JPS621262B2 - - Google Patents
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- JPS621262B2 JPS621262B2 JP7849379A JP7849379A JPS621262B2 JP S621262 B2 JPS621262 B2 JP S621262B2 JP 7849379 A JP7849379 A JP 7849379A JP 7849379 A JP7849379 A JP 7849379A JP S621262 B2 JPS621262 B2 JP S621262B2
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- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプレーナ形サイリスタに係り、特に高
耐圧のプレーナ形サイリスタにおける特性安定化
に有用な構造に関する。
耐圧のプレーナ形サイリスタにおける特性安定化
に有用な構造に関する。
プレーナ形サイリスタ、特に400Vを越える高
耐圧プレーナ形サイリスタの実際の製造における
トラブルは、適正設計のなされた製品においては
ほとんどが表面劣化現象に起因するものと云つて
よい。なかでも、直流高温バイアス試験（以下
DCBTと呼ぶ）において発生する電流リーク不良
が最大のものである場合が多い。
耐圧プレーナ形サイリスタの実際の製造における
トラブルは、適正設計のなされた製品においては
ほとんどが表面劣化現象に起因するものと云つて
よい。なかでも、直流高温バイアス試験（以下
DCBTと呼ぶ）において発生する電流リーク不良
が最大のものである場合が多い。
上記の表面劣化現象としてはいくつかの要因が
知られている。例えば、DCBTにより素子を被覆
するSiO2膜等絶縁膜中の可動イオンがドリフト
する現象に起因するもの、あるいは絶縁膜表面へ
の電極から電荷が拡がる現象に起因するもの等が
よく知られている。
知られている。例えば、DCBTにより素子を被覆
するSiO2膜等絶縁膜中の可動イオンがドリフト
する現象に起因するもの、あるいは絶縁膜表面へ
の電極から電荷が拡がる現象に起因するもの等が
よく知られている。
本発明は、従来知られているそれらの表面劣化
要因を注意深い製造プロセスで除去したプレーナ
形サイリスタになお残存している表面劣化を詳細
に検討中見い出した実験的事実に基づき、後に詳
述するような新しい劣化要因に対する技術的対策
を吟味して得られたものである。
要因を注意深い製造プロセスで除去したプレーナ
形サイリスタになお残存している表面劣化を詳細
に検討中見い出した実験的事実に基づき、後に詳
述するような新しい劣化要因に対する技術的対策
を吟味して得られたものである。
本発明は、一主面に第１の主電極を有し該一主
面側から他主面側に突き抜ける領域を有する一導
電型の第１の領域と、該第１の領域とＰ−Ｎ接合
している逆導電型の第２の領域、と該第２の領域
へ他主面側から延在している一導電型の第３の領
域と、該第３の領域へ延在している逆導電型の第
４の領域と、前記第２の領域の他主面側から延在
し前記第３の領域を取り囲むように配置した逆導
電型の高濃度不純物領域とを備えたプレーナ形サ
イリスタにおいて、前記高濃度不純物領域の寸法
は、表面幅が第２の領域の少数キヤリアの拡散長
よりも大きく、深さが第４の領域のそれと同等も
しくはそれより大であることを特徴とするプレー
ナ形サイリスタにある。
面側から他主面側に突き抜ける領域を有する一導
電型の第１の領域と、該第１の領域とＰ−Ｎ接合
している逆導電型の第２の領域、と該第２の領域
へ他主面側から延在している一導電型の第３の領
域と、該第３の領域へ延在している逆導電型の第
４の領域と、前記第２の領域の他主面側から延在
し前記第３の領域を取り囲むように配置した逆導
電型の高濃度不純物領域とを備えたプレーナ形サ
イリスタにおいて、前記高濃度不純物領域の寸法
は、表面幅が第２の領域の少数キヤリアの拡散長
よりも大きく、深さが第４の領域のそれと同等も
しくはそれより大であることを特徴とするプレー
ナ形サイリスタにある。
例えば、突き抜け領域を有するＰ形アノード領
域、Ｎ形ベース領域、Ｐ形ベース領域、およびＮ
形カソード領域の４層を備え、さらに前記Ｎ形ベ
ース領域の表面の一部領域より内部に拡がり、前
