WO2006046616A1 - 光電子増倍管及びそれを含む放射線検出装置 - Google Patents

Description

明 細 書

光電子増倍管及びそれを含む放射線検出装置

技術分野

[0001] この発明は、光電効果を利用した光電子増倍管及びそれを含む放射線検出装置 に関するものである。

背景技術

[0002] 光電子増倍管としては、筒状胴体部と、該筒状胴体部における一方の端部に設け られた受光面板と、該筒状胴体部の他方の端部に設けられたステムとにより構成され た真空密封容器を備えた ヽゎゆるヘッドオン型の光電子増倍管が知られて ヽる。こ のヘッドオン型の光電子増倍管では、受光面板の内側 (真空密封容器内）にホトカソ ードが設けられるとともに、該ホト力ソードからステムに向力つて複数段のダイノードを 有する電子増倍部及びアノードが積層されて 、る。これら各段のダイノード及びァノ ードにそれぞれ接続された複数のステムピンは、該真空密封容器内から外部に導出 されるようステムに支持されている。受光面板を通過した入射光は、ホトカソードで電 子 (光電子）に変換され、該ホト力ソードから放出された光電子が、各ステムピンを介 して所定電圧が印加された各ダイノードを有する電子増倍部で順次増倍される。また 、電子増倍部で増倍されアノードに達した電子は、電気信号としてステムピンの一つ であるアノードピンを介して取り出される。

[0003] 上述のような構造を有する光電子増倍管では、部品点数の低減やノイズ防止が重 要な課題である。そこで、以下の特許文献 1には、部品点数の低減を図るために金 属製のステムに代えてテーパー状ノヽーメチックガラスが採用されるとともに、筒状月同 体部がガラスで構成した時のノイズの発生を防止するために金属製の筒状胴体部が 採用された光電子増倍管が開示されている。

特許文献 1：特開平 5 - 290793号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0004] 発明者らは、従来の光電子増倍管について検討した結果、以下のような課題を発 見した。すなわち、上述のような構造を有する従来の光電子増倍管では、アノードピ ンから取り出される電気信号に対するノイズ混入の一層の低減が望まれて！/ヽる。

[0005] この発明は上述のような課題を解決するためになされたものであり、アノードピンか ら取り出される電気信号に対するノイズ混入が十分に防止可能な構造を備えた光電 子増倍管及びそれを含む放射線検出装置を提供することを目的としている。

課題を解決するための手段

[0006] 上述のような課題を解決するため、この発明に係る光電子増倍管は、内部が所定 の真空度まで減圧された密封容器と、ホトカソードと、複数段のダイノードで構成され た電子増倍部と、アノードと、複数のステムピンを備える。上記密封容器は、中空月同 体部と、該中空胴体部の一方の端部に設けられた受光面板と、該中空胴体部の他 方の端部に設けられたステムとにより構成される。上記ホトカソードは、密封容器内に 配置され、受光面板を通過した入射光を電子に変換する。上記電子増倍部は、ホト 力ソードとステムとの間に位置するよう密封容器内に配置され、ホトカソードから放出 された電子をそれぞれ増倍するよう機能する。上記アノードは、密封容器内に収納さ れるとともに電子増倍部力 放出された電子の到達する位置に配置され、到達した 該電子を出力信号として取り出すよう機能する。そして、上記複数のステムピンは、ス テムを貫通した状態で該ステムに支持され、それぞれ複数段のダイノード及びァノー ドに電気的に接続される。

[0007] 特に、この発明に係る光電子増倍管において、上記密封容器の一部を構成する中 空月同体部は、その一部力^テムの側面を包囲した形状を有するとともに、導電性材料 力もなる。また、上記ステムの一部を構成するとともにアノード側に位置する少なくとも 内側部分は、絶縁性材料からなる。さらに、ステムの内側部分におけるアノード側縁 部には、複数のステムピンのうちアノードに電気的に接続されたアノードピン力 最短 距離に位置する部分を含む所定領域に段差部が設けられている。

[0008] 上述のような構造を有する光電子増倍管によれば、導電性の中空胴体部に包囲さ れるステム側面のうち少なくともアノード側は絶縁性材料からなる内側部分である。こ のため、内側部分におけるアノード側縁部のうちアノードピン近傍の所定領域に段差 部が設けられることにより、絶縁性材料の表面における沿面距離が長くなる。この沿 面距離は、トリプルジャンクション (導電性アノードピンと、該アノードピンを直接支持 する絶縁性材料と、真空空間とが交わるポイント)力 導電性の中空胴体部までの絶 縁性材料表面に沿った最短距離を意味する。このように、ステムの内側部分に段差 部が設けられた当該光電子増倍管では、ステムのアノード側縁部に段差部が設けら れていない形状と比較して上記沿面距離は十分長くなる。その結果、アノードピンか ら取り出される電気信号に対するノイズ混入が十分に防止されるようになる。

[0009] なお、上記ステムは、絶縁性材料のみの単一構造、二重構造、及び三重以上の構 造のいずれも採用され得る。

[0010] 例えば、単一構造が採用されたステムは、複数のステムピンを貫通させた状態で直 接支持するとともに絶縁性材料カゝらなるベース部材を含んでもよい。この場合、ベー ス部材の一部が上記ステムの内側部分に相当し、この部分のアノード側縁部のうちァ ノードピンから最短距離に位置する部分を含む所定領域に、内側部分の段差部の少 なくとも一部を構成する構造が設けられる。

[0011] また、二重構造が採用されたステムは、複数のステムピンを貫通させた状態で直接 支持するとともに絶縁性材料力 なるベース部材と、該ベース部材に接合された第 1 押え部材とにより構成される。具体的に、第 1押え部材は、ベース部材のアノードに面 する内側面と該内側面と対向する外側面のいずれか一方に接合されるとともに、複 数のステムピンを通すための複数の貫通孔が設けられて 、る。ベース部材に対して 第 1押え部材がよりアノードに近い場合、該第 1押え部材は、絶縁材料で構成され、 該第 1押え部材のアノード側縁部のうちアノードピン力 最短距離に位置する部分を 含む所定領域に、内側部分の段差部の少なくとも一部を構成する構造が設けられる

。一方、第 1押え部材に対してベース部材がよりアノードに近い場合、バイベース部 材のアノード側縁部のうち、アノードピン力 最短距離に位置する部分を含む所定領 域に、内側部分の段差部の少なくとも一部を構成する構造が設けられる。

[0012] 三重以上の構造が採用されたステムは、複数のステムピンを貫通させた状態で直 接支持するとともに絶縁性材料力 なるベース部材と、該ベース部材の一方の面に 接合された第 1押え部材と、該ベース部材の他方の面に接合された第 2押え部材と により構成される。具体的に、第 1押え部材は、ベース部材のアノードに面する内側 面に接合されるとともに複数のステムピンを通すための複数の貫通孔が設けられてい る。一方、第 2押え部材は、ベース部材の該内側面と対向する外側面に接合されると ともに複数のステムピンを通すための複数の貫通孔が設けられている。そして、これら 部材のうちで最もアノードに近い第 1押え部材は、絶縁性材料で構成され、該第 1押 え部材のアノード側縁部のうちアノードピン力 最短距離に位置する部分を含む所定 領域に、内側部分の段差部の少なくとも一部を構成する構造が設けられる。

[0013] さらに、この発明に係る光電子増倍管は、上記段差部の他、アノードピンとステムと の接触点力 中空胴体部までの沿面距離長くするための構造を備えてもよい。すな わち、ステムは、アノードに面した内側面と該内側面に対向する外側面を有しており、 少なくとも内側面上に、複数のステムピンのうち少なくともアノードピンと該ステムとの 接触点が内側面よりも外側面側に位置するよう、該アノードピンを取り囲む凹部が設 けられてもよい。なお、この凹部と上記段差部は、何れか一方がステムの内側面上に 設けられた構造であってもよ 、。

[0014] ここで、上述のような構造を有する光電子増倍管 (この発明に係る光電子増倍管） は、種々の検査装置への適用が可能である。例えば、この発明に係る放射線検出装 置は、当該光電子増倍管と、そして、ステムとともに受光面板を挟むよう密封容器の 外部に配置され、到達した放射線を光に変換するシンチレータを備える。

[0015] なお、この発明に係る各実施例は、以下の詳細な説明及び添付図面によりさらに 十分に理解可能となる。これら実施例は単に例示のために示されるものであって、こ の発明を限定するものと考えるべきではない。

[0016] また、この発明のさらなる応用範囲は、以下の詳細な説明から明らかになる。しかし ながら、詳細な説明及び特定の事例はこの発明の好適な実施例を示すものではある 力 例示のためにのみ示されているものであって、この発明の思想及び範囲における 様々な変形および改良はこの詳細な説明から当業者には自明であることは明らかで ある。

発明の効果

[0017] この発明に係る光電子増倍管及びそれを含む放射線検出装置によれば、アノード ピンカゝら取り出される電気信号に対するノイズ混入を十分に防止され得る。 図面の簡単な説明

