JPS61179842A - メツキ性にすぐれた磁気デイスク用アルミニウム合金 - Google Patents
メツキ性にすぐれた磁気デイスク用アルミニウム合金Info
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- JPS61179842A JPS61179842A JP1975985A JP1975985A JPS61179842A JP S61179842 A JPS61179842 A JP S61179842A JP 1975985 A JP1975985 A JP 1975985A JP 1975985 A JP1975985 A JP 1975985A JP S61179842 A JPS61179842 A JP S61179842A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は磁気ディスク用アルミニウム合金とその製造
法に関するものである。詳しくは電子計算機の記憶媒体
として使用されるメッキ型磁気ディスク用アルミニウム
合金に関するものである。
法に関するものである。詳しくは電子計算機の記憶媒体
として使用されるメッキ型磁気ディスク用アルミニウム
合金に関するものである。
従来の技術
・ 磁気ディスクは一般にアルミニウム合金基板の表面
全精密研摩した後に磁性体薄膜を被覆させたものであり
、この磁性体被膜を磁化させることにより信号を記録す
る。
全精密研摩した後に磁性体薄膜を被覆させたものであり
、この磁性体被膜を磁化させることにより信号を記録す
る。
磁気ディスク用基板には、以下のような特性が要求され
る。 。
る。 。
（１）精密研摩あるいは切削後の表面精度が良好なこと
。
。
（２）基板表面に被覆される磁性体薄膜の欠陥の原因と
なる突起や穴が少なく、かつ小さいこと。
なる突起や穴が少なく、かつ小さいこと。
（３） ある程度の機械的強度を有し、基板製作時の
機械加工、研摩使用時の高速回転等にも耐え得ること。
機械加工、研摩使用時の高速回転等にも耐え得ること。
（４）軽量、非磁性であり、ある程度の耐食性を有する
こと。
こと。
従来、このような特性を有する磁気ディスク用基板とし
てＡＪ、−Ｍｇ −Ｍｎ −Ｃｒ系の５０８６合金が使
用されてきた。最近、磁気ディスクに対する高密度化、
大容量化等の要求が高まり、これに適したアルミニウム
素材や磁性体薄膜の被覆法の開発が望まれている。従来
の５０８６合金の場合には、素材中に５〜ｌＯμｍ程度
の金属間化合物（ＡＡ！ Ｆｅ 、 Ａｌ−Ｆｅ
Ｓｉ 、ＡＪ−Ｍｎｓ ＡＡ’−Ｍｎ−Ｆｅ、 ＡＡ！
−８ｉ 、 Ｍｇ−８ｉ系等）が多数存在するため、機
械加工や研摩時にこれらの粗大な金属間化合物が基板エ
リ脱落して穴となったり、表面に突起として残留するた
め、研摩時に良好な表面状態が得られない。そのため、
磁性体薄膜を表面に被覆しても表面欠陥部には磁性体が
均一に被覆されず、記憶エラーの原因となり、高密度磁
気ディスク用基板としては問題がある。
てＡＪ、−Ｍｇ −Ｍｎ −Ｃｒ系の５０８６合金が使
用されてきた。最近、磁気ディスクに対する高密度化、
大容量化等の要求が高まり、これに適したアルミニウム
素材や磁性体薄膜の被覆法の開発が望まれている。従来
の５０８６合金の場合には、素材中に５〜ｌＯμｍ程度
の金属間化合物（ＡＡ！ Ｆｅ 、 Ａｌ−Ｆｅ
Ｓｉ 、ＡＪ−Ｍｎｓ ＡＡ’−Ｍｎ−Ｆｅ、 ＡＡ！
−８ｉ 、 Ｍｇ−８ｉ系等）が多数存在するため、機
械加工や研摩時にこれらの粗大な金属間化合物が基板エ
リ脱落して穴となったり、表面に突起として残留するた
め、研摩時に良好な表面状態が得られない。そのため、
磁性体薄膜を表面に被覆しても表面欠陥部には磁性体が