記Ｐ形ベース領域を取り囲むように配置せられた
輪状のＮ形高濃度不純物領域を有するプレーナ形
サイリスタにおいて前記輪状のＮ形高濃度不純物
領域に関してその表面幅がＮ形ベース領域の少数
キヤリアの拡散長よりも大きく、かつその深さが
Ｎ形カソード領域のそれと同等もしくはそれより
大であることを特徴とする。
域、Ｎ形ベース領域、Ｐ形ベース領域、およびＮ
形カソード領域の４層を備え、さらに前記Ｎ形ベ
ース領域の表面の一部領域より内部に拡がり、前
記Ｐ形ベース領域を取り囲むように配置せられた
輪状のＮ形高濃度不純物領域を有するプレーナ形
サイリスタにおいて前記輪状のＮ形高濃度不純物
領域に関してその表面幅がＮ形ベース領域の少数
キヤリアの拡散長よりも大きく、かつその深さが
Ｎ形カソード領域のそれと同等もしくはそれより
大であることを特徴とする。
以下、本発明の実施例の詳細につき、説明する
が次の順番で行う。先ず、DCBTの安定化のして
顕著な効果を示すことが経験上知られているＮベ
ース表面に形成する高濃度N+層リング（以下N+
チヤネルストツパーと呼ぶ）についての従来の技
術的な解釈を述べ、その解釈に基づくN+チヤネ
ルストツパーの設計上のポイントをまとめる。そ
れは本発明の実施例の構造が一見従来構造に類似
しているかに見えるが、その構造を設計する上
で、素子設計者の工学的なベースが従来構造とは
全く異つたものであることを明確にするためであ
る。その次に、発明者が最近の検討で見い出した
表面劣化の要因について説明する。それは後述す
る本発明の構造の独創性を明僚に説明するためで
ある。
が次の順番で行う。先ず、DCBTの安定化のして
顕著な効果を示すことが経験上知られているＮベ
ース表面に形成する高濃度N+層リング（以下N+
チヤネルストツパーと呼ぶ）についての従来の技
術的な解釈を述べ、その解釈に基づくN+チヤネ
ルストツパーの設計上のポイントをまとめる。そ
れは本発明の実施例の構造が一見従来構造に類似
しているかに見えるが、その構造を設計する上
で、素子設計者の工学的なベースが従来構造とは
全く異つたものであることを明確にするためであ
る。その次に、発明者が最近の検討で見い出した
表面劣化の要因について説明する。それは後述す
る本発明の構造の独創性を明僚に説明するためで
ある。
従来のN+チヤネルストツパー１は第１図に示
すように、Ｎベース２の表面のほぼ中央付近に阻
止接合を取り囲むように形成されていた。それ
は、通常、半導体装置の設計で広く用いられてい
る高濃度チヤネルストツパーと同様に、DCBTに
よりＮベース１の表面に形成されるＰ形反転層が
アノードＰ層３とＰベース層４とをＮベース表面
で短絡させて阻止能力を喪失する事に対する技術
的な対策と考えられていた。すなわち、Ｎベース
１はバルク、素子を被覆する絶縁膜（図中記載な
し）をゲート膜アノードＰ層３をソース（もしく
はドレイン）、Ｐベース層４をドレイン（もしく
はソース）とする寄生Ｐチヤネル形MOSFETの
チヤネルをN+チヤネルストツパー１を設けるこ
とで切断し、表面電流リークの発生を防止せしめ
ようとするものである。該チヤネルストツパー１
をＮベース１の表面の中央付近に形成するのは、
プレーナ形サイリスタの順方向、逆方向共、阻止
能力を確保するためで、該ストツパー１を設ける
ことの表面劣化防止に対する設計上の意味は、従
来の技術的な解釈に基づけば、MOSFETデバイ
ス設計の教えるところと同じであり、次の通りで
ある。
すように、Ｎベース２の表面のほぼ中央付近に阻
止接合を取り囲むように形成されていた。それ
は、通常、半導体装置の設計で広く用いられてい
る高濃度チヤネルストツパーと同様に、DCBTに
よりＮベース１の表面に形成されるＰ形反転層が
アノードＰ層３とＰベース層４とをＮベース表面
で短絡させて阻止能力を喪失する事に対する技術
的な対策と考えられていた。すなわち、Ｎベース
１はバルク、素子を被覆する絶縁膜（図中記載な
し）をゲート膜アノードＰ層３をソース（もしく
はドレイン）、Ｐベース層４をドレイン（もしく
はソース）とする寄生Ｐチヤネル形MOSFETの
チヤネルをN+チヤネルストツパー１を設けるこ
とで切断し、表面電流リークの発生を防止せしめ
ようとするものである。該チヤネルストツパー１
をＮベース１の表面の中央付近に形成するのは、
プレーナ形サイリスタの順方向、逆方向共、阻止
能力を確保するためで、該ストツパー１を設ける
