JPH07310135A - 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 平面性およびメッキ層の密着性が一層向上
し、しかもピット欠陥がなく、耐食性に優れた、磁気デ
イスク基板用アルミニウム合金を提供する。 【構成】 この発明による磁気デイスク基板用アルミニ
ウム合金は、Ｍｇ：３．０〜５．０ｗｔ％、Ｚｎ：０．
１０〜０．３０ｗｔ％、Ｃｕ：０．０５〜０．２０ｗｔ
％、Ｃｒ：０．０５〜０．１５ｗｔ％、Ｚｒ：０．０５
〜０．１５ｗｔ％およびＦｅ：０．０１〜０．１０ｗｔ
％を含有し、更に、不純物としてのＳｉ、ＴｉおよびＢ
の含有量は、Ｓｉ：０．０２ｗｔ％以下、Ｔｉ：０．０
１ｗｔ％以下およびＢ：１０ｐｐｍ以下に限定され、残
部がＡｌおよびその他の不可避不純物からなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、磁気デイスク基板用
Ａｌ合金に関し、特に磁性体薄膜の下地としてのメッキ
を施して使用される磁気デイスクに適し、平面度、メッ
キの密着性および耐食性に優れ、そしてピットや突起等
表面欠陥のない磁気デイスク基板用アルミニウム合金に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気デイスクは、その基板表面に磁性体
薄膜を被覆したものであり、この磁性体薄膜を磁化させ
ることにより情報を記憶するものである。このような磁
気デイスクの基板用材料としては、軽量、非磁性で、か
つ基板製作時の機械加工やデイスク使用時の高速回転に
耐えるに十分な強度を有し、更に、耐食性も良好である
こと等が必要なため、一般にＡｌ−Ｍｇ系のＪＩＳ５０
８６合金やその改良合金が使用されている。

【０００３】しかしながら、最近、磁気デイスクに対す
る記憶容量の増大、高密度化および薄肉軽量化の要請が
強まり、１ビット当たりの磁気領域の微小化、磁気ヘッ
ドと磁気デイスクとの間隙の減少、および磁性体薄膜の
一層の薄膜化が必要になった。このため、従来は、磁性
体を基板の表面に直接塗布した磁気デイスクが主流であ
ったが、最近ではスパッタリングあるいはメッキにより
磁性体を被覆した磁気デイスクが著しく増加している。
そして、このような磁気デイスク基板としては、下地処
理としてＮｉ−Ｐを無電解メッキしたものが主として使
用されている。

【０００４】上記Ｎｉ−Ｐメッキ基板の基本的製造工程
は、所定厚さの冷間圧延されたＡｌ合金板からのド−ナ
ツ状円板の打抜き、加圧焼鈍、表面の切削および研削・
研磨、ジンケ−ト処理、Ｎｉ−Ｐの無電解メッキおよび
仕上げ研磨からなっている。従って、Ｎｉ−Ｐメッキ用
基板に対して、下記性能を備えていることが要求され
る。研削・研磨後のＡｌ合金基板は、平面性に優れて
いること、Ｎｉ−Ｐメッキ層との密着性に優れてお
り、且つメッキ後の表面にピット等の欠陥が発生しない
こと、耐食性に優れていること。

【０００５】このような要求に対して前記ＪＩＳ５０８
６合金では十分満足することができず、その改良合金が
提案され、開発されている。そのようなものとして、Ｎ
ｉ−Ｐメッキ層のＡｌ合金基板への密着性向上を目的と
して、ＪＩＳ５０８６合金を基本とし、これにＺｎおよ
びＣｕが複合添加されたＡｌ合金が、例えば特公昭６２
−２０１８号公報（以下、先行技術１という）および特
公平５−４５６５９号公報（以下、先行技術２という）
に開示されている。一方、同じ目的で、ＪＩＳ５０８６
合金を基本としこれにＣｕおよび／またはＺｎが添加さ
れたＡｌ合金が、特公平５−４００１６号公報（以下、
先行技術３という）に、Ｃｕのみが添加されたＡｌ合金
が、特公平５−５７３４７号公報（以下、先行技術４と
いう）に開示されている。

