を示す説明図である。 第９図は、本発明の実施例１の絶縁層のない光シャッタ
アレイを示す斜視図である。 第１０図は、本発明の実施例２の絶縁層のある光シャッ
タアレイを示す斜視図である。 符号の説明 ｌ・・・光シャッタアレイ、２−電極、３−電極パッド
、４−コンタクトホール、５・−入射光、６−透明絶縁
膜、７・−出射光、８−偏光子、９−検光子、１Ｏ−Ｐ
ＬＺＴ基板、ｉ ｉ−・・スイッチ、１２・−ワイヤ、
１３−電源、１４．１５−偏光面の方向、 １６−・・接続用電極部、１７・・・充＃１電極部、１
８−・・電極パッド層、１９・−溝、２８・−電極部、
２９−・・駆動部 特許出願人 富士写真フィルム株式会社Ｆ Ｉ Ｇ、
１ａ Ｆ Ｉ Ｇ、 ２ａ ＦＩＧ、３ａ Ｆ Ｉ Ｇ、 ３ｂ Ｆ Ｉ Ｇ、 ４ ＦＩＧ、５ ＦＩＧ、６ １ｏ １７ ＦＩＧ、９ ３５（単位Ｐｍ） 下−条尼ネ市正＋４！； （自発） 昭和６１年１０月３１１１ 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 ２、発明の名称 光シャッタアレイ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 神奈川県南足柄市中沼２１０番地名 称
（５２０）富士写真フィルム株式会社代表者 大
西 實 ４、代理人 〒１０１電話８６４−４４９８住 所
東京都千代田区岩本町３丁目２番２号図面 ６、補正の内容 第１ａ図、第１ｂ図、第２ａ図、第２ｂ図、第３ａ図お
よびＦＩＧ、２ａ
Claims (8)
- （１）電気光学効果を発揮する電気光学材料製透明基板
に形成した溝に導電材料を充填した電極部と、該電極部
の少なくとも一部分に電気的に接続するように形成され
た電極パッドを有することを特徴とする光シャッタアレ
イ。 - （２）前記溝がエッチングによって形成された溝である
特許請求の範囲第１項に記載の光シャッタアレイ。 - （３）前記溝が機械加工によって形成された溝である特
許請求の範囲第１項に記載の光シャッタアレイ。 - （４）前記溝が、深さが５０μｍ以上である特許請求の
範囲第３項に記載の光シャッタアレイ。 - （５）電気光学効果を発揮する電気光学材料製透明基板
に形成した溝に導電材料を充填した電極部と、該電極部
の少なくとも一部分に電気的に接続するように形成され
た電極パッドと、少なくとも電気光学効果を発揮する駆
動部上に形成した透明な絶縁膜とを有することを特徴と
する光シャッタアレイ。 - （６）前記溝がエッチングによって形成された溝である
特許請求の範囲第５項に記載の光シャタアレイ。 - （７）前記溝が機械加工によって形成された溝である特
許請求の範囲第５項に記載の光シャッタアレイ。 - （８）前記溝は、深さが５０μｍ以上である特許請求の
範囲第７項に記載の光シャッタアレイ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22105985A JPS6285219A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 光シヤツタアレイ |
| US06/914,972 US4755415A (en) | 1985-10-03 | 1986-10-03 | Optical shutter array and method for making |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22105985A JPS6285219A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 光シヤツタアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285219A true JPS6285219A (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=16760847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22105985A Pending JPS6285219A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 光シヤツタアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285219A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO1999022266A1 (en) * | 1997-10-29 | 1999-05-06 | Romanovsky Alexander B | Discrete element light modulating microstructure devices |
| US6486996B1 (en) | 1998-10-27 | 2002-11-26 | Teloptics Corporations | Discrete element light modulating microstructure devices |
Citations (3)
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| JPS5371862A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Circuit block and liquid crystal panel of electronic watch |
| JPS59104623A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-16 | Murata Mfg Co Ltd | セラミツク素子及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP22105985A patent/JPS6285219A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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Cited By (13)
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| US6288822B2 (en) | 1997-10-29 | 2001-09-11 | Teloptics Corporation | Discrete element light modulating microstructure devices |
| US6297899B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-10-02 | Teloptics Corporation | Discrete element light modulating microstructure devices |
| US6310712B1 (en) * | 1997-10-29 | 2001-10-30 | Teloptics Corporation | Discrete element light modulating microstructure devices |
| US6381060B1 (en) | 1997-10-29 | 2002-04-30 | Teloptics Corporation | Total internal reflection light modulating microstructure devices |
| US6614574B2 (en) | 1997-10-29 | 2003-09-02 | Teloptics Corporation | Total internal reflection light modulating microstructure devices |
| US6486996B1 (en) | 1998-10-27 | 2002-11-26 | Teloptics Corporations | Discrete element light modulating microstructure devices |
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