JPS6254053A - メツキ性とメツキ層の密着性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 - Google Patents
メツキ性とメツキ層の密着性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金Info
- Publication number
- JPS6254053A JPS6254053A JP19209785A JP19209785A JPS6254053A JP S6254053 A JPS6254053 A JP S6254053A JP 19209785 A JP19209785 A JP 19209785A JP 19209785 A JP19209785 A JP 19209785A JP S6254053 A JPS6254053 A JP S6254053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- defects
- impurities
- aluminum alloy
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は磁気ディスク用アルミニウム合金に関するも
のである。詳しくは電子計ｎ機の記憶媒体として使用さ
れるメッキ型磁気ディスク用アルミニウｉ合金に関する
ものである。
のである。詳しくは電子計ｎ機の記憶媒体として使用さ
れるメッキ型磁気ディスク用アルミニウｉ合金に関する
ものである。
従来の技術
磁気ディスクは一般にアルミニウム合金基板の表面を精
密研磨した後に磁性体薄膜を被覆させたものであり、こ
の磁性体被膜を磁化させることにより信号を記録する。
密研磨した後に磁性体薄膜を被覆させたものであり、こ
の磁性体被膜を磁化させることにより信号を記録する。
一般にアルミニウム合金はその阜本的性質がメッキに適
さない。例えば、アルミニウムは電気化学的に活性で強
固な酸化被膜が形成されること、合金元素の添加量や分
布状態によってはアルミニウムの表面が化学的および電
気化学的に不均一になること、熱膨張係数が大きくメッ
キ層とアルミニウム間に張力が作用し、欠陥の発生やメ
ッキ層のはく離を起こし易いこと等の問題がある。
さない。例えば、アルミニウムは電気化学的に活性で強
固な酸化被膜が形成されること、合金元素の添加量や分
布状態によってはアルミニウムの表面が化学的および電
気化学的に不均一になること、熱膨張係数が大きくメッ
キ層とアルミニウム間に張力が作用し、欠陥の発生やメ
ッキ層のはく離を起こし易いこと等の問題がある。
メッキ型磁気ディスクにおいては、磁性体を形成する以
前に基板の平滑性をより向上させるため、基板上にＮｉ
−Ｐ系の中間層メッキを形成させた後に再度研磨され
るが、アルミニウム基板上に直接メッキ処理する場合に
は、メッキ層の密着性が悪い問題がある。良質なメッキ
を施すにはアルミニウム基板の前処理が必要であり、一
般に亜鉛冒換法による亜鉛メッキが施され、その上にＮ
ｉ −Ｐ系の中間層がメッキで形成される。
前に基板の平滑性をより向上させるため、基板上にＮｉ
−Ｐ系の中間層メッキを形成させた後に再度研磨され
るが、アルミニウム基板上に直接メッキ処理する場合に
は、メッキ層の密着性が悪い問題がある。良質なメッキ
を施すにはアルミニウム基板の前処理が必要であり、一
般に亜鉛冒換法による亜鉛メッキが施され、その上にＮ
ｉ −Ｐ系の中間層がメッキで形成される。
従って、メッキ型磁気ディスクの性能は、下地処・理で
ある亜鉛メッキ性およびＮｉ −Ｐ中間層のメッキ性に
左右され、均一で無欠陥のＮ１−Ｐメッキと密着性にす
ぐれた亜鉛メッキを行う必要があり、基板となるアルミ
ニウム素材についても、メッキ性を考慮して合金組成や
最適製造法を検討する必要がある。
ある亜鉛メッキ性およびＮｉ −Ｐ中間層のメッキ性に
左右され、均一で無欠陥のＮ１−Ｐメッキと密着性にす
ぐれた亜鉛メッキを行う必要があり、基板となるアルミ
ニウム素材についても、メッキ性を考慮して合金組成や
最適製造法を検討する必要がある。
ところで、磁気ディスク用基板には、以下のような特性
が要求される。
が要求される。
（１） 精密研磨あるいは切削後の表面精度が良好な
