JPS627829A - 磁気デイスク基板用アルミニウム合金 - Google Patents
磁気デイスク基板用アルミニウム合金Info
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- JPS627829A JPS627829A JP14704985A JP14704985A JPS627829A JP S627829 A JPS627829 A JP S627829A JP 14704985 A JP14704985 A JP 14704985A JP 14704985 A JP14704985 A JP 14704985A JP S627829 A JPS627829 A JP S627829A
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- less
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- magnetic disk
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- alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は磁気ディスク基板用アルミニウム合金に関す
る。
る。
従来の技術及び問題点
電子計算機等において記憶媒体として使用される磁気デ
ィスクは、磁気ディスク用基板の表面に磁性体薄膜が被
覆形成されてなるものである。而してこの磁気ディスク
を構成する磁気ディスク用基板の材料としては、従来よ
りＡＡ５０８６アルミニウム合金が一般に用いられてい
る。これは、該アルミニウム合金によれば磁気ディスク
基板に要求される、■高速回転に耐え得る充分な機械的
強度を有すること、■非磁性、軽量であること、■耐食
性が良好でかつある程度の耐熱性を有することなどの諸
性質を満足しうろことに因る。
ィスクは、磁気ディスク用基板の表面に磁性体薄膜が被
覆形成されてなるものである。而してこの磁気ディスク
を構成する磁気ディスク用基板の材料としては、従来よ
りＡＡ５０８６アルミニウム合金が一般に用いられてい
る。これは、該アルミニウム合金によれば磁気ディスク
基板に要求される、■高速回転に耐え得る充分な機械的
強度を有すること、■非磁性、軽量であること、■耐食
性が良好でかつある程度の耐熱性を有することなどの諸
性質を満足しうろことに因る。
しかしながら、上記アルミニウム合金基板では、基板に
被覆した磁性体薄膜の表面に微細な突起を生じるもので
あり、これが欠陥となって昨今要求されている磁気ディ
スクの記録密度の増大化に限界があるということが、そ
の後の研究により判明した。
被覆した磁性体薄膜の表面に微細な突起を生じるもので
あり、これが欠陥となって昨今要求されている磁気ディ
スクの記録密度の増大化に限界があるということが、そ
の後の研究により判明した。
一方、ＡＡ５０８６アルミニウム合金に代わる磁気ディ
スク基板用アルミニウム合金の開発も行われているが（
例えば特公昭５６−３９６９９号）、総じてアルミニウ
ム合金組成中の特にＦｅ、Ｓｉ等の含有量を減少するこ
とにより、それらの粗大な金属間化合物の生成を抑制し
ようとする傾向にあり、この場合、原料地金の高純度化
により、コストアップの要因となるものであった。
スク基板用アルミニウム合金の開発も行われているが（
例えば特公昭５６−３９６９９号）、総じてアルミニウ
ム合金組成中の特にＦｅ、Ｓｉ等の含有量を減少するこ
とにより、それらの粗大な金属間化合物の生成を抑制し
ようとする傾向にあり、この場合、原料地金の高純度化
により、コストアップの要因となるものであった。
この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
磁性体薄膜表面の欠陥をなくし得て材料コストの安価な
磁気ディスク基板用アルミニウム合金の提供を意図して
なされたものである。
磁性体薄膜表面の欠陥をなくし得て材料コストの安価な
磁気ディスク基板用アルミニウム合金の提供を意図して
なされたものである。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために発明者は、磁性体薄膜表面の
突起の原因を解明した結果、該突起はアルミニウム合金
の組織中に存在する金属間化合物、なかでも特にＡｆ−
Ｆｅ−Ｍｎ系化合物に起因するものであり、Ａｊ！−Ｆ
