JPS58107514A - 光シヤツタアレイ - Google Patents
光シヤツタアレイInfo
- Publication number
- JPS58107514A JPS58107514A JP20781781A JP20781781A JPS58107514A JP S58107514 A JPS58107514 A JP S58107514A JP 20781781 A JP20781781 A JP 20781781A JP 20781781 A JP20781781 A JP 20781781A JP S58107514 A JPS58107514 A JP S58107514A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- optical shutter
- light
- shutter array
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透光比セラミックを用いた電気光学シャッタ、
特九光シャッタアレイにおいて、プレイの方向に並行あ
るいは垂直な偏光面を持ち、スイッチング速度やコント
ラストの低下Ｏ生じない光シヤツタアレイに関する。
特九光シャッタアレイにおいて、プレイの方向に並行あ
るいは垂直な偏光面を持ち、スイッチング速度やコント
ラストの低下Ｏ生じない光シヤツタアレイに関する。
直交する偏光子間に、２次電気元学効果、いわゆるＫｅ
ｒｒ 効果を示す強誘電体を配置し、電圧の印加によ
って光のオン・オフを制御する光シャッタは周知である
。
ｒｒ 効果を示す強誘電体を配置し、電圧の印加によ
って光のオン・オフを制御する光シャッタは周知である
。
このような目的に用いられる強誘電体Ｏ１ｆｍとしてＰ
ＬＺＴセラ５ツクスをあげることが出来る。その組成は
（Ｐｂ１−ｘ、 Ｌａｘ ） （Ｚｒ１−ｙ、 Ｔｉｙ
）０３の化学式で示され、１％ Ｖｍｆｌｃよ抄１次、
２次の電気光学効果および光学的メモリ作用を持つので
、光シャッタ、ディスプレイ等電気光学分野ヘリ応用が
研究されている。
ＬＺＴセラ５ツクスをあげることが出来る。その組成は
（Ｐｂ１−ｘ、 Ｌａｘ ） （Ｚｒ１−ｙ、 Ｔｉｙ
）０３の化学式で示され、１％ Ｖｍｆｌｃよ抄１次、
２次の電気光学効果および光学的メモリ作用を持つので
、光シャッタ、ディスプレイ等電気光学分野ヘリ応用が
研究されている。
その中で、！＝０．０８６〜０．１ ）’＝α３！ｓ
Ｏものは、常隠では常鱈電注を示すが直流電圧を印加す
ると強舖電相が銹起され、Ｋｅｒｒ 効果を示すよう
になる。しかも記憶礪能がないυで光シャッタへの応用
に適しており、スリムループ２次電気材料と呼ばれてい
る。
Ｏものは、常隠では常鱈電注を示すが直流電圧を印加す
ると強舖電相が銹起され、Ｋｅｒｒ 効果を示すよう
になる。しかも記憶礪能がないυで光シャッタへの応用
に適しており、スリムループ２次電気材料と呼ばれてい
る。
このＰＬＺＴを用いた光シャッタの基本的な構造は、第
１図に示すように、互に直交する偏光子１．２関ＫＰＬ
ＺＴ板３を配置し、板面と千行に電圧を印加するような
電極４を設ける。
１図に示すように、互に直交する偏光子１．２関ＫＰＬ
ＺＴ板３を配置し、板面と千行に電圧を印加するような
電極４を設ける。
そして電圧印加方向がＰＬＺＴ板に入射する光の偏光面
と４５になるように配置する０電圧を印加しなければ光
は偏光子２で遮光される。電１１４．４’間に電圧を印
加すれば、ＰＬＺＴ板３の常光に対する屈折率ｎ□と異
常光に対する屈折率ｎｅとに 良だし ｎ ： ＰＬＺＴの屈折率 Ｒ：定数Ｅ：印加
電界の差を生じ、光学的位相差２π Ｐ＝−・ΔＵ％ｄ λ ただし ｄ：’ＰＬＺＴ板の有効厚 を生じ出射光は一般に楕円偏光となる＠このため偏光子
