JPS6247450A - メツキ性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 - Google Patents
メツキ性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金Info
- Publication number
- JPS6247450A JPS6247450A JP18663585A JP18663585A JPS6247450A JP S6247450 A JPS6247450 A JP S6247450A JP 18663585 A JP18663585 A JP 18663585A JP 18663585 A JP18663585 A JP 18663585A JP S6247450 A JPS6247450 A JP S6247450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- defects
- aluminum alloy
- impurities
- magnetic disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は磁気ディスク用アルミニウム合金に関するも
のである。詳しくは電子計算機の記憶媒体として使用さ
れるメッキ型磁気ディスク用アルミニウム合金に関する
ものである。
のである。詳しくは電子計算機の記憶媒体として使用さ
れるメッキ型磁気ディスク用アルミニウム合金に関する
ものである。
従来の技術
磁気ディスクは一般にアルミニウム合金基板の表面を精
密研磨した後に磁性体薄膜を被覆させたものであり、こ
の磁性体被膜を磁化させることにより信号を記録する。
密研磨した後に磁性体薄膜を被覆させたものであり、こ
の磁性体被膜を磁化させることにより信号を記録する。
一般にアルミニウム合金はその基本的性質がメッキに適
さない。例えば、アルミニウムは電気化学的に活性で強
固な酸化被膜が形成されること、合金元素の添加量や分
布状態によってはアルミニウムの表面が化学的および電
気化学的に不均一になること、熱膨張係数が大きくメッ
キ層とアルミニウム間に張力が作用し、欠陥の発生やメ
ッキ層のはく離を起こし易いこと等の問題がある。
さない。例えば、アルミニウムは電気化学的に活性で強
固な酸化被膜が形成されること、合金元素の添加量や分
布状態によってはアルミニウムの表面が化学的および電
気化学的に不均一になること、熱膨張係数が大きくメッ
キ層とアルミニウム間に張力が作用し、欠陥の発生やメ
ッキ層のはく離を起こし易いこと等の問題がある。
メッキ型磁気ディスクにおいては、磁性体を形成する以
前に基板の平滑性をより向上させるため、基板上にＮｉ
−Ｐ系の中間層メッキを形成させた侵に再度研磨され
るが、アルミニウム基板上に直接メッキ処理する場合に
は、メッキ層の密着性が悪い問題がある。良質なメッキ
を論ずにはアルミニウム基板の前処理が必要であり、一
般に亜鉛置換法による亜鉛メッキが施され、その上にＮ
ｉ −Ｐ系の中間層がメッキで形成される。
前に基板の平滑性をより向上させるため、基板上にＮｉ
−Ｐ系の中間層メッキを形成させた侵に再度研磨され
るが、アルミニウム基板上に直接メッキ処理する場合に
は、メッキ層の密着性が悪い問題がある。良質なメッキ
を論ずにはアルミニウム基板の前処理が必要であり、一
般に亜鉛置換法による亜鉛メッキが施され、その上にＮ
ｉ −Ｐ系の中間層がメッキで形成される。
従って、メッキ型磁気ディスクの性能は、下地処理であ
る亜鉛メッキ性およびＮｉ −Ｐ中間層のメッキ性に左
右され、均一で無欠陥のＮ１−Ｐメッキと密着性にすぐ
れた亜鉛メッキを行う必要があり、基板となるアルミニ
ウム素材についても、メッキ性を考慮して合金組成や最
適製造法を検討する必要がある。
る亜鉛メッキ性およびＮｉ −Ｐ中間層のメッキ性に左
右され、均一で無欠陥のＮ１−Ｐメッキと密着性にすぐ
れた亜鉛メッキを行う必要があり、基板となるアルミニ
ウム素材についても、メッキ性を考慮して合金組成や最
適製造法を検討する必要がある。
ところで、磁気ディスク用基板には、以下のような特性
が要求される。
が要求される。
（１１精密研磨あるいは切削後の表面精度が良好なこと
。
。
［２１磁性体薄膜の欠陥の原因となる基板表面の突起や
穴が少なく、かつ小さいこと。
穴が少なく、かつ小さいこと。
３） ある程度の機械的強度を有し、基板製作時の機械