ｅ系、Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系等の化合物の場合はさほど有
害な欠陥にならないものであることがわかった。
突起の原因を解明した結果、該突起はアルミニウム合金
の組織中に存在する金属間化合物、なかでも特にＡｆ−
Ｆｅ−Ｍｎ系化合物に起因するものであり、Ａｊ！−Ｆ
ｅ系、Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系等の化合物の場合はさほど有
害な欠陥にならないものであることがわかった。
すなわち、磁性体皮膜の基板への被覆に先だって、該基
板には切削加工等による鏡面加工が施されたのち、さら
に磁性体薄膜との密着性を良くする目的で下地処理が施
されるが、この下地処理工程で形成される下地処理皮膜
（一般的にｔま化成皮膜でおる）は、特に基板表面に露
呈した前記Ａｊ！−Ｆｅ−Ｍｎ系化合物上で厚く成長し
て部分的な突起を形成し、このためその上に被覆される
磁性体皮膜に該突起が顕出することに起因するものであ
ることを知見するに至った。
板には切削加工等による鏡面加工が施されたのち、さら
に磁性体薄膜との密着性を良くする目的で下地処理が施
されるが、この下地処理工程で形成される下地処理皮膜
（一般的にｔま化成皮膜でおる）は、特に基板表面に露
呈した前記Ａｊ！−Ｆｅ−Ｍｎ系化合物上で厚く成長し
て部分的な突起を形成し、このためその上に被覆される
磁性体皮膜に該突起が顕出することに起因するものであ
ることを知見するに至った。
従ってこの欠陥をなくすにはＦｅまたはＭｌｌを減じて
Ａ、ｆｆ−Ｆｅ−Ｍｎ系化合物の生成を抑制すれば良い
が、Ｆｅの減少化はコストアップを招来することがらＭ
ｎの減少化を試みることを第一の着眼点として種々実験
と研究を重ねた結果、この発明を完成しえたものである
。
Ａ、ｆｆ−Ｆｅ−Ｍｎ系化合物の生成を抑制すれば良い
が、Ｆｅの減少化はコストアップを招来することがらＭ
ｎの減少化を試みることを第一の着眼点として種々実験
と研究を重ねた結果、この発明を完成しえたものである
。
すなわちこの発明は、必須成分としてＦｅ：０．１〜０
．５ｗｔ％、Ｍｇ：３．０〜６．０ｗｔ％を含み、更に
好ましくはＢ：０．０００５〜０．０１ｗｔ％、Ｂｅ
： ０．０００５〜０．０１ｗｔ％のいずれか一方また
は両方を含み、かつ不°純物としてｓ； ：ｏ、 ２
ｗｔ％以下、Ｍｎ：０゜０５ｗｔ％以下、Ｃｒ ： ０
．１５ｗｔ％以下、Ｔｉ ：０．０３ｗｔ％以下にそれ
らの含有量が規制され、残部がアルミニウム及び前記不
純物以外の不可避不純物からなる磁気ディスク基板用ア
ルミニウム合金を要旨とするものである。
．５ｗｔ％、Ｍｇ：３．０〜６．０ｗｔ％を含み、更に
好ましくはＢ：０．０００５〜０．０１ｗｔ％、Ｂｅ
： ０．０００５〜０．０１ｗｔ％のいずれか一方また
は両方を含み、かつ不°純物としてｓ； ：ｏ、 ２
ｗｔ％以下、Ｍｎ：０゜０５ｗｔ％以下、Ｃｒ ： ０
．１５ｗｔ％以下、Ｔｉ ：０．０３ｗｔ％以下にそれ
らの含有量が規制され、残部がアルミニウム及び前記不
純物以外の不可避不純物からなる磁気ディスク基板用ア
ルミニウム合金を要旨とするものである。
先ず合金の各成分の範囲限定についてその理由を説明す
れば、Ｆｅは結晶粒を微細化し基板表面のうねりを小さ
くする効果がおるが、０゜１ｗｔ％未満ではその効果が
なくしかも地金の大幅なコストアップを招く。逆に０．
５ｗｔ％を超えると粗大なＡ、ｆｆ１−Ｆｅ系化合物が
形成される。
れば、Ｆｅは結晶粒を微細化し基板表面のうねりを小さ
くする効果がおるが、０゜１ｗｔ％未満ではその効果が
なくしかも地金の大幅なコストアップを招く。逆に０．
５ｗｔ％を超えると粗大なＡ、ｆｆ１−Ｆｅ系化合物が
形成される。
好ましい範囲は０．１〜０．３ｗｔ％である。
Ｍｇは合金の強度向上に寄与するものである。
しかし３．Ｑｗｔ％未満ではその効果に乏しく所要の機
械的強度を得ることができず、逆に６゜Ｑｗｔ％を超え
るとＡ 、ｅ−Ｍｇ化合物を生成し基板の鏡面加工性を
低下する。好ましい範囲は３゜５〜５．□ｗｔ％である
。
械的強度を得ることができず、逆に６゜Ｑｗｔ％を超え
るとＡ 、ｅ−Ｍｇ化合物を生成し基板の鏡面加工性を
低下する。好ましい範囲は３゜５〜５．□ｗｔ％である
。
上記成分に加えて、この発明では更に好ましくはＢ：０
．０００５〜０．０１ｗｔ％、Ｂｅ：０．０００５〜ｏ
、ｏ’＋ｗｔ％のいずれか一方または両方が含有される
。