【０００６】先行技術１には、メッキ性に優れたデイス
ク用アルミニウム合金板として、Ｍｇ：２〜６ｗｔ％、
Ｚｎ：０．１〜１．５ｗｔ％、Ｃｕ：０．０３〜０．４
０ｗｔ％およびＦｅ：０．０１〜０．３０ｗｔ％を含有
するものが記載されており、また合金の溶製から基板の
製作を経てその表面に磁性体皮膜を形成する前まで、即
ち、基板表面の下地処理メッキ皮膜を仕上げ研磨するま
での製造法について記載されている。そして、メッキ皮
膜の密着性およびメッキ厚さの薄膜化の重要性に鑑み、
仕上げ研磨後のメッキ表面を顕微鏡観察し、特に、ピッ
ト欠陥がなく表面精度（表面平滑性ともいう）に優れた
磁気デイスク基板用アルミニウム合金板が開示されてい
る。

【０００７】先行技術２には、メッキ性に優れたデイス
ク用アルミニウム合金板として、Ｍｇ：２〜６ｗｔ％未
満、Ｚｎ：０．０５〜２．０ｗｔ％およびＣｕ：０．０
１０〜０．０３ｗｔ％未満を含有し、さらにＭｎ：０．
０１ｗｔ％超〜０．０５ｗｔ％未満およびＣｒ：０．０
１ｗｔ％超〜０．０５ｗｔ％未満のうち１種以上を含有
し、そして不純物としてＳｉ、Ｆｅ、Ｔｉを所定値以下
に限定したものが記載されており、また先行技術１と同
様、基板表面のメッキ皮膜を仕上げ研磨するまでの製造
法について記載されている。特に、上記化学成分組成中
の微量添加元素の相互作用により得られる、メッキ皮膜
の密着性および表面平滑性の優れた磁気デイスク基板用
アルミニウム合金板が開示されている。

【０００８】先行技術３には、メッキ性に優れたデイス
ク用アルミニウム合金として、Ｍｇ：３．０〜６．０ｗ
ｔ％、Ｔｉ：０．０３〜０．１５ｗｔ％を含有し、か
つ、Ｚｎ：０．１〜２．０ｗｔ％およびＣｕ：０．０１
〜ら０．５ｗｔ％のうちの１種または２種を含有し、更
に、不純物としてＦｅ、Ｓｉ、Ｂ、ＺｒおよびＣｒを所
定値以下に限定したものが記載されている。上記化学成
分組成中、特に、Ｔｉを適量添加することにより得られ
る、ＦｅおよびＳｉ系金属間化合物の量および大きさを
増大させることなく結晶粒が微細化し、研削・研磨後の
基板の表面粗さおよびうねり周期に優れ、且つメッキ性
に優れた磁気デイスク基板用アルミニウム合金が開示さ
れている。

【０００９】先行技術４には、メッキ性に優れたデイス
ク用アルミニウム合金として、Ｍｇ：３．０〜５．０ｗ
ｔ％、Ｃｕ：０．０１〜０．２０ｗｔ％、Ｓｉ：０．０
２〜０．１０ｗｔ％、Ｆｅ：０．０３〜０．１０ｗｔ
％、Ｇａ：５０〜４００ｐｐｍ、Ｚｎ：０．０５ｗｔ％
未満およびＢｅ：０．５〜１００ｐｐｍを含有し、更
に、７μm 以上の金属間化合物が１０個／ｍｍ² 以下に
限定されたものが記載されている。上記化学成分組成
中、特に、Ｃｕ、ＳｉおよびＦｅ含有量を適切な範囲内
に限定することにより得られる、粗大な金属間化合物の
生成を抑制し、ピット欠陥がなく表面精度に優れた磁気
デイスク基板用アルミニウム合金板が開示されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、先行技
術１または２では、ＺｎおよびＣｕの含有量の上限値が
高いため、基板を研磨後の工程でワ−クの停滞が発生す
ると、極めて短時間のうちに基板の表面に斑点状腐食が
生じ、また基板を洗浄後の乾燥むらによるシミやジンケ
−ト処理時における粒界腐食などを生じ易く、そしてこ
れらはいずれもメッキ後にピット欠陥等表面欠陥の原因
となり易い。また、フロンによる基板の洗浄が環境汚染
防止上禁止されたために、より一層の耐食性が基板に要
求されている現状においては、先行技術１および２では
耐食性において問題を生じる場合がある。更に、基板の
薄肉化に伴ってＺｎおよびＣｕの固溶析出による寸法変
化を生じ易くなっており、最近のより厳しい平面性の要
求を満たすことができない場合も発生している。一方、
先行技術３または４では、基板に対するＮｉ−Ｐメッキ
の密着性が未だ不十分である。