ことの表面劣化防止に対する設計上の意味は、従
来の技術的な解釈に基づけば、MOSFETデバイ
ス設計の教えるところと同じであり、次の通りで
ある。
(1) N+ストツパー１の幅Ｗは一義的な意味を持
たない。すなわち、加工作業の能力の許すかぎ
り、狭くしてよい。
たない。すなわち、加工作業の能力の許すかぎ
り、狭くしてよい。
(2) 表面Ｐ形反転層（チヤネル）の形成は次の(A)
式で与えられるように、深さxjにも一義的な意
味を持たない。
式で与えられるように、深さxjにも一義的な意
味を持たない。
ここでXdmax：反転層直下の最大空乏層
幅、ＮD：バルクドナー濃度、φｓ（inv）：表
面電位、εｏ：真空中の誘電率、Ks：比誘電
率、δ：電荷量。
幅、ＮD：バルクドナー濃度、φｓ（inv）：表
面電位、εｏ：真空中の誘電率、Ks：比誘電
率、δ：電荷量。
すなわち、例えばN+ストツパー１をカソー
ドN+層５と同一の深さに形成する理由はあく
までも、それがプロセス上簡単であるためであ
る。
ドN+層５と同一の深さに形成する理由はあく
までも、それがプロセス上簡単であるためであ
る。
(3) N+ストツパー１上のSiO2膜等絶縁膜（図
中、記載なし）は寄生MOSFETのターンオン
電圧を高くすると云う意味から膜厚は厚い方が
望ましい。持に、絶縁膜表面に電荷が電極から
拡がる要因を想定した場合そうである。
中、記載なし）は寄生MOSFETのターンオン
電圧を高くすると云う意味から膜厚は厚い方が
望ましい。持に、絶縁膜表面に電荷が電極から
拡がる要因を想定した場合そうである。
DCBTにおける表面劣化の要因を前述したよう
に、絶縁膜中の可動イオンのドリフトまたは電極
からの絶縁膜表面への電荷の拡がり、もしくは樹
脂レジン中の可動イオンの絶縁膜表面への集中等
諸要因を想定するかぎり、妥当なように思われ
る。
に、絶縁膜中の可動イオンのドリフトまたは電極
からの絶縁膜表面への電荷の拡がり、もしくは樹
脂レジン中の可動イオンの絶縁膜表面への集中等
諸要因を想定するかぎり、妥当なように思われ
る。
しかしながら、最近の我々の詳細な検討によ
り、上述の要因では、(i)N+ストツパーの表面を
反転させるには量的に不足であること、および(ii)
それらの要因以外の劣化要因を想定しないと実験
的事実に対する解釈のつじつまが合わないことが
判明した。さらに諸実験事実と突き合わせ詳細な
検討を加えた結果、新しい劣化要因として、ホツ
トエレクトロンの結晶表面から絶縁膜中への注入
による表面反転層の形成現象を仮定すると十分劣
化要因たり得ることを見い出した。1015〜1018cm
-2程度の絶縁膜中のホツトエレクトロンの捕獲準
位密度を仮定さえすれば（十分考えられるオーダ
ーである）、DCBTにより表面反転層の形成が可
能であり、それにより表面劣化が誘起され得る。
すなわち絶縁膜へホツトエレクトロンが注入され
るためには、(a)エレクトロンを供給するメカニズ
ム、(b)エレクトロンにエネルギーを与え、ある確
率でエレクトロンを結晶表面から放出せしめるメ
カニズムおよび、(c)放出されたエレクトロンを絶
縁膜中において、捕獲するメカニズムの３つが備
わらなければならないが、発明者の解析により、
DCBT時の表面空乏層内では、それが量的に十分
可能であることが判明した。
り、上述の要因では、(i)N+ストツパーの表面を
反転させるには量的に不足であること、および(ii)
それらの要因以外の劣化要因を想定しないと実験
的事実に対する解釈のつじつまが合わないことが
判明した。さらに諸実験事実と突き合わせ詳細な
検討を加えた結果、新しい劣化要因として、ホツ
トエレクトロンの結晶表面から絶縁膜中への注入
による表面反転層の形成現象を仮定すると十分劣
化要因たり得ることを見い出した。1015〜1018cm
-2程度の絶縁膜中のホツトエレクトロンの捕獲準
位密度を仮定さえすれば（十分考えられるオーダ
ーである）、DCBTにより表面反転層の形成が可
能であり、それにより表面劣化が誘起され得る。
すなわち絶縁膜へホツトエレクトロンが注入され
るためには、(a)エレクトロンを供給するメカニズ
ム、(b)エレクトロンにエネルギーを与え、ある確
率でエレクトロンを結晶表面から放出せしめるメ
カニズムおよび、(c)放出されたエレクトロンを絶
縁膜中において、捕獲するメカニズムの３つが備
わらなければならないが、発明者の解析により、
DCBT時の表面空乏層内では、それが量的に十分
