JPS6272163A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はフィールドプレート構造を採用して高耐圧化し
たダイオード、トランジスタ、サイリスク等の半導体装
置の改良に関する。
たダイオード、トランジスタ、サイリスク等の半導体装
置の改良に関する。
第６図に従来のフィールドプレート構造の高耐圧ＮＰＮ
バイポーラトランジスタを示す。第６図において、Ｎ型
シリコン基板１の主面にはＰ型ベース領域２が形成され
、このＰ型ベース領域２内にはＮ十型エミッタ領域３が
形成されている。また、基板１主面上には酸化膜４が形
成され、この酸化膜４のベース領域２上及びエミッタ領
域３上の一部は選択的にエツチングされ、コンタクトホ
ールが開孔されている。そして、このコンタクトホール
を介してベース領域２と接続するベース電極５及びエミ
ッタ領域３と接続するエミッタ電極６が形成されている
。前記ベース電極５はベース領域２と接続され、酸化膜
４上を基板１とベース領域２との接合面上端の上方を越
えて外側へ所定距離延長して形成され、フィールドプレ
ート構造となっている。更に、基板１の裏面にはコレク
タ電極７が形成されている。
バイポーラトランジスタを示す。第６図において、Ｎ型
シリコン基板１の主面にはＰ型ベース領域２が形成され
、このＰ型ベース領域２内にはＮ十型エミッタ領域３が
形成されている。また、基板１主面上には酸化膜４が形
成され、この酸化膜４のベース領域２上及びエミッタ領
域３上の一部は選択的にエツチングされ、コンタクトホ
ールが開孔されている。そして、このコンタクトホール
を介してベース領域２と接続するベース電極５及びエミ
ッタ領域３と接続するエミッタ電極６が形成されている
。前記ベース電極５はベース領域２と接続され、酸化膜
４上を基板１とベース領域２との接合面上端の上方を越
えて外側へ所定距離延長して形成され、フィールドプレ
ート構造となっている。更に、基板１の裏面にはコレク
タ電極７が形成されている。
上記のようなフィールドプレート構造のバイポーラトラ
ンジスタでは、ベース電極（フィールドプレート）５又
はエミッタ電極６に負、コレクタ電極７に正の電圧をそ
れぞれ印加した場合、空乏層８（第６図中破線で表示）
は、ベース電極（フィールドプレート）５の延長された
部分の下方でも拡がる。このため、ベース電極が延長さ
れていない場合と比較して電界集中が起りにくい。した
がって、このようなフィールドプレート構造の半導体装
置では、比較的拡散深さが浅い場合、例えばベース領域
２の拡散深さが５１ＩＯＩＲ程度でも、基板１の比抵抗
が数十Ω・ａであれば、５００Ｖ以上の高耐圧が実現で
きる。
ンジスタでは、ベース電極（フィールドプレート）５又
はエミッタ電極６に負、コレクタ電極７に正の電圧をそ
れぞれ印加した場合、空乏層８（第６図中破線で表示）
は、ベース電極（フィールドプレート）５の延長された
部分の下方でも拡がる。このため、ベース電極が延長さ
れていない場合と比較して電界集中が起りにくい。した
がって、このようなフィールドプレート構造の半導体装
置では、比較的拡散深さが浅い場合、例えばベース領域
２の拡散深さが５１ＩＯＩＲ程度でも、基板１の比抵抗
が数十Ω・ａであれば、５００Ｖ以上の高耐圧が実現で
きる。
このようなフィールドプレート構造による高耐圧化はダ
イオード、サイリスタ等の半導体装置にも適用できるこ
とは勿論である。
イオード、サイリスタ等の半導体装置にも適用できるこ
とは勿論である。
上述したようにフィールドプレート構造の半導体装置で
は、空乏層８がフィールドプレート下方でも拡がること
で高耐圧を実現できる。しかし、電界強度はフィールド
プレート終端直下（第６図中Ｘで表示）で最大となり、
この部分でブレークダウンが開始する。このブレークダ
ウン時に大電流が流れた場合、フィールドプレート終端
直下の基板１が結晶破壊（ブレークオーバー破壊）を起
こし、再使用が不可能になるという欠点があった。
は、空乏層８がフィールドプレート下方でも拡がること
で高耐圧を実現できる。しかし、電界強度はフィールド
プレート終端直下（第６図中Ｘで表示）で最大となり、
この部分でブレークダウンが開始する。このブレークダ
ウン時に大電流が流れた場合、フィールドプレート終端
直下の基板１が結晶破壊（ブレークオーバー破壊）を起