加工、使用時の高速回転等にも耐え１ｑること。
加工、使用時の高速回転等にも耐え１ｑること。
４） 軽量、非磁性であり、ある程度の耐食性を有する
こと。
こと。
従来、このような特性を有する磁気ディスク用基板とし
てＡＩ −Ｍ（＋ −Ｍｎ−Ｃｒ系の５０８６合金が使
用されてきた。最近、磁気ディスクに対する高密度化、
大容量化等の要求が高まり、これに適したアルミニウム
合金や磁性体薄膜の被覆法の開発が望まれている。
てＡＩ −Ｍ（＋ −Ｍｎ−Ｃｒ系の５０８６合金が使
用されてきた。最近、磁気ディスクに対する高密度化、
大容量化等の要求が高まり、これに適したアルミニウム
合金や磁性体薄膜の被覆法の開発が望まれている。
また、磁性体を基板表面に被覆する方法として、これま
では塗付法が主体であったが、近年メッキ法、スパッタ
ー法等が開発され、高密度磁気ディスクへの適用が進め
られている。
では塗付法が主体であったが、近年メッキ法、スパッタ
ー法等が開発され、高密度磁気ディスクへの適用が進め
られている。
発明が解決しようとする問題点
従来の５０８６合金の場合には、Ｆｅ 、Ｓｉ等の不純
物を多く含むため、素材中に５μｍ以上の金属間化合物
（ＡＩ −Ｆｅ 、ＡＩ −Ｆｅ−Ｓｉ、ＡＩ −Ｍｎ
、 ＡＩ −Ｍｎ −Ｆｅ 、、ＡＩ −８ｉ 。
物を多く含むため、素材中に５μｍ以上の金属間化合物
（ＡＩ −Ｆｅ 、ＡＩ −Ｆｅ−Ｓｉ、ＡＩ −Ｍｎ
、 ＡＩ −Ｍｎ −Ｆｅ 、、ＡＩ −８ｉ 。
ｔｖｌｇ−８ｉ系等）が多数存在するため、機械加工や
研磨時にこれらの粗大な金属間化合物が基板より脱落し
て穴となったり、表面に突起として残留するため、研磨
時に良好な表面状態が得られない。そのため、磁性体Ｓ
ａＷを表面に被覆しても表面欠陥部には磁性体が均一に
被覆されず、記憶エラーの原因となり、高密度磁気ディ
スク用基板としては問題がある。
研磨時にこれらの粗大な金属間化合物が基板より脱落し
て穴となったり、表面に突起として残留するため、研磨
時に良好な表面状態が得られない。そのため、磁性体Ｓ
ａＷを表面に被覆しても表面欠陥部には磁性体が均一に
被覆されず、記憶エラーの原因となり、高密度磁気ディ
スク用基板としては問題がある。
また、従来の５０８６合金はメッキ性が悪く、メッキ用
高密度磁気ディスク材としての適用には問題がある。
高密度磁気ディスク材としての適用には問題がある。
問題点を解決するための手段
この発明は上記の目的に沿ったメッキ性にすぐれメッキ
欠陥の少ない磁気ディスク用合金を提供するものであり
、その要旨とするところは以下のとおりである。
欠陥の少ない磁気ディスク用合金を提供するものであり
、その要旨とするところは以下のとおりである。
［１１Ｍ（１２〜５％、Ｚｎ ０．２〜２．９％を含
み、残りアルミニウムと不純物とよりなり、不純物とし
てのＦｅ、ＳｉがＦｅ ＜０．１５％、Ｓｉ＜０．１０
％であるアルミニウム合金。
み、残りアルミニウムと不純物とよりなり、不純物とし
てのＦｅ、ＳｉがＦｅ ＜０．１５％、Ｓｉ＜０．１０
％であるアルミニウム合金。
（２１Ｍｇ ２〜５％、Ｚｎ ０．２〜２．９％を含
み、さらにＭ ｎ ０００５〜０．５％、Ｃｒ ０．０
５〜０．２５％、Ｚ ｒ ０．０５〜０．２５％のうち
の１種または２種以上を含み、不純物としてのＦｅ１Ｓ
ｉがｌ”ｅ＜０．１５％、Ｓｉ＜０．１０％であるアル
ミニウム合金。
み、さらにＭ ｎ ０００５〜０．５％、Ｃｒ ０．０
５〜０．２５％、Ｚ ｒ ０．０５〜０．２５％のうち
の１種または２種以上を含み、不純物としてのＦｅ１Ｓ
ｉがｌ”ｅ＜０．１５％、Ｓｉ＜０．１０％であるアル
ミニウム合金。
Ｂ） 上記［１１［２＋のアルミニウム合金に３ｅ
０．１〜５０ｐｐｍを含むアルミニウム合金。
０．１〜５０ｐｐｍを含むアルミニウム合金。
成分添加の意義とその限定理由は以下のとおりである。
Ｍ！Ｊ：Ｍｇの添加は強度を向上させ、磁気ディスク材
としての必要強度を付与するらのである。２％未満では
この効果が不十分であり、磁気ディスク材の切削や研磨
時の加工性が低下する。５％を越えると熱間圧延性が低
下する。従ってＭ（ｌ添加量は２〜５％とする。
としての必要強度を付与するらのである。２％未満では
この効果が不十分であり、磁気ディスク材の切削や研磨
時の加工性が低下する。５％を越えると熱間圧延性が低
下する。従ってＭ（ｌ添加量は２〜５％とする。
Ｚｎ：Ｚｎの添加はアルミニウム表面の酸化膜を弱くし
、前処理酸洗により適度な粗さを基板に付与してメッキ