均一に被覆されず、記憶エラーの原因となり、高密度磁
気ディスク用基板としては問題がある。
また、磁性体を基板表面に被覆する方法として、これま
では塗付法が主体であったが、近年メッキ法、スパッタ
ー法等が開発され、高密度磁気ディスクへの適用が進め
られている。この場合、従来の５０８６合金はメッキ性
が悪く、メッキ用高密度磁気ディスク材としての適用に
は問題がある。
では塗付法が主体であったが、近年メッキ法、スパッタ
ー法等が開発され、高密度磁気ディスクへの適用が進め
られている。この場合、従来の５０８６合金はメッキ性
が悪く、メッキ用高密度磁気ディスク材としての適用に
は問題がある。
発明が解決しようとする問題点
この発明は従来、磁気ディスク用基板として使用されて
いる５０８６合金の上記問題点を解消し、メッキ性、と
くにＮ１−Ｐメッキ性にすぐれた磁気ディスク用アルミ
ニウム合金を提供するものである。
いる５０８６合金の上記問題点を解消し、メッキ性、と
くにＮ１−Ｐメッキ性にすぐれた磁気ディスク用アルミ
ニウム合金を提供するものである。
問題点を解決するための手段
一般にアルミニウム合金はその基本的性質がメッキに適
さない。例えば、アルミニウムは電気化学的に活性で強
固な酸化被膜が形成されること、合金元素の添加量や分
布状態によってはアルミニウムの表面が化学的および電
気化学的に不均一になること、熱膨張係数が大きくメッ
キ層とアルミニウム間に張力が作用し、欠陥の発生やメ
ッキ層のはく離を起こし易いこと等の問題がある。
さない。例えば、アルミニウムは電気化学的に活性で強
固な酸化被膜が形成されること、合金元素の添加量や分
布状態によってはアルミニウムの表面が化学的および電
気化学的に不均一になること、熱膨張係数が大きくメッ
キ層とアルミニウム間に張力が作用し、欠陥の発生やメ
ッキ層のはく離を起こし易いこと等の問題がある。
メッキ型磁気ディスクにおいては、磁性体を形成する以
前に基板の平滑性をエリ向上させるため、基板上にＮ１
−Ｐ系の中間層メッキを形成させた後に再度研摩される
が、アルミニウム基板上に直接メッキ処理する場合には
、メッキ層の密着性が悪い問題がある。良質なメッキを
施すにはアルミニウム基板の前処理が必要であり、一般
に亜鉛置換法による亜鉛メッキが施され、その上にＮ１
−Ｐ系の中間層がメッキで形成される。
前に基板の平滑性をエリ向上させるため、基板上にＮ１
−Ｐ系の中間層メッキを形成させた後に再度研摩される
が、アルミニウム基板上に直接メッキ処理する場合には
、メッキ層の密着性が悪い問題がある。良質なメッキを
施すにはアルミニウム基板の前処理が必要であり、一般
に亜鉛置換法による亜鉛メッキが施され、その上にＮ１
−Ｐ系の中間層がメッキで形成される。
従って、メッキ型磁気ディスクの性能は、下地処理であ
る亜鉛メッキ性およびＮ１−Ｐ中間層のメッキ性に左右
され、均一で無欠陥のＮｉ −Ｐメッキと密着性にすぐ
れた亜鉛メッキを行う必要があり、基板となるアルミニ
ウム素材についても、メッキ性を考慮して合金組成や最
適製造法を検討する必要がある。
る亜鉛メッキ性およびＮ１−Ｐ中間層のメッキ性に左右
され、均一で無欠陥のＮｉ −Ｐメッキと密着性にすぐ
れた亜鉛メッキを行う必要があり、基板となるアルミニ
ウム素材についても、メッキ性を考慮して合金組成や最
適製造法を検討する必要がある。
この発明は上記の目的に沿ったＮ１−Ｐおよび亜鉛メッ
キ性にすぐれた磁気ディスク用合金を提供するものであ
り、その要旨とするところは以下のとおりである。
キ性にすぐれた磁気ディスク用合金を提供するものであ
り、その要旨とするところは以下のとおりである。
（１） Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ ０．２〜２．９％を含