．０００５〜０．０１ｗｔ％、Ｂｅ：０．０００５〜ｏ
、ｏ’＋ｗｔ％のいずれか一方または両方が含有される
。
Ｂは凝固結晶粒の微細化に有効なものであるが、Ｏ，０
００５ｗｔ％未満ではその効果に乏しく、逆に０．０１
ｗｔ％を超えるとＴｉＢ２化合物が多くなりすぎ、微細
化効果も大きく期待できない。また前記ＴｉＢ２化合物
の大きな粒子は基板の鏡面加工性を低下させるため、合
金組織中におけるＴｉＢｚ化合物の粒径は１．０μｍ以
下であることが望ましい。
００５ｗｔ％未満ではその効果に乏しく、逆に０．０１
ｗｔ％を超えるとＴｉＢ２化合物が多くなりすぎ、微細
化効果も大きく期待できない。また前記ＴｉＢ２化合物
の大きな粒子は基板の鏡面加工性を低下させるため、合
金組織中におけるＴｉＢｚ化合物の粒径は１．０μｍ以
下であることが望ましい。
３ｅはＭＯの酸化防止効果を有するが、毒性が高いため
含有範囲は０．０１ｗｔ％までが限界であり、望ましく
は０．００５ｗｔ％以下とするのが良い。しかしＯ，０
００５ｗｔ％未満では上記効果を発揮しえない。
含有範囲は０．０１ｗｔ％までが限界であり、望ましく
は０．００５ｗｔ％以下とするのが良い。しかしＯ，０
００５ｗｔ％未満では上記効果を発揮しえない。
上記成分のほか、この発明では不純物としてＳｉ ：
０．２ｗｔ％以下、Ｍｎ ：０．Ｑ５ｗｔ％以下、Ｃｒ
：ｏ、１５ｗｔ％以下、Ｔｉ ：０．０３ｗｔ％以
下にそれらの含有量が規制されなければｂらない。Ｓｌ
はＦｅ同様原料地金中に含まれるもので０．２ｗｔ％を
超えて含有されるとＭｇ２Ｓｉ化合物を形成し、鏡面加
工性を低化させる。好ましくは０．１ｗｔ％以下となさ
れるのが良い。Ｍｎは０．０５ｗｔ％を超えて含有され
るとＡＪ−Ｆｅ−Ｍｎ系化合物を生成し、本発明の所期
の目的が達成できない。好ましくはＯｌＱ ’ｌ ｗｔ
％以下に設定されるのが良い。Ｃｒは耐食性の向上に役
立つもので必るが０．１５ｗｔ％を超えると粗大化合物
を形成する。Ｔｉは凝固結晶粒の微細化に寄与するが、
０．０３ｗｔ％を超えると同じく粗大化合物を形成する
。
０．２ｗｔ％以下、Ｍｎ ：０．Ｑ５ｗｔ％以下、Ｃｒ
：ｏ、１５ｗｔ％以下、Ｔｉ ：０．０３ｗｔ％以
下にそれらの含有量が規制されなければｂらない。Ｓｌ
はＦｅ同様原料地金中に含まれるもので０．２ｗｔ％を
超えて含有されるとＭｇ２Ｓｉ化合物を形成し、鏡面加
工性を低化させる。好ましくは０．１ｗｔ％以下となさ
れるのが良い。Ｍｎは０．０５ｗｔ％を超えて含有され
るとＡＪ−Ｆｅ−Ｍｎ系化合物を生成し、本発明の所期
の目的が達成できない。好ましくはＯｌＱ ’ｌ ｗｔ
％以下に設定されるのが良い。Ｃｒは耐食性の向上に役
立つもので必るが０．１５ｗｔ％を超えると粗大化合物
を形成する。Ｔｉは凝固結晶粒の微細化に寄与するが、
０．０３ｗｔ％を超えると同じく粗大化合物を形成する
。
磁気ディスクの製造は、一般的には、上記組成の合金を
溶解鋳造してスラブを作製し、熱間圧延、冷間圧延を経
て基板を作製し、次いでこの基板に鏡面加工、下地処理
を施したのら、磁性体皮膜を被覆形成することにより行
われる。
溶解鋳造してスラブを作製し、熱間圧延、冷間圧延を経
て基板を作製し、次いでこの基板に鏡面加工、下地処理
を施したのら、磁性体皮膜を被覆形成することにより行
われる。
このような！ｌ！造工程においては、例えばスラブ凝固
時の冷却速度を可及的速くしたり、均質化処理を施した
り、圧延のりダクションを大にする等して、合金組織中
の金属間化合物を可及的小さくすることが推奨される。
時の冷却速度を可及的速くしたり、均質化処理を施した
り、圧延のりダクションを大にする等して、合金組織中
の金属間化合物を可及的小さくすることが推奨される。
発明の効果
この発明の合金は、Ｍｎの含有量を減少したものである
から、組織中におけるＡｊ！−Ｆｅ −Ｍｎ系化合物の
生成を抑制した磁気ディスク基板とすることができる。
から、組織中におけるＡｊ！−Ｆｅ −Ｍｎ系化合物の
生成を抑制した磁気ディスク基板とすることができる。
従って、基板表面に現れるＡ１−Ｆｅ−Ｍｎ系化合物の
個数が減少しかつその大きさも小さくなるから、基板に
施される下地処理に際して下地処理皮膜が該化合物上で
厚く形成されて生じる皮膜欠陥の個数が減少しまたその
突出程度も少なくなり、下地処理皮膜ひいてはその上に
被覆形成される磁性体薄膜を高精度な平滑状態となしえ
、記録密度の極めて高い磁気ディスクを実現できる。ま
た、この発明に係るアルミニウム合金はＦｅの含有量を