こと。
こと。
１２＋ １ａ性体薄膜の欠陥の原因となる基板表面の
突起や穴が少なく、かつ小さいこと。
突起や穴が少なく、かつ小さいこと。
（３） ある程度の機械的強度を有し、基板製作時の
機械加工、使用時の高速回転等にも耐え得ること。
機械加工、使用時の高速回転等にも耐え得ること。
４）軽石、非磁性であり、ある程度の耐食性を有するこ
と。
と。
従来、このような特性を有する磁気ディスク用基板とし
てＡＩ −Ｍ（１−Ｍｎ−Ｃｒ系の５０８６合金が使用
されてきた。最近、磁気ディスクに対する高密度化、大
容量化等の要求が＾まり、これに適したアルミニウム合
金や磁性体薄膜の被覆法の開発が望まれている。
てＡＩ −Ｍ（１−Ｍｎ−Ｃｒ系の５０８６合金が使用
されてきた。最近、磁気ディスクに対する高密度化、大
容量化等の要求が＾まり、これに適したアルミニウム合
金や磁性体薄膜の被覆法の開発が望まれている。
また１、磁性体を基板表面に被覆する方法として、これ
までは塗付法が主体であったが、近年メッキ法、スパッ
ター法等が開発され、高密度磁気ディスクへの適用が進
められている。
までは塗付法が主体であったが、近年メッキ法、スパッ
ター法等が開発され、高密度磁気ディスクへの適用が進
められている。
発明が解決し、！、つとする問題点
従来の５０８６合金の場合には、Ｆｅ 、Ｓｉ等の不純
物を多く含むため、素材中に５μｍ以上の金属間化合物
（ＡＩ −Ｆｅ 、ＡＩ −Ｆｅ−ｓｉ、ＡＩ −Ｍ
ｎ 、 ＡＩ −Ｍｎ −Ｆｅ 、 ＡＩ
−Ｓｉ 、Ｍｇ−８ｉ系等）が多数存在するため
、機械加工や研磨時にこれらの粗大な金属間化合物が基
板より脱落して穴となったり、表面に突起として残留す
るため、研磨時に良好な表面状態が１ｑられない。その
ため、磁性体ＲｎｔＡを表面に被覆しても表面欠陥部に
は磁性体が均一に被覆されず、記憶エラーの原因となり
、高密度磁気ディスク用基板としては問題がある。
物を多く含むため、素材中に５μｍ以上の金属間化合物
（ＡＩ −Ｆｅ 、ＡＩ −Ｆｅ−ｓｉ、ＡＩ −Ｍ
ｎ 、 ＡＩ −Ｍｎ −Ｆｅ 、 ＡＩ
−Ｓｉ 、Ｍｇ−８ｉ系等）が多数存在するため
、機械加工や研磨時にこれらの粗大な金属間化合物が基
板より脱落して穴となったり、表面に突起として残留す
るため、研磨時に良好な表面状態が１ｑられない。その
ため、磁性体ＲｎｔＡを表面に被覆しても表面欠陥部に
は磁性体が均一に被覆されず、記憶エラーの原因となり
、高密度磁気ディスク用基板としては問題がある。
また、従来の５０８６合金はメッキ性が悪く、メッキ用
高密度磁気ディスク材としての適用には問題がある。
高密度磁気ディスク材としての適用には問題がある。
問題点を解決するための手段
この発明は上記の目的に沿ったメッキ性にすぐれメッキ
欠陥の少ない磁気ディスク用合金を提供するものであり
、その要旨とするところは以下のとおりである。
欠陥の少ない磁気ディスク用合金を提供するものであり
、その要旨とするところは以下のとおりである。
（１］ＭＩＪ２〜５％、Ｚｎ ０．２〜２．９％、Ｑ
ｕｏ、０５〜０．２９％を合み、 残りアルミニウムと不純物とよりなり、不純物としての
Ｆｅ 、 Ｓｉ ／′ｆｉＦｅ ＜０．１５％、Ｓｉ＜
０．１０％であるアルミニウム合金。
ｕｏ、０５〜０．２９％を合み、 残りアルミニウムと不純物とよりなり、不純物としての
Ｆｅ 、 Ｓｉ ／′ｆｉＦｅ ＜０．１５％、Ｓｉ＜
０．１０％であるアルミニウム合金。
［２１ＭＯ２〜５％、Ｚｎ ０．２〜２．９％、Ｃｕ
０．０５〜０．２９％を含み、さらにＭｎ０１０５〜０
．５％、Ｃｒ ０．０５〜０．２５％、Ｚｒ０．０５〜
０．２５％のうちの１種または２種以上を含み、不純物
としてのＦｅ 、ＳｉがＦｅ＜Ｏｉ５％、Ｓｉ＜０．１
０％であるアルミニウム合金。
０．０５〜０．２９％を含み、さらにＭｎ０１０５〜０
．５％、Ｃｒ ０．０５〜０．２５％、Ｚｒ０．０５〜
０．２５％のうちの１種または２種以上を含み、不純物
としてのＦｅ 、ＳｉがＦｅ＜Ｏｉ５％、Ｓｉ＜０．１
０％であるアルミニウム合金。
（３） 上記＋１１ ［２］のアルミニウム合金に３
ｅ ０．５〜５０１）Ｉ）ｌを含むアルミニウム合金
。
ｅ ０．５〜５０１）Ｉ）ｌを含むアルミニウム合金
。
成分添加の意義とその限定理由は以下のとおりである。
Ｍ（］：Ｍりの添加は強度を向上さけ、磁気ディスク材
