JPS6276550A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6276550A JPS6276550A JP60215656A JP21565685A JPS6276550A JP S6276550 A JPS6276550 A JP S6276550A JP 60215656 A JP60215656 A JP 60215656A JP 21565685 A JP21565685 A JP 21565685A JP S6276550 A JPS6276550 A JP S6276550A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- germanium
- silicon
- aluminum
- electrode
- contact resistance
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコンに接触する電極材料のコンタクト抵
抗を減少させた半導体装置に関する。
抗を減少させた半導体装置に関する。
半導体装置は、その集積度の向上に伴う微細化により、
素子本体を構成するシリコンとそのシリコンに接触する
電極材料との相互間の接触面積が小さくなり、コンタク
ト抵抗が素子の性能を劣化させるようになってきている
。
素子本体を構成するシリコンとそのシリコンに接触する
電極材料との相互間の接触面積が小さくなり、コンタク
ト抵抗が素子の性能を劣化させるようになってきている
。
本発明の目的は、電極材料のシリコンに対する接触面積
が微細化されても、そこにおけるコンタクト抵抗の増大
を抑制できるようにした半導体装置を提供することであ
る。
が微細化されても、そこにおけるコンタクト抵抗の増大
を抑制できるようにした半導体装置を提供することであ
る。
このために本発明では、シリコンと電極材料との間にゲ
ルマニウムを介在させ、又は電極材料とゲルマニウムの
化合物を上記シリコンに被着させて、シリコンに対する
コンタクト抵抗を減少させている。
ルマニウムを介在させ、又は電極材料とゲルマニウムの
化合物を上記シリコンに被着させて、シリコンに対する
コンタクト抵抗を減少させている。
以下、本発明の実施例について説明する。まず、第1図
に示すように、シリコン半導体素子の高濃度の不純物領
域では、トンネル効果によるフィールドエミッション(
FB)が支配的となり、その不純物領域とそこに接触す
る電極金属との間のコンタクト抵抗R8は、 で表される。ここで、φBはシリコンと金属間のバリア
ハイド、Noは不純物領域のドナー濃度、Kは比例定数
である。よって、バリアハイドφ8を小さくするか、或
いはドナー濃度N、を大きくすることにより、コンタク
ト抵抗Rcを小さくすることができる。
に示すように、シリコン半導体素子の高濃度の不純物領
域では、トンネル効果によるフィールドエミッション(
FB)が支配的となり、その不純物領域とそこに接触す
る電極金属との間のコンタクト抵抗R8は、 で表される。ここで、φBはシリコンと金属間のバリア
ハイド、Noは不純物領域のドナー濃度、Kは比例定数
である。よって、バリアハイドφ8を小さくするか、或
いはドナー濃度N、を大きくすることにより、コンタク
ト抵抗Rcを小さくすることができる。
バリアハイドφ8は、シリコンと金属の界面の結晶欠陥
による準位密度が十分に大きい場合は、で与えられる。
による準位密度が十分に大きい場合は、で与えられる。
ここで、E9はシリコンのエネルギーギャップ(1,1
1eVL φ。はバレンスパントからの準位の高さであ
る。
1eVL φ。はバレンスパントからの準位の高さであ
る。
よって、バリアハイドφ、は、エネルギーギャップE9
が小さい方が小さくなることが判る。現に、アルミニウ
ムに対する場合は、シリコンのバリアハイドφ3は%
=0.7 eLゲルマニウム(エネルギーギャップE9
は0.67 eV) のバリアハイドφ8は、#0.
48 eVといわれており、理論の傾向と合う。
が小さい方が小さくなることが判る。現に、アルミニウ
ムに対する場合は、シリコンのバリアハイドφ3は%
=0.7 eLゲルマニウム(エネルギーギャップE9
は0.67 eV) のバリアハイドφ8は、#0.