２を通過する光ｔは Ｉ ｗｗ Ｉｔ ｓｉｎ’旦 友だし Ｉｉ：ＰＬＺＴ板への入射光量となるＯ Ｐ−π となるような電圧Ｖ２／２ を印加すれば偏
光子２０通過光量エル最大となる〇このような光シャッ
タを用いて電子写真式プリンタ等の光書き込み用シャッ
タアレイを構成する１例を１４２図に示す。すなわち、
直交する偏光板、１．２０間に配置されたＰＬＺＴ板３
上には共通電極４ｂに対向して多数の信号電極４ａが設
けられ、これら０電極４＆’Ｄうら電圧を印加された電
極の光シヤツタ部だけが光を通過させる。
と４５になるように配置する０電圧を印加しなければ光
は偏光子２で遮光される。電１１４．４’間に電圧を印
加すれば、ＰＬＺＴ板３の常光に対する屈折率ｎ□と異
常光に対する屈折率ｎｅとに 良だし ｎ ： ＰＬＺＴの屈折率 Ｒ：定数Ｅ：印加
電界の差を生じ、光学的位相差２π Ｐ＝−・ΔＵ％ｄ λ ただし ｄ：’ＰＬＺＴ板の有効厚 を生じ出射光は一般に楕円偏光となる＠このため偏光子
２を通過する光ｔは Ｉ ｗｗ Ｉｔ ｓｉｎ’旦 友だし Ｉｉ：ＰＬＺＴ板への入射光量となるＯ Ｐ−π となるような電圧Ｖ２／２ を印加すれば偏
光子２０通過光量エル最大となる〇このような光シャッ
タを用いて電子写真式プリンタ等の光書き込み用シャッ
タアレイを構成する１例を１４２図に示す。すなわち、
直交する偏光板、１．２０間に配置されたＰＬＺＴ板３
上には共通電極４ｂに対向して多数の信号電極４ａが設
けられ、これら０電極４＆’Ｄうら電圧を印加された電
極の光シヤツタ部だけが光を通過させる。
しかし、こ■形式の光シャッタアレイ轢、各光点間隔を
画像記録に用いうるＩｆの１００〜５０μｍの電極間隔
にすると、隣接する電極間に生ずる容量によるスイッチ
ング速ｌｆＯ低下。
画像記録に用いうるＩｆの１００〜５０μｍの電極間隔
にすると、隣接する電極間に生ずる容量によるスイッチ
ング速ｌｆＯ低下。
容量を通じての電圧もれによるコントラスト０低下、さ
らには偏光子として光利用効率の高いボラライズド・ビ
ーム・スプリッタＰＢＳを利用することが出来ないとい
う欠点があった。これはＰＢＳで得られる偏光は、そＯ
偏光面がプレイの方向に平行又は−直なもつに限られる
か゛らである・ 本発明は、電極形状を工夫することにより。
らには偏光子として光利用効率の高いボラライズド・ビ
ーム・スプリッタＰＢＳを利用することが出来ないとい
う欠点があった。これはＰＢＳで得られる偏光は、そＯ
偏光面がプレイの方向に平行又は−直なもつに限られる
か゛らである・ 本発明は、電極形状を工夫することにより。
光シャッタアレイＯ方向に４５に傾斜した方向に電界を
印加することにより、上述の欠点を持たない光シヤツタ
アレイを得ようとする一〇である。
印加することにより、上述の欠点を持たない光シヤツタ
アレイを得ようとする一〇である。
第３図は、そのための電極形状の１例を示し、電極４は
プレイの方向に４５に傾斜した細線形のものが等間隔に
配置され、隣抄合う電極に電圧が印加されることくより
、その電極間の部分５が複屈折性を示し、入射する直線
偏光を楕円偏光に変え、電圧がＶ２／２ のとき偏光
面を９０゜回転させた直線偏光となる。
プレイの方向に４５に傾斜した細線形のものが等間隔に
配置され、隣抄合う電極に電圧が印加されることくより
、その電極間の部分５が複屈折性を示し、入射する直線
偏光を楕円偏光に変え、電圧がＶ２／２ のとき偏光
面を９０゜回転させた直線偏光となる。
この形状の電極では、光シャッタ部０両儒辺関に電界を
印加する必要があるため、今端子ａ。
印加する必要があるため、今端子ａ。
ｂ閘に電圧Ｖを印加すればシャッタ部６はオンになる。
このとき、隣接するシャッタ部５′をオンにするには端
子Ｃに２ｖの電圧を印加するか。
子Ｃに２ｖの電圧を印加するか。
端子すへの電圧を０にし、シャッタ部５をオフにして電
子Ｃへ電圧Ｖを印加する必要がある。