【００１１】また、ＦｅおよびＳｉの両方について、そ
の含有量を厳しく規定したものはない。Ａｌ合金中にこ
れらの元素が多量に含まれると、Ａｌ−Ｆｅ、Ａｌ−Ｆ
ｅ−Ｓｉ、Ｍｇ₂ Ｓｉ等の金属間化合物が形成され、基
板の研削・研磨後あるいはメッキ前処理後に、それが基
板表面の突起の原因となったり、あるいは脱落して窪み
の原因となったりする。一方、Ｆｅの含有量が少なすぎ
ると、基板の研削時に砥石が目詰まりを起こし易く、生
産性が低下する。従って、Ｆｅについては、表面の突起
や窪みに起因する表面欠陥がメッキ後に発生しない範囲
内で基板に含有されていることが必要である。また、Ｓ
ｉはＭｇ₂ Ｓｉを形成するので、Ｍｇ₂Ｓｉがメッキ前
処理により基板表面から脱落し、メッキ後ピット欠陥を
発生させることのないよう、Ｓｉの含有量を極力少なく
抑える必要がある。更に、先行技術１〜４では、いずれ
においても、基板の平面性が十分とはいえず、より一層
優れていることが望まれる。

【００１２】従って、この発明の目的は、上述した問題
を解決し、これまで以上の平面性およびＮｉ−Ｐメッキ
層の密着性の向上、並びにピット欠陥がなくしかも耐食
性に優れた、磁気デイスク基板用アルミニウム合金を提
供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために、磁気デイスク基板用アルミニウム合
金を構成する化学成分組成について鋭意研究を重ねた結
果、下記知見を得た。即ち、Ｎｉ−Ｐのメッキ性向上
のために、ＺｎおよびＣｕを共存させることが重要であ
る。一方、特に、ＺｎおよびＣｕの各々の含有量が適切
な範囲内に規定されて過多とならないようにすること、
しかも、ＣｒおよびＺｒを共存させ、しかもＣｒおよ
びＺｒの各々の含有量を適切な範囲内に限定することに
よって、特に、平面性に優れた基板を得ることができる
こと、並びに、従来一般的には不純物とされていたＦｅ
およびＳｉの含有量について、Ｆｅに関しては、適切
な範囲内で微量添加することによって、基板切削時の砥
石の目詰まり防止およびメッキ層の微細均一析出に効果
があること、更に、Ｓｉに関しては、従来不純物とし
て規制していた上限値または微量添加されていた含有量
より一層低く規定することにより、Ｍｇ₂ Ｓｉの晶出を
一段と抑制することができ、メッキ後のピット欠陥の発
生防止に著しい効果がある。

【００１４】この発明は上記知見に基づいてなされたも
のであり、Ｍｇ：３．０〜５．０ｗｔ％、Ｚｎ：０．１
０〜０．３０ｗｔ％、Ｃｕ：０．０５〜０．２０ｗｔ
％、Ｃｒ：０．０５〜０．１５ｗｔ％、Ｚｒ：０．０５
〜０．１５ｗｔ％およびＦｅ：０．０１〜０．１０ｗｔ
％を含有し、更に、不純物としてのＳｉ、ＴｉおよびＢ
としての含有量は、Ｓｉ：０．０２ｗｔ％以下、Ｔｉ：
０．０１ｗｔ％以下およびＢ：１０ｐｐｍ以下に限定さ
れ、残部がＡｌおよび不可避不純物からなることに特徴
を有するものである。

【００１５】

【作用】この発明の磁気デイスク基板用アルミニウム合
金の化学成分組成を上述した範囲内に限定した理由につ
いて述べる。 Ｍｇ：Ｍｇは、磁気デイスク基板に所定の強度を付与す
るために有効な元素である。しかしながら、その含有量
が３．０ｗｔ％未満では所望の強度が得られず、一方、
５．０ｗｔ％超ではＡｌ合金板の熱間圧延性が著しく低
下する。従って、Ｍｇ含有量は、３．０〜５．０ｗｔ％
の範囲内に限定すべきである。