48 eVといわれており、理論の傾向と合う。
式(1)に示したように、コンタクト抵抗Rcはバリア
ハイドφ8のexp関数となっているので、そのコンタ
クト抵抗R6はゲルマニウムの方が海かに小さい。しか
も幸いに、ゲルマニウムとシリコンとは0〜100%の
範囲に亘って連続合金化が可能である。
ハイドφ8のexp関数となっているので、そのコンタ
クト抵抗R6はゲルマニウムの方が海かに小さい。しか
も幸いに、ゲルマニウムとシリコンとは0〜100%の
範囲に亘って連続合金化が可能である。
そこで本実施例では、第2図に示すようにシリコン1
(高不純物濃度の電極取出領域)上の酸化膜(StOz
) 2に形成されたコンタクトホール2aに、ゲルマ
ニウム3をCVD或いはスパッタ等により薄膜として堆
積(多結晶化)し、イオン注入で高濃度に不純物を添加
して抵抗を低くし、900℃前後の温度でアニールした
後に、電極金属としてのアルミニウム4を被着した。
(高不純物濃度の電極取出領域)上の酸化膜(StOz
) 2に形成されたコンタクトホール2aに、ゲルマ
ニウム3をCVD或いはスパッタ等により薄膜として堆
積(多結晶化)し、イオン注入で高濃度に不純物を添加
して抵抗を低くし、900℃前後の温度でアニールした
後に、電極金属としてのアルミニウム4を被着した。
この例では、アルミニウム4がゲルマニウム3に接触す
ることになり、上記したようにこの場合の両者間のバリ
アハイドφ、は小さくなるので、そこにおけるコンタク
ト抵抗Reが小さくなり、そのアルミニウム4の電極を
微細なものとすることが可能となる。
ることになり、上記したようにこの場合の両者間のバリ
アハイドφ、は小さくなるので、そこにおけるコンタク
ト抵抗Reが小さくなり、そのアルミニウム4の電極を
微細なものとすることが可能となる。
なお、ゲルマニウムは、固相エピタキシャル成長により
単結晶として成長させて形成させることもできる。また
、電極としては、ゲルマニウムとアルミニウムとの化合
物でも良く、また他のゲルマサイド電極(ゲルマニウム
と金属の化合物の電極)、シリサイド電極であっても良
い。
単結晶として成長させて形成させることもできる。また
、電極としては、ゲルマニウムとアルミニウムとの化合
物でも良く、また他のゲルマサイド電極(ゲルマニウム
と金属の化合物の電極)、シリサイド電極であっても良
い。
以上から本発明によれば、シリコンに対するコンタクト
抵抗を減少させることができるので、素子の微細化をよ
り向上させることが可能となるという特徴がある。
抵抗を減少させることができるので、素子の微細化をよ
り向上させることが可能となるという特徴がある。
第1図はドナー濃度N、に対するコンタクト抵抗R6の
特性図、第2図は本発明の構造を示す図である。 1・・・シリコン、2・・・酸化膜、3・・・ゲルマニ
ウム、4・:・アルミニウム。
特性図、第2図は本発明の構造を示す図である。 1・・・シリコン、2・・・酸化膜、3・・・ゲルマニ
ウム、4・:・アルミニウム。
Claims (1)
- (1)、シリコンに電極材料を被着させた半導体装置に
おいて、該シリコンと該電極材料との間にゲルマニウム
を介在させ、又は該電極材料とゲルマニウムの化合物を
上記シリコンに被着させたことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60215656A JPH065734B2 (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60215656A JPH065734B2 (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6276550A true JPS6276550A (ja) | 1987-04-08 |
JPH065734B2 JPH065734B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=16676002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60215656A Expired - Lifetime JPH065734B2 (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH065734B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6481275A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Shindengen Electric Mfg | Silicon semiconductor device |
EP0429950A2 (en) * | 1989-11-24 | 1991-06-05 | Gte Laboratories Incorporated | Junction field effect transistor and method of fabricating |
JPH03150875A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
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US5216271A (en) * | 1990-09-28 | 1993-06-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | BiCMOS device with low bandgap CMOS contact regions and low bandgap bipolar base region |
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US5498572A (en) * | 1993-06-25 | 1996-03-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor device |
US5656859A (en) * | 1995-03-27 | 1997-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
WO2013012050A1 (ja) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5398784A (en) * | 1977-02-09 | 1978-08-29 | Fujitsu Ltd | Mis typ field effect transistor |
JPS57162351A (en) * | 1981-03-16 | 1982-10-06 | Fairchild Camera Instr Co | Two-dimensional germanium-silicon mutual connector and electrode for integrated circuit |
-
1985
- 1985-09-28 JP JP60215656A patent/JPH065734B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI493706B (zh) * | 2011-07-19 | 2015-07-21 | Kobe Steel Ltd | Semiconductor element and manufacturing method of semiconductor element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH065734B2 (ja) | 1994-01-19 |
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