[図 1]は、この発明に係る光電子増倍管の第 1実施例を上方力 見たときの平面図で ある。

圆 2]は、図 1に示された第 1実施例に係る光電子増倍管の底面構成を示す平面図 である。

[図 3]は、図 1に示された第 1実施例に係る光電子増倍管の ΠΙ-ΠΙ線に沿った断面図 である。

圆 4]は、第 1実施例に係る光電子増倍管におけるステムの一部を構成するベース部 材を示す平面図である。

圆 5]は、第 1実施例に係る光電子増倍管におけるステムの一部を構成する上側押え 部材 (第 1押え部材)を示す平面図である。

圆 6]は、第 1実施例に係る光電子増倍管におけるステムの一部を構成する下側押え 部材 (第 2押え部材)を示す平面図である。

圆 7]は、第 1実施例に係る光電子増倍管におけるステムの製造例を説明するための 図（焼結前)である。

圆 8]は、第 1実施例に係る光電子増倍管におけるステムの製造例を説明するための 図（焼結後）である。

[図 9]は、図 3に示された第 1実施例に係る光電子増倍管におけるトリプルジャンクショ ン及び沿面距離を説明するための、アノードピン近傍の要部拡大図である。

圆 10]は、比較例に係る光電子増倍管におけるトリプルジャンクション及び沿面距離 を説明するための、アノードピン近傍の要部拡大図である。

[図 11]は、切欠部の第 1変形例を示す図である。

[図 12]は、切欠部の第 2変形例を示す図である。

[図 13]は、切欠部の第 3変形例を示す図である。

[図 14]は、切欠部の第 4変形例を示す図である。

[図 15]は、切欠部の第 5変形例を示す図である。

[図 16]は、切欠部の第 6変形例を示す図である。

[図 17]は、切欠部の第 7変形例を示す図である。 [図 18]は、切欠部の第 8変形例を示す図である。

[図 19]は、切欠部の第 9変形例を示す図である。

[図 20]は、切欠部の第 10変形例を示す図である。

[図 21]は、切欠部の第 11変形例を示す図である。

[図 22]は、切欠部の第 12変形例を示す図である。

[図 23]は、切欠部の第 13変形例を示す図である。

圆 24]は、第 1実施例に係る光電子増倍管の第 1変形例の構成を示す断面図である 圆 25]は、第 1実施例に係る光電子増倍管の第 2変形例の構成を示す断面図である

[図 26]は、この発明に係る放射線検出装置の一例を示す側面図である。

[図 27]は、図 26に示された放射線検出装置の要部断面図である。

[図 28]は、この発明に係る放射線検出装置の他の例を示す側面図である。

[図 29]は、図 28に示された放射線検出装置の要部断面図である。

[図 30]は、この発明に係る光電子増倍管の第 2実施例の構成を示す断面図である。

[図 31]は、第 2実施例に係る光電子増倍管におけるステムの一部を構成するベース 部材上面を示す平面図である。

[図 32]は、第 2実施例に係る光電子増倍管におけるステムの一部を構成するベース 部材底面を示す平面図である。

[図 33]は、第 2実施例に係る光電子増倍管におけるステムの製造例を説明するため の図（焼結前)である。

[図 34]は、第 2実施例に係る光電子増倍管におけるステムの製造例を説明するため の図（焼結後）である。

[図 35]は、第 2実施例にかかる光電子増倍管の第 1変形例の構成を示す断面図であ る。

[図 36]は、第 2実施例の第 1変形例に係る光電子増倍管におけるステムの一部を構 成するベース部材上面を示す平面図である。

[図 37]は、第 2実施例の第 1変形例に係る光電子増倍管におけるステムの一部を構 成するベース部材底面を示す平面図である。

[図 38]は、第 2実施例の第 1変形例に係る光電子増倍管におけるステムの製造例を 説明するための図（焼結前)である。

[図 39]は、第 2実施例の第 1変形例に係る光電子増倍管におけるステムの製造例を 説明するための図（焼結後）である。

[図 40]は、この発明に係る光電子増倍管の第 3実施例の構成を示す断面図である。

[図 41]は、第 3実施例に係る光電子増倍管におけるステム全体を構成するベース部 材上面を示す平面図である。

[図 42]は、第 3実施例に係る光電子増倍管におけるステム全体を構成するベース部 材底面を示す平面図である。

[図 43]は、第 3実施例に係る光電子増倍管におけるステムの製造例を説明するため の図（焼結前)である。

[図 44]は、第 3実施例に係る光電子増倍管におけるステムの製造例を説明するため の図（焼結後）である。

符号の説明

[0019] 1、 20、 26、 28、 31、 34…光電子増倍管、 2、 27···上部胴体部（中空胴体部の一 部）、 3···受光面板、 4···ホトカソード、 5、 29、 32、 35···ステム、 6···ステムピン、 7··· 下部胴体部（中空胴体部の一部）、 8…密封容器、 9…電子増倍部、 12···アノード（ アノード）、 13···アノードピン (ステムピン）、 14、 30、 33、 36···ベース咅材、 15···上 側押え部材 (第 1押え部材）、 15c〜15p、 33c、 36d…切欠部、 16···下側押え部材( 第 2押え部材)、 18···位置決め用治具 (押え治具)、 21、 25···放射線検出装置、 22 …シンチレータ。

発明を実施するための最良の形態

[0020] 以下、この発明に係る光電子増倍管及びそれを含む放射線検出装置の書く実施 例を図 1〜図 44を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明における「上」、「下」等 の語は図面に示す状態に基づく便宜的なものである。また、各図において同一又は 相当の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

[0021] (第 1実施例） 図 1及び図 2は、この発明に係る光電子増倍管の第 1実施例における上面構造及 び底面構造をそれぞれ示す平面図であり、図 3は、図 1の ΠΙ-ΠΙ線に沿った第 1実施 例に係る光電子増倍管の構成を示す断面図である。図 1〜図 3において、光電子増 倍管 1は、外部力 の入射光によって電子を放出し、該放出された電子を増倍し、そ して、増倍された電子を信号として出力する装置である。

[0022] 図 1〜図 3に示されたように、光電子増倍管 1は、略円筒形に加工された金属製の 上部胴体部 2を有する。図 3に示されたように、この上部胴体部 2の上側（一方の端部 )の開口端にはガラス製の受光面板 3が気密固定され、受光面板 3の容器内側の表 面には受光面板 3を通過した入射光を電子に変換するためのホトカソード 4が形成さ れている。また、上部胴体部 2の下側 (他方の端部）の開口端には、図 2及び図 3に示 されたように、円板状のステム 5が配置されている。このステム 5には、略円状に周方 向に互いに離間した状態で配置された複数（15本)の導電性のステムピン 6が気密 に挿着されている。また、このステム 5は、その側面を包囲するように金属製の下部胴 体部 7が気密に固定されている。そして、図 3に示されたように、上部胴体部 2の下端 部に形成されたフランジ部 2aと下部胴体部 7の上端部に形成された同径のフランジ 部 7aとが溶接され、密封容器 8の一部を構成する中空胴体部が構成される。また、上 部胴体部 2と下部胴体部 7とが気密に固定されることで、内部が所定の真空度に減 圧された密封容器 8が得られる。

[0023] 以上のように構成された密封容器 8内には、ホトカソード 4から放出された光電子を 増倍するための電子増倍部 9が収容されている。この電子増倍部 9は、それぞれが 多数の電子増倍孔を有する複数段の薄板状ダイノード 10 (この実施例では 10段）が 積層され、ステム 5の上面に設置されている。各ダイノード 10の所定の縁部には、図 1及び図 3に示されたように、外側に突出するダイノード接続片 10cがそれぞれ形成 され、各ダイノード接続片 10cの下面側にはステム 5に揷着されたステムピン 6のうち 対応するピンの先端部分が溶接固定されている。これにより、ダイノード 10とステムピ ン 6がそれぞれ電気的に接続される。

[0024] さらに、図 3に示されたように、密封容器 8内において、電子増倍部 9とホトカソード 4 との間には、ホトカソード 4から放出された光電子を電子増倍部 9に導くための平板状 の収束電極 11が設置され、最終段のダイノード 10b (反転ダイノード)の一段上には 、電子増倍部 9により増倍された二次電子と最終段のダイノード 10bから反転放出さ れた二次電子を出力信号として取り出すための平板状アノード (アノード） 12が積層 されている。図 1に示されたように、収束電極 11の四隅には外側に突出する突出片 1 laがそれぞれ形成され、突出片 11aに所定のステムピン 6が溶接固定されることでス テムピン 6と収束電極 11とが電気的に接続されている。また、アノード 12の縁部にも 外側に突出するアノード接続片 12aが形成され、このアノード接続片 12aにステムピ ン 6の一つであるアノードピン 13が溶接固定されることでアノードピン 13とアノード 12 とが電気的に接続される。そして、所定の電源回路に接続されたステムピン 6によつ て電子増倍部 9及びアノード 12に電圧が印加されると、ホトカソード 4と収束電極 11と は同電位に設定され、ダイノード 10は積層順に上段から下段に行くに従って高電位 となるように設定される。また、アノード 12は最終段のダイノード 10bよりも高電位に設 定される。この実施例は、ステム 5の上面に対して、最終段のダイノード 10bが直接載 置された構成である力 例えばステム 5の上面に設置された支持部材によって最終 段のダイノード 10bが支持され、該最終段のダイノード 10bとステム 5の上面との間に 空間が介在する構成であってもよい。

[0025] 上述のように構成された光電子増倍管 1にお 、て、受光面板 3を介してホトカソード 4に入射光 (h V )が到達すると、この光入射に応答して光電子 (e_)が密封容器 8内 に放出される。放出された光電子は、収束電極 11によって電子増倍部 9の一段目の ダイノード 10aに収束される。そして、到達した光電子は電子増倍部 9内でカスケード 増倍されていき、最終段のダイノード 10bから 2次電子群が反転放出される。この 2次 電子群はアノード 12に導かれ、このアノード 12と接続されたアノードピン 13を介して 外部に出力される。

[0026] 続いて、上述のステム 5の構成について更に詳細に説明する。ここで、ステム 5にお いて、光電子増倍管 1の密封容器 8形成時に真空空間になる側を内側 (上側)と規定 する。