としての必要強度を付与するものである。２％未満では
この効果が不十分であり、磁気ディスク材の切削や研磨
時の加工性が低下する。５％を越えると熱間圧延性が低
下する。従ってＭ９添加量は２〜５％とげる。
としての必要強度を付与するものである。２％未満では
この効果が不十分であり、磁気ディスク材の切削や研磨
時の加工性が低下する。５％を越えると熱間圧延性が低
下する。従ってＭ９添加量は２〜５％とげる。
Ｚｎニアｎの添加はアルミニウム表面の酸化膜を弱くし
、前処理酸洗により適度な粗さを基板に付与してメッキ
層の密着性の向上に寄与するばかりでなく、ジンケート
層を基板全面に均一に付着させ、その後のＮｉ −Ｐメ
ッキ層の密着性や欠陥の防止に有効である。０．２％未
満ではこの効果が十分でなく、２．９％を越えると熱間
加工性が低下する。従ってＺｎ添加間は０．２〜２゜９
％とす・る。
、前処理酸洗により適度な粗さを基板に付与してメッキ
層の密着性の向上に寄与するばかりでなく、ジンケート
層を基板全面に均一に付着させ、その後のＮｉ −Ｐメ
ッキ層の密着性や欠陥の防止に有効である。０．２％未
満ではこの効果が十分でなく、２．９％を越えると熱間
加工性が低下する。従ってＺｎ添加間は０．２〜２゜９
％とす・る。
Ｃｕ：ＣｕはＺｎと同じ効果を合金に付与するが、特に
メッキ層の密着性を向上させる。
メッキ層の密着性を向上させる。
０．０５％未満ではこの効果が不十分であり、０．２９
％を越えると熱間加工性を低下させる。したがって、Ｃ
ｕｈｌは０．０５〜０．２９％とする。
％を越えると熱間加工性を低下させる。したがって、Ｃ
ｕｈｌは０．０５〜０．２９％とする。
Ｍｎ ：Ｍｎは均質化処理時に微細な金属間化合物とし
て析出し、再結晶粒を微細化する作用があり、基板の研
磨面の仕上り性やＮ１−Ｐメッキ層の層状構造を安定化
させ、密着性の向上等に有効である。
て析出し、再結晶粒を微細化する作用があり、基板の研
磨面の仕上り性やＮ１−Ｐメッキ層の層状構造を安定化
させ、密着性の向上等に有効である。
０．０５％未満ではこの効果が不十分であり、０．５％
を越えると巨大な金属間化合物が晶出するので好ましく
ない。従ってＭｎ添加量は０．０５〜０．５％とする。
を越えると巨大な金属間化合物が晶出するので好ましく
ない。従ってＭｎ添加量は０．０５〜０．５％とする。
Ｃｒ：ＣｒもＭｎと同様な効果があり、結晶粒の微細化
に有効である。添加量が０．０５％未満の場合にはこの
効果が不十分であり、０．２５％を越えると巨大な金属
間化合物を晶出するので好ましくない。従ってＣｒ添加
晒は０．０５〜０．２５％とする。
に有効である。添加量が０．０５％未満の場合にはこの
効果が不十分であり、０．２５％を越えると巨大な金属
間化合物を晶出するので好ましくない。従ってＣｒ添加
晒は０．０５〜０．２５％とする。
Ｚｒ：ＺｒもＭｎやＣｒと同様に結晶粒の微細化に有効
である。添加間が０．０５％未満の場合にはこの効果が
不十分であり、０．２５％を越えると巨大な金属間化合
物が晶出するので好ましくない。従って７「添加量は０
．０５〜０．２５％とする。
である。添加間が０．０５％未満の場合にはこの効果が
不十分であり、０．２５％を越えると巨大な金属間化合
物が晶出するので好ましくない。従って７「添加量は０
．０５〜０．２５％とする。
Ｂｅ：ＢｅはＡＩ−Ｍ（］系合金の酸化防止や熱間加工
性の向上に有効である。ｏ、ｓｐｐｍ未満ではこの効果
が不十分であり５０ｐｐｍを越えると毒性の点で問題が
あり、添加量は０．５〜ｓｏｐｐｍとする。
性の向上に有効である。ｏ、ｓｐｐｍ未満ではこの効果
が不十分であり５０ｐｐｍを越えると毒性の点で問題が
あり、添加量は０．５〜ｓｏｐｐｍとする。
Ｆｅ、Ｓｉ：ＦｅやＳｉはアルミニウム中にほとんど固
溶せず、金属間化合物として析出するが、Ｆｅ 、Ｓｉ
命が多い場合には、Ａ１−Ｆｅ系、ＡＩ −Ｆｅ−８ｉ
系等の粗大な金属間化合物が多数存在し、メッキ欠陥の
原因となるため、不純物元素としてのＦｅ。
溶せず、金属間化合物として析出するが、Ｆｅ 、Ｓｉ
命が多い場合には、Ａ１−Ｆｅ系、ＡＩ −Ｆｅ−８ｉ
系等の粗大な金属間化合物が多数存在し、メッキ欠陥の
原因となるため、不純物元素としてのＦｅ。
５ｉｆｉｔはＦｅ＜０．１５％、Ｓｉ＜０．１０％とす