抑制するものではないため、アルミニウムの原料地金に
高純度を要求されないから、基板の製作費用も安価なも
のとすることができる。
個数が減少しかつその大きさも小さくなるから、基板に
施される下地処理に際して下地処理皮膜が該化合物上で
厚く形成されて生じる皮膜欠陥の個数が減少しまたその
突出程度も少なくなり、下地処理皮膜ひいてはその上に
被覆形成される磁性体薄膜を高精度な平滑状態となしえ
、記録密度の極めて高い磁気ディスクを実現できる。ま
た、この発明に係るアルミニウム合金はＦｅの含有量を
抑制するものではないため、アルミニウムの原料地金に
高純度を要求されないから、基板の製作費用も安価なも
のとすることができる。
実施例
次にこの発明の実施例を比較例、従来例との対比におい
て示す。
て示す。
第１表に示す各種組成のアルミニウム合金を溶解鋳造し
てスラブを形成し、該スラブを５２０℃×１５時間で均
質化処理したのち、熱間にて厚−ざ６Ｍに圧延し、次い
で冷間にて厚さ２ｍに圧延し、その後２５０℃×４時間
及び３５０℃×４時間で調質焼鈍して磁気ディスク基板
を製作した。続いて各基板に鏡面切削を施したのち、同
一条件にて下地処理を施して基板表面に化成内膜を形成
した。
てスラブを形成し、該スラブを５２０℃×１５時間で均
質化処理したのち、熱間にて厚−ざ６Ｍに圧延し、次い
で冷間にて厚さ２ｍに圧延し、その後２５０℃×４時間
及び３５０℃×４時間で調質焼鈍して磁気ディスク基板
を製作した。続いて各基板に鏡面切削を施したのち、同
一条件にて下地処理を施して基板表面に化成内膜を形成
した。
そして各基板につき、下地処理後の皮膜表面の欠陥を、
微分干渉顕微鏡、Ｅ、 Ｐ、 ）１． Ａ、表面粗さ計
で調査し、１７当りの欠陥の個数と最大表面粗さを測定
した。その結果を第２表に示す。
微分干渉顕微鏡、Ｅ、 Ｐ、 ）１． Ａ、表面粗さ計
で調査し、１７当りの欠陥の個数と最大表面粗さを測定
した。その結果を第２表に示す。
［以下余白］
第２表
上記結果から明らかなように、本発明合金によれば、合
金組織中のＡｊ！−Ｆｅ−Ｍｎ系化合物の生成を抑制し
うる結果、基板の下地処理皮膜の表面欠陥の数、最大表
面粗さともに減少し、平滑性に極めて優れたものとなし
うろことを確認しえた。
金組織中のＡｊ！−Ｆｅ−Ｍｎ系化合物の生成を抑制し
うる結果、基板の下地処理皮膜の表面欠陥の数、最大表
面粗さともに減少し、平滑性に極めて優れたものとなし
うろことを確認しえた。
以上
Claims (4)
- （１）必須成分としてＦｅ：０．１〜０．５ｗｔ％、Ｍ
ｇ：３．０〜６．０ｗｔ％を含み、不純物としてＳｉ：
０．２ｗｔ％以下、Ｍｎ：０．０５ｗｔ％以下、Ｃｒ：
０．１５ｗｔ％以下、Ｔｉ：０．０３ｗｔ％以下にそれ
らの含有量が規制され、残部がアルミニウム及び前記不
純物以外の不可避不純物からなる磁気ディスク基板用ア
ルミニウム合金。 - （２）必須成分としてＦｅ：０．１〜０．５ｗｔ％、Ｍ
ｇ：３．０〜６．０ｗｔ％、Ｂ：０．０００５〜０．０
１ｗｔ％を含み、不純物としてＳｉ：０．２ｗｔ％以下
、Ｍｎ：０．０５ｗｔ％以下、Ｃｒ：０．１５ｗｔ％以
下、Ｔｉ：０．０３ｗｔ％以下にそれらの含有量が規制
され、残部がアルミニウム及び前記不純物以外の不可避
不純物からなる磁気ディスク基板用アルミニウム合金。 - （３）必須成分としてＦｅ：０．１〜０．５ｗｔ％、Ｍ
ｇ：３．０〜６．０ｗｔ％、Ｂｅ：０．０００５〜０．
０１ｗｔ％を含み、不純物としてＳｉ：０．２ｗｔ％以
下、Ｍｎ：０．０５ｗｔ％以下、Ｃｒ：０．１５ｗｔ％
以下、Ｔｉ：０．０３ｗｔ％以下にそれらの含有量が規
制され、残部がアルミニウム及び前記不純物以外の不可
避不純物からなる磁気ディスク基板用アルミニウム合金
。 - （４）必須成分としてＦｅ：０．１〜０．５ｗｔ％、Ｍ
ｇ：３．０〜６．０ｗｔ％、Ｂ：０．０００５〜０．０
１ｗｔ％、Ｂｅ：０．０００５〜０．０１ｗｔ％を含み
、不純物としてＳｉ：０．２ｗｔ％以下、Ｍｎ：０．０
５ｗｔ％以下、Ｃｒ：０．１５ｗｔ％以下、Ｔｉ：０．
０３ｗｔ％以下にそれらの含有量が規制され、残部がア
ルミニウム及び前記不純物以外の不可避不純物からなる