[0027] 図 3に示されたように、ステム 5は、ベース部材 14と、ベース部材 14の上側（内側） に接合された上側押え部材 (第 1押え部材） 15と、ベース部材 14の下側 (外側）に接 合された下側押え部材 (第 2押え部材） 16とで構成された 3層構造を有し、その側面 には上述の下部胴体部 7が固定されている。この第 1実施例では、ステム 5を構成す るベース部材 14の側面と下部胴体部 7の内壁面とが接合されることにより、下部胴体 部 7に対してステム 5が固定されている。ここで、下側押え部材 16の下側（外側）の面 は、下部胴体部 7の下端よりも下側に突出しているが、下部胴体部 7に対するステム 5 の固定位置は上述のような形態に限られるものではない。

[0028] ベース部材 14は、例えばコバールを主成分とし、融点が約 780度である絶縁性ガ ラス力もなる円板状部材である。また、このベース部材 14は、下面側力もの光が密封 容器 8内に透過しない程度の黒色である。さらに、図 4に示されたように、ベース部材 14には複数（15本）のステムピン 6の外径とほぼ同径の開口 14aがベース部材 14の 外周部に沿うように形成されている。

[0029] 上側押え部材 15は、コバールに例えばアルミナ系粉末が添加されることにより得ら れた、絶縁性ガラス (例えば融点が約 1100度とベース部材 14より高くなつている）か らなる円板状部材である。また、この上側押え部材 15は、密封容器 8内の発光を効 果的に吸収すべく黒色である。さらに、図 5に示されたように、上側押え部材 15には ベース部材 14と同様に配置された複数（15個）の開口 15aが形成されている。開口 1 5aはベース部材 14に形成された開口 14aよりも大きな開口径を有し、さらに、開口 1 5aのうちの少なくとも二以上の開口 15bはベース部材 14に対する位置決め用治具（ 後述） 18の進入を可能にすべぐ他の開口 15aよりも更に大きい開口径を有する。上 側押え部材 15において、大径開口 15bは、アノードピン 13が揷通する開口 15aを除 き、上側押え部材 15の中心を基準にして 90度ごとに 3箇所配置されている。また、上 側押え部材 15は、アノードピン 13が挿通する開口 15a近傍の縁部に切欠部 15cが 設けられている。この切欠部が、ステム 5の段差部の一部を構成する。

[0030] 下側押え部材 16は、上側押え部材 15と同様に、コバールに例えばアルミナ系粉末 を添加することにより得られる絶縁性ガラス (融点が約 1100度とベース部材 14より高 くなつている）からなる円板状部材である。また、この下側押え部材 16は、添加するァ ルミナ系粉末の組成の違いにより白色を呈するとともに、ベース部材 14及び上側押 ぇ部材 15よりも高い物理的強度を有する。さらに、図 6に示されたように、下側押え部 材 16にも上側押え部材 15と同様の開口 16aが形成され、これら開口 16aのうちの少 なくとも二以上の開口 16bは位置決め用治具 18の進入を可能にするため大きな開 口径を有する。下側押え部材 16において、大径開口 16bは、下側押え部材 16の中 心を基準として 90度ごとに 4箇所配置されている。この 4箇所のうち 1つはアノードピ ン 13が揷通する開口 16aである。アノードピン 13が揷通する大径開口 16b以外の三 箇所の大径開口 16bは上側押え部材 15の大径開口 15bと同軸に配置されている。 さらに、下側押え部材 16の中央部分には円形状のベース部材浸出開口 16cが形成 されている。

[0031] 図 3に示されたように、これらベース部材 14、上側押え部材 15、及び下側押え部材 16は、開口 14a、 15a、 16a及び大径開口 15b, 16bの軸心位置を合わせた状態で 重ね合わされ、開口 14a、 15a、 16a、 15b、 16bにそれぞれステムピン 6を揷通させ た状態で、ベース部材 14に融着接合されている。より具体的には、ベース部材 14の 両面に上側押え部材 15及び下側押え部材 16が密着した状態で接合されるとともに 、ステムピン 6が上側押え部材 15及び下側押え部材 16の各開口 15a、 16a, 15b、 1 6bを揷通して 、る。このとき、ステム 5の上側（内側）の面及び下側（外側）の面の両 面における各ステムピン 6の貫通部の全周囲には、ベース部材 14を底面とする凹部 5aが形成され、各ステムピン 6はこの凹部 5aの底面においてベース部材 14に密着し ている。

[0032] 続いて、上述のように構成されたステム 5の製造例を、図 7及び図 8を用いて説明す る。なお、図 7において、領域 (a)には、焼結前のステムの状態を示す断面図が示さ れており、領域 (b)には、その要部拡大図が示されている。また、図 8において、領域 (a)には、焼結後のステムの状態を示す断面図が示されており、領域 (b)には、その 要部拡大図が示されている。

[0033] ステム 5の製造では、図 7中の領域 (a)及び (b)に示されたように、ベース部材 14、 上側押え部材 15、下側押え部材 16、及びステムピン 6が位置決めされた状態で、位 置決め用治具 18に挟み込まれる。

[0034] 位置決め用治具 18は、例えば 1100度以上の融点を有する耐熱性の高いカーボ ンカもなるブロック状部材である。この位置決め用治具 18の一面側には、ステムピン 6を挿入させた状態で支持する挿入孔 18aがステムピン 6の配置にそれぞれ対応す るよう形成されている。また、挿入孔 18aのうち上側押え部材 15の大径開口 15b及び 下側押え部材 16の大径開口 16bに対応する揷入孔 18aの開口縁部には、大径開口 15b、 16b内に進入し、ベース部材 14に対して上側押え部材 15及び下側押え部材 16を位置決めし、そして、ベース部材 14を通るステムピン 6と開口 15a、 16aとの同軸 度を確保するための略円筒状の突起部 18bが形成されている。

[0035] この位置決め用治具 18にステム 5がセットされる場合、まず、突起部 18bを上面に 向けた状態で位置決め用治具 18の一方（図示下側）が作業面に載置される。そして 、位置決め用治具 18の挿入孔 18aにそれぞれステムピン 6が差し込まれた状態で固 定される。次に、位置決め用治具 18に固定されたステムピン 6を開口 16aに通しつつ 、位置決め用治具 18の突起部 18bを大径開口 16bに進入させることで、位置決め用 治具 18の上に下側押え部材 16が載置される。さらに、下側押え部材 16の開口 16a 及び大径開口 16bに対して開口 14a、 15a及び大径開口 15bの軸心位置を大まか に合わせながら、開口 14a、 15a及び大径開口 15bにステムピン 6を通していくことで 、下側押え部材 16の上にベース部材 14及び上側押え部材 15が順に重ね合わされ る。その後、ベース部材 14に下部胴体部 7が嵌め込まれる。最後に、上側押え部材 1 5から突出しているステムピン 6を揷入孔 18aに差し込みながら、上側押え部材 15の 大径開口 15bに突起部 18bを進入させることで、上側押え部材 15の上にもう一方（図 示上側）の位置決め用治具 18が載置される。これによりステム 5のセットが完了する。 なお、セットされる下部胴体部 7とステムピン 6には、ベース部材 14との溶着性を高め るべく予め表面酸化処理が施されて ヽる。

[0036] 続いて、セットされたステム 5は位置決め用治具 18ごと電気炉に投入され、約 850 度〜 900度 (ベース部材 14の融点より高ぐ上側押え部材 15及び下側押え部材 16 の融点よりも低い温度)で焼結される。焼結中、ステム 5は位置決め用治具 18で挟む ように加圧されている。この焼結処理により、図 8中の領域 (a)及び (b)に示されたよう に、融点が約 780度であるベース部材 14のみが溶融し、ベース部材 14と各押え部 材 15、 16、ベース部材 14とステムピン 6、及び、ベース部材 14と下部胴体部 7とがそ れぞれ融着される。このとき、ベース部材 14は他の部材それぞれとの密着性を高め るため、ボリュームが多めに調整されている力 図 8中の領域 (b)に示されたように、 位置決め用治具 18の突起部 18bの端面によって大径開口 15b〜16b内でのベース 部材 14の高さ方向の位置決めが行われる。また、溶融したベース部材 14の余剰部 分は下側押え部材 16のベース部材浸出開口 16c内に逃がされる。焼結処理が終了 した後、ステム 5が電気炉力も取り出され、上下の位置決め用治具 18が取り外される ことによりステム 5の製造が完了する。

[0037] このようなステム 5の製造方法によれば、位置決め用治具 18の突起部 18bを上側 押え部材 15の大径開口 15b及び下側押え部材 16の大径開口 16bに進入させること で、ベース部材 14に対して上側押え部材 15及び下側押え部材 16が容易に位置決 めされるため、製造工程が簡素化されて製造コストの低減が図られる。また、位置決 め用治具 18により、各ステムピン 6と各開口 15a、 16aとの同軸度も確保される。そし て、このように得られたステム 5の内側（上側）の面に対して積層されたダイノード 10、 収束電極 11、及びアノード 12は、ダイノード接続片 10a、アノード接続片 12a、収束 電極 11に具備された突出片 11aのそれぞれと、これらに対応するステムピン 6とが溶 接される。さらに、受光面板 3が固定された上部胴体部 2を真空状態で下部胴体部 7 に対して溶接固定することで (密封容器の組み立て）、図 1〜図 3に示された所謂へッ ドオン型の光電子増倍管 1が得られる。