る。
る。
本発明における亜鉛メッキ法は、例えば、Ｎａ ０Ｈ３
００（１／Ａ、Ｚｎ Ｏ８０（］／Ｊ２を溶解した１５
〜２５℃の水溶液中に数秒〜数分間浸漬することにより
基板表面に亜鉛を析出させる方法で行なわれる。
００（１／Ａ、Ｚｎ Ｏ８０（］／Ｊ２を溶解した１５
〜２５℃の水溶液中に数秒〜数分間浸漬することにより
基板表面に亜鉛を析出させる方法で行なわれる。
また、Ｎｉ −Ｐメッキ法は次亜リン酸をｊ！元剤とす
る無電解Ｎ１−Ｐメッキ法であり、通常８０〜９０℃で
２〜４ｈｒ処理することにより１５〜３０μｍのメッキ
層が形成される。
る無電解Ｎ１−Ｐメッキ法であり、通常８０〜９０℃で
２〜４ｈｒ処理することにより１５〜３０μｍのメッキ
層が形成される。
Ｎｉ −Ｐメッキ後の皮膜には欠陥がないこと、密着性
がよいこと等が必要とされるが、アルミニウム基板中に
巨大な介在物が存在したり、ジンケートの不良部が存在
すると、Ｎｉ −Ｐメッキ後にもその欠陥が存在し、ま
た、ジンケートの密着性が悪いとＮｉ −Ｐメッキ皮膜
の密着性が低下する。
がよいこと等が必要とされるが、アルミニウム基板中に
巨大な介在物が存在したり、ジンケートの不良部が存在
すると、Ｎｉ −Ｐメッキ後にもその欠陥が存在し、ま
た、ジンケートの密着性が悪いとＮｉ −Ｐメッキ皮膜
の密着性が低下する。
この発明は、ＺｎやＣＩＪを添加することにより表面酸
化皮膜を弱くしてジンケートの密着性を向上させること
により、Ｎｉ −Ｐメッキ皮膜の密着性の向上と欠陥の
防止をはかろうとするものである。さらにＭｎ 、 Ｃ
ｒ 、 Ｚｒ等の選択成分を添加することにより結晶粒
を微細化し、Ｎｉ −Ｐメッキ層の均一化や密着性の向
上をはかろうとするものである。これに加えてｌ”ｅ、
８１等の不純物元素を規制して粗大な金属化合物を減少
させることによりメッキ欠陥の防止を目的としている。
化皮膜を弱くしてジンケートの密着性を向上させること
により、Ｎｉ −Ｐメッキ皮膜の密着性の向上と欠陥の
防止をはかろうとするものである。さらにＭｎ 、 Ｃ
ｒ 、 Ｚｒ等の選択成分を添加することにより結晶粒
を微細化し、Ｎｉ −Ｐメッキ層の均一化や密着性の向
上をはかろうとするものである。これに加えてｌ”ｅ、
８１等の不純物元素を規制して粗大な金属化合物を減少
させることによりメッキ欠陥の防止を目的としている。
実施例
実施例１
表１に示す化学成分を有するｔ００＋＋＋ｍ厚の鋳塊を
製作した。この鋳塊を５００℃で１６ｈｒ均質化処理し
た後に４８０℃で熱間圧延して、６ｍｍ板とした。この
板を約６６％冷間圧延して２ｍｍ板とし、その後２２０
℃Ｘ ２ｈｒ焼鈍して半硬材とした。
製作した。この鋳塊を５００℃で１６ｈｒ均質化処理し
た後に４８０℃で熱間圧延して、６ｍｍ板とした。この
板を約６６％冷間圧延して２ｍｍ板とし、その後２２０
℃Ｘ ２ｈｒ焼鈍して半硬材とした。
この材料を荒切削後に、歪取り焼鈍く３６０℃ｘ２ｈｒ
）後にダイヤモンド切削により鏡面仕上した。この材料
に亜鉛メッキとＮｉ −Ｐメッキを行なった場合の・諸
性性を表２に示す。
）後にダイヤモンド切削により鏡面仕上した。この材料
に亜鉛メッキとＮｉ −Ｐメッキを行なった場合の・諸
性性を表２に示す。
実施例１〜６は良好な性能を有している。
Ｎ・０．７はＺｎｉが少なく、メッキ性に問題がある。
Ｎ ｏ、８は強度が低く、サブストレート加工に問題が
ある。
ある。
Ｎ００９はＺｎＦｌｌが少なくメッキ性に問題がある。
Ｎｏ、１０〜１２は不純物昂が多いためメッキ欠陥が多
い。
い。
表１ 実施例の化学成分（ｗｔ％）
（ｗｔ％）
表２ 発明合金の諸性能
（注１）亜鉛メッキは、Ｎａ ＯＨ３００ａｒ／、ｅ、
Ｚｎ ０８０（Ｉｒ／１を？ＷＬｌ’、：２０℃の水溶
液中に３０秒浸漬することにより実施（注２）Ｎｉ −
Ｐメｙ’ＦＬＩ市販ｆ）無’Ｒ解Ｎｉ −Ｐメｙキ’ａ
（９０’Ｃ） ニ３ｈｒ浸漬して実施 （注３） Ｎｉ −Ｐメッキ後に３＋ｎａ＋ Ｒで９０
”曲げした場合のメッキ層のはく離の有無により良否を
判定。はく離無の場合を良、はく離有の場合を不良と判
定 （注４）メッキ面の面積５Ｉ１１２当りに発生したメッ
キ欠陥の数実施例２ 表３に示した化学成分を有する１ ００ｍｍ厚の鋳塊を
製作し、実施例１と同じ方法で２ｍｍ板に圧延して半硬
材とした。