可能であることが判明した。
第２図は、上記現象による劣化の例を示したも
のである。DCBTにより、Ｎベース２の表面にＰ
形反転層６が形成され、その状態でアノードＰ層
３を基準にしてカソードＮ層５に負電位−ＶRを
印加した場合（プレーナ形サイリスタにとつて逆
阻止状態）を考えると、逆バイアス接合に形成さ
れた広い空乏層７と該反転層６との間はN+スト
ツパー１の近傍で局部的に極めて近接した状態に
なつている。Ｐベース層４に接続した反転層６エ
ミツタ、Ｎベース２をベース、アノードＰ層３を
コレクタとする寄生バイポーラトランジスタは、
N+ストツパー１の近傍で局部的に電流利得が上
昇している。そのために、順方向側にストレスを
加えたDCBTにもかかわらず、逆方向側阻止能力
が上記の局部的な表面破壊のために下落させられ
る。その下落の度合は容易に直観されるように寄
生バイポーラトランジスタの電流利得に直結して
おり、それはよく知られているように主として実
効ベース幅とＮベース層２との少数キヤリア（ホ
ール）の拡散長との兼ね合いで決定される。該実
効ベース幅は、形状から分かるようにN+チヤネ
ルストツパー１の幅Ｗ、および深さxjに関係して
いる。発明者の表面劣化要因に対する解析結果に
基づけば、従来のN+チヤネルストツパー設計の
常識と異なり、ストツパーの幅ｗ及び深さxjは素
子安定化の重要な要素であることが分かる。
のである。DCBTにより、Ｎベース２の表面にＰ
形反転層６が形成され、その状態でアノードＰ層
３を基準にしてカソードＮ層５に負電位−ＶRを
印加した場合（プレーナ形サイリスタにとつて逆
阻止状態）を考えると、逆バイアス接合に形成さ
れた広い空乏層７と該反転層６との間はN+スト
ツパー１の近傍で局部的に極めて近接した状態に
なつている。Ｐベース層４に接続した反転層６エ
ミツタ、Ｎベース２をベース、アノードＰ層３を
コレクタとする寄生バイポーラトランジスタは、
N+ストツパー１の近傍で局部的に電流利得が上
昇している。そのために、順方向側にストレスを
加えたDCBTにもかかわらず、逆方向側阻止能力
が上記の局部的な表面破壊のために下落させられ
る。その下落の度合は容易に直観されるように寄
生バイポーラトランジスタの電流利得に直結して
おり、それはよく知られているように主として実
効ベース幅とＮベース層２との少数キヤリア（ホ
ール）の拡散長との兼ね合いで決定される。該実
効ベース幅は、形状から分かるようにN+チヤネ
ルストツパー１の幅Ｗ、および深さxjに関係して
いる。発明者の表面劣化要因に対する解析結果に
基づけば、従来のN+チヤネルストツパー設計の
常識と異なり、ストツパーの幅ｗ及び深さxjは素
子安定化の重要な要素であることが分かる。
第３図はこれまでに述べた考察に基づき行つた
本発明の実施例による構造を示す断面図である。
従来のこの関係の構造に比較して、設計上次の２
点が明確に相異している。
本発明の実施例による構造を示す断面図である。
従来のこの関係の構造に比較して、設計上次の２
点が明確に相異している。
(イ) Ｎベース２内の少数キヤリア（ホール）の拡
散長をLpとするとき、N+ストツパー１の幅Ｗ
は少くともＷLpの関係を満足するように形
成されている。
散長をLpとするとき、N+ストツパー１の幅Ｗ
は少くともＷLpの関係を満足するように形
成されている。
(ロ) N+ストツパーの深さxjは、プロセス上可能
な限りより深くせしめるように形成されてい
る。
な限りより深くせしめるように形成されてい
る。
以上のような本発明の実施例による構造におい
てN+ストツパーの形成にあたり上記の設計上の
注意を特に払う理由は、DCBTで形成される表面
反転層により発生する寄生バイポーラトランジス
タの電流利得を低下せしめ、阻止能力の確保およ
び素子を安定化せしめるためである。本発明によ
ればN+ストツパー幅Ｗを大きく設計しなければ
ならないが、それによるペレツト収率の低下は例
えば300ｍＡ以上の高耐圧プレーナ形サイリスタ
においては差程の量ではなく、それによつてもた
らされる素子安定化の波及によるメリツトの方が
実際上はるかに大きく、本発明は十分な実用性を
有している。
てN+ストツパーの形成にあたり上記の設計上の
注意を特に払う理由は、DCBTで形成される表面
反転層により発生する寄生バイポーラトランジス
タの電流利得を低下せしめ、阻止能力の確保およ
び素子を安定化せしめるためである。本発明によ