み、残りアルミニウムと不純物とエリなジ、不純物とし
てのｒｅ ＋ ＳｉがＦｅ＜０．４０％、Ｓｉ＜０．２
５％であるアルミニウム合金。
み、残りアルミニウムと不純物とエリなジ、不純物とし
てのｒｅ ＋ ＳｉがＦｅ＜０．４０％、Ｓｉ＜０．２
５％であるアルミニウム合金。
（２） Ｍｇ ２〜５ ’ＩＩ Ｎ Ｚｎ ０．２〜
２．９％を含み、てらにＭｎ ０．０５ｗ ０．５％、
ｏｒｏ、０５〜０、２５ ’ｌｒ、Ｚｒ ０．０５〜０
．２５％のうちの１種または２糧以上を含み、不純物と
してのＦｅ 、 ＳｉがＦｅ＜０．４０％、Ｓｉ＜０．
２５チであるアルミニウム合金。
２．９％を含み、てらにＭｎ ０．０５ｗ ０．５％、
ｏｒｏ、０５〜０、２５ ’ｌｒ、Ｚｒ ０．０５〜０
．２５％のうちの１種または２糧以上を含み、不純物と
してのＦｅ 、 ＳｉがＦｅ＜０．４０％、Ｓｉ＜０．
２５チであるアルミニウム合金。
（３）上記（１） （２）のアルミニウム合金にＢｅ０
．１〜５０ ｐｐｍを含むアルミニウム合金。
．１〜５０ ｐｐｍを含むアルミニウム合金。
成分添加の意義とその限定理由は以下のとおりである。
Ｍｇ ： Ｍｇの添加は強度を向上させ、磁気ディスク
材としての必要強度を付与する ものである。２チ未満ではこの効果が 不十分であり、磁気ディスク材の切削 や研摩時の加工性が低下する。５％を 越えると熱間圧延性が低下する。従っ てＭｇ添加量は２〜５％とする。
材としての必要強度を付与する ものである。２チ未満ではこの効果が 不十分であり、磁気ディスク材の切削 や研摩時の加工性が低下する。５％を 越えると熱間圧延性が低下する。従っ てＭｇ添加量は２〜５％とする。
Ｚｎ：Ｚｎの添加はアルミニウム表面の酸化膜を弱くシ
、前処理酸洗により適度な 粗さを基板に付与してメッキ層の密着 性の向上に寄与するばかりでなく、ジンケート層を基板
全面に均一に付着させ その後のＮ１−Ｐメッキ層の密着性や 欠陥の防止に有効である。０．２％未満ではこの効果が
十分でなく、２．９％を越えると熱間加工性が低下する
。従っ てＺｎ添加量は０．２〜２．９チとする。
、前処理酸洗により適度な 粗さを基板に付与してメッキ層の密着 性の向上に寄与するばかりでなく、ジンケート層を基板
全面に均一に付着させ その後のＮ１−Ｐメッキ層の密着性や 欠陥の防止に有効である。０．２％未満ではこの効果が
十分でなく、２．９％を越えると熱間加工性が低下する
。従っ てＺｎ添加量は０．２〜２．９チとする。
Ｍｎ：Ｍｎは均質化処理時に微細な金属間化合物として
析出し、再結晶粒を微細化 する作用があり、基板の研摩面の仕上 り性やＮ１−Ｐメッキ層の層状構造を 安定化させ、密着性の向上環に有効で ある。
析出し、再結晶粒を微細化 する作用があり、基板の研摩面の仕上 り性やＮ１−Ｐメッキ層の層状構造を 安定化させ、密着性の向上環に有効で ある。
０、０５４未満ではこの効果が不十分であり、０，５％
を越えると巨大な金属間化合物が晶出するので好ましく
ない。
を越えると巨大な金属間化合物が晶出するので好ましく
ない。
従ってＭｎ添加量は０．０５〜０．５％とする。
Ｃｒ：ＣｒもＭｎと同様な効果があり、結晶粒の微細化
に有効である。添加量が０．０５チ未満の場合にはこの
効果が不十分で あり、０．２５％を越えると巨大な金属間化合物を晶出
するので好ましくない。
に有効である。添加量が０．０５チ未満の場合にはこの
効果が不十分で あり、０．２５％を越えると巨大な金属間化合物を晶出
するので好ましくない。
従ってＣｒ添加量は０．０５〜０．２５％とする。
Ｚｒ：ＺｒもＭｎやＣｒと同様に結晶粒の微細化に有効
である。添加量が０．０５４未満の場合にはこの効果が
不十分であり、０．２５％を越えると巨大な金属間化合