子Ｃへ電圧Ｖを印加する必要がある。
しかし、このような光シヤツタアレイを走査する場合は
、ｊｌ［Ｋシャッタ部をオンにして行けばよいので開−
は生じない・ ・＠４図はこのようなＰＬ
ＺＴ板を用いて光シヤツタアレイを構成した例を示し、
入射直線偏光υ偏光ａｉｉｔｉアレイと喬直又は平行と
なっているＯ 第５図は同様の効果を有する電極形状Ｏ他Ｏ例を示し、
電極４ａは隣り合うものは互に逆Ｏ傾斜を持ち、同一の
端子に接続される口このような構造の電極の場合は上清
Ｏ端子列す、ｄ％ｆ％ｈと下側の端子列＆、ｅ％ｅ％ｇ
関に電圧を印加することで、アレイＯ全シャッタ部を同
時にオンにする仁とが出来る０ １１６図は遮光マスク０パターンを示し、光シヤツタ部
５に対応する孔６を有する・ＰＬＺＴ板にこ０ような遮
光マスクをかぶせることにより、光シャッタ部５以外Ｏ
部分から０光のもれを減少出来る。
、ｊｌ［Ｋシャッタ部をオンにして行けばよいので開−
は生じない・ ・＠４図はこのようなＰＬ
ＺＴ板を用いて光シヤツタアレイを構成した例を示し、
入射直線偏光υ偏光ａｉｉｔｉアレイと喬直又は平行と
なっているＯ 第５図は同様の効果を有する電極形状Ｏ他Ｏ例を示し、
電極４ａは隣り合うものは互に逆Ｏ傾斜を持ち、同一の
端子に接続される口このような構造の電極の場合は上清
Ｏ端子列す、ｄ％ｆ％ｈと下側の端子列＆、ｅ％ｅ％ｇ
関に電圧を印加することで、アレイＯ全シャッタ部を同
時にオンにする仁とが出来る０ １１６図は遮光マスク０パターンを示し、光シヤツタ部
５に対応する孔６を有する・ＰＬＺＴ板にこ０ような遮
光マスクをかぶせることにより、光シャッタ部５以外Ｏ
部分から０光のもれを減少出来る。
本発明υ光シャッタアレイは、上記のようにに＠ｒｒ
効果を示す強誘電体上の電極形状により、光シヤツタア
レイ方向と４５の方向に電界を印加するようにし、各シ
ャッタ部を小さく、シかも青に配列しても−合う信号電
極との間にはぼシャッタ部と同鴨［Ｏ間隔をとることが
出来るＯで、電極相互間に生ずる容ｔＫ：よるスイッチ
ング速度の低下やコントラストの低下を減少さぜ、シャ
ッタ部を間隔を置かずに密に配列することが町、能とな
る。
効果を示す強誘電体上の電極形状により、光シヤツタア
レイ方向と４５の方向に電界を印加するようにし、各シ
ャッタ部を小さく、シかも青に配列しても−合う信号電
極との間にはぼシャッタ部と同鴨［Ｏ間隔をとることが
出来るＯで、電極相互間に生ずる容ｔＫ：よるスイッチ
ング速度の低下やコントラストの低下を減少さぜ、シャ
ッタ部を間隔を置かずに密に配列することが町、能とな
る。
その上、偏光子として例えば多層薄膜によるボラライズ
ドビームスプリツタＰＢＳ等は、透過光、反射光の偏光
面はシャッタアレイ方向に平行又は垂直のものしか得ら
れないので、従来０党シャッタアレイには利用出来なか
つたが、本発明Ｑ強誘電体を用いることによって始めて
利用可能となった＠ＰＢ８７を偏光子として用いた光シ
ヤツタアレイｆ）構造を第７図に示す０４、 図面′ｆ
）！ｌ１ｌＩＩＬな説明ｗ４１図は光シヤツタＯ原理説
明図、第２図は従来の光シヤツタアレイの＠造概念図％
１１３図は本発明の光シヤツタアレイの電極形状の１実
権例の説明図、１ｌＩ４ｒ１７Ａは同じくシャツタアレ
イ０＠造献念図、第５図は電極形状の他Ｏ実施ガ０説明
図、＠６図は遮光マスクの平面図、第７図はＰＢＳを用
いたシャッタアレイの構造概念図 １，２：ｍ光子 ３
：ＰＬＺＴｌ［４：電極 ５：光シヤツタ部 ７：ＰＢ
Ｓ素子特許出蒙人 株式会社 リコー
ドビームスプリツタＰＢＳ等は、透過光、反射光の偏光
面はシャッタアレイ方向に平行又は垂直のものしか得ら
れないので、従来０党シャッタアレイには利用出来なか
つたが、本発明Ｑ強誘電体を用いることによって始めて
利用可能となった＠ＰＢ８７を偏光子として用いた光シ
ヤツタアレイｆ）構造を第７図に示す０４、 図面′ｆ
