JPS6276241A - マグネトロンのステム - Google Patents

マグネトロンのステム

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JPS6276241A
JPS6276241A JP21645485A JP21645485A JPS6276241A JP S6276241 A JPS6276241 A JP S6276241A JP 21645485 A JP21645485 A JP 21645485A JP 21645485 A JP21645485 A JP 21645485A JP S6276241 A JPS6276241 A JP S6276241A
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JP
Japan
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stem
envelope
joining
metal body
metal
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JP21645485A
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Hiroshi Sugawara
菅原 廣
Masanori Hoshino
政則 星野
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はマグネトロンに用いるステムに関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、マグネトロンの陰極支持部に用いるステムとして
、第6図で示すものがある。図中1はセラミックスから
なるステム本体で、とのステム本体1には両端面間に貫
通する貫通孔2゜2が形成されている。ステム本体1の
両方の側面には座金接合面3,3が形成され、且つ一方
の側面には座金接合面3の周囲に段差をもたせてエンベ
ロープ接合面4が形成されている。ステム本体1の貫通
孔2,2には陰極支持棒5゜6が挿通され、これら陰極
支持棒5,6はステム本体1の座金接合面3,3にろう
付けにょシ接合した座金7,7とろう付けを施して接合
封着されている。なジ、支持棒5.6は高温下で使用さ
れるため高温強度にすぐれたMoで形成する。ステム本
体1のエンベロープ接合面4には、金属エンベロープ8
がろう付けにょシ接合封着しである。前記ステム本体1
の座金接合面3.3とエンベロープ接合面4は、座金7
,7および金属エンベロープ8を接合するために、メタ
ライズ層9,9および10を形成し、このメタライズ層
の表面にろう付けを行なっている。
また、陰極支持棒5,6と座金7,7との接合部はステ
ム本体1の外気に対する封止部となるので、支持棒5,
6と座金7,7とのろう付けを行なう上で、ろう材のの
りを良くし接合封着性を高めるために、表面にNlメッ
キを施している。なお、図中11は陰極フィラメント、
12゜13は陰極フィラメント11を支持棒5,6に保
持するエンドシールドである。
しかして、このような従来のステムでは、ステム本体1
の一側面に座金接合面3とエンベロープ接合面4とを、
電気的絶縁をもたせるために高さを異ならせ段差をつけ
て形成しであるので、両接合面3,4にメタライズ層9
.10を形成する場合に、1回の作業で両面に同時にメ
タライズ層材料を塗布することができず、2回に分けて
手作業で塗布する必要があるので、作業性が悪い。しか
も、ステム本体1の貫通孔2゜2に陰極支持棒5,6を
挿通し、ステム本体Iの両端面で座金7,7に接合封着
するので、ステム本体1の両端面の座金接合面3,3に
メタライズN9,9を形成しなければならず、メタライ
ズ層形成作業の作業性が悪い。また、MOからなる陰極
支持棒5,6にNlメッキを施して座金7.7とろう付
けを行なうが、Moに対するN1メッキは大変困難であ
る。
〔発明の目的〕
本発明は前記事情に基づいてなされたもので、製造性と
信頼性に優れたマグネトロンのステムを提供することを
目的とする。
〔発明の概要〕
本発明のマグネトロンのステムは、セラミックスからな
るステム本体の一側部に、陰極支持棒と固定する接合金
属体を接合するための互いい分離した複数の金属体接合
面と、エンベロープを接合するための金属体接合面と分
離したエンベロープ接合面とを夫々同一高さの平面とし
て形成し、且つステム本体に、接合金属体と固定する端
子を挿通するための孔を、一側部から他側部にわたり貫
通して形成したことを特徴とするものである。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例を図面について説明する。
第1図ないし第5図は本発明の一実施例を示し、第1図