ればN+ストツパー幅Ｗを大きく設計しなければ
ならないが、それによるペレツト収率の低下は例
えば300ｍＡ以上の高耐圧プレーナ形サイリスタ
においては差程の量ではなく、それによつてもた
らされる素子安定化の波及によるメリツトの方が
実際上はるかに大きく、本発明は十分な実用性を
有している。
第１図は従来の構造を説明するためのサイリス
タの断面図、第２図は本発明が対象としている表
面劣化現象を説明するためのサイリスタの断面
図、第３図は本発明の一実施例を説明するための
サイリスタの断面図である。 尚、図において、１……高濃度Ｎ形拡散層、２
……低濃度Ｎ形バルク、３……Ｐ形拡散層（突き
抜け部分を有する層）、４……Ｐ形拡散層、５…
…高濃度Ｎ形拡散層、６……Ｐ形表面反転層、７
……空乏層。
タの断面図、第２図は本発明が対象としている表
面劣化現象を説明するためのサイリスタの断面
図、第３図は本発明の一実施例を説明するための
サイリスタの断面図である。 尚、図において、１……高濃度Ｎ形拡散層、２
……低濃度Ｎ形バルク、３……Ｐ形拡散層（突き
抜け部分を有する層）、４……Ｐ形拡散層、５…
…高濃度Ｎ形拡散層、６……Ｐ形表面反転層、７
……空乏層。
Claims (1)
- １ 一主面に第１の主電極を有し該一主面側から
他主面側に突き抜ける領域を有する一導電型の第
１の領域と、該第１の領域とＰ−Ｎ接合している
逆導電型の第２の領域と、該第２の領域へ他主面
側から延在している一導電型の第３の領域と、該
第３の領域へ延在している逆導電型の第４の領域
と、前記第２の領域の他主面側から延在し前記第
３の領域を取り囲むように配置した逆導電型の高
濃度不純物領域とを備えたプレーナ形サイリスタ
において、前記高濃度不純物領域の寸法は、表面
幅が第２の領域の少数キヤリアの拡散長よりも大
きく、深さが第４の領域のそれと同等もしくはそ
れより大であることを特徴とするプレーナ形サイ
リスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7849379A JPS562668A (en) | 1979-06-21 | 1979-06-21 | Planar type thyristor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7849379A JPS562668A (en) | 1979-06-21 | 1979-06-21 | Planar type thyristor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS562668A JPS562668A (en) | 1981-01-12 |
| JPS621262B2 true JPS621262B2 (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=13663493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7849379A Granted JPS562668A (en) | 1979-06-21 | 1979-06-21 | Planar type thyristor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS562668A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016613U (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-04 | トヨタ自動車株式会社 | 自動車のドアベルトモ−ル取付け装置 |
| JP2521745Y2 (ja) * | 1990-07-20 | 1997-01-08 | シャープ株式会社 | フォトサイリスタ |
| JPH0465461U (ja) * | 1990-10-16 | 1992-06-08 |
-
1979
- 1979-06-21 JP JP7849379A patent/JPS562668A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS562668A (en) | 1981-01-12 |
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