[0038] この第 1実施例に係る光電子増倍管 1によれば、ステム 5においてベース部材 14よ りも上側（内側）の部材である上側押え部材 15が絶縁性を有するとともに、アノードピ ン 13近傍の縁部に切欠部 15c (図 5参照）が設けられ、ステム 5の段差部が形成され る。係る構成の作用を、図 9及び図 10を用いて詳細に説明する。

[0039] 図 9はこの第 1実施例に係る光電子増倍管に置けるアノードピン 13近傍を示す要 部拡大断面図であり、図 10は比較例に係る光電子増倍管におけるアノードピン 13 近傍を示す要部拡大断面図である。比較例では、ステム 5におけるアノードピン 13を 含むステムピン 6の貫通部周りに凹部が形成されておらず、また、アノードピン 13近 傍にステムの段差部を構成しない上側押え部材 17が適用されている。説明の都合 上各部材は破線で示されて ヽる。

[0040] 図 9に示されたように、この第 1実施例では、アノードピン 13近傍に関し、トリプルジ ヤンクシヨン XI (導電性のアノードピン 13、アノードピン 13を含むステムピン 6を接合 した絶縁性のベース部材 14、真空空間が交わるポイント）から下部胴体部 7までの絶 縁体表面に沿った沿面距離 Y1が、図 10に示された比較例 (アノードピン 13近傍に ステムの段差部を構成しない上側押え部材 17が適用された構造)と比較して、上側 押え部材 15の切欠部 15cに沿う距離分だけ長尺化される。このように沿面距離 Y1が 長尺化されることで、アノードピン 13近傍での沿面放電を原因とする絶縁破壊や漏 電電流が十分に防止され、アノードピン 13から取り出される電気信号に対するノイズ の混入防止が図られる。

[0041] さらに、この第 1実施例では、ステム 5の上側（内側）の面におけるアノードピン 13を 含むステムピン 6の貫通部の全周囲に、ベース部材 14を底面とする凹部 5aが形成さ れている。そのため、アノードピン 13近傍の下部胴体部 7までの沿面距離 Y1は、図 1 0に示された比較例におけるトリプルジャンクション X2から上部胴体部 2までの絶縁 体表面に沿った沿面距離 Y2と比べて凹部 5aの高さ分だけさらに長尺化されている。 したがって、アノードピン 13近傍での沿面放電の発生が一層抑制され、アノードピン 13から取り出される電気信号に対するノイズの混入防止がより効果的に図られる。ま た、アノードピン 13を除く他のステムピン 6に関しても同様に凹部 5aの高さ分だけ沿 面距離が長尺化されるため、沿面放電の発生が抑制され、光電子増倍管 1の電圧耐 性が高められる。なお、これら凹部 5aの形成によりステムピン間での絶縁体表面に沿 つた沿面距離も同時に長尺化される。そのため、光電子増倍管 1の電圧耐性は一層 高くなる。

[0042] この第 1実施例において、ステムピン 6それぞれに対応して凹部 5aが形成されること により、トリプルジャンクション XIは、凹部 5aの底面とアノードピン 13を含むステムピ ン 6との接合縁部に位置することになる。この場合、トリプルジャンクション XIは、凹部 5a内に隠蔽された状態になる。このようにトリプルジャンクション XIが凹部 5a内に隠 蔽されることで、図 10に示された比較例におけるトリプルジャンクション X2のように上 側押え部材 17の上面に露出した状態になっている場合と比べて沿面放電の発生が 一層抑制され、光電子増倍管 1の電圧耐性がより高められる。

[0043] なお、上述の作用は以下に説明される当該第 1実施例以外の各実施例によっても 同様に得られる。

[0044] さらに、位置決め用治具 18によりステムピン 6と上側押え部材 15の各開口 15a及び 下側押え部材 16の開口 16aとの同軸度が確保されるため、ステムピン 6が開口 15a、 16aの内壁面に近接することが防止される。したがって、トリプルジャンクション XIが 凹部 5a内に確実に隠蔽されるので、光電子増倍管 1の電圧耐性が一層確保される。

[0045] 光電子増倍管 1において、ステム 5は、ベース部材 14と、ベース部材 14の上側（内 側）に接合された上側押え部材 15と、ベース部材 14の下側 (外側）に接合された下 側押え部材 16とで構成された 3層構造を有する。このような三層構造により、ステム 5 両面の位置精度、平坦度、水平度が高められる。力！]えて、光電子増倍管 1では、ステ ム 5の上面（内側の面）に対して設置される電子増倍部 9とホトカソード 4との間の位置 精度や電子増倍部 9の着座性も高められる。この着座性の向上により、光電変換効 率などのデバイス特性が良好に得られるとともに、光電子増倍管 1全長の寸法精度 や、光電子増倍管 1が表面実装される際の取付性が高められる。

[0046] 下側押え部材 16にはベース部材浸出開口 16c (図 6参照）が形成されているため、 溶融したベース部材 14の余剰部分はベース部材浸出開口 16c内に良好に逃がされ る。そのため、ベース部材 14の溶融の際、上側押え部材 15の開口 15a及び下側押 ぇ部材 16の開口 16aを通じてベース部材 14がステム 5の表面にはみ出すことは殆ど 無ぐステム 5両面の位置精度、平坦度、水平度が確保される。

[0047] 光電子増倍管 1では、上述のようにステム 5の両面におけるステムピン 6の貫通部の 全周囲にベース部材 14を底面とする凹部 5aが形成されている。この構成により、ス テムピン 6に対するベース部材 14の接合縁部は、ステム 5に形成された凹部 5aの底 面となり、ベース部材 14はステムピン 6を緩やかな角度（ほぼ直角）で接合する。また 、ステムピン 6が曲がった場合でも凹部 5aの開放側の周縁部にステムピン 6が当接し てそれ以上のステムピン 6の曲げが阻止される。この場合、ベース部材 14とステムピ ン 6との接合部分の両側におけるクラックの発生が防止され、密封容器 8の気密性及 び良好な外観が確保される。

[0048] なお、この発明は上述の実施例に限定されるものではない。例えば、上側押え部材 15に形成された切欠部は、アノードピン 13近傍を含め、上側押え部材 15の縁部の 全周にわたって形成されていてもよい。また、上側押え部材 15は、その上面側の縁 部の全周にわたって段差部を有する段付円板形状であってもよぐ種々の変形が適 用され得る。すなわち、図 5に示された切欠部 15cのように上側押え部材 15の端面（ 上下面）に対して直角面となる切欠部（一部が切り取られた上側押え部材 15の部分） が形成された場合には、図 11に示されたように、平面視略 V字状の切欠部 15dであ つてもよく（第 1変形例）、図 12に示されたように、直線状の切欠部に加えてアノードピ ン 13近傍をさらに半円形状に上下方向に一部が切り取られた切欠部 15eであっても よい (第 2変形例)。図 13に示されたように、アノードピン 13近傍のみが半円形状に 上下方向に一部が切り取られた切欠部 15fであってもよい (第 3変形例)。また、図 14 に示されたように、直線状の切欠部に加えてアノードピン 13近傍をさらに矩形状に上 下方向に一部が切り取られた切欠部 15gであってもよく（第 4変形例）、図 15に示さ れたように、アノードピン 13近傍のみを矩形状に上下方向に一部が切り取られた切 欠部 15hであってもよい（第 5変形例)。図 16に示すように、 V字状の切欠部に加えて アノードピン 13近傍を直線状に上下方向に一部が切り取られた切欠部 15iであって もよい (第 6変形例)。

[0049] また、切欠部は必ずしも上側押え部材 15の端面に対して直角面である必要はなく 、図 17に示されたように、上側押え部材 15の端面に対して傾斜した切欠部 1¾であ つてもよく（第 7変形例）、図 18に示されたように、上部のみが傾斜している切欠部 15 kであってもよい (第 8変形例)。図 19に示されたように、下側が大きい階段状の切欠 部 151であってもよい（第 9変形例)。図 20に示されたように、下部のみが傾斜した切 欠部 15mであってもよく（第 10変形例）、図 21に示されたように、中間部分のみが傾 斜した切欠部 15ηであってもよい (第 11変形例)。さらに、これら切欠部 15m、 15ηの 変形例として、図 22及び図 23に示されたように、上側押え部材 15の下面側が下部 胴体部 7に接触した切欠部 15ο及び切欠部 15ρであつてもよい（第 12及び第 13変形 例)。図 11〜図 23に示されたいずれの変形例によっても、アノードピン 13近傍の沿 面距離を長尺化することができ、アノードピン 13から取り出される電気信号に対する ノイズの混入防止が図られる。

[0050] 例えば上側押え部材 15の上面に更に別の層を設けることによりステム 5全体を 4層 以上で構成されてもよい (この別の層の上面に電子増倍部 9が設置される）。この別 の層にベース部材 14に接合されたステムピン 6を挿通させる開口が設けられる場合、 この別の層は絶縁性材料力もなるとともに、少なくともこの別の層のアノードピン 13近 傍に上述の切欠部 (ステム 5の段差部の一部を構成する）が設けられる。また、このよ うに別の層にステムピン 6を揷通させる開口が設けられた場合、その開口のうちの少 なくとも二つの開口は、ベース部材 14に対する位置決め用治具 18の進入を可能と すべく他の開口より大きな開口径を有するのが好ましい。

[0051] また、上述の第 1実施例では、下側押え部材 16にのみベース部材浸出開口 16cが 設けられている力 ベース部材浸出開口は押え部材の少なくとも一方に設けられれ ばよい。具体的には、ベース部材浸出開口は、上側押え部材 15にのみ設けられても よいし、上側押え部材 15及び下側押え部材 16の双方に設けられてもよい。