ないし第4図はステムを示し、第5図はステムをマグネ
トロンの陰極支持部を組み込んだ構造を示している。図
中21はAt203などのセラミックスで形成された例
えば有頭円筒形をなすステム本体である。このステム本
体21の頭部上側面には、外周部にリング形の突条によ
シエンベロープ接合面22が形成され、このエンベロー
プ接合面22に囲まれた内周側にリング形をなす溝部2
3が形成され、さらにこの溝部23で囲まれた中央部に
は2個の金属体接合面24.25が形成されていて、こ
れら金属体接合面24.25の間には溝部26が形成さ
れている。また、ステム本体2ノには、金属体接合面2
4.25からステム本体頭部下側面にかけてステム本体
1の軸方向に沿って貫通する2個の端子挿通孔27,2
11が形成してあり、且つ各金属体接合面24.24に
は、支持棒係合凹部29,30が端子挿通孔27 、2
8と並べて形成しである。ここで、前記エンベロープ接
合面22と金属体接合面24.25は同一高さ位置にあ
る平面として形成される。壕だ、エンベロープ接合面2
2と金属体接合面24゜25とは、溝部23によって分
離され電気的に充分絶縁されている。さらに、金属体接
合面24.25同士は、溝部26によって分離され電気
的に充分絶縁されている。なお、ステム本体21の下部
に形成した凹部31は、端子と金属エンベロープとの間
の電気的絶縁を保持するものである。
このように構成されたステムをマグネトロンの陰極支持
部に組み込む構造について説明する。
ステム本体21のエンベロープ接合面22と金属体接合
面24.25にメタライズ層32,33゜34を形成す
る(第2図、第3図および第4図参照)。このメタライ
ズ層、92 、33 、34は、Mo−Mnペーストを
各接合面22,24.25上に塗布し、その後にペース
トを乾燥、焼成して形成する。各接合面22,24.2
5は同一高さ位置にあるために、スクリーン印刷などの
方法によりペーストを各接合面上に1度に塗布すること
ができる。ステム本体21の金属体接合面24.25に
は、メタライズ層33.34の上に接合金属体35.3
6をろう付けによシ接合する。接合金属体35.36は
第1図で示すように、ステム本体21の端子挿通孔27
,211および支持棒係合凹部29.30と対応して2
個の孔部37.311が夫々形成しである。なお、孔部
37,311にはバーリング加工が施されている。接合
金属体35.36はセラミックスと近い熱膨張係数を有
し、メタライズ層とろう付けし易い金属を使用する。ま
た、ステム本体21のエンベロープ接合面22には、メ
タライズ層32の上に金属エンベロープ39をろう付け
によシ接合してエンベロープと接合面との間を気Vに封
止する。金属エンベー−プ39の内側には陰極支持棒4
0.41が設けられ、これら陰極支持棒40.41で図
示しない陰極フィラメントを保持する。陰極支持棒40
.41の下端部は各接合金属体35.36の一方の孔部
3B 、3Bに挿通してろう付けによシ接合する。
ここでは、陰極支持棒40.41と接合金属体35.3
6の孔部3B 、3Bとの接合部が、ステム本体21を
外気に対して気密に封止する封止部とは関係ない箇所に
あるため、支持棒と接合金属体とをろう付けする上で、
支持棒にN1メッキを施すことを回避することができる
。すなわち、陰極支持棒40.41を形成するM。
に対し、°メッキ処理が困難なNiメッキを回避するこ
とができる。なお、陰極支持棒40.41の下端は、ス
テム本体21の金属体接合面24゜25に形成した係止
凹部29.30に挿入して係合する。これによシ陰極支
持棒40.41を安定し保持できる。さらに、ステム本
体21の端子挿通孔27.2gには端子42.43を挿
通し、これら端子42.43の上端部は接合金属体35
.36の他方の孔部37,37に挿通してろう付けによ
シ接合して気密に封止する。
ここでは、端子42.43は陰極支持棒に比して低温下
で使用されるために、MOで形成する必要がなくメッキ
が容易な金属で形成する。そして、端子42,43にメ
ッキを施してろう付けにより接合金属体35.36と接
合封止する。
すなわち、ステム本体21の外気に対する封止部である
端子42.43と接合金属体35.36との接合封止部
の信頼性を高めることができる。
しかして、このようなステムを用いた陰柩支持構造では
、端子42.43に外力が加わっても直接陰極フィラメ
ントに伝わらないため、陰極フィラメントが変形したり
、破損することがない。
なお、陰極支持棒は2本に限らず、3本以上設けるよう
にしても良い。
本発明のステムを製造する場合の具体的な一例は次の通
りである。92チアルミナを材料粉末として成形後に、
温度約1500℃の酸化雰囲気中で焼成しステム本体を
形成する。このステム本体11CMoペーストを塗布し
、乾燥後に温度約1400℃程度の不活性雰囲気中にて
焼成してメタライズ層を形成する。このメタライズ層の
