JPS6271346A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置に係り、特にパスライン等のように
複数種類の信号を伝播する信号線を有する半導体装置に
関する。

（発明の技術的背景とその問題点〕 従来の半導体装置においては、第１図に示すように、デ
ータバスラインＤＢに、複数のデータラインＤＬ１〜Ｄ
ＬｏがトライステートゲートＴ１〜Ｔｏを介して接続さ
れている。これらトライステートゲートＴ１心Ｔ。はそ
れぞれイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮｎが入力されている
。データラインＤＬ　　〜ＤＬ　　にはデータ信号Ｄ１
〜Ｄｏがそｎ れぞれ入力されている。

データバスラインＤＢ上にあるデータ信号Ｄｉを出力し
たい場合には、そのデータ信号Ｄｉが入力されているデ
ータラインＤＬ、のトライステートゲートＴ・へのイネ
ーブル信号ＥＮ、をＨレベルとし、他のイネーブル信号
ＥＮ１〜ＥＮ、、。

ＥＮｉ＋１〜ＥｎをＬレベルとする。これによりデータ
ラインＤＬ、のみがデータバスラインＤＢに接続され、
データ信号り、がデータバスラインＤＢに出力される。

すなわち、第８図に示すようにイネーブル信号ＥＮ１を
Ｈレベルとすればデータ信号５１がデータバスラインＤ
Ｂに出力され、イネーブル信号ＥＮ２をＨレベルとすれ
ばデータ信号５２がデータバスラインＤＢに出力され、
イネーブル信号ＥＮ、をＨレベルとずればデータ信号百
　がデータバスラインＤＢに出力される。

しかしながら第８図に示すようにいずれのデータ信号百
、〜５゜も出力しない状態、すなわちすべてのイネーブ
ル信号ＥＮ１〜ＥＮｏがＬレベルになると、トライステ
ートゲートＴ１〜ＴｏによりデータバスラインＤＢには
いずれのデータラインＤし１〜ＤＬ、が接続されなくな
り、データバスラインＤＢの出力信号はハイインピーダ
ンス状態となる。したがって、データバスラインＤＢに
接続されているゲート（図示せず）は入力信号が不定の
ために、構成しているｐチャンネルＭＯＳトランジスタ
、ＮチャンネルＭＯ３ｔ−ランジスタが共に導通状態に
なり、貫−！！１電流が流れる場合がある。このため消
費電力が増大するという問題があった。

〔発明の目的〕

本発明は上記事情を考慮してなされたもので、パスライ
ン等の信号線に常に一定の信号を出力して低消費電力で
動作させることのできる半導体装置を提供することを目
的とする。

〔発明の概及〕

上記目的を達成するため本発明は、複数２種類の信号を
伝播する信号線と、前記複数種類の信号が入力端から入
力され、前記信号線に出力端が共通接続され、制御信号
により前記入力端と前記出力端が開閉制御される複数の
ゲートとを備え、前記複数ゲートのうちいずれかのゲー
トに入力した信号を前記信号線に送出する半導体装置に
おいて、前記制御信号により制御され、前記複数のゲー
トの入力端と出力端がすべて開状態の場合に前記信号線
に所定の信号を出力する手段を備えたことを特徴とする
。

〔発明の実施例〕

本発明の一実施例による半導体装置を第１図に示す。信
号線であるデータバスラインＤＢに複数のデータライン
Ｄし１〜ＤＬｏがトライステートゲートＴ１〜Ｔｏを介
して接続されている。これらトライステートゲート下１
〜Ｔｏにはそれぞれイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ、が入
力されている。

データラインＯＬ　　−ＯＬ　　にはデータ信号Ｄ１ｎ 〜百　がそれぞれ入力されている。本実施例ではデータ
バスラインＤＢにトライステートゲートＴｏを介してラ
インＬがさらに接続されている。

ラインしの他端には一定電圧、例えば接地電圧■　が印
加されている。トライステートゲートＳ Ｔｏの制御端にはＮＯＲゲートＧ１が接続され、このＮ
ＯＲゲートＧ１には全てのイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ
、が入力されている。

次に動作を説明する。イネーブル信号ＥＮ、〜ＥＮ　　
のいずれかがＨレベルであれば、その日しベルであるイ
ネーブル信号ＥＮ、が入力されている１〜ライステート
ゲートＴ１によりデータラインＤＬ・がデータバスライ
ンＤＢに接続され、データ信号Ｄ・が出力される。この
ときトライステートゲートＴ。にはＬレベルが入力され
ているため、ラインＬはデータバスラインＤＢに接続さ
れない。

イネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ、のすべてがＬレベルにな
ると、トライステートゲートＴ１〜Ｔ。

はすべて閉状態となり、データラインＤＬ、〜ＤＬ、は
すべてデータバスラインＤＢと遮断状態となる。しかし
ながらすべてのイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮｏがＬレベ
ルとなるとＮＯＲゲートＧ１の出力信号は１」レベルと
なり、トライステートゲートＴ。によりラインＬがデー
タバスラインＤＢに接続され、Ｈレベルの信号がデータ
バスラインＤＢに出力される。

このように本実施例によればすべてのイネーブル信号Ｅ
′Ｎ１〜ＥＮ、がＬレベルになってもデータバスライン
ＤＢには常に所定電圧が印加され、不定状態になること
はない。したがってデータバスラインＤＢに接続された
ゲートに貫通電流が流れることなく、低消１１力で動作
させることができる。

第２図に示すようにトライステートゲート丁。

のかわりにｐチャンネルＭＯＳトランジスタＱ。

を設けてもよい。ｐチャンネルＭＯＳトランジスタＱ、
のドレインはデータバスラインＤＢに接続され、ソース
はうインＬを介して電源Ｖ００に接続されている。ゲー
トにはＯＲゲートＧ２が接続されている。このＯＲゲー
トＧ２にはすべてのイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ、が入
力されている。

イネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ、のいずれかがＨレベルの
ときはＯＲゲートＧ２の出力信号はＨレベルとなりｐチ
ャンネルＭＯＳトランジスタＱ。

は遮断状態にある。しかしすべてのイネーブル信号ＥＮ
１〜ＥＮｏがＬレベルになるとＯＲゲートＧ２の出力信
号はＬレベルとなり、ｐチャンネルＭＯＳトランジスタ
Ｑ、は導通状態となりデータバスラインＤＢには電源電
位Ｖ。８、すなわちＨレベルの信号が出力される。

第３図に示すようにｐチャンネルＭＯＳトランジスタＱ
、の代わりにＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ、を用
いてもよい。このＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱＮ
のソースはデータバスラインＤＢに接続され、ドレイン
は接地されている。

ゲートはＮＯＲゲートＧ３が接続されている。

ＮＯＲゲートＧ３にはすべてのイネーブル信号ＥＮ１〜
ＥＮｏが入力されている。

イネーブル信号ＥＮ、〜ＥＮｏのいずれかがＨレベルの
ときはＮＯＲゲートＧ３の出力信号はＬレベルとなり、
ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱＮは遮断状態にある
。しかしすべてのイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ、がＬレ
ベルになるとＮＯＲゲートＧ３の出力信号はＨレベルと
なり、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱＮは導通状態
となりデータバスラインＤＢには接地電位■ｓｓ、すな
わちＬレベルの信号が出力される。

本発明の他の実施例による半導体装置を第４図に示す。

本実施例ではイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ　　ｆｆｉ’
Ｌレベルのときにデータ信号Ｄ１〜Ｄ。

を出力するように定めである。したがって、トライステ
ートゲートＴ１１〜”ｉｎは、第１図とは逆に、制御端
にＬレベルが入力したときにデータラインＯＬ、〜ＤＬ
、をデータバスラインＤＢに接続し、制ａ端にＨレベル
が入力したときに、データラインＤＬ、〜ＤＬｎをデー
タバスラインＤＢに接続しないようにしている。データ
バスラインＤＢには、トライステートゲート”１０を介
してラインＬが接続されている。ラインＬの他端には一
定電圧、例えば接地電位■８．が印加されている。トラ
イステートゲートＴ１０の制御端にはＮＡＮＤゲートＧ
１１゛が接続され、このＮＡＮＤゲートＧ１１には全て
のイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮｏが入力されている。

次に動作を説明する。イネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮｏの
いずれかがＬレベルであれば、そのＬレベルであるイネ
ーブル信号ＥＮｉが入力されているトライステートゲー
トＴ１；によりデータラインＣＬ、がデータバスライン
ＤＢに接続され、デーり信号百・が出力される。このと
きトライステートゲートＴ１ｏの制御端にはＨレベルが
入力されているため、ラインしはデータバスラインＤＢ
に接続されない。

イネーブル信＠ＥＮ１１〜Ｅ　Ｎ　ｉｎのすべてがＨレ
ベルになると、トライステートゲートＴ１１〜Ｔ１ｎは
すべて開状態となり、データラインＤし１〜ＤＬｏはす
べてデータバスラインＤＢと遮断状態となる。しかしな
がらすべてのイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮｏがＨレベル
となるとＮＡＮＤゲートＧ１１の出力信号はＬレベルと
なり、トライステートゲートＴ１ｏによりラインＬがデ
ータバスラインＤＢに接続され、ＨＬレベルの信号がデ
ータバスラインＤＢに接続される。