こし、再使用が不可能になるという欠点があった。
本発明は上記欠点を解消するためになされたものであり
、フィールドプレート構造を採用して、比較的浅い拡散
深さで高耐圧を確保するとともに、ブレークオーバー破
壊を起さない長寿命の半導体装置を提供しようとするも
のである。
、フィールドプレート構造を採用して、比較的浅い拡散
深さで高耐圧を確保するとともに、ブレークオーバー破
壊を起さない長寿命の半導体装置を提供しようとするも
のである。
本発明の半導体装置は、第１導電型の半導体基板主面に
形成された第２導電型の拡散層と、該第２導電型の拡散
層内に形成された第１導電型の拡散層と、基板主面上に
形成された絶縁膜と、該絶縁膜に設けられた開孔部を介
して少なくとも前記第２導電型の拡散層と接続され、前
記絶縁膜上を基板と第２導電型の拡散層との接合面上端
の上方を越えて外側に所定距離延長して形成された電極
とを有するフィールドプレート構造の半導体装置におい
て、ブレークダウンが生じる場合は前記第２導電型の拡
散層内部でのバンチスルーにより開始するようにしたこ
とを特徴とするものである。
形成された第２導電型の拡散層と、該第２導電型の拡散
層内に形成された第１導電型の拡散層と、基板主面上に
形成された絶縁膜と、該絶縁膜に設けられた開孔部を介
して少なくとも前記第２導電型の拡散層と接続され、前
記絶縁膜上を基板と第２導電型の拡散層との接合面上端
の上方を越えて外側に所定距離延長して形成された電極
とを有するフィールドプレート構造の半導体装置におい
て、ブレークダウンが生じる場合は前記第２導電型の拡
散層内部でのバンチスルーにより開始するようにしたこ
とを特徴とするものである。
上記のようにブレークダウンが第２導電型の拡散層内部
でのバンチスルーにより開始するための手段としては、
例えば第２導電型の拡散層を高濃度不純物領域と低濃度
不純物領域とで構成し、第１導電型の拡散層が第２導電
型の拡散層を構成する低濃度不純物領域と接合を形成す
る構造とすることが考えられる。このような構造では、
第２導電型の拡散層を構成する低濃度拡散層から第１導
電型の拡散層側へ空乏層が拡がり易いため、バンチスル
ーが起り易くなる。また、例えば第２導電型の拡散層を
拡散深さの深い領域と拡散深さの浅い領域とで構成し、
第１導電型の拡散層が第２導電型の拡散層を構成する拡
散深さの浅い領域と接合を形成する構造とすることも考
えられる。このような構造では第２導電型の拡散層を構
成する拡散深さの浅い領域から拡がる空乏層が第１導電
型の拡散層へ到達するまでの距離が短いので、バンチス
ルーが起り易い。
でのバンチスルーにより開始するための手段としては、
例えば第２導電型の拡散層を高濃度不純物領域と低濃度
不純物領域とで構成し、第１導電型の拡散層が第２導電
型の拡散層を構成する低濃度不純物領域と接合を形成す
る構造とすることが考えられる。このような構造では、
第２導電型の拡散層を構成する低濃度拡散層から第１導
電型の拡散層側へ空乏層が拡がり易いため、バンチスル
ーが起り易くなる。また、例えば第２導電型の拡散層を
拡散深さの深い領域と拡散深さの浅い領域とで構成し、
第１導電型の拡散層が第２導電型の拡散層を構成する拡
散深さの浅い領域と接合を形成する構造とすることも考
えられる。このような構造では第２導電型の拡散層を構
成する拡散深さの浅い領域から拡がる空乏層が第１導電
型の拡散層へ到達するまでの距離が短いので、バンチス
ルーが起り易い。
このような半導体装置によれば、ブレークダウンが第２
導電型の拡散層と第１導電型の拡散層間のバンチスルー
により開始するので、電極（フィールドプレート）直下
でのブレークオーバー破壊を防止し、基板の結晶破壊を
防止することができる。
導電型の拡散層と第１導電型の拡散層間のバンチスルー
により開始するので、電極（フィールドプレート）直下
でのブレークオーバー破壊を防止し、基板の結晶破壊を
防止することができる。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
実施例１
第１図は本発明を適用したフィールドプレート構造のＮ
ＰＮバイポーラトランジスタの断面図である。第１図に
おいて、Ｎ型シリコン基板１１の主面にはベース領域１
２が形成されている。この、ベース領域１２の拡散深さ
は５ｐで、表面濃度ｌ Ｘ Ｉ Ｑｌ ８ ＣＭ−３の