層の密着性の向上に寄与するばかりでなく、ジンケート
層を基板全面に均一に付着させその模のＮｉ −Ｐメッ
キ層の密着性や欠陥の防止に有効である。０．２％未満
ではこの効果が十分でなく、２．９％を越えると熱間加
工性が低下する。
、前処理酸洗により適度な粗さを基板に付与してメッキ
層の密着性の向上に寄与するばかりでなく、ジンケート
層を基板全面に均一に付着させその模のＮｉ −Ｐメッ
キ層の密着性や欠陥の防止に有効である。０．２％未満
ではこの効果が十分でなく、２．９％を越えると熱間加
工性が低下する。
従ってｌｎ添加量は０．２〜２．９％とする。
Ｍｎ：Ｍｎは均質化処理時に微細な金属間化合物として
析出し、再結晶粒を微細化する作用があり、基板の研磨
面の仕上り性やＮ１−Ｐメッキ層の層状構造を安定化さ
せ、密着性の向上等に有効である。
析出し、再結晶粒を微細化する作用があり、基板の研磨
面の仕上り性やＮ１−Ｐメッキ層の層状構造を安定化さ
せ、密着性の向上等に有効である。
０．０５％未満ではこの効果が不十分であり、０．５％
を越えると巨大な金属間化合物が晶出するので好ましく
ない。従ってＭｎ添加・石は００ＯＳ〜０．５％とする
。
を越えると巨大な金属間化合物が晶出するので好ましく
ない。従ってＭｎ添加・石は００ＯＳ〜０．５％とする
。
Ｃｒ：ＣｒもＭｎと同様な効果があり、結晶粒の微細化
に有効である。添加量が０．０５％未満の場合にはこの
効果が不十分であり、０．２５％を越えると巨大な金属
間化合物を晶出するので好ましくない。従ってＯｒ添添
加は０．０５〜０．２５％とする。
に有効である。添加量が０．０５％未満の場合にはこの
効果が不十分であり、０．２５％を越えると巨大な金属
間化合物を晶出するので好ましくない。従ってＯｒ添添
加は０．０５〜０．２５％とする。
ｚｒ：ｚｒもＭｎやＣｒと同様に結晶粒の微細化に有効
である。添加量が０．０５％未満の場合にはこの効果が
不十分であり、０．２５％を越えると巨大な金属間化合
物が晶出するので好ましくない。従ってＺｒ添加量は０
．０５〜０．２５％とする。
である。添加量が０．０５％未満の場合にはこの効果が
不十分であり、０．２５％を越えると巨大な金属間化合
物が晶出するので好ましくない。従ってＺｒ添加量は０
．０５〜０．２５％とする。
３ｅ：ＢｅはＡｌ−Ｍｇ系合金の酸化防止や熱間加工性
の向上に有効である。０，１ｐｐＨ１未満ではこの効果
が不十分であり５０Ｄｐｍを越えると毒性の点で問題が
あり、添加量は０．１〜５０ｐｐＩＩｌとづる。
の向上に有効である。０，１ｐｐＨ１未満ではこの効果
が不十分であり５０Ｄｐｍを越えると毒性の点で問題が
あり、添加量は０．１〜５０ｐｐＩＩｌとづる。
Ｆｅ、３ｔ：ｌ”ｃやＳｉはアルミニウム中にほとんど
固溶Ｕず、金属間化合物として析出するが、Ｆｅ 、Ｓ
ｉ ｍが多い場合には、Δ１−Ｆｅ系、ＡＩ −Ｆｅ−
８：系等の粗大な金属間化合物が多数存在し、メッキ欠
陥の原因となるため、不純物元素としてのＦｅ、５ｉｆ
ｆｉはＦｅ＜０．１５％、Ｓｉ＜０．１０％とする。
固溶Ｕず、金属間化合物として析出するが、Ｆｅ 、Ｓ
ｉ ｍが多い場合には、Δ１−Ｆｅ系、ＡＩ −Ｆｅ−
８：系等の粗大な金属間化合物が多数存在し、メッキ欠
陥の原因となるため、不純物元素としてのＦｅ、５ｉｆ
ｆｉはＦｅ＜０．１５％、Ｓｉ＜０．１０％とする。
本発明における亜鉛メッキ法は、例えば、ＮａＯＨ３０
０ａ／Ｊ２、Ｚｌｌ Ｑ ８０（１／ｎを溶解した１５
〜２５℃の水溶液中に数秒〜数分間浸漬することにより
基板表面に亜鉛を析出させる方法で行なわれる。
０ａ／Ｊ２、Ｚｌｌ Ｑ ８０（１／ｎを溶解した１５
〜２５℃の水溶液中に数秒〜数分間浸漬することにより
基板表面に亜鉛を析出させる方法で行なわれる。
また、Ｎｉ −Ｐメッキ法は次亜リン酸を還元剤とする
無電解Ｎ１−Ｐメッキ法であり、通常８０〜９０℃で１
〜４ｈｒ処理することにより１０〜３０μｍのメッキ層
が形成される。
無電解Ｎ１−Ｐメッキ法であり、通常８０〜９０℃で１
〜４ｈｒ処理することにより１０〜３０μｍのメッキ層
が形成される。
Ｎｉ −Ｐメッキ後の皮膜には欠陥がないこと、密着性
がよいこと等が必要とされるが、アルミニウム基板中に
粗大な金属間化合物が存在したり、ジンケートの不良部
が存在するとＮｉ −Ｐメッキ後にもその欠陥が存在し
、また、ジンケートの密着性が悪いとＮｉ −Ｐメッキ
皮膜の密着性が低下する。
がよいこと等が必要とされるが、アルミニウム基板中に
粗大な金属間化合物が存在したり、ジンケートの不良部