[0052] この第 1実施例の変形例としては、例えば図 24 (図 1の ΠΙ-ΠΙ線に沿った断面図に 相当）に示されたように、ステム 5の中央部分に金属製の排気管 19が設けられた光電 子増倍管 20が採用されてもよい。この排気管 19は、光電子増倍管 20の組み立て終 了後に密封容器 8の内部を真空ポンプ等によって排気するために利用され得る。さら に別の変形例として、図 25 (図 1の ΠΙ-ΠΙ線に沿った断面図に相当）に示されたように 、その下端にフランジ部が設けられた下部胴体部 7に、上部胴体部 2よりも長尺の胴 体部 27 (上部胴体部）が嵌め合わされた構造であってもよい。この場合、胴体部 27と 下部胴体部 7それぞれのフランジ部が溶接固定された光電子増倍管 26となる。

[0053] 次に、図 1〜図 3に示された第 1実施例に係る光電子増倍管 1を含む放射線検出装 置 (この発明に係る放射線検出装置)の各実施例について説明する。図 26及び図 2 7に示された放射線検出装置 21では、光電子増倍管 1の受光面板 3の外側に放射 線を光に変換するシンチレータ 22が設置され、光電子増倍管 1が、処理回路 23を下 面側に備えた回路基板 24上に実装されている。また、図 28及び図 29に示された他 の例に係る放射線検出装置 25では、回路基板 24上に処理回路 23が設置され、こ の処理回路 23がステムピン 6で取り囲まれるように光電子増倍管 1が回路基板 24上 に実装されている。以上のような構成より、上述した作用効果を奏し、特に表面実装 する際に好適な放射線検出装置 21、 25が得られる。なお、図 26は、この発明に係る 放射線検出装置の一例を示す側面図であり、図 27は、図 26に示された放射線検出 装置の要部断面図である。また、図 28は、この発明に係る放射線検出装置の他の例 を示す側面図であり、図 29は、図 28に示された放射線検出装置の要部断面図であ る。

[0054] (第 2実施例）

第 2実施例に係る光電子増倍管 28は、図 30 (図 1の ΠΙ-ΠΙ線に沿った断面図に相 当）に示されたように、ステム 29が、ベース部材 14と同質の円板状のベース部材 30 と、ベース部材 30の上側（内側）に接合された上側押え部材 15とで構成された 2層 構造を有する点で、ステム 5がベース部材 14、上側押え部材 15及び下側押え部材 1 6によって構成された 3層構造を有する第 1実施例に係る光電子増倍管 1と異なる。

[0055] すなわち、光電子増倍管 28のステム 29には下側押え部材が設けられておらず、ベ 一ス部材 30には、図 31に示されたように、上半分がステムピン 6の外径とほぼ同径で あって、かつ、図 32に示されたように、下半分がステムピン 6の外径よりも大きな開口 径を有する複数（ 15個）の開口 30aがベース部材 30の外周部に沿うように形成され ている。また、ベース部材 30の開口 30aのうち、アノードピン 13が通る開口 30aを含 む 4箇所の開口は、位置決め用治具 18の進入を可能とすべく下半分の外径が他の 開口 30aにおける下半分の外径よりも大きくなつて 、る大径開口 30bである。さらに、 ベース部材 30の下部中央部分には、ベース部材 30が溶融により浸出するベース部 材浸出部としての円形状のベース部材浸出凹部 30c (図 33参照）が形成されている

[0056] そして、図 30に示されたように、これらベース部材 30及び上側押え部材 15は、開 口 30a、 15a及び大径開口 30b、 15bの軸心位置が合わされた状態で重ね合わされ る。このとき、これら部材は、開口 30a、 15a及び大径開口 30b、 15bにそれぞれステ ムピン 6が挿通された状態で、ベース部材 30の溶融により接合される。より具体的に は、ベース部材 30の上面に上側押え部材 15が接合される。また、ステムピン 6はべ 一ス部材 30の開口 30aの下半分及び上側押え部材 15の開口 15aそれぞれを揷通 しており、この状態でステム 29の上側（内側）の面及び下側（外側）の面の両面にお けるステムピン 6の貫通部の全周囲にベース部材 30を底面とする凹部 29aが形成さ れる。ステムピン 6はこれら凹部 29aの底面にお!、てベース部材 30に接合されて!、る

[0057] このようなステム 29の製造においても、上述の第 1実施例におけるステム 5と同様の 方法が適用可能である。なお、図 33及び図 34は、ステム 29の製造例を説明するた めの図である。図 33において、領域 (a)には、焼結前のステムの状態を示す断面図 が示されており、領域 (b)には、その要部拡大図が示されている。また、図 34におい て、領域 (a)には、焼結後のステムの状態を示す断面図が示されており、領域 (b)に は、その要部拡大図が示されている。

[0058] 具体的には、まず、図 33中の領域 (a)及び領域 (b)に示されたように、突起部 18b が上面に向けられた状態で位置決め用治具 18の一方（図示下側）が作業面に載置 される。位置決め用治具 18の挿入孔 18aそれぞれには、ステムピン 6が差し込まれる 。次に、位置決め用治具 18に固定されたステムピン 6を開口 30aに通しつつ、位置 決め用治具 18の突起部 18bを大径開口 30bに進入させ、位置決め用治具 18の上 にベース部材 30が載置される。さらに、ベース部材 30の開口 30a及び大径開口 30b に対して開口 15a及び大径開口 15bの軸心位置を大まかに合わせながら、開口 15a 及び大径開口 15bにステムピン 6を通してベース部材 30の上に上側押え部材 15が 重ね合わされる。その後、ベース部材 30に下部胴体部 7が嵌め込まれる。最後に、 上側押え部材 15から突出しているステムピン 6を挿入孔 18aに差し込みながら、上側 押え部材 15の大径開口 15bに突起部 18bを進入させることにより、上側押え部材 15 の上にもう一方（図示上側）の位置決め用治具 18が載置される。これによりステム 29 のセットが完了する。なお、第 1実施例の場合と同様に、セットされる下部胴体部 7と ステムピン 6には、ベース部材 30との溶着性を高めるべく予め表面酸ィ匕処理が施さ れている。

[0059] 次に、セットされたステム 29が電気炉に投入され、第 1実施例の場合と同様の条件 下で焼結処理が行われる。この焼結処理により、図 34中の領域 (a)及び領域 (b)に 示されたように、ベース部材 30と上側押え部材 15、ベース部材 30とステムピン 6、及 びベース部材 30と下部胴体部 7が、ベース部材 30の溶融によって融着される。この とき、図 34中の領域 (b)に示されたように、位置決め用治具 18の突起部 18bの端面 によって大径開口 30b、 15b内でのベース部材 30の高さ方向の位置決めが行われ、 溶融したベース部材 14の余剰部分はベース部材浸出凹部 30c内に逃がされる。焼 結処理が終了した後ステム 29は電気炉力 取り出され、上下の位置決め用治具 18 が取り外されることによりステム 29の製造が完了する。

[0060] このようなステム 29の製造例によれば、第 1実施例と同様に、位置決め用治具 18に よりベース部材 30に対して上側押え部材 15が容易に位置決めされる。そのため、製 造工程が簡素化されて製造コストの低減が図られる。また、位置決め用治具 18により 、ステムピン 6と開口 15aとの同軸度も確保される。そして、このように得られたステム 2 9の内側（上側）の面に対して積層されたダイノード 10、収束電極 11、及びアノード 1 2は、ダイノード接続片 10a、アノード接続片 12a、収束電極 11に具備された突出片 11aのそれぞれとこれらに対応するステムピン 6とが溶接されることで、ステムピン 6に 固定される。さらに、受光面板 3が固定された上部胴体部 2が真空状態で下部胴体 部 7に溶接固定されることにより（密封容器の組み立て）、図 30に示されたヘッドオン 型の光電子増倍管 28が得られる。

[0061] このように構成された光電子増倍管 28においても、第 1実施例に係る光電子増倍 管 1と同様に、ステム 29においてベース部材 30よりも上側（内側）の部材である上側 押え部材 15が絶縁性を有する。また、アノードピン 13近傍の縁部には、ステム 29の 段差部の一部を構成する切欠部 15c (図 5参照）が設けられている。そのため、ァノー ドビン 13近傍での沿面距離が長尺化されて沿面放電を原因とする絶縁破壊や漏電 電流が十分に防止され、アノードピン 13から取り出される電気信号に対するノイズの 混入防止が図られる。なお、切欠部 15cは、この第 2実施例においても、上側押え部 材 15の縁部の全周にわたって形成されてもよぐ段付円板形状であってもよい。また 、図 11〜図 23に示された種々の変形も適用可能である。

[0062] この第 2実施例においても、上述の第 1実施例と同様に、ステム 29の上側（内側）の 面におけるアノードピン 13を含むステムピン 6の貫通部の全周囲に、ベース部材 30 を底面とする凹部 29aが形成されている。そのため、アノードピン 13近傍に関する沿 面距離がさらに長尺化され、アノードピン 13から取り出される電気信号に対するノィ ズの混入防止がより効果的に図られる。また、アノードピン 13を除く他のステムピン 6 に関しても同様に沿面距離が長尺化されるため、光電子増倍管 28の電圧耐性が高 められる。なお、凹部 29aの形成によりステムピン間での絶縁体表面に沿った沿面距 離も同時に長尺化される。加えて、トリプルジャンクションが凹部 29a内に隠蔽される ため、光電子増倍管 28の電圧耐性がより高められる。