このように本実施例によればすべてのイネーブル信号Ｅ
Ｎ１１〜ＥＮ１．がＨレベルになってもデータバスライ
ンＤ［３には常に所定電圧が印加され、不定状態になる
ことはない。したがってデータバスラインＤＢに接続さ
れたゲートに貫通電流が流れることなく、低消費電力で
動作させることができる。

第５図に示すようにトライステートゲートＴ１゜のかわ
りにｐチャンネルＭＯＳトランジスタＱｐを設けてもよ
い。ｐチャンネルＭＯ８１〜ランジスタＱ　のドレイン
はデータバスラインＤＢに接続され、ソースはラインＬ
を介して電源ＶＤＤに接続されている。ゲートにはＮＡ
ＮＤゲートＧ１２が接続されている。このＮＡＮＤゲー
トＧ１２にはすべてのイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮｎが
入力されている。

イネーブル信＠ＥＮ１〜ＥＮｏのいずれかがＬレベルの
ときはＮＡＮＤゲートＧ１２の出力信号はＨレベルとな
りｐチャンネルＭＯＳトランジスタＱ　は遮断状態にあ
る。しかしすべてのイネ−プル信号ＥＮ１〜ＥＮｏがＨ
レベルになるとＮＡＮＤゲートＧ１２の出力信号はＬレ
ベルになり、ｐチャンネルＭＯＳトランジスタＱＩ）は
導通状態となりデータバスラインＤＢには電源電位Ｖ。

０、すなわちＨレベルの信号が出力される。

第６図に示すようにｐチャンネルＭＯＳトランジスタＱ
ｐの代わりにＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱＮを用
いてもよい。このＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱＮ
のソースはデータバスラインＤＢに接続され、ドレイン
は接地されている。

ゲートはＡＮＤゲートＧ１３が接続されている。

ＡＮＤゲートＧ１３にはすべてのイネーブル信号ＥＮ１
〜ＥＮ、が入力されている。

イネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮ、のいずれかがＬレベルの
ときはＡＮＤゲートＧ１３の出力信号はＬレベルとなり
、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱＮは遮断状態にあ
る。しかしすべてのイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮｎがＨ
レベルになるとＡＮＤゲートＧ１３の出力信号はＨレベ
ルとなり、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＯＮは導通
状態となりデータバスラインＤＢには接地電位ｖＳ３、
すなわちＬレベルの信号が出力される。

〔発明の効果〕

以上の通り本発明によれば制−信号の状態にかかわらず
信号線に常に一定の信号を出力することができ、この信
号線を不定状態にすることがない。

したがって信号線に接続されたゲート等に間通電流が流
れることなく、低消費電力で動作させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による半導体装置の回路図、
第２図、第３図は同半導体装置の変形例を示す回路図、
第４図は本発明の他の実施例による半導体装置の回路図
、第５図、第６図は同半導体装置の変形例を示す回路図
、第７図は従来の半導体装置の回路図、第８図は同半導
体装置の動作を示すタイムチャートである。 ＤＢ・・・データバスライン、ＤＬ１〜ＤＬｏ・・・デ
ータライン、Ｔｏ、■１１〜Ｔｏ、Ｔ１ｏ、Ｔ１１〜Ｔ
１ｎ・・・トライステートゲート、Ｑ、・・・ｐチャン
ネルＭＯＳトランジスタ、ＱＮ・・・ＮチャンネルＭＯ
Ｓトランジスタ、ＥＮ１〜Ｅ　Ｎ　ｎ・・・イネーブル
信号、Ｄ１〜Ｄｎ・・・データ信号。 躬　１　図 第２図　　　男３（￥］ Ｇｌ＋ 男４図 躬５図　　　　　　　第６図 蜀７閏 第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 複数種類の信号を伝播する信号線と、前記複数種類の信
   号が入力端から入力され、前記信号線に出力端が共通接
   続され、制御信号により前記入力端と前記出力端が開閉
   制御される複数のゲートとを備え、前記複数ゲートのう
   ちいずれかのゲートに入力した信号を前記信号線に送出
   する半導体装置において、 前記制御信号により制御され、前記複数のゲートの入力
   端と出力端がすべて開状態の場合に前記信号線に所定の
   信号を出力する手段を備えたことを特徴とする半導体装
   置。