が存在するとＮｉ −Ｐメッキ後にもその欠陥が存在し
、また、ジンケートの密着性が悪いとＮｉ −Ｐメッキ
皮膜の密着性が低下する。
この発明は、Ｚｎを添加することにより表面酸化皮膜を
弱くしてジンケートの密着性を向上させることにより、
Ｎｉ −Ｐメッキ皮膜の密着性の向上と欠陥の防止Ｆ
ｅ ｓ Ｓ ｉ等の不純物を規制して粗大な金属間化合
物を減少させることによるメッキ欠陥の防止、１ｙｌｎ
、Ｃｒ、Ｚｒ等の任意成分を添加することにより結晶粒
を微細化し、Ｎｉ −Ｐメッキ層の均一化や密着性の向
上等を１ｑるものである。
弱くしてジンケートの密着性を向上させることにより、
Ｎｉ −Ｐメッキ皮膜の密着性の向上と欠陥の防止Ｆ
ｅ ｓ Ｓ ｉ等の不純物を規制して粗大な金属間化合
物を減少させることによるメッキ欠陥の防止、１ｙｌｎ
、Ｃｒ、Ｚｒ等の任意成分を添加することにより結晶粒
を微細化し、Ｎｉ −Ｐメッキ層の均一化や密着性の向
上等を１ｑるものである。
実施例
実施例１
表１に示す化学成分を有する１００ｍｍ厚の鋳塊を製作
した。この鋳塊を５００℃で１６ｈｒ均質化処理した侵
に４８０℃で熱間圧延を開始し、板厚６ｍｍに圧延した
。熱間圧延板を約６６％冷間圧延して２ｍｍ板とし、そ
の後２２０℃ｘ２ｈｒ焼鈍して半硬材とした。
した。この鋳塊を５００℃で１６ｈｒ均質化処理した侵
に４８０℃で熱間圧延を開始し、板厚６ｍｍに圧延した
。熱間圧延板を約６６％冷間圧延して２ｍｍ板とし、そ
の後２２０℃ｘ２ｈｒ焼鈍して半硬材とした。
このｖＪｊ３＋について荒切削、歪取り焼鈍（３６０℃
ｘ２ｈｒ）後にダイヤモンド切削により８五面仕上した
。この材料に亜鉛メッキとＮｉ −Ｐメッキを行なった
場合の諸特性を表２に示す。
ｘ２ｈｒ）後にダイヤモンド切削により８五面仕上した
。この材料に亜鉛メッキとＮｉ −Ｐメッキを行なった
場合の諸特性を表２に示す。
実施例１〜６は良好な性能を有している。
Ｎ０１７はＺｎＭｔが少なく、メッキ性に問題がある。
Ｎ０９８は強度が低いため、ダイヤモンド切削による仕
上加工が困難である。
上加工が困難である。
ＮＯ６９〜１１は不純物量が多いためメッキ性に問題が
ある。
ある。
表１
（ｗｔ％）
表２
（注１）亜鉛メッキは、Ｎａ Ｏト１３００ｇｒ＃２、
Ｚｎ ０８０ｇｒ＃！を溶解した２０℃の水溶液中に３
０秒浸偵することにより実施（注２） Ｎｉ −Ｐメッ
キは市販の無電解Ｎｉ −Ｐメッキ液（９０’Ｃ）に３
ｈｒ浸漬して実施 （注３＞ Ｎ１−Ｐメッキ後に３ｍｍ Ｒで９０°曲げ
した場合のメッキ層のはく離の有無により良否を判定。
Ｚｎ ０８０ｇｒ＃！を溶解した２０℃の水溶液中に３
０秒浸偵することにより実施（注２） Ｎｉ −Ｐメッ
キは市販の無電解Ｎｉ −Ｐメッキ液（９０’Ｃ）に３
ｈｒ浸漬して実施 （注３＞ Ｎ１−Ｐメッキ後に３ｍｍ Ｒで９０°曲げ
した場合のメッキ層のはく離の有無により良否を判定。
はく離無の場合を良、はく離有の場合を不良と判定
（注４）メッキ面の面積５ＩＩ１２当りに発生したメッ
キ欠陥の数実施例２ 表３に示した化学成分を有する１００ｍｍ厚の鋳塊を製
作し、実施例１と同じ方法で２ｍｍ板の半硬材とした。
キ欠陥の数実施例２ 表３に示した化学成分を有する１００ｍｍ厚の鋳塊を製
作し、実施例１と同じ方法で２ｍｍ板の半硬材とした。
この材料について実施例１と同じ条件で鏡面仕上し、亜
鉛メッキとＮｉ −Ｐメッキを行った場合の諸特性を表
４に示す。
鉛メッキとＮｉ −Ｐメッキを行った場合の諸特性を表
４に示す。
実施例１〜７は均一性、密着性にすぐれ、欠陥も少なく
良好な性能を有している。
良好な性能を有している。
Ｎ０１８は強度が低く、ダイヤモンド切削加工が困難で
ある。
ある。
Ｎ ｏ、９はＺｎｆｆ１が少ないためメッキ層の均一性
や！５着性に問題。
や！５着性に問題。
Ｎｏ、１０〜１２は不純物量が多いためメッキ欠陥が多
く問題。
く問題。
表３
（ｗｔ％）
表４
（注１）亜鉛メッキ、Ｎｉ −Ｐメッキ法は実施例１に
同じ（注２）判定法は実施例１に同じ （注３）判定法は実施例１に同じ 発明の効果 この発明のアルミニウム合金によれば、メッキ面は均一
でかつ欠陥がなく、メッキ層の密ｎ性も良好なすぐれた
メッキ型磁気ディスク用基板が得られる。
同じ（注２）判定法は実施例１に同じ （注３）判定法は実施例１に同じ 発明の効果 この発明のアルミニウム合金によれば、メッキ面は均一
でかつ欠陥がなく、メッキ層の密ｎ性も良好なすぐれた
メッキ型磁気ディスク用基板が得られる。