[0063] なお、第 1実施例と同様に、位置決め用治具 18によりステムピン 6と上側押え部材 1 5の開口 15aとの同軸度が確保される。その結果、トリプルジャンクションが凹部 29a 内に確実に隠蔽でき、光電子増倍管 28の電圧耐性が一層確保される。

[0064] 光電子増倍管 28では、ステム 29が、ベース部材 29と、ベース部材 29の上側（内側 )に接合された上側押え部材 15とで構成された 2層構造を有する。そのため、ステム 29上面の位置精度、平坦度、水平度が高められる。また、光電子増倍管 28では、ス テム 29の上面（内側の面）に対して設置される電子増倍部 9とホトカソード 4との間の 位置精度や電子増倍部 9の着座性が高められる。この場合、光電変換効率などお特 性が良好に得られる。

[0065] さらに、ベース部材 30にはベース部材浸出凹部 30c (図 33参照）が形成されている 。そのため、溶融したベース部材 30の余剰部分をベース部材浸出凹部 30c内に良 好に逃がすことができる。この場合、ベース部材 30の溶融の際、上側押え部材 15の 開口 15a及びベース部材 30の開口 30aの下半分を通じてベース部材 30がステム 29 の表面にはみ出すことは殆ど無ぐステム 29両面の位置精度、平坦度、水平度が確 保される。

[0066] この第 2実施例に係る光電子増倍管 28においても、上述のステム 29の上側（内側） の面及び下側（外側）の面におけるステムピン 6の貫通部の全周囲には、ベース部材 30を底面とする凹部 29aが形成されている。そのため、ベース部材 30とステムピン 6 との接合部分の両側でクラック発生が防止され、密封容器 8の気密性及び良好な外 観が確保される。

[0067] なお、この第 2実施例の変形例として、図 24に示された光電子増倍管 20と同様に、 ステム 29の中央部分に金属製の排気管 19が設けられた構造が採用されてもよい。 また、図 25に示された光電子増倍管 26と同様に、その下端にフランジ部が設けられ た下部胴体部 7をステム 29に固定し、この下部胴体部 7に上部胴体部 2よりも長尺の 胴体部 27 (上部胴体部）を嵌め合わせてもよい。この場合、胴体部 27と下部胴体部 7のフランジ部それぞれが溶接固定される。

[0068] この第 2実施例では、ベース部材 30の下部にベース部材浸出部としてのベース部 材浸出凹部 30cを設けられている。し力しながら、このようなベース部材浸出部はべ 一ス部材 30及び上側押え部材 15の少なくとも一方に設けられればよい。例えば、上 側押え部材 15にのみに上述の第 1実施例と同様なベース部材浸出開口が設けられ てもよく、また、上側押え部材 15にベース部材浸出開口が設けられるとともにベース 部材 30にベース部材浸出凹部 30cが設けられてもよい。

[0069] 図 30 (図 1の ΠΙ-ΠΙ線に沿った断面図に相当）に示された光電子増倍管 28を含む 放射線検出装置は、図 26〜図 27及び図 28〜図 29に示された放射線検出装置 21 、 25と同様の構成で製造することで、上述の作用効果が得られ、特に表面実装する 際に好適な放射線検出装置が得られる。

[0070] この第 2実施例のさらに別の変形例として、押え部材がベース部材の下面 (外側の 面）に接合された 2層構造のステムが適用されてもよい。この別の変形例に係る光電 子増倍管 31では、図 35に示されたように、ステム 32が、ベース部材 14と同質の円板 状のベース部材 33と、ベース部材 33の下側（外側）に接合された下側押え部材 16 で構成された 2層構造を有する。

[0071] すなわち、光電子増倍管 31におけるのステム 32には、上側押え部材 15が設けら れておらず、ベース部材 33には、図 37に示されたように、下半分がステムピン 6の外 径とほぼ同径で、かつ、図 36に示されたように、上半分がステムピン 6の外径よりも大 きな開口径である複数（15個）の開口 33aが、ベース部材 33の外周部に沿うように形 成されている。また、ベース部材 33の開口 33aのうちアノードピン 13が通る開口 33a を除く 3箇所の開口は、位置決め用治具 18の進入を可能とすべく上半分の外径が他 の開口 33aにおける上半分の外径よりも大きな開口径を有する大径開口 33bである。 ベース部材 33では、アノードピン 13が通る開口 33a近傍の上面側の縁部に切欠部 3 3cが形成されている。

[0072] そして、図 35 (図 1の III- III線に沿った断面図に相当）に示されたように、これらのベ 一ス部材 33及び下側押え部材 16は、開口 33a、 16a及び大径開口 33b、 16bの軸 心位置を合わされた状態で重ね合わされる。その際、ベース部材 33及び下側押え 部材 16は、開口 33a、 16a及び大径開口 33b、 16bにそれぞれステムピン 6が揷通さ せた状態で、ベース部材 33の溶融によって融着接合されている。より具体的には、 ベース部材 33の下面に下側押え部材 16が密着した状態で接合される。また、ステム ピン 6がベース部材 33の開口 33aの上半分及び下側押え部材 16の開口 16aを揷通 した状態で、ステム 32の上側（内側）の面及び下側（外側）の面の両面におけるステ ムピン 6の貫通部の全周囲にはベース部材 33を底面とする凹部 32aが形成される。 ステムピン 6はこれら凹部 32aの底面においてベース部材 33に密着した状態で接合 される。

[0073] このようなステム 32の製造例においても、第 1実施例におけるステム 5と同様の方法 が適用可能である。なお、図 38及び図 39は、ステム 32の製造例を説明するための 図である。特に、図 38において、領域 (a)には、焼結前のステムの状態を示す断面 図が示されており、領域 (b)には、その要部拡大図が示されている。また、図 39にお いて、領域 (a)には、焼結後のステムの状態を示す断面図が示されており、領域 (b) には、その要部拡大図が示されている。

[0074] 具体的には、まず、図 38に示されたように、突起部 18bを上面に向けた状態で位 置決め用治具 18の一方 (図示下側)が作業面に載置される。その際、位置決め用治 具 18の挿入孔 18aには、それぞれステムピン 6が差し込まれる。次に、位置決め用治 具 18に固定されたステムピン 6を開口 16aに通しつつ、位置決め用治具 18の突起部 18bが大径開口 16bに進入することで、位置決め用治具 18の上に下側押え部材 16 が載置される。さらに、下側押え部材 16の開口 16a及び大径開口 16bに対して開口 33a及び大径開口 33bの軸心位置を大まかに合わせながら、開口 33a及び大径開 口 33bにステムピン 6が通される。そして、下側押え部材 16の上にベース部材 33が 重ね合わされた後、ベース部材 33に下部胴体部 7が嵌め込まれる。最後に、ベース 部材 33から突出しているステムピン 6を揷入孔 18aに差し込みながら、ベース部材 3 3の大径開口 33bに突起部 18bが進入させることで、ベース部材 33の上にもう一方（ 図示上側）の位置決め用治具 18が載置する。これによりステム 32のセットが完了する 。なお、第 1実施例の場合と同様に、セットされる下部胴体部 7とステムピン 6には、ベ 一ス部材 33との溶着性を高めるべく予め表面酸ィ匕処理が施されている。

[0075] 次に、セットされたステム 29が電気炉に投入され、上述の第 1実施例と同様の条件 下で焼結処理が行われる。この焼結処理により、図 39中の領域 (a)及び領域 (b)に 示されたように、ベース部材 33と下側押え部材 16、ベース部材 33とステムピン 6、及 びベース部材 33と下部胴体部 7とが、それぞれベース部材 33の溶融によって融着さ れる。このとき、図 39中の領域 (b)に示されたように、位置決め用治具 18の突起部 1 8bの端面によって大径開口 33b、 16b内でのベース部材 33の高さ方向の位置決め が行われる。溶融したベース部材 33の余剰部分はベース部材浸出開口 16c内に逃 力 れる。焼結処理が終了した後にステム 32は電気炉力も取り出され、上下の位置 決め用治具 18が取り外されることによりステム 32の製造が完了する。

[0076] このようなステム 32の製造方法によれば、第 1実施例と同様に、位置決め用治具 18 によりベース部材 33に対して下側押え部材 16が容易に位置決めされる。そのため、 製造工程が簡素化されて製造コストの低減が図られる。また、位置決め用治具 18に より、ステムピン 6と開口 16aとの同軸度も確保される。そして、このように得られたステ ム 32の内側（上側）の面に対して積層されたダイノード 10、収束電極 11、及びァノー ド 12を、ダイノード接続片 10a、アノード接続片 12a、収束電極 11に具備された突出 片 11aのそれぞれと、これらに対応するステムピン 6とが溶接固定される。さらに、受 光面板 3が固定された上部胴体部 2が真空状態で下部胴体部 7に対して溶接固定さ れることで (密封容器の組み立て）、図 35に示されたヘッドオン型の光電子増倍管 31 が得られる。

[0077] このような構造を有する光電子増倍管 31においても、ステム 32の一部を構成する ベース部材 33自体は絶縁性を有するとともに、アノードピン 13近傍の上面側の縁部 には第 1実施例に係る光電子増倍管 1と同様の切欠部 33c (図 36参照）が形成され る。その結果、アノードピン 13近傍での沿面距離が長尺化されて沿面放電を原因と する絶縁破壊や漏電電流が十分に防止され、アノードピン 13から取り出される電気 信号に対するノイズの混入防止が図られる。なお、切欠部 33cは、ベース部材 33の 上面側における縁部の全周にわたって形成されてもよぐまた、図 11〜図 23に示さ れた種々の変形が適用されてもょ ヽ。 [0078] ステム 32の上側（内側）の面におけるアノードピン 13を含むステムピン 6の貫通部の 全周囲にはベース部材 33を底面とする凹部 32aが形成されている。そのため、ァノ 一ドビン 13近傍に関する沿面距離がさらに長尺化され、アノードピン 13から取り出さ れる電気信号に対するノイズの混入防止がより効果的に図られる。なお、凹部 32aの 形成によりステムピン間での絶縁体表面に沿った沿面距離も同時に長尺化され、さら には、トリプルジャンクションが凹部 32a内に隠蔽されるため、光電子増倍管 28の電 圧耐性がより高められている。