Ｚｎ ０８０（Ｉｒ／１を？ＷＬｌ’、：２０℃の水溶
液中に３０秒浸漬することにより実施（注２）Ｎｉ −
Ｐメｙ’ＦＬＩ市販ｆ）無’Ｒ解Ｎｉ −Ｐメｙキ’ａ
（９０’Ｃ） ニ３ｈｒ浸漬して実施 （注３） Ｎｉ −Ｐメッキ後に３＋ｎａ＋ Ｒで９０
”曲げした場合のメッキ層のはく離の有無により良否を
判定。はく離無の場合を良、はく離有の場合を不良と判
定 （注４）メッキ面の面積５Ｉ１１２当りに発生したメッ
キ欠陥の数実施例２ 表３に示した化学成分を有する１ ００ｍｍ厚の鋳塊を
製作し、実施例１と同じ方法で２ｍｍ板に圧延して半硬
材とした。
この材料について実施例１と同じ条件で鏡面仕上し、亜
鉛メッキとＮｉ −Ｐメッキを行った場合の諸性性を表
４に示す。
鉛メッキとＮｉ −Ｐメッキを行った場合の諸性性を表
４に示す。
実施例１〜６は均一性、密着性にすぐれ、欠陥も少なく
良好な性能を有している。
良好な性能を有している。
Ｎ０６７はＺｎｌが少なくメッキ性に問題がある。
Ｎｏ、８は強度が低く、サブストレート加工に問題があ
る。
る。
Ｎｏ、９〜１２は不純物量が多いためメッキ欠陥が多く
問題である。
問題である。
表３ 実施例の化学成分（％）
（ｗｔ％）
表４ 発明合金の諸性能
（注１）亜鉛メッキ、Ｎｉ −Ｐメッキ法は実施例１に
同じ（注２）判定法は実施例１に同じ 〈注３）判定法は実施例１に同じ 発明の効果 この発明のアルミニウム合金によれば、メッキ面は均一
でかつ欠陥がなく、メッキ層の密着性も良好なすぐれた
メッキ型磁気ディスク用基板が得られる。
同じ（注２）判定法は実施例１に同じ 〈注３）判定法は実施例１に同じ 発明の効果 この発明のアルミニウム合金によれば、メッキ面は均一
でかつ欠陥がなく、メッキ層の密着性も良好なすぐれた
メッキ型磁気ディスク用基板が得られる。
Claims (4)
- （１）Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ０．２〜２．９％、Ｃｕ０．
０５〜０．２９％を含み、残りアルミニウムと不純物よ
りなり、不純物としてのＦｅ、ＳｉがＦｅ＜０．１５％
、Ｓｉ＜０．１０％であることを特徴とするメッキ性と
メッキ層の密着性にすぐれメッキ欠陥の少ない磁気ディ
スク用アルミニウム合金。 - （２）Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ０．２〜２．９％、Ｃｕ０．
０５〜０．２９％、Ｂｅ０．１〜５０ｐｐｍを含み、残
りアルミニウムと不純物よりなり、不純物としてのＦｅ
、ＳｉがＦｅ＜０．１５％、Ｓｉ＜０．１０％であるこ
とを特徴とするメッキ性とメッキ層の密着性にすぐれメ
ッキ欠陥の少ない磁気ディスク用アルミニウム合金。 - （３）Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ０．２〜２．９％、Ｃｕ０．
０５〜０．２９％を含み、さらにＭｎ０．０５〜０．５
％、Ｃｒ０．０５〜０．２５％、Ｚｒ０．０５〜０．２
５％のうちの１種または２種以上を含み、残りアルミニ
ウムと不純物よりなり、不純物としてのＦｅ、ＳｉがＦ
ｅ＜０．１５％、Ｓｉ＜０．１０％であることを特徴と
するメッキ性とメッキ層の密着性にすぐれたメッキ欠陥
の少ない磁気ディスク用アルミニウム合金。 - （４）Ｍｇ２〜５％、Ｚｎ０．２〜２．９％、Ｃｕ０．
０５〜０．２５％、Ｂｅ０．５〜５０ｐｐｍを含み、さ
らにＭｎ０．０５〜０．５％、Ｃｒ０．０５〜０．２５
％、Ｚｒ０．０５〜０．２５％のうちの１種または２種
以上を含み、残りアルミニウムと不純物よりなり、不純
物としてのＦｅ、ＳｉがＦｅ＜０．１５％、Ｓｉ＜０．
１０％であることを特徴とするメッキ性とメッキ層の密
着性にすぐれたメッキ欠陥の少ない磁気ディスク用アル
ミニウム合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19209785A JPS6254053A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | メツキ性とメツキ層の密着性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19209785A JPS6254053A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | メツキ性とメツキ層の密着性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254053A true JPS6254053A (ja) | 1987-03-09 |