物が晶出するので好ましくない。従っ てＣｒ添加量は０．０５〜０．２５％とする。
である。添加量が０．０５４未満の場合にはこの効果が
不十分であり、０．２５％を越えると巨大な金属間化合
物が晶出するので好ましくない。従っ てＣｒ添加量は０．０５〜０．２５％とする。
Ｂｅ：ＢｅはＡｌ−Ｍｇ系合金の酸化防止や熱間加工性
の向上に有効である。０．ｌ ｐｐｍ未満ではこの効果が不十分であり５０ ｐｐｍを
越えると毒性の点で問題があり、添加量は０．１〜５０
ｐｐｍとする。
の向上に有効である。０．ｌ ｐｐｍ未満ではこの効果が不十分であり５０ ｐｐｍを
越えると毒性の点で問題があり、添加量は０．１〜５０
ｐｐｍとする。
Ｆｅ、Ｓｉ ：ＦｅやＳｉはアルミニウム中にほとん
ど固溶せず、金属間化合物として 析出するが、Ｆｅ 、 Ｓｉ量が多い場合には、Ａ／
−Ｆｅ系、ＡＡ！ −Ｆｅ −Ｓｉ系等の粗大な金属間
化合物が多数存在し、品質上問題となるため、不純物元
素と してのＦｅ 、 Ｓｉ量はＦｅ＜０．５％、Ｓｉ〈０．
３チとする。
ど固溶せず、金属間化合物として 析出するが、Ｆｅ 、 Ｓｉ量が多い場合には、Ａ／
−Ｆｅ系、ＡＡ！ −Ｆｅ −Ｓｉ系等の粗大な金属間
化合物が多数存在し、品質上問題となるため、不純物元
素と してのＦｅ 、 Ｓｉ量はＦｅ＜０．５％、Ｓｉ〈０．
３チとする。
本発明における亜鉛メッキ法は、例えば、ＮａＯＨ３０
０Ｆ ／ ｌ −、Ｚ ｎｏ ８０ ｇｔ、 ／ ｌを
溶解した１５〜２５℃の水溶液中に数秒〜数分間浸漬す
ることにより基板表面に亜鉛を析出させる方法で行われ
る。
０Ｆ ／ ｌ −、Ｚ ｎｏ ８０ ｇｔ、 ／ ｌを
溶解した１５〜２５℃の水溶液中に数秒〜数分間浸漬す
ることにより基板表面に亜鉛を析出させる方法で行われ
る。
また、Ｎ１−Ｐメッキ法は次亜リン酸を還元剤とする無
電解Ｎ１−Ｐメッキ法であり、通常８０〜９０℃で２〜
４ ｈｒ処理することにより１５〜３０μｍのメッキ層
が形成される。
電解Ｎ１−Ｐメッキ法であり、通常８０〜９０℃で２〜
４ ｈｒ処理することにより１５〜３０μｍのメッキ層
が形成される。
Ｎ１−Ｐメッキ後の皮膜には欠陥がないこと、密着性が
よいこと等が必要とされるが、アルミニウム基板中に巨
大な介在物が存在しｆｃｔ）、ジンケートの不良部が存
在するとＮ１−Ｐメッキ後にもその欠陥が存在し、また
、ジンケートの密着性が悪いとＮ１−Ｐメッキ皮膜の密
着性が低下する。
よいこと等が必要とされるが、アルミニウム基板中に巨
大な介在物が存在しｆｃｔ）、ジンケートの不良部が存
在するとＮ１−Ｐメッキ後にもその欠陥が存在し、また
、ジンケートの密着性が悪いとＮ１−Ｐメッキ皮膜の密
着性が低下する。
この発明は、Ｚｎを添加することに工９表面酸化皮膜ヲ
弱くしてジンケートの密着性を向上させることにより、
Ｎ１−Ｐメッキ皮膜の密着性の向上と欠陥の防止をはか
ろうとするものである。さらにＭｎ１０ｒ１ Ｚｒ等の
選択成分を添加することにエリ結晶粒を微細化し、Ｎ１
−Ｐメッキ層の均一化や密着性の向上をはかろうとする
ものである。
弱くしてジンケートの密着性を向上させることにより、
Ｎ１−Ｐメッキ皮膜の密着性の向上と欠陥の防止をはか
ろうとするものである。さらにＭｎ１０ｒ１ Ｚｒ等の
選択成分を添加することにエリ結晶粒を微細化し、Ｎ１
−Ｐメッキ層の均一化や密着性の向上をはかろうとする
ものである。
実施例
実施例１
表１に示す化学成分を有する１００Ｗ厚の鋳塊を製作し
た。この鋳塊を５００℃で２４ｈｒ均質化処理した後に
４８０℃で熱間圧延を開始し、板厚６＋ｗに圧延した。
た。この鋳塊を５００℃で２４ｈｒ均質化処理した後に
４８０℃で熱間圧延を開始し、板厚６＋ｗに圧延した。
熱間圧延板を約６６チ冷間圧延して２ｔｍ板とし、その
後２２０℃×２ ｈｒ焼鈍して半硬材とした。