Ｐ小型拡散層１２ａと、表面濃度５ｘｌＱ１［ｉα−３
のＰ″″型拡散拡散層１２ｂ構成されている。このベー
ス領域１２内には前記Ｐ−型型数散層２ｂと接合を形成
するようにＮ＋型エミッタ領域１３が形成されている。
ＰＮバイポーラトランジスタの断面図である。第１図に
おいて、Ｎ型シリコン基板１１の主面にはベース領域１
２が形成されている。この、ベース領域１２の拡散深さ
は５ｐで、表面濃度ｌ Ｘ Ｉ Ｑｌ ８ ＣＭ−３の
Ｐ小型拡散層１２ａと、表面濃度５ｘｌＱ１［ｉα−３
のＰ″″型拡散拡散層１２ｂ構成されている。このベー
ス領域１２内には前記Ｐ−型型数散層２ｂと接合を形成
するようにＮ＋型エミッタ領域１３が形成されている。
このエミッタ領域１２の拡散深さはベース領域１２の不
純物濃度によって異なり、Ｐ十型拡散層１２ａ内で３ｐ
とすると、Ｐ−型拡散層１２ｂ内では３ｐ以上となる。
純物濃度によって異なり、Ｐ十型拡散層１２ａ内で３ｐ
とすると、Ｐ−型拡散層１２ｂ内では３ｐ以上となる。
また、基板１１主面上には酸化膜１４が形成され、この
酸化膜１４のベース領域１２を構成するＰ十型拡散層１
２ａ上及びエミッタ領域１３上の一部は選択的にエツチ
ングされ、コンタクトホールが開孔されている。そして
、このコンタクトホールを介してベース領域１２と接続
するベース電極１５及びエミッタ領域１３と接続するエ
ミッタ電極１６が形成されている。前記ベース電極１５
はベース領域１２と接続され、酸化膜１４上を基板１１
とベース領域１２との接合面上端の上方を越えて外側へ
所定距離延長して形成され、フィールドプレート構造と
なっている。更に、基板１１の裏面にはコレクタ電極１
７が形成されている。
酸化膜１４のベース領域１２を構成するＰ十型拡散層１
２ａ上及びエミッタ領域１３上の一部は選択的にエツチ
ングされ、コンタクトホールが開孔されている。そして
、このコンタクトホールを介してベース領域１２と接続
するベース電極１５及びエミッタ領域１３と接続するエ
ミッタ電極１６が形成されている。前記ベース電極１５
はベース領域１２と接続され、酸化膜１４上を基板１１
とベース領域１２との接合面上端の上方を越えて外側へ
所定距離延長して形成され、フィールドプレート構造と
なっている。更に、基板１１の裏面にはコレクタ電極１
７が形成されている。
実施例２
第２図は第１図の変形例であり、ベース領域１２を構成
するＰ◆型型数散層１２ａＰ−型拡散層１２ｂとの拡散
深さを比較して、Ｐ小型拡散層１２ａは相対的に深く、
Ｐ−型拡散層１２ｂは相対的に浅く拡散されている以外
は第１図図示のバイポーラトランジスタと同様の構造を
有している。
するＰ◆型型数散層１２ａＰ−型拡散層１２ｂとの拡散
深さを比較して、Ｐ小型拡散層１２ａは相対的に深く、
Ｐ−型拡散層１２ｂは相対的に浅く拡散されている以外
は第１図図示のバイポーラトランジスタと同様の構造を
有している。
第１図又は第２図図示のバイポーラトランジスタにおい
て、ベース電極１５又はエミッタ電極１６に負、コレク
タ電極１７に正の電圧をそれぞれ印加すると、空乏層は
基板１１とベース領域１２とのＰＮ接合部に形成され、
基板１１側の空乏層１８ａ１ベース領域１２側の空乏層
１８ｂのように拡がる。このベース領域１２側の空乏層
１８ｂは、ベース領域１２を構成するＰ◆型型数散層１
２ａはあまり拡がらないが、Ｐ″″型拡散拡散層１２ｂ
かなり拡がる。このＰ−型拡散層１２ｂ内の空乏層１８
ｂがさらに拡がっていくと、Ｎ十型エミッタ領域１３に
到達する。この結果、ベース領域１２−エミッタ領域１
３間がパンチスルーし、このパンチスルーによりブレー
クダウンか開始する。
て、ベース電極１５又はエミッタ電極１６に負、コレク
タ電極１７に正の電圧をそれぞれ印加すると、空乏層は
基板１１とベース領域１２とのＰＮ接合部に形成され、
基板１１側の空乏層１８ａ１ベース領域１２側の空乏層
１８ｂのように拡がる。このベース領域１２側の空乏層
１８ｂは、ベース領域１２を構成するＰ◆型型数散層１
２ａはあまり拡がらないが、Ｐ″″型拡散拡散層１２ｂ
かなり拡がる。このＰ−型拡散層１２ｂ内の空乏層１８
ｂがさらに拡がっていくと、Ｎ十型エミッタ領域１３に
到達する。この結果、ベース領域１２−エミッタ領域１
３間がパンチスルーし、このパンチスルーによりブレー
クダウンか開始する。
そして、上記のようにパンチスルーを起す電圧はベース