[0079] なお、第 1実施例と同様に、位置決め用治具 18によりステムピン 6と下側押え部材 1 6の開口 16aとの同軸度が確保されるため、トリプルジャンクションを凹部 32aに確実 に隠蔽でき、光電子増倍管 31の電圧耐性が一層確保される。

[0080] この第 2実施例に係る光電子増倍管 31では、ステム 32が、ベース部材 33と、ベー ス部材 33の下側 (外側）に接合された下側押え部材 16とで構成された 2層構造を有 する。その結果、ステム 32下面の位置精度、平坦度、水平度が高められる。また、光 電子増倍管 31では、光電子増倍管 31全長の寸法精度、光電子増倍管 31を表面実 装する際の取付性が高められる。

[0081] 下側押え部材 16にはベース部材浸出開口 16c (図 6参照）が形成されている。この 場合、第 1実施例の場合と同様に、ベース部材 33の溶融の際に、下側押え部材 16 の開口 16a及びベース部材 33の開口 33aの上半分を通じてベース部材 33がステム 32の表面にはみ出すことは殆ど無ぐステム 32両面の位置精度、平坦度、水平度が 確保されている。

[0082] 光電子増倍管 31にお 、ても、上述のようなステム 32の上側（内側）の面及び下側（ 外側）の面において、ステムピン 6の貫通部の全周囲がベース部材 33を底面とする 凹部 32aが形成されている。したがって、ベース部材 33とステムピン 6との接合部分 の両側でクラック発生が防止され、密封容器 8の気密性及び良好な外観が確保され る。

[0083] なお、光電子増倍管 31についても、図 24に示された光電子増倍管 20と同様に、ス テム 32の中央部分に金属製の排気管 19が設けられた構造が採用されてもよい。ま た、図 25に示された光電子増倍管 26と同様に、その下端にフランジ部が設けられた 下部胴体部 7をステム 32に固定し、この下部胴体部 7に上部胴体部 2よりも長尺の胴 体部 27 (上部胴体部）が嵌め合わされる構造が採用されてもよい。この場合、胴体部 27と下部胴体部 7のフランジ部それぞれが溶接固定される。

[0084] この第 2実施例では、下側押え部材 16にのみベース部材浸出部としてのベース部 材浸出開口 16cが設けられている。しかしながら、このようなベース部材浸出部はべ 一ス部材 33及び下側押え部材 16の少なくとも一方に設けられればよい。例えば、ベ 一ス部材 33にのみ前述のベース部材浸出凹部が設けられてもよぐまた、下側押え 部材 16にベース部材浸出開口 16cが設けられる一方、ベース部材 33にベース部材 浸出凹部が設けられてもよい。

[0085] この光電子増倍管 31を含む放射線検出装置は、図 26〜図 27及び図 28〜図 29 に示された放射線検出装置 21、 25と同様の構成で製造され得る。この場合、上述の 作用効果が得られ、特に表面実装する際に好適な放射線検出装置が得られる。

[0086] (第 3実施例）

第 3実施例に係る光電子増倍管 34では、図 40 (図 1の ΠΙ-ΠΙ線に沿った断面図に 相当）に示されたように、ステム 35が、ベース部材 14と同質の円板状のベース部材 3 6により構成された単層構造を有する点で、ステム 5がベース部材 14、上側押え部材 15及び下側押え部材 16により構成された 3層構造を有する第 1実施例に係る光電 子増倍管 1と異なる。

[0087] すなわち、光電子増倍管 34のステム 35には上側押え部材 15及び下側押え部材 1 6が設けられておらず、ベース部材 36には、図 40〜図 42に示されたように、中間部 分がステムピン 6の外径とほぼ同径で、かつ上部及び下部がステムピン 6の外径より も大きな開口径を有する複数（15個）の開口 36aがベース部材 36の外周部に沿うよ うに複数（15個）形成されている。また、この開口 36aのうちアノードピン 13が通る開 口 36aを除く所定の 3箇所の上部及び下部と、アノードピン 13が通る開口 36aの下部 には、位置決め用治具と同様の構成の押え治具 18の進入を可能とすべく上部及び 下部の外径が他の開口 36aの上部及び下部の外径よりも大きな大径開口 36bが設 けられている。さらに、ベース部材 36の下部中央部分には、ベース部材 36が溶融に より浸出するベース部材浸出部としての円形状のベース部材浸出凹部 36c (図 43参 照）が形成されている。また、アノードピン 13が通る開口 36a近傍の上面側の縁部が 切欠部 36dとされている。

[0088] そして、図 40に示されたように、ベース部材 36は、開口 36aにそれぞれステムピン 6 を通した状態で、ベース部材 36の溶融によってステムピン 6と融着接合される。より具 体的には、ステムピン 6がベース部材 36の開口 36aの上部及び下部を揷通しており 、ステム 35の上側（内側）の面及び下側（外側）の面の両面におけるステムピン 6の貫 通部の全周囲にベース部材 36を底面とする凹部 35aが形成される。これにより、ステ ムピン 6はこの凹部 35aの底面においてベース部材 36に密着した状態で接合される

[0089] このようなステム 35の製造例においても、第 1実施例におけるステム 5と同様の方法 が適用可能である。なお、図 43及び図 44は、ステム 35の製造例を説明するための 図である。特に、図 43において、領域 (a)には、焼結前のステムの状態を示す断面 図が示されており、領域 (b)には、その要部拡大図が示されている。また、図 44にお いて、領域 (a)には、焼結後のステムの状態を示す断面図が示されており、領域 (b) には、その要部拡大図が示されている。

[0090] 具体的には、まず、図 43に示されたように、突起部 18bを上面に向けた状態で上 記位置決め用治具と同様の構成の押え治具 18の一方 (図示下側)が作業面に載置 される。その際、押え治具 18の挿入孔 18aには、それぞれステムピン 6が差し込まれ る。次に、押え治具 18に固定されたステムピン 6を開口 36aに通しつつ、押え治具 18 の突起部 18bがベース部材 36の下面側の大径開口 36bを進入する。押え治具 18の 上にベース部材 36が載置された後、ベース部材 36に下部胴体部 7が嵌め込まれる 。最後に、ベース部材 36から突出しているステムピン 6を揷入孔 18aに差し込みなが ら、ベース部材 36の上面側の大径開口 36bに突起部 18bを進入させることで、ベー ス部材 36の上にもう一方（図示上側）の押え治具 18が載置される。これによりステム 3 5のセットが完了する。なお、第 1実施例の場合と同様に、セットされる下部胴体部 7と ステムピン 6には、ベース部材 36との溶着性を高めるべく予め表面酸ィ匕処理が施さ れている。

[0091] 次に、セットされたステム 35が電気炉に投入され、第 1実施例と同様の条件下で焼 結処理が行われる。この焼結処理により、図 44中の領域 (a)及び領域 (b)に示され たように、ベース部材 36とステムピン 6、及びベース部材 36と下部胴体部 7とが、それ ぞれベース部材 36の溶融によって融着される。このとき、図 44中の領域 (b)に示され たように、押え治具 18の突起部 18bの端面によって大径開口 36b内でのベース部材 36の高さ方向の位置決めが行われる。そして、溶融したベース部材 36の余剰部分 はベース部材浸出凹部 36c内に逃がされる。焼結処理が終了した後ステム 35は電 気炉から取り出され、上下の押え治具 18が取り外されることにより、ステム 35の製造 が完了する。

[0092] このようなステム 35の製造方法によれば、前述の実施例と同様に、製造工程が簡 素化されて製造コストの低減が図られる。そして、このように得られたステム 35の内側 (上側）の面に対して積層されたダイノード 10、収束電極 11、及びアノード 12は、ダ ィノード接続片 10a、アノード接続片 12a、収束電極 11に具備された突出片 11aのそ れぞれとこれらに対応するステムピン 6とを溶接することで固定される。さらに、下部胴 体部 7に対して電子増倍部 9、収束電極 11、及びアノード 12が溶接固定された後、 受光面板 3が固定された上部胴体部 7を真空状態で下部胴体部 7に溶接固定するこ とで (密封容器の組み立て）、図 40に示されたヘッドオン型の光電子増倍管 34が得 られる。

[0093] このような構造を有する光電子増倍管 34においても、ステム 35の一部を構成する ベース部材 36自体が絶縁性を有している。また、アノードピン 13近傍の上面側の縁 部には、第 1実施例に係る光電子増倍管 1と同様の切欠部 36d (図 41参照）が形成 されている。そのため、アノードピン 13近傍での沿面距離が長尺化されて沿面放電 を原因とする絶縁破壊や漏電電流が十分に防止され、アノードピン 13から取り出さ れる電気信号に対するノイズの混入防止が図られる。なお、切欠部 36dは、ベース部 材 36の上面側における縁部の全周にわたって形成してもよい。また、図 11〜図 23 に示された種々の変形が適用可能である。