後２２０℃×２ ｈｒ焼鈍して半硬材とした。
この材料について荒切削、歪取り焼鈍（４００℃Ｘ ２
ｈｒ）後にダイヤモンド仕上切削により鏡面仕上し、
亜鉛メッキとＮ１−Ｐメッキを行った場合の緒特性を表
２に示す。
ｈｒ）後にダイヤモンド仕上切削により鏡面仕上し、
亜鉛メッキとＮ１−Ｐメッキを行った場合の緒特性を表
２に示す。
実施例１〜６は良好な性能を有している。
煮７はＺｎ量が少なく、メッキ性に問題がある。
Ａ８は強度が低いため、ダイヤモンド切削による仕上加
工が困難である。
工が困難である。
墓９は不純物量が多いためメッキ性に問題がある。
Ａ１０はＺｎ量が低くメッキ性に問題。
Ａ Ｍｇ Ｚｎ Ｏｕ Ｆｅ１ ３．
９ １．４ （ｏ、ｏｔ ｏ、ｔｓ発 ２
４．７ １．０ ＃ ０．２５３ ３．
０ ２．０ ０．０１ ０．２０４ ２．６
２．５ １ Ｑ、２７明 ５ ４．
３ ２．７ ０．０２ ０．１９６ ３．８
０．４ ０．０１ ０．１９７ ４．０
０．１ １ ０．２２比 ８ １．１ ０．８ ＃ ０．２５９
３．９ １．８ ＜０．０１０，５０較 １０ ４．２ ０．０１ ＃ Ｑ、１
９モ ｌ Ｓｉ Ｍｌ Ｃｒ Ｔｉ Ｚｒ
Ｂｅ Ａｌｏ、ｚｓ （ｏ、ｏｌ＜０．０１ （ｏ
、ｏｌ−一残０．１０ ＃ ＃ ＃
−−＃０．１０ ＃ ＃ ＃
−−５Ｏ９ Ｑ、ＩＱ ＃ ＃ ＃
−−ｓＱ、１４ ＃ ＃ ＃ −−＃
α１４ ｚ ＃ ｚ −−ｚ０．１２＃
ｚ ＃ −−＃Ｑ、３Ｑ
＃ ＃ ｓ −−ｚ０．
１５０，３８０，０８ｐ−−ｚ （ｗｔチ） 実施例２ 半硬材とした。
９ １．４ （ｏ、ｏｔ ｏ、ｔｓ発 ２
４．７ １．０ ＃ ０．２５３ ３．
０ ２．０ ０．０１ ０．２０４ ２．６
２．５ １ Ｑ、２７明 ５ ４．
３ ２．７ ０．０２ ０．１９６ ３．８
０．４ ０．０１ ０．１９７ ４．０
０．１ １ ０．２２比 ８ １．１ ０．８ ＃ ０．２５９
３．９ １．８ ＜０．０１０，５０較 １０ ４．２ ０．０１ ＃ Ｑ、１
９モ ｌ Ｓｉ Ｍｌ Ｃｒ Ｔｉ Ｚｒ
Ｂｅ Ａｌｏ、ｚｓ （ｏ、ｏｌ＜０．０１ （ｏ
、ｏｌ−一残０．１０ ＃ ＃ ＃
−−＃０．１０ ＃ ＃ ＃
−−５Ｏ９ Ｑ、ＩＱ ＃ ＃ ＃
−−ｓＱ、１４ ＃ ＃ ＃ −−＃
α１４ ｚ ＃ ｚ −−ｚ０．１２＃
ｚ ＃ −−＃Ｑ、３Ｑ
＃ ＃ ｓ −−ｚ０．
１５０，３８０，０８ｐ−−ｚ （ｗｔチ） 実施例２ 半硬材とした。
この材料について荒切削、歪取り焼鈍（４００℃Ｘ ２
ｈｒ）後にダイヤモンド切削により鏡面仕上し、亜鉛
メッキとＮ１−Ｐメッキを行った場合の緒特性を表４に
示す。
ｈｒ）後にダイヤモンド切削により鏡面仕上し、亜鉛
メッキとＮ１−Ｐメッキを行った場合の緒特性を表４に
示す。
実施例１〜７は良好な性能を有している。
Ａ８は強度が低く、ダイヤモンド仕上加工が困難である
。
。
煮９はＺｎ量が低いためメッキ性に問題。
４１０〜１１はＭｎ 、 Ｚｒ等の添加量が高く、巨大
金属間化合物が存在するため、メッキ面に欠陥が多く問
題。
金属間化合物が存在するため、メッキ面に欠陥が多く問
題。
発明の効果
この発明のアルミニウム合金によれば、メッキ面は均一
でかつ欠陥がなく、メッキ層の密着性も良好なすぐれた
メッキ型磁気ディスク用基板が得られる。
でかつ欠陥がなく、メッキ層の密着性も良好なすぐれた
メッキ型磁気ディスク用基板が得られる。
手続補正書（方式）
％式％
１、事件の表示
昭和６０年特許願第１９７５９ 号
２、発明の名称
メッキ性にすぐれた磁気ディスク用アルミニウム合金３
、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 【 鴬？！：為へ小口ノ＋ ロｎ壬ｎＧｎ伍ζ日９８
