JPS6276550A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6276550A
JPS6276550A JP60215656A JP21565685A JPS6276550A JP S6276550 A JPS6276550 A JP S6276550A JP 60215656 A JP60215656 A JP 60215656A JP 21565685 A JP21565685 A JP 21565685A JP S6276550 A JPS6276550 A JP S6276550A
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JP
Japan
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germanium
silicon
aluminum
electrode
contact resistance
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JP60215656A
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Masayoshi Kitamura
北村　昌良
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New Japan Radio Co Ltd
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New Japan Radio Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリコンに接触する電極材料のコンタクト抵
抗を減少させた半導体装置に関する。
〔従来技術〕
半導体装置は、その集積度の向上に伴う微細化により、
素子本体を構成するシリコンとそのシリコンに接触する
電極材料との相互間の接触面積が小さくなり、コンタク
ト抵抗が素子の性能を劣化させるようになってきている
。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、電極材料のシリコンに対する接触面積
が微細化されても、そこにおけるコンタクト抵抗の増大
を抑制できるようにした半導体装置を提供することであ
る。
〔発明の構成〕
このために本発明では、シリコンと電極材料との間にゲ
ルマニウムを介在させ、又は電極材料とゲルマニウムの
化合物を上記シリコンに被着させて、シリコンに対する
コンタクト抵抗を減少させている。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について説明する。まず、第１図
に示すように、シリコン半導体素子の高濃度の不純物領
域では、トンネル効果によるフィールドエミッション（
ＦＢ）が支配的となり、その不純物領域とそこに接触す
る電極金属との間のコンタクト抵抗Ｒ８は、 で表される。ここで、φＢはシリコンと金属間のバリア
ハイド、Ｎｏは不純物領域のドナー濃度、Ｋは比例定数
である。よって、バリアハイドφ８を小さくするか、或
いはドナー濃度Ｎ、を大きくすることにより、コンタク
ト抵抗Ｒｃを小さくすることができる。
バリアハイドφ８は、シリコンと金属の界面の結晶欠陥
による準位密度が十分に大きい場合は、で与えられる。
ここで、Ｅ９はシリコンのエネルギーギャップ（１，１
１ｅＶＬ　φ。はバレンスパントからの準位の高さであ
る。
よって、バリアハイドφ、は、エネルギーギャップＥ９
が小さい方が小さくなることが判る。現に、アルミニウ
ムに対する場合は、シリコンのバリアハイドφ３は％　
＝０．７　ｅＬゲルマニウム（エネルギーギャップＥ９
は０．６７　ｅＶ）　　のバリアハイドφ８は、＃０．
４８　ｅＶといわれており、理論の傾向と合う。
式（１）に示したように、コンタクト抵抗Ｒｃはバリア
ハイドφ８のｅｘｐ関数となっているので、そのコンタ
クト抵抗Ｒ６はゲルマニウムの方が海かに小さい。しか
も幸いに、ゲルマニウムとシリコンとは０〜１００％の
範囲に亘って連続合金化が可能である。
そこで本実施例では、第２図に示すようにシリコン１　
（高不純物濃度の電極取出領域）上の酸化膜（ＳｔＯｚ
）　　２に形成されたコンタクトホール２ａに、ゲルマ
ニウム３をＣＶＤ或いはスパッタ等により薄膜として堆
積（多結晶化）し、イオン注入で高濃度に不純物を添加
して抵抗を低くし、９００℃前後の温度でアニールした
後に、電極金属としてのアルミニウム４を被着した。
この例では、アルミニウム４がゲルマニウム３に接触す
ることになり、上記したようにこの場合の両者間のバリ
アハイドφ、は小さくなるので、そこにおけるコンタク
ト抵抗Ｒｅが小さくなり、そのアルミニウム４の電極を
微細なものとすることが可能となる。
なお、ゲルマニウムは、固相エピタキシャル成長により
単結晶として成長させて形成させることもできる。また
、電極としては、ゲルマニウムとアルミニウムとの化合
物でも良く、また他のゲルマサイド電極（ゲルマニウム
と金属の化合物の電極）、シリサイド電極であっても良
い。
〔発明の効果〕
以上から本発明によれば、シリコンに対するコンタクト
抵抗を減少させることができるので、素子の微細化をよ
り向上させることが可能となるという特徴がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はドナー濃度Ｎ、に対するコンタクト抵抗Ｒ６の
特性図、第２図は本発明の構造を示す図である。 １・・・シリコン、２・・・酸化膜、３・・・ゲルマニ
ウム、４・：・アルミニウム。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）、シリコンに電極材料を被着させた半導体装置に
    おいて、該シリコンと該電極材料との間にゲルマニウム
    を介在させ、又は該電極材料とゲルマニウムの化合物を
    上記シリコンに被着させたことを特徴とする半導体装置
    。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6481275A (en) * 1987-09-22 1989-03-27 Shindengen Electric Mfg Silicon semiconductor device
EP0429950A2 (en) * 1989-11-24 1991-06-05 Gte Laboratories Incorporated Junction field effect transistor and method of fabricating
JPH03150874A (ja) * 1989-11-07 1991-06-27 Nec Corp 半導体装置
JPH03150875A (ja) * 1989-11-07 1991-06-27 Nec Corp 半導体装置
US5216271A (en) * 1990-09-28 1993-06-01 Kabushiki Kaisha Toshiba BiCMOS device with low bandgap CMOS contact regions and low bandgap bipolar base region
EP0603105A1 (en) * 1992-12-18 1994-06-22 International Business Machines Corporation Antifuse element with electrical or optical programming
US5498572A (en) * 1993-06-25 1996-03-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor device
US5656859A (en) * 1995-03-27 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
WO2013012050A1 (ja) * 2011-07-19 2013-01-24 株式会社神戸製鋼所 半導体素子及び半導体素子の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5398784A (en) * 1977-02-09 1978-08-29 Fujitsu Ltd Mis typ field effect transistor
JPS57162351A (en) * 1981-03-16 1982-10-06 Fairchild Camera Instr Co Two-dimensional germanium-silicon mutual connector and electrode for integrated circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5398784A (en) * 1977-02-09 1978-08-29 Fujitsu Ltd Mis typ field effect transistor
JPS57162351A (en) * 1981-03-16 1982-10-06 Fairchild Camera Instr Co Two-dimensional germanium-silicon mutual connector and electrode for integrated circuit