領域１２の不純物濃度等を制御することにより、ベース
電極（フィールドプレート）１５終端直下（第１図中Ｘ
で表示）がブレークダウンを起す電圧よりも低くなって
いるので、ブレークオーバー破壊を防止してベース電極
（フィールドプレート）１５終端直下の基板１１の結晶
破壊を防止することができる。
領域１２の不純物濃度等を制御することにより、ベース
電極（フィールドプレート）１５終端直下（第１図中Ｘ
で表示）がブレークダウンを起す電圧よりも低くなって
いるので、ブレークオーバー破壊を防止してベース電極
（フィールドプレート）１５終端直下の基板１１の結晶
破壊を防止することができる。
第２図図示の構造ではパンチスルーを起す電圧をベース
領域１２を構成するＰ小型拡散層１２ａ及びＰ−型拡散
層１２ｂの不純物濃度だけでなく、これらの拡散層の拡
散深さによっても制御することができる。
領域１２を構成するＰ小型拡散層１２ａ及びＰ−型拡散
層１２ｂの不純物濃度だけでなく、これらの拡散層の拡
散深さによっても制御することができる。
なお、パンチスルーを起す電圧はベース領域１２の不純
物濃度は変化させずに、拡散深さを変化させるだけでも
制御することができる。
物濃度は変化させずに、拡散深さを変化させるだけでも
制御することができる。
実施例３
第３図は本発明を適用したフィールドプレート構造のダ
イオードの断面図である。第３図において、Ｎ型シリコ
ン基板２１の主面にはＰ型拡散層２２が形成されている
。このＰ型拡散層２２内にはパンチスルーを起すための
Ｎ型拡散層２３が形成されている。また、基板２１の主
面上には酸化膜２４が形成されており、前記Ｎ型拡散層
２３及びＰ型拡散層２２上の部分が選択的にエツチング
されてコンタクトホールが開孔されている。そして、こ
のコンタクトホールを介してＰ型拡散層２２及びＮ型拡
散層２３と接続する電極（フィールドプレート）２５が
形成されている。この電極２５は酸化膜２４上を基板２
１とＰ型拡散層２２との接合面上端の上方を越えて外側
へ所定距離延長して形成され、フィールドプレート構造
となっている。更に、基板２１の裏面には裏面電極２６
が形成されている。
イオードの断面図である。第３図において、Ｎ型シリコ
ン基板２１の主面にはＰ型拡散層２２が形成されている
。このＰ型拡散層２２内にはパンチスルーを起すための
Ｎ型拡散層２３が形成されている。また、基板２１の主
面上には酸化膜２４が形成されており、前記Ｎ型拡散層
２３及びＰ型拡散層２２上の部分が選択的にエツチング
されてコンタクトホールが開孔されている。そして、こ
のコンタクトホールを介してＰ型拡散層２２及びＮ型拡
散層２３と接続する電極（フィールドプレート）２５が
形成されている。この電極２５は酸化膜２４上を基板２
１とＰ型拡散層２２との接合面上端の上方を越えて外側
へ所定距離延長して形成され、フィールドプレート構造
となっている。更に、基板２１の裏面には裏面電極２６
が形成されている。
実施例４
第４図は第３図の変形例であり、ＰＷ拡散層２２を高濃
度のＰ＋型拡散層２２ａと低濃度のＰ−型拡散層２２ｂ
とで構成し、Ｐ−型拡散層２２ｂとＮ型拡散層２３とが
接合を形成するようにした以外は第３図図示のダイオー
ドと同様な構造を有している。
度のＰ＋型拡散層２２ａと低濃度のＰ−型拡散層２２ｂ
とで構成し、Ｐ−型拡散層２２ｂとＮ型拡散層２３とが
接合を形成するようにした以外は第３図図示のダイオー
ドと同様な構造を有している。
実施例５
第５図は更に第４図の変形例であり、Ｐ型拡散層２２を
構成するＰ＋型拡散層２２ａとＰ−型拡散層２２ｂとの
拡散深さを比較して、Ｐ＋型拡散層２２ａは相対的に深
く、Ｐ−型拡散層２２ｂは相対的に浅く拡散されている
以外は第４図図示のダイオードと同様の構造を有してい
る。
構成するＰ＋型拡散層２２ａとＰ−型拡散層２２ｂとの
拡散深さを比較して、Ｐ＋型拡散層２２ａは相対的に深
く、Ｐ−型拡散層２２ｂは相対的に浅く拡散されている
以外は第４図図示のダイオードと同様の構造を有してい
る。
第３図〜第５図図示のダイオードにおいて、電極２５に
負、裏面電極２６に正の電圧をそれぞれ印加すると、空
乏層は基板２１とＰ型拡散層２２とのＰＮ接合部に形成
され、基板２１側の空乏層２７ａ、、Ｐ型拡散層２２側
の空乏層２７ｂのように拡がる。このＰ型拡散層２２側
の空乏層２７ｂがさらに拡がると、パンチスルーを起す