Family
ID=16285593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19209785A Pending JPS6254053A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | メツキ性とメツキ層の密着性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6254053A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298134A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Kobe Steel Ltd | 砥石による研削性及びメッキ性に優れたディスク用アルミニウム合金板及びその製造方法 |
| JPH02111839A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-24 | Kobe Steel Ltd | 優れたメッキ性を有するディスク用アルミニウム合金板とその製造方法 |
| JPH02170928A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Furukawa Alum Co Ltd | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金の製造方法 |
| JPH03100146A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Kobe Steel Ltd | 高容量アルミニウムデイスク基板の製造方法 |
| WO2017018451A1 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法 |
| CN107835863A (zh) * | 2015-07-28 | 2018-03-23 | 株式会社Uacj | 磁盘用铝合金基板及其制造方法 |
| WO2018092547A1 (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-09-02 JP JP19209785A patent/JPS6254053A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298134A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Kobe Steel Ltd | 砥石による研削性及びメッキ性に優れたディスク用アルミニウム合金板及びその製造方法 |
| JPH02111839A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-24 | Kobe Steel Ltd | 優れたメッキ性を有するディスク用アルミニウム合金板とその製造方法 |
| JPH02170928A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Furukawa Alum Co Ltd | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金の製造方法 |
| JPH03100146A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Kobe Steel Ltd | 高容量アルミニウムデイスク基板の製造方法 |
| WO2017018451A1 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法 |
| CN107835863A (zh) * | 2015-07-28 | 2018-03-23 | 株式会社Uacj | 磁盘用铝合金基板及其制造方法 |