日 Ｃを送日）６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 明細書第１３頁、第１４頁、第１６頁、第１７頁の表１
〜４を別紙の通り補正する。
、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 【 鴬？！：為へ小口ノ＋ ロｎ壬ｎＧｎ伍ζ日９８
日 Ｃを送日）６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 明細書第１３頁、第１４頁、第１６頁、第１７頁の表１
〜４を別紙の通り補正する。
Claims (4)
- （１）Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ０．２〜２．９％を含み、残
りアルミニウムと不純物よりなり、不純物としてのＦｅ
、ＳｉがＦｅ＜０．４０％、Ｓｉ＜０．２５％であるこ
とを特徴とするメッキ性にすぐれた磁気ディスク用アル
ミニウム合金。 - （２）Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ０．２〜２．９％、Ｂｅ０．
１〜５０ｐｐｍを含み、残りアルミニウムと不純物より
なり、不純物としてのＦｅ、ＳｉがＦｅ＜０．４０％、
Ｓｉ＜０．２５％であることを特徴とするメッキ性にす
ぐれた磁気ディスク用アルミニウム合金。 - （３）Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ０．２〜２．９％を含み、さ
らにＭｎ０．０５〜０．５％、Ｃｒ０．０５〜０．２５
％、Ｚｒ０．０５〜０．２５％のうちの１種または２種
以上を含み、残りアルミニウムと不純物よりなり、不純
物としてのＦｅ、ＳｉがＦｅ＜０．４０％、Ｓｉ＜０．
２５％であることを特徴とするメッキ性にすぐれた磁気
ディスク用アルミニウム合金。 - （４）Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ０．２〜２．９％、Ｂｅ０．
５〜５０ｐｐｍを含み、さらにＭｎ０．０５〜０．５％
、Ｃｒ０．０５〜０．２５％、Ｚｒ０．０５〜０．２５
％のうちの１種または２種以上を含み、残りアルミニウ
ムと不純物よりなり、不純物としてのＦｅ、ＳｉがＦｅ
＜０．４０％、Ｓｉ＜０．２５％であることを特徴とす
るメッキ性にすぐれた磁気ディスク用アルミニウム合金
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1975985A JPS61179842A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | メツキ性にすぐれた磁気デイスク用アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1975985A JPS61179842A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | メツキ性にすぐれた磁気デイスク用アルミニウム合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61179842A true JPS61179842A (ja) | 1986-08-12 |