【００１６】ＺｎおよびＣｕ：ＺｎおよびＣｕは、Ａｌ
合金中に均一に固溶し、メッキ前処理のジンケ−ト処理
時に、均一微細で且つ緻密な処理皮膜を形成させる。こ
のため、ＺｎおよびＣｕは、地であるＡｌ合金との密着
性に優れ、微小欠陥が少ない、健全なＮｉ−Ｐメッキ層
を均一にデイスク基板の表面に形成させる効果を有す
る。このような効果を得るためには、ＺｎとＣｕとがＡ
ｌ合金中に共存することが必須条件である。しかしなが
ら、Ｚｎの含有量が０．１０ｗｔ％未満、Ｃｕの含有量
が０．０５ｗｔ％未満では上記効果は得られない。一
方、Ｚｎの含有量が０．３０ｗｔ％超、Ｃｕの含有量が
０．２０ｗｔ％超では耐食性が著しく劣化し、更に、Ａ
ｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系等の析出物が生成し、ド−ナツ状円板
の打抜き後に行なう加圧焼鈍時に、それらの固溶・析出
による応力を発生せしめ、基板の平面性を劣化させる。
従って、基板の平面性を確保するために、ＺｎおよびＣ
ｕ含有量が上記値を超えないことが特に重要である。以
上より、Ｚｎ含有量は０．１０〜０．３０ｗｔ％、Ｃｕ
含有量は０．０５〜０．２０ｗｔ％の範囲内とすべきで
ある。上述した効果を一層発揮し、しかも上述した弊害
の防止を一層確実なものにするため、Ｚｎ＋Ｃｕの含有
量は０．３〜０．４ｗｔ％の範囲内とするのが望まし
い。

【００１７】ＣｒおよびＺｒ：ＣｒおよびＺｒは、Ａｌ
−Ｆｅ系金属間化合物およびＭｇ₂ Ｓｉを晶出させるこ
となく、しかも均一な再結晶粒組織を形成することによ
って基板の平面性を向上させる。また、強度を向上させ
る作用・効果をも有する。更に、Ｚｒには突起あるいは
脱落窪みを生じメッキ欠陥の原因となる各種金属間化合
物を微細にし、その害を軽減する作用・効果がある。し
かしながら、ＣｒおよびＺｒの各々の含有量が０．０５
ｗｔ％未満では上記作用・効果を発揮しない。一方、各
々の含有量が０．１５ｗｔ％超では、Ａｌ₇Ｃｒ、Ａｌ
₃ Ｚｒ等の粗大な金属間化合物を生成し、基板表面に突
起あるいは窪みを生じ、メッキ欠陥の原因となる。従っ
て、その効果を少量で一層発揮させるには、単独で添加
するよりも複合添加することが必須となる。従って、Ｃ
ｒおよびＺｒの各々の含有量は、０．０５〜０．１５ｗ
ｔ％の範囲内とすべきである。

【００１８】Ｆｅ：Ｆｅは、Ａｌ合金中に含有されてい
ると、その切削性が良好となる。更に、Ｆｅは、Ａｌ−
Ｆｅ系金属間化合物を生成し、メッキ前処理およびＮｉ
−Ｐメッキ処理において皮膜形成の核となり、メッキ層
の微細均一析出に有効である。しかしながら、Ｆｅ含有
量が０．０１ｗｔ％未満では、基板の研削時に砥石の目
詰まりが生じ易く、生産性が大幅に低下する。一方、そ
の含有量が０．１０ｗｔ％超では、Ａｌ−Ｆｅ系の粗大
な金属間化合物が生成し、基板の表面に突起あるいは窪
みを生じ、メッキ欠陥の原因となる。従って、Ｆｅ含有
量は、０．０１〜０．１０ｗｔ％の範囲内とすべきであ
る。

【００１９】Ｓｉ：Ｓｉは、Ａｌ合金中に殆ど固溶せ
ず、Ｍｇ₂ Ｓｉとして晶出する。そしてメッキ前処理に
より、Ｍｇ₂ Ｓｉは基板表面から溶解・脱落し、メッキ
後のピット欠陥の原因となり易い。従って、Ｓｉ含有量
は極力低くすることが必要である。しかしながら、Ｓｉ
含有量を低くするほどコストが上昇するので、上記両者
を考慮してＳｉ含有量は０．０２ｗｔ％以下とする。