Claims (4)
- （１）Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ０．２〜２．９％を含み、残
りアルミニウムと不純物よりなり、不純物としてのＦｅ
、ＳｉがＦｅ＜０．１５％、Ｓｉ＜０．１０％であるこ
とを特徴とするメッキ性にすぐれメッキ欠陥の少ない磁
気ディスク用アルミニウム合金。 - （２）Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ０．２〜２．９％、Ｂｅ０．
１〜５０ｐｐｍを含み、残りアルミニウムと不純物より
なり、不純物としてのＦｅ、ＳｉがＦｅ＜０．１５％、
Ｓｉ＜０．１０％であることを特徴とするメッキ性にす
ぐれメッキ欠陥の少ない磁気ディスク用アルミニウム合
金。 - （３）Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ０．２〜２．９％を含み、さ
らにＭｎ０．０５〜０．５％、Ｃｒ０．０５〜０．２５
％、Ｚｒ０．０５〜０．２５％のうちの１種または２種
以上を含み、残りアルミニウムと不純物よりなり、不純
物としてのＦｅ、ＳｉがＦｅ＜０．１５％、Ｓｉ＜０．
１０％であることを特徴とするメッキ性にすぐれたメッ
キ欠陥の少ない磁気ディスク用アルミニウム合金。 - （４）Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ０．２〜２．９％、Ｂｅ０．
５〜５０ｐｐｍを含み、さらにＭｎ０．０５〜０．５％
、Ｃｒ０．０５〜０．２５％、Ｚｒ０．０５〜０．２５
％のうちの１種または２種以上を含み、残りアルミニウ
ムと不純物よりなり、不純物としてのＦｅ、ＳｉがＦｅ
＜０．１５％、Ｓｉ＜０．１０％であることを特徴とす
るメッキ性にすぐれた磁気ディスク用アルミニウム合金
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18663585A JPS6247450A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | メツキ性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18663585A JPS6247450A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | メツキ性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247450A true JPS6247450A (ja) | 1987-03-02 |
Family
ID=16192031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18663585A Pending JPS6247450A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | メツキ性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247450A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298134A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Kobe Steel Ltd | 砥石による研削性及びメッキ性に優れたディスク用アルミニウム合金板及びその製造方法 |
| JPH02121118A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-09 | Kobe Steel Ltd | 磁気ディスク用Ａｌ合金鏡面基板の製造方法 |
| JPH02153049A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Furukawa Alum Co Ltd | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP18663585A patent/JPS6247450A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298134A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Kobe Steel Ltd | 砥石による研削性及びメッキ性に優れたディスク用アルミニウム合金板及びその製造方法 |