[0094] ステム 35の上側（内側）の面におけるアノードピン 13を含むステムピン 6の貫通部の 全周囲には、ベース部材 36を底面とする凹部 35aが形成されている。そのため、ァノ 一ドビン 13近傍に関する沿面距離がさらに長尺化され、アノードピン 13から取り出さ れる電気信号に対するノイズの混入防止がより効果的に図られる。なお、凹部 35aの 形成によりステムピン間での絶縁体表面に沿った沿面距離も同時に長尺化され、さら には、トリプルジャンクションが凹部 35a内に隠蔽される。その結果、光電子増倍管 2 8の電圧耐性がより高められる。

[0095] さらに、ベース部材 36にはベース部材浸出凹部 36c (図 43参照）が形成されている 。この場合、溶融したベース部材 36の余剰部分をベース部材浸出凹部 36c内に良 好に逃がすことができる。このため、ベース部材 36の溶融の際、余剰部分は、開口 3 6aの上部及び下部を通してベース部材 36がステム 35の表面にはみ出すことは殆ど 無ぐステム 35両面の位置精度、平坦度、水平度が確保されている。

[0096] この第 3実施例に係る光電子増倍管 34においても、ステム 35の上側（内側）の面及 び下側（外側）の面におけるステムピン 6の貫通部の全周囲に、ベース部材 36を底面 とする凹部 35aが形成されている。そのため、ベース部材 36とステムピン 6との接合 部分の両側でクラック発生が防止され、密封容器 8の気密性及び良好な外観が確保 される。

[0097] なお、光電子増倍管 34についても、図 24に示された光電子増倍管 20と同様に、ス テム 35の中央部分に金属製の排気管 19が設けられた構造が採用されてもよい。ま た、図 25に示された光電子増倍管 26と同様に、その下端にフランジ部が設けられた 下部胴体部 7をステム 35に固定し、この下部胴体部 7に上部胴体部 2よりも長尺の胴 体部 27 (上部胴体部）が嵌め合わされてもよい。その際、胴体部 27と下部胴体部 7の フランジ部それぞれが溶接固定される。

[0098] この第 3実施例では、ベース部材 36の下部にベース部材浸出部としてのベース部 材浸出凹部 36cが設けられている。しかしながら、このようなベース部材浸出部はべ 一ス部材 36の上部に設けられて 、てもよ 、。

[0099] また、この光電子増倍管 34を含む放射線検出装置は、図 26〜図 27及び図 28〜 図 29に示された放射線検出装置 21、 25と同様の構造を有するよう製造され得る。こ の構成により、上述の第 1実施例と同様の作用効果を奏し、特に表面実装する際に 好適な放射線検出装置が得られる。

[0100] 以上の本発明の説明から、本発明を様々に変形しうることは明らかである。そのよう な変形は、本発明の思想および範囲力 逸脱するものとは認めることはできず、すべ ての当業者にとって自明である改良は、以下の請求の範囲に含まれるものである。 産業上の利用可能性

以上のようにこの発明に係る光電子増倍管は、放射線検出装置を初め、医療、環 境等の種々の分野における検出装置や携帯型計測器へ適用され得る。

Claims

請求の範囲

[1] 中空胴体部と、該中空胴体部の一方の端部に設けられた受光面板と、該中空胴体 部の他方の端部に設けられたステムとにより構成され、内部が所定の真空度まで減 圧された密封容器と、

前記密封容器内に配置され、前記受光面板を通過した入射光を電子に変換する ホトカソードと、

前記ホトカソードと前記ステムとの間に位置するよう前記密封容器内に配置され、前 記ホトカソードから放出された電子をそれぞれ増倍する複数段のダイノードにより構 成された電子増倍部と、

前記密封容器内に収納されるとともに前記電子増倍部から放出された電子が到達 する位置に配置され、到達した該電子を出力信号として取り出すためのアノードと、 そして、

前記ステムを貫通した状態で該ステムに支持され、それぞれ前記複数段のダイノー ド及びアノードに電気的に接続された複数のステムピンとを備えた光電子増倍管で あって、

前記密封容器の一部を構成する中空胴体部は、その一部が前記ステムの側面を 包囲した形状を有するとともに、導電性材料からなり、

前記ステムの一部を構成するとともに前記アノード側に位置する少なくとも内側部 分が絶縁性材料力 なり、そして、

前記ステムの前記内側部分におけるアノード側縁部のうち、前記複数のステムピン のうち前記アノードに電気的に接続されたアノードピンから最短距離に位置する部分 を含む所定領域には段差部が設けられ、これにより、前記ステム側面のうち該段差部 に相当する領域と前記中空胴体部とが真空空間を介して所定距離だけ離間した構 造を有する光電子増倍管。

[2] 請求項 1記載の光電子増倍管において、

前記ステムは、前記複数のステムピンを貫通させた状態で直接支持するとともに、 絶縁性材料力 なるベース部材を含み、

前記ベース部材の一部であって前記内側部分に相当する部分におけるアノード側 縁部のうち前記アノードピン力 最短距離に位置する部分を含む所定領域に、前記 段差部が設けられている。

[3] 請求項 1記載の光電子増倍管において、

前記ステムは、前記複数のステムピンを貫通させた状態で直接支持するとともに絶 縁性材料からなるベース部材と、そして、

前記ベース部材の前記アノードに面する内側面に接合されるとともに前記複数のス テムピンを通すための複数の貫通孔が設けられた、絶縁性材料力 なる第 1押え部 材を備え、

前記第 1押え部材のアノード側縁部のうち前記アノードピン力 最短距離に位置す る部分を含む所定領域に、前記内側部分の段差部の少なくとも一部を構成する構造 が設けられている。

[4] 請求項 1記載の光電子増倍管において、

前記ステムは、前記複数のステムピンを貫通させた状態で直接支持するとともに絶 縁性材料からなるベース部材と、そして、

前記ベース部材の前記アノードに面する前記内側面と対向する外側面に接合され るとともに前記複数のステムピンを通すための複数の貫通孔が設けられた第 1押え部 材を備え、

前記ベース部材におけるアノード側縁部のうち前記アノードピン力 最短距離に位 置する部分を含む所定領域に、前記内側部分の段差部の少なくとも一部を構成する 構造が設けられている。

[5] 請求項 1記載の光電子増倍管において、

前記ステムは、前記複数のステムピンを貫通させた状態で直接支持するとともに絶 縁性材料力 なるベース部材と、

前記ベース部材の前記アノードに面する内側面に接合されるとともに前記複数のス テムピンを通すための複数の貫通孔が設けられた、絶縁材料力 なる第 1押え部材と 、そして、

前記ベース部材の該内側面と対向する外側面に接合されるとともに前記複数のス テムピンを通すための複数の貫通孔が設けられた第 2押え部材を備え、 前記第 1押え部材におけるアノード側縁部のうち前記アノードピンから最短距離に 位置する部分を含む所定領域に、前記内側部分の段差部の少なくとも一部を構成 する構造が設けられている。

[6] 請求項 1記載の光電子増倍管において、

前記ステムは、前記アノードに面した内側面と該内側面に対向する外側面を有する とともに、前記ステムの少なくとも内側面上には、前記複数のステムピンのうち少なくと も前記アノードに電気的に接続されたアノードピンと該ステムとの接触点が内側面より も外側面側に位置するよう、該アノードピンを取り囲む凹部が設けられている。

[7] 請求項 1〜5のいずれか一項記載の光電子増倍管と、そして、

前記ステムとともに前記受光面板を挟むよう前記密封容器の外部に配置され、到達 した放射線を光に変換するシンチレータを備えた放射線検出装置。

[8] 中空胴体部と、該中空胴体部の一方の端部に設けられた受光面板と、該中空胴体 部の他方の端部に設けられたステムとにより構成され、内部が所定の真空度まで減 圧された密封容器と、

前記密封容器内に配置され、前記受光面板を通過した入射光を電子に変換する ホトカソードと、

前記ホトカソードと前記ステムとの間に位置するよう前記密封容器内に配置され、前 記ホトカソードから放出された電子をそれぞれ増倍する複数段のダイノードにより構 成された電子増倍部と、

前記密封容器内に収納されるとともに前記電子増倍部から放出された電子が到達 する位置に配置され、到達した該電子を出力信号として取り出すためのアノードと、 そして、

前記ステムを貫通した状態で該ステムに支持され、それぞれ前記複数段のダイノー ド及びアノードに電気的に接続された複数のステムピンとを備えた光電子増倍管で あって、

前記密封容器の一部を構成する中空胴体部は、その一部が前記ステムの側面を 包囲した形状を有するとともに、導電性材料からなり、

前記ステムの一部を構成するとともに前記アノード側に位置する少なくとも内側部 分が絶縁性材料力 なり、そして、

少なくとも前記内側部分の前記アノードに面した内側面上には、前記複数のステム ピンのうち少なくとも前記アノードに電気的に接続されたアノードピンと該内側部分と の接触点が内側面よりも当該光電子増倍管の外部側に位置するよう、該アノードピン を取り囲む凹部が設けられて 、る。

[9] 請求項 8記載の光電子増倍管において、

前記ステムの前記内側部分におけるアノード側縁部のうち前記複数のステムピンの うち前記アノードに電気的に接続されたアノードピン力 最短距離に位置する部分を 含む所定領域には段差部が設けられ、これにより、前記ステム側面のうち該段差部 に相当する領域と前記中空胴体部とが真空空間を介して所定距離だけ離間した構 造を有する光電子増倍管。

[10] 請求項 8〜9の 、ずれか一項記載の光電子増倍管と、そして、

前記ステムとともに前記受光面板を挟むよう前記密封容器の外部に配置され、到達 した放射線を光に変換するシンチレータを備えた放射線検出装置。