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6481275A (en) * 1987-09-22 1989-03-27 Shindengen Electric Mfg Silicon semiconductor device
JPH03150874A (ja) * 1989-11-07 1991-06-27 Nec Corp 半導体装置
JPH03150875A (ja) * 1989-11-07 1991-06-27 Nec Corp 半導体装置
EP0429950A2 (en) * 1989-11-24 1991-06-05 Gte Laboratories Incorporated Junction field effect transistor and method of fabricating
EP0429950A3 (en) * 1989-11-24 1993-08-11 Gte Laboratories Incorporated Junction field effect transistor and method of fabricating
US5216271A (en) * 1990-09-28 1993-06-01 Kabushiki Kaisha Toshiba BiCMOS device with low bandgap CMOS contact regions and low bandgap bipolar base region
EP0603105A1 (en) * 1992-12-18 1994-06-22 International Business Machines Corporation Antifuse element with electrical or optical programming
US5485032A (en) * 1992-12-18 1996-01-16 International Business Machines Corporation Antifuse element with electrical or optical programming
US5498572A (en) * 1993-06-25 1996-03-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor device
US5656859A (en) * 1995-03-27 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
WO2013012050A1 (ja) * 2011-07-19 2013-01-24 株式会社神戸製鋼所 半導体素子及び半導体素子の製造方法
JP2013026308A (ja) * 2011-07-19 2013-02-04 Kobe Steel Ltd 半導体素子及び半導体素子の製造方法
TWI493706B (zh) * 2011-07-19 2015-07-21 Kobe Steel Ltd Semiconductor element and manufacturing method of semiconductor element

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JPH065734B2 (ja) 1994-01-19

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