【００２０】Ｔｉ：Ｔｉは、Ａｌ−Ｔｉ系金属間化合物
を生成し、基板の切削・研磨あるいはメッキ前処理によ
り脱落してピット欠陥となる。従って、Ｔｉ含有量は、
０．０１ｗｔ％以下に限定する。

【００２１】Ｂ：Ｂは、Ｔｉと結合してＴｉＢ₂ を生成
し、ストリンガ−欠陥を生ぜしめる。従って、Ｂ含有量
は１０ｐｐｍ以下に限定する。

【００２２】

【実施例】次に、本発明を実施例により説明する。表１
に示す、本発明の範囲内の化学成分組成を有する本発明
供試体、および１つでも本発明の範囲外の化学成分組成
を有する比較用供試体の各々を、厚さ５００ｍｍの鋳塊
に連続鋳造し、各々の鋳塊を片面１０ｍｍずつ面削後、
これに５４０°Ｃで８時間保持の均質化処理を施した。
次に、常法に従ってこれに熱間圧延および冷間圧延を施
し、厚さ０．８５ｍｍの板材を調製した。

【００２３】

【表１】

【００２４】前記板材の各々を打抜き加工し、直径８９
ｍｍのド−ナツ状円板を調製し、次いでこれに３５０°
Ｃで２時間の加圧焼鈍を施した後、切削および研削・研
磨により表面を鏡面に仕上げた。このように鏡面仕上げ
されたド−ナツ状円板を、トリクロルエタンで表面を脱
脂した後、１０ｗｔ％硫酸水溶液でエッチングし、３０
ｗｔ％硝酸水溶液でスマット除去し、そしてダブルシン
ジケ−ト処理した。そして、その表面に、片面あたり約
１５μm の無電解Ｎｉ−Ｐメッキを施した。

【００２５】このようにして得られた各供試体につい
て、下記の評価試験を行い、その結果を、表２に示し
た。

【００２６】

【表２】

【００２７】実施した評価試験は、下記の通りである。
即ち、板表面の光学顕微鏡観察によるＭｇ₂ Ｓｉ金属
間化合物の分布測定、基板を研削中の砥石の目詰まり
状況調査、研磨後の基板の平面度測定、Ｎｉ−Ｐメ
ッキされた基板の仕上げ研磨後のメッキ皮膜の密着性試
験、仕上げ研磨後のメッキ表面のピット欠陥の発生状
況調査、およびメッキ基板の耐食性評価試験を行っ
た。

【００２８】平面度測定は、レ−ザ−干渉計を用い、干
渉縞を解析することによって求めた。

【００２９】密着性の評価については、曲げ試験用サン
プルを切出し、３８０°Ｃで１時間加熱後、室温で１８
０°曲げを行ない、メッキ皮膜の剥離発生の有無を観察
し、剥離が認められなかったものを○印、僅かに剥離が
認められたものを△印、そして多数の剥離が認められた
ものを×印で表わした。

【００３０】ピット欠陥発生の評価については、微分干
渉顕微鏡により仕上げ研磨後のメッキ表面を観察し、径
が３μm 以上のピットが存在しないものを○印、それが
１〜５個の範囲で存在するものを△印、そして６個以上
存在するものを×印で表わした。なお、○印のみを合格
とした。

【００３１】耐食性の評価については、耐硫酸性試験、
即ち、３０°Ｃの１０ｗｔ％硫酸水溶液中に２４時間、
メッキ処理後の基板を浸漬する試験を行ない、メッキ皮
膜に膨れが発生しなかったものを○印、１〜５ｍｍの膨
れが発生したものを△印、そして５ｍｍ超の膨れが発生
したものを×印で表わした。

【００３２】表１および表２より、下記事項が明らかで
ある。

【００３３】比較用供試体ＮO.１および３は、それぞれ
ＺｎおよびＣｕの含有量が本発明の範囲外に少なかった
ため、メッキ前処理のジンケ−ト処理時に、十分に均一
微細で緻密な処理皮膜が形成されなかったため、地であ
るＡｌ合金との十分な密着性が得られず、また微小欠陥
が若干発生し、ピット欠陥となった。

【００３４】一方、比較用供試体ＮO.２および４は、そ
れぞれＺｎおよびＣｕ含有量が本発明の範囲を超えて多
かったため、基板用Ａｌ合金板の耐食性が劣り、また加
圧焼鈍時にＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系等の析出物の生成による
応力発生によって基板の平面度がそれぞれ８．６μm お
よび９．３μm と劣化し、ピット欠陥も発生した。