| JPH024672B2 JPH024672B2 (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=12008267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1975985A Granted JPS61179842A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | メツキ性にすぐれた磁気デイスク用アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61179842A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63143235A (ja) * | 1986-12-06 | 1988-06-15 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 印刷版用アルミニウム合金 |
| JPH02121118A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-09 | Kobe Steel Ltd | 磁気ディスク用Ａｌ合金鏡面基板の製造方法 |
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| JPS59193239A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 磁気デイスク基板用Ａｌ合金 |
| JPS60194040A (ja) * | 1984-02-18 | 1985-10-02 | Kobe Steel Ltd | メツキ性に優れたデイスク用アルミニウム合金板 |
| JPS6191352A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Kobe Steel Ltd | 微小うねりの発生が少ない磁気ディスク基板用Ａｌ合金板の軟質化焼鈍方法 |
-
1985
- 1985-02-04 JP JP1975985A patent/JPS61179842A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58221255A (ja) * | 1982-05-13 | 1983-12-22 | Nippon Light Metal Co Ltd | レ−ザ−鏡用アルミニウム合金素材およびその製造法 |
| JPS59193239A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 磁気デイスク基板用Ａｌ合金 |
| JPS60194040A (ja) * | 1984-02-18 | 1985-10-02 | Kobe Steel Ltd | メツキ性に優れたデイスク用アルミニウム合金板 |
| JPS6191352A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Kobe Steel Ltd | 微小うねりの発生が少ない磁気ディスク基板用Ａｌ合金板の軟質化焼鈍方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63143235A (ja) * | 1986-12-06 | 1988-06-15 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 印刷版用アルミニウム合金 |
| JPH02121118A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-09 | Kobe Steel Ltd | 磁気ディスク用Ａｌ合金鏡面基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH024672B2 (ja) | 1990-01-30 |
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