ために設けられたＮ型拡散層２３まで到達してパンチス
ルーが起り、これによりブレークダウンが開始する。
負、裏面電極２６に正の電圧をそれぞれ印加すると、空
乏層は基板２１とＰ型拡散層２２とのＰＮ接合部に形成
され、基板２１側の空乏層２７ａ、、Ｐ型拡散層２２側
の空乏層２７ｂのように拡がる。このＰ型拡散層２２側
の空乏層２７ｂがさらに拡がると、パンチスルーを起す
ために設けられたＮ型拡散層２３まで到達してパンチス
ルーが起り、これによりブレークダウンが開始する。
そして、上記のようにパンチスルーを起す電圧は、電極
（フィールドプレート）２５終端直下（第３図中Ｘで表
示）がブレークダウンを起す電圧よりも低くなるように
設定されているので、ブレークオーバー破壊を防止して
電極（フィールドプレート）２５終端直下の基板２１の
結晶破壊を防止することができる。
（フィールドプレート）２５終端直下（第３図中Ｘで表
示）がブレークダウンを起す電圧よりも低くなるように
設定されているので、ブレークオーバー破壊を防止して
電極（フィールドプレート）２５終端直下の基板２１の
結晶破壊を防止することができる。
第４図図示の構造では、Ｐ型拡散層２２をＰ＋型拡散層
２２ａとＰ−型拡散層２２ｂとで構成しているので、空
乏層２７ｂはＰ＋型拡散層２２ａではあまり拡がらない
が、Ｐ−型拡散層２２ｂでほかなり拡がり、パンチスル
ーはＰ″″型拡散拡散層２２ｂ型拡散層２３との間で起
り易くなる。
２２ａとＰ−型拡散層２２ｂとで構成しているので、空
乏層２７ｂはＰ＋型拡散層２２ａではあまり拡がらない
が、Ｐ−型拡散層２２ｂでほかなり拡がり、パンチスル
ーはＰ″″型拡散拡散層２２ｂ型拡散層２３との間で起
り易くなる。
このように、パンチスルーの起る電圧をＰ型拡散層２２
の不純物濃度を変化させることにより制御することがで
きる。
の不純物濃度を変化させることにより制御することがで
きる。
第５図図示の構造ではパンチスルーを起す電圧をＰ型拡
散層２２を構成するＰ＋型拡散層２２ａ及びＰ−型拡散
層２２ｂの不純物濃度だけでなく、これらの拡散層の拡
散深さによっても制御することができる。
散層２２を構成するＰ＋型拡散層２２ａ及びＰ−型拡散
層２２ｂの不純物濃度だけでなく、これらの拡散層の拡
散深さによっても制御することができる。
なお、パンチスルーを起す電圧はＰ型拡散層２２の不純
物濃度は変化させずに、拡散深さを変化させるだけでも
制御することができる。
物濃度は変化させずに、拡散深さを変化させるだけでも
制御することができる。
以上詳述した如く本発明によれば、フィールドプレート
構造を採用して、比較的浅い拡散深さで高耐圧を確保す
るとともに、ブレークオーバー破壊を起さない長寿命の
半導体装置を提供できるものである。
構造を採用して、比較的浅い拡散深さで高耐圧を確保す
るとともに、ブレークオーバー破壊を起さない長寿命の
半導体装置を提供できるものである。
第１図は本発明の実施例１におけるフィールドプレート
構造の高耐圧バイポーラトランジスタの断面図、第２図
は本発明の実施例２におけるフィールドプレート構造の
高耐圧バイポーラトランジスタの断面図、第３図は本発
明の実施例３におけるフィールドプレート構造の高耐圧
ダイオードの断面図、第４図は本発明の実施例４におけ
るフィールドプレート構造の高耐圧ダイオードの断面図
、第５図は本発明の実施例５におけるフィールドプレー
ト構造の高耐圧ダイオードの断面図、第６図は従来のフ
ィールドプレート構造の高耐圧バ・ｒポーラトランジス
タの断面図である。 １１・・・Ｎ型シリコン基板、１２・・・ベース領域、
１２ａ・・・Ｐ中型拡散層、１２ｂ・・・Ｐ″″型拡散
層、１３・・・Ｎ串型エミッタ領域、１４・・・酸化膜
、１５・・・ベース電極（フィールドプレート）、１６
・・・エミッタ電極、１７・・・コレクタ電極、１８ａ
・・・基板側の空乏層、１８ｂ・・・ベース領域側の空
乏層、２１・・・Ｎ型シリコン基板、２２・・・Ｐ型拡
散層、２２ａ・・・Ｐ中型拡散層、’ ２２ ｂ・・・
Ｐ−型拡散層、２３・・・Ｎ型拡散層、２４・・・酸化
膜、２５・・・電極（フィールドプレート）、２６・・
・裏面電極、２７ａ・・・基板側の空乏層、２７ｂ・・
・Ｐ型拡散層側の空乏層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ＠６図
構造の高耐圧バイポーラトランジスタの断面図、第２図