| JPH02121118A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-09 | Kobe Steel Ltd | 磁気ディスク用Ａｌ合金鏡面基板の製造方法 |
| JPH02153049A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Furukawa Alum Co Ltd | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5244516A (en) | Aluminum alloy plate for discs with improved platability and process for producing the same | |
| JPS60194040A (ja) | メツキ性に優れたデイスク用アルミニウム合金板 | |
| US5017337A (en) | Aluminum alloy for magnetic disc substrate execellent in platability | |
| EP0206519B1 (en) | An aluminium alloy and a magnetic disk substrate comprising the alloy | |
| JPS6254053A (ja) | メツキ性とメツキ層の密着性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 | |
| JPS6327420B2 (ja) | ||
| JPS6247450A (ja) | メツキ性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 | |
| JPH02205651A (ja) | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 | |
| JP3710009B2 (ja) | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金板及びその製造方法 | |
| JPH024672B2 (ja) | ||
| JPH01225739A (ja) | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 | |
| JPH02111839A (ja) | 優れたメッキ性を有するディスク用アルミニウム合金板とその製造方法 | |
| JP2565741B2 (ja) | 砥石による研削性及びメッキ性に優れたディスク用アルミニウム合金板及びその製造方法 | |
| JPS62230947A (ja) | メッキ性に優れた磁気ディスク用アルミニウム合金 | |
| JPS62230948A (ja) | Ｎｉ―Ｐメッキ性に優れた磁気ディスク用アルミニウム合金 | |
| JPH0499143A (ja) | ＮｉＰめっき性の良い磁気ディスク基板用アルミニウム合金 | |
| JPH02159340A (ja) | 優れたメッキ性を有するディスク用アルミニウム合金板 | |
| JPH09263870A (ja) | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金および磁気ディスク基板 | |
| JPH07310135A (ja) | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 | |
| JP3830240B2 (ja) | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板 | |
| JPH01225741A (ja) | 磁気デイスク基板用アルミニウム合金 | |
| JPH02305936A (ja) | 優れたメッキ性を有するディスク用アルミニウム合金板 | |
| JPH0499144A (ja) | ＮｉＰめっき性の良い磁気ディスク基板用アルミニウム合金 | |
| JPH05140757A (ja) | デイスク用メツキ基盤の製造方法 | |
| JPH0499145A (ja) | ＮｉＰめっき性の良い磁気ディスク基板用アルミニウム合金 |