表面にNiメッキを施して製品とする。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明のマグネトロンのステムによ
れば、ステム本体におけるエンベロープ接合面と金属体
接合面にメタライズ層材料を一回の作業で塗布すること
ができるとともに、ステム本体の一側面にのみメタライ
ズ層を形成すれば良いのでメタライズ層形成作業が容易
である。さらに、ろう付は用のメッキが困難なMoから
なる陰極支持棒を、ステム本体の気密接合部に使用しな
くとも良く、陰極支持棒にメッキを施す必要がなくなる
。そして、端子の気密接合部を信頼性あるものとするこ
とができる。
また、端子に加わる外力により陰極フィラメントが変形
破損することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第5図は本発明の一実施例を示し、第1図
はステムを示す斜視図、第2図はその上面図、第3図は
第2図■−■線に沿う断面図、第4図は第2図■−■線
に沿う断面図、第5図は本発明のステムを設けたマグネ
トロンの陰極支持部を示す断面図、第6図は従来のステ
ムを設けたマグネトロンの陰極支持部を示す断面図であ
る。 21・・・ステム本体、22・・・エンベロープ接合面
、24.25・・・金属体接合面、2’l、2B・・・
端子挿通孔、35.36・・・接合金属体、40゜41
・・・陰極支持棒、42.43・・・端子。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第 6 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)セラミックスからなるステム本体の一側部に、陰
    極支持棒と固定する接合金属体を接合するための互いに
    分離した複数の金属体接合面と、エンベロープを接合す
    るための前記金属体接合面と分離したエンベロープ接合
    面と夫々同一高さの平面として形成し、且つ前記ステム
    本体には、前記接合金属体と固定する端子を挿通するた
    めの孔を、一側部から他側部にわたり貫通して形成した
    ことを特徴とするマグネトロンのステム。
  2. (2)ステム本体の金属体接合面に、陰極支持棒を係合
    する凹部を形成してなる特許請求の範囲第1項に記載の
    マグネトロンのステム。
JP21645485A 1985-09-30 1985-09-30 マグネトロンのステム Granted JPS6276241A (ja)

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JP21645485A JPS6276241A (ja) 1985-09-30 1985-09-30 マグネトロンのステム

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JP21645485A JPS6276241A (ja) 1985-09-30 1985-09-30 マグネトロンのステム

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JPS6276241A true JPS6276241A (ja) 1987-04-08
JPH0475618B2 JPH0475618B2 (ja) 1992-12-01

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5508583A (en) * 1992-07-28 1996-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Cathode support structure for magnetron
WO2006046616A1 (ja) * 2004-10-29 2006-05-04 Hamamatsu Photonics K.K. 光電子増倍管及びそれを含む放射線検出装置
JP2008270131A (ja) * 2007-04-25 2008-11-06 Toshiba Corp マグネトロン用ステムの製造方法

Cited By (4)

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JP2006127982A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Hamamatsu Photonics Kk 光電子増倍管及び放射線検出装置
JP2008270131A (ja) * 2007-04-25 2008-11-06 Toshiba Corp マグネトロン用ステムの製造方法

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