は本発明の実施例２におけるフィールドプレート構造の
高耐圧バイポーラトランジスタの断面図、第３図は本発
明の実施例３におけるフィールドプレート構造の高耐圧
ダイオードの断面図、第４図は本発明の実施例４におけ
るフィールドプレート構造の高耐圧ダイオードの断面図
、第５図は本発明の実施例５におけるフィールドプレー
ト構造の高耐圧ダイオードの断面図、第６図は従来のフ
ィールドプレート構造の高耐圧バ・ｒポーラトランジス
タの断面図である。 １１・・・Ｎ型シリコン基板、１２・・・ベース領域、
１２ａ・・・Ｐ中型拡散層、１２ｂ・・・Ｐ″″型拡散
層、１３・・・Ｎ串型エミッタ領域、１４・・・酸化膜
、１５・・・ベース電極（フィールドプレート）、１６
・・・エミッタ電極、１７・・・コレクタ電極、１８ａ
・・・基板側の空乏層、１８ｂ・・・ベース領域側の空
乏層、２１・・・Ｎ型シリコン基板、２２・・・Ｐ型拡
散層、２２ａ・・・Ｐ中型拡散層、’ ２２ ｂ・・・
Ｐ−型拡散層、２３・・・Ｎ型拡散層、２４・・・酸化
膜、２５・・・電極（フィールドプレート）、２６・・
・裏面電極、２７ａ・・・基板側の空乏層、２７ｂ・・
・Ｐ型拡散層側の空乏層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ＠６図
Claims (4)
- （１）第１導電型の半導体基板主面に形成された第２導
電型の拡散層と、該第２導電型の拡散層内に形成された
第１導電型の拡散層と、基板主面上に形成された絶縁膜
と、該絶縁膜に設けられた開孔部を介して少なくとも前
記第２導電型の拡散層と接続され、前記絶縁膜上を基板
と第２導電型の拡散層との接合面上端の上方を越えて外
側に所定距離延長して形成された電極とを有するフィー
ルドプレート構造の半導体装置において、ブレークダウ
ンが生じる場合は前記第２導電型の拡散層内部でのパン
チスルーにより開始するようにしたことを特徴とする半
導体装置。 - （２）電極が第２導電型の拡散層及び第１導電型の拡散
層に接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。 - （３）第２導電型の拡散層が高濃度不純物領域と低濃度
不純物領域とで構成されることを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項記載の半導体装置。 - （４）第２導電型の拡散層が拡散深さの深い領域と拡散
深さの浅い領域とで構成されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項又は第２項記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212852A JPS6272163A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 半導体装置 |
| EP86113188A EP0216380B1 (en) | 1985-09-26 | 1986-09-25 | Semiconductor device with a field plate electrode structure |
| DE8686113188T DE3682640D1 (de) | 1985-09-26 | 1986-09-25 | Halbleiteranordnung mit einer feldplattenelektrodenstruktur. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212852A JPS6272163A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6272163A true JPS6272163A (ja) | 1987-04-02 |
Family
ID=16629385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60212852A Pending JPS6272163A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0216380B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6272163A (ja) |