）！ｌ１ｌＩＩＬな説明ｗ４１図は光シヤツタＯ原理説
明図、第２図は従来の光シヤツタアレイの＠造概念図％
１１３図は本発明の光シヤツタアレイの電極形状の１実
権例の説明図、１ｌＩ４ｒ１７Ａは同じくシャツタアレ
イ０＠造献念図、第５図は電極形状の他Ｏ実施ガ０説明
図、＠６図は遮光マスクの平面図、第７図はＰＢＳを用
いたシャッタアレイの構造概念図 １，２：ｍ光子 ３
：ＰＬＺＴｌ［４：電極 ５：光シヤツタ部 ７：ＰＢ
Ｓ素子特許出蒙人 株式会社 リコー
Claims (1)
- 互に直交する偏光子間に配置され、信号電圧を印加する
電極を有する二次電気光学効果を示す強誘電体において
、上記電極が光シヤツタアレイ方向に対し傾斜して配置
され、プレイ方向と傾斜した電界が印加されることを特
徴とする光シヤツタアレイ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20781781A JPS58107514A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 光シヤツタアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20781781A JPS58107514A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 光シヤツタアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107514A true JPS58107514A (ja) | 1983-06-27 |
| JPH0410612B2 JPH0410612B2 (ja) | 1992-02-25 |
Family
ID=16545992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20781781A Granted JPS58107514A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 光シヤツタアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107514A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6026927A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光制御素子 |
| WO1989003061A1 (en) * | 1987-09-23 | 1989-04-06 | Eastman Kodak Company | Stress-tolerant light valve array construction |
-
1981
- 1981-12-22 JP JP20781781A patent/JPS58107514A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6026927A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光制御素子 |
| WO1989003061A1 (en) * | 1987-09-23 | 1989-04-06 | Eastman Kodak Company | Stress-tolerant light valve array construction |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0410612B2 (ja) | 1992-02-25 |
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