磁気ディスク基板用アルミニウム合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14704985A JPS627829A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 磁気デイスク基板用アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14704985A JPS627829A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 磁気デイスク基板用アルミニウム合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627829A true JPS627829A (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15421342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14704985A Pending JPS627829A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 磁気デイスク基板用アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS627829A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63183146A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-28 | Toshiba Corp | 磁気デイスク基板用軽量高剛性アルミニウム合金板 |
| JPS63216953A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-09 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 磁気デイスク用ａ１合金基板の製造法 |
| CN107835863A (zh) * | 2015-07-28 | 2018-03-23 | 株式会社Uacj | 磁盘用铝合金基板及其制造方法 |
| JP2020087485A (ja) * | 2018-11-15 | 2020-06-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 磁気ディスク用アルミニウム合金板、磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクおよび磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57185961A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Kobe Steel Ltd | Production of al-based alloy plate for magnetic disc substrate |
| JPS5917024A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | 低温用回転機の転り軸受 |
| JPS6033333A (ja) * | 1983-08-01 | 1985-02-20 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 磁気デイスク基板用Ａｌ合金 |
-
1985
- 1985-07-03 JP JP14704985A patent/JPS627829A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JPH0364596B2 (ja) * | 1987-03-05 | 1991-10-07 | Sumitomo Light Metal Ind | |
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| JP2020087485A (ja) * | 2018-11-15 | 2020-06-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 磁気ディスク用アルミニウム合金板、磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクおよび磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート |
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