| WO2018092547A1 (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法 |
| CN109964273A (zh) * | 2016-11-15 | 2019-07-02 | 株式会社Uacj | 磁盘用铝合金基板及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111771241B (zh) | 磁盘用铝合金基板及其制造方法、以及使用该磁盘用铝合金基板的磁盘 | |
| CN111801734A (zh) | 磁盘、以及磁盘用的铝合金基板及该铝合金基板的制造方法 | |
| JPS60194040A (ja) | メツキ性に優れたデイスク用アルミニウム合金板 | |
| US5244516A (en) | Aluminum alloy plate for discs with improved platability and process for producing the same | |
| JPS6254053A (ja) | メツキ性とメツキ層の密着性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 | |
| CA1333013C (en) | Aluminum alloy for magnetic disc substrate excellent in platability | |
| EP0206519B1 (en) | An aluminium alloy and a magnetic disk substrate comprising the alloy | |
| JPS6327420B2 (ja) | ||
| JPS6247450A (ja) | メツキ性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 | |
| JPH02205651A (ja) | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 | |
| JP3710009B2 (ja) | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金板及びその製造方法 | |
| JPH024672B2 (ja) | ||
| JPH02111839A (ja) | 優れたメッキ性を有するディスク用アルミニウム合金板とその製造方法 | |
| JP2565741B2 (ja) | 砥石による研削性及びメッキ性に優れたディスク用アルミニウム合金板及びその製造方法 | |
| JPH11315338A (ja) | ジンケート処理性に優れた磁気ディスク用アルミニウム合金 | |
| JPH01225739A (ja) | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 | |
| JPH0499143A (ja) | ＮｉＰめっき性の良い磁気ディスク基板用アルミニウム合金 | |
| JPS62230947A (ja) | メッキ性に優れた磁気ディスク用アルミニウム合金 | |
| JPS62230948A (ja) | Ｎｉ―Ｐメッキ性に優れた磁気ディスク用アルミニウム合金 | |
| JPH07195150A (ja) | Ｈｄｄ用アルミニウム合金の鋳造方法 | |
| JPH04341535A (ja) | 高密度コーティング型磁気ディスク用アルミニウム合金基板 | |
| JPH09263870A (ja) | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金および磁気ディスク基板 | |
| JPH07310135A (ja) | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 | |
| JPS627829A (ja) | 磁気デイスク基板用アルミニウム合金 | |
| JP3830240B2 (ja) | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板 |