【００３５】比較用供試体ＮO.５および７は、それぞれ
ＣｒおよびＺｒ含有量が本発明の範囲外に少なかったた
め、Ａｌ−Ｆｅ系金属間化合物およびＭｇ₂ Ｓｉが若干
晶出し、均一な再結晶組織が形成されなかったため、メ
ッキの密着性がやや劣り、また基板の平面度が劣ってい
た。

【００３６】一方、比較用供試体ＮO.６および８は、そ
れぞれＣｒおよびＺｒ含有量が本発明の範囲を超えて多
かったため、Ａｌ₇ Ｃｒ等の粗大な金属間化合物が生成
し、基板表面に突起や窪みが生じたため、メッキ表面に
ピット欠陥が発生した。

【００３７】比較用供試体ＮO.９は、Ｆｅ含有量が本発
明の範囲外に少なく無添加であったため、Ａｌ合金基板
の研削時に砥石の目詰まりが発生し、研削性が著しく劣
化した。

【００３８】一方、比較用供試体ＮO.１０は、Ｆｅ含有
量が本発明の範囲を超えて多かったため、Ａｌ−Ｆｅ系
の粗大な金属間化合物が生成し、Ａｌ合金基板の表面に
突起や窪みが生じたため、メッキ表面にピット欠陥が発
生した。

【００３９】比較用供試体ＮO.１１は、Ｆｅ含有量が本
発明の範囲を超えて多かったため、ＮO.１０と同様、Ａ
ｌ−Ｆｅ系の粗大な金属間化合物が生成し、Ａｌ合金基
板の表面に突起や窪みが生じたため、メッキ表面にピッ
ト欠陥が発生した。更に、不純物元素であるＳｉ含有量
が本発明の範囲を超えて多かったため、粗大なＭｇ₂Ｓ
ｉが晶出し、メッキ前処理による溶解・脱落によりメッ
キ後のピット欠陥が発生した。

【００４０】以上のように、比較用供試体には、磁気デ
イスク用のＡｌ合金基板として、所望の特性をすべて備
えたものはなかった。これに対して、本発明供試体は、
その化学成分組成が本発明の範囲内にあったので、Ｎｉ
−Ｐメッキ磁気デイスク基板として用いた結果、ＮO.１
〜８のすべての供試体について、ピット欠陥の原因とな
るようなＭｇ₂ Ｓｉ等の大きな金属間化合物が存在せ
ず、平面度は８μm 未満と平面性に優れ、Ｎｉ−Ｐメッ
キ皮膜の密着性に優れ、ピット欠陥も発生せず、耐食性
に優れ、また、研削性も良好であった。

【００４１】

【発明の効果】この発明は、上述したように構成されて
おり、特にＺｎおよびＣｕを同時に含有し、しかも各々
の含有量が従来よりも一層適切な値に限定されているの
で、従来得られなかったような優れた平面性が得られ、
しかもメッキ皮膜の密着性、基板の研削性および耐食性
にも優れ、そしてピット欠陥の抑制された、優れた磁気
デイスク基板用アルミニウム合金を提供することができ
る、工業上、有益な効果をもたらす。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マグネシウム（Ｍｇ）：３．０ 〜５．
   ０ｗｔ％、 亜鉛（Ｚｎ） ：０．１０〜０．３０ｗｔ％、 銅（Ｃｕ） ：０．０５〜０．２０ｗｔ％、 クロム（Ｃｒ） ：０．０５〜０．１５ｗｔ％、 ジルコニウム（Ｚｒ）：０．０５〜０．１５ｗｔ％、お
   よび鉄（Ｆｅ） ：０．０１〜０．１０ｗｔ％
   を含有し、更に、不純物としてのシリコン、チタンおよ
   びボロンの含有量は、 シリコン（Ｓｉ） ：０．０２ｗｔ％以下、 チタン（Ｔｉ） ：０．０１ｗｔ％以下、およびボ
   ロン（Ｂ） ：１０ｐｐｍ以下に限定され、残部
   がアルミニウム（Ａｌ）およびその他の不可避不純物か
   らなることを特徴とする、磁気デイスク基板用アルミニ
   ウム合金。