| DE (1) | DE3682640D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02235339A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-18 | Fuji Electric Co Ltd | バイポーラトランジスタ |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1205094B (it) * | 1987-06-25 | 1989-03-10 | Sgs Microelettronica Spa | Dispositivo a semiconduttore a strato epitassiale sottile comprendente un transistore bipolare planare di tipo pnp verticale con strato sepolto a drogaggio differenziato |
| JPH01135068A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nec Corp | トランジスタ |
| US5557125A (en) * | 1993-12-08 | 1996-09-17 | Lucent Technologies Inc. | Dielectrically isolated semiconductor devices having improved characteristics |
| US5880511A (en) * | 1995-06-30 | 1999-03-09 | Semtech Corporation | Low-voltage punch-through transient suppressor employing a dual-base structure |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3959812A (en) * | 1973-02-26 | 1976-05-25 | Hitachi, Ltd. | High-voltage semiconductor integrated circuit |
| GB1573309A (en) * | 1976-03-24 | 1980-08-20 | Mullard Ltd | Semiconductor devices and their manufacture |
| JPS53132275A (en) * | 1977-04-25 | 1978-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor device and its production |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP60212852A patent/JPS6272163A/ja active Pending
-
1986
- 1986-09-25 DE DE8686113188T patent/DE3682640D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-25 EP EP86113188A patent/EP0216380B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02235339A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-18 | Fuji Electric Co Ltd | バイポーラトランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0216380B1 (en) | 1991-11-27 |
| EP0216380A3 (en) | 1987-12-09 |
| EP0216380A2 (en) | 1987-04-01 |
| DE3682640D1 (de) | 1992-01-09 |
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