JPS6265349A - 電子装置 - Google Patents

電子装置

Info

Publication number
JPS6265349A
JPS6265349A JP20421285A JP20421285A JPS6265349A JP S6265349 A JPS6265349 A JP S6265349A JP 20421285 A JP20421285 A JP 20421285A JP 20421285 A JP20421285 A JP 20421285A JP S6265349 A JPS6265349 A JP S6265349A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mark
aluminum plate
package
heat
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20421285A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Tamaki
玉木 幸雄
Izumi Tezuka
手塚 泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP20421285A priority Critical patent/JPS6265349A/ja
Publication of JPS6265349A publication Critical patent/JPS6265349A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体集積回路の如き電子装置に関する。
〔背景技術〕
高密度実装可能な半導体集積回路(以下においてICと
いう)のパッケージとしてrGA I NJ(1980
年3月発行、発行所株式会社日立製作所P15)に示す
ようなものが知られている。
上記パッケージのIC=にプリント基板に実装する場合
、赤外線リフロー法と呼ばれる方法が採用されることが
ある、この方法は、プリント基板上の所定位置にIC?
:位置決めし、その上部からおよそ10秒間にわたって
赤外線を照射する。そして、赤外線の熱によって半田を
溶し、ICの外部接続ビンと回路パターンとを導電可能
に接続するものである。
上記り70−法について本発明者等が検討したところに
よると、次に述べるような問題が発生することが判明し
た。
すなわち、第9図に示すICIの封止体2は黒色である
ため、赤外線の熱を吸収しやすい。半田3の融点は18
0″0程度であるが、金属を用いた外部接続ビン4を2
35℃程度まで加熱する。この際、刺止体表面Aが25
5℃〜260℃程度まで上昇してしまう。
そし王、封止体2と外部接続ビン4とは熱膨張係数が異
るので、図示のように刺止体2と外部接続ビン4との接
触面、換言すれば界面において間隙Bが生じてしまう。
ちなみに、外部接続ビン4として用いられる鋼材の熱膨
張係数は、l 7.OX 10  cm/ cmo  
であり、当業者に4270イとして知られている合金の
熱膨張係数は4.2 X 10 cm/cm’0である
一方、刺止体(パッケージ)として用いられるエポキシ
系樹脂及びシリコン系樹脂の熱膨張係数は20〜50 
X 10 cm/cmυである。
上述のように、外部接続ビンとして用いられる金属と刺
止体、すなわちパッケージとし℃用いられる樹脂とは熱
膨張係数に差があるので、上述のような間隙Bが発生し
やすい。
上記間隙Bが発生すると、ICIの使用中において、第
1O図に矢印で示すように間1!iBから水分が浸透し
、ワイヤー5を介してICチップ6に到達してしまい、
耐湿性が低下する一因となる。
上記水分の浸透は、第10図に示すタブ吊りリード7に
ついても同様に発生するので、工C1について2系統の
水分浸透が行われることKなる。なお、8は回路パター
ン、9はプリント基板である。
上記現象はICIの信頼性を著しく低下せしめるもので
好ましくない。
ところで、本願出願人は、この発明に先立ってマーク部
以外のパッケージ表面に白色系の塗料を塗布し、パッケ
ージの吸熱を低減する技術を提案した。上記パッケージ
では、パッケージ表面に白色系塗料で封止体の黒色が浮
彫のとなるよ5に型番等のマークを形成しているのであ
るが、マークの外R部に白色系塗料のにじみが発生した
場合、マークの文字の太さが細くなり、マークが判別不
用能になったり、確認しにくいといった不具合が発生す
ることが判明した。
〔発明の目的〕
本発明は、上記の如き水分の浸透による信頼性の低下を
低減し、かつマーク等の認識が容易な電子装置を提供す
ることにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔発明の概要〕
本願におい℃開示される発明のうち代表的なものの概要
を蘭単に述べれば、下記のとおりである。
すなわち、電子装置のパッケージ表面にアルミニウム等
の熱反射率の良好な金属板等を接着し、赤外線リフロ一
時におけるパッケージへの熱吸収を低減することにより
、電子装置の信頼性を向上せしめる、という本発明の目
的を達成するものである。
さらに、熱反射率の良好な金属板の表面に黒色塗料でマ
ークを印刷したりあるいは、上記金属板にマークを打ち
抜いておくパッケージ表面の黒色を浮き立てる手段によ
りマークを形成するため、マークの文字の太さは細くな
らず、また、にじみも発生しないことにより、コントラ
ストの良いマークが形成でき、マーク認識が容易となる
〔実施例−1〕 以下、第1図〜第4図を参照して本発明を適用した電子
装置の第1実施例を説明する。なお、第1図はICの外
形を示す側面図、第2図はICの平面図、第3図はマー
ク塗布の一例を示す平面図、第4図は熱反射状況を示す
要部の断面図である。
本実施例の特徴は、ICのパッケージ表面にアルミニウ
ム板を接着したことにある。
第1図及び第2図に示すように、ICIIのパッケージ
120表面には、接着剤13によって一枚のアルミニウ
ム板14が接着されている。接着面積は、パッケージ1
2の表面の全域にわたっていろ。なお、15はICII
の外部接続ピンである。上記接着剤13としては、レジ
ン材等のパッケージ12をおかさずアルミニウムにも接
着容易なポリイミド系、エポキシ系の接着剤が好適であ
る。
そして、アルミニウム板140表面には、第3図に示す
ように黒色塗料によって文字Aが形成され1いるが、こ
の場合アルミニウム板14の熱反射率か高いので上記の
如き文字やマーク等は犬ぎく形成して認識性を良好とし
ても熱反射効果は悪化しないのでマークは大きく形成す
ることができる。マークを小としても銀色に光るアルミ
ニウム板14と黒色マークとはコントラストがよく、マ
ークインクににじみが発生してもマーク文字そのものを
印刷するため、文字の太さは細くならない、また、マー
クは、アルミニウム板を打ち抜いて形成し下地のレジン
色を浮き彫りとしても良く、マーク認識は上記マークの
印刷よりさらに確実になる。非常に見やすい。
次に、第4図について熱反射の働きを説明する。
実装時において、各外部接続ピン15はプリント基板2
1上に形成された回路パターン22上に配置される。こ
の状態で矢印り方向から赤外線が照射されると、半田2
3が溶融して両名の接続が行われる。この間、各外部接
続ピン15は上述の如く加熱されるのであるが、パッケ
ージ12自体の温度はアルミニウム板14の熱反射によ
り低減される。
従って、両者の界面における熱膨張に大差がなくなり、
第9図について述べたような間隙Bが発生しない。ちな
みに、接着剤13とパッケージ12との接着面の温度は
210℃以下に低下させることができ、上記の如き間隙
Bの発生が減少する。
ここでアルミニウム板14を採用した理由を述べると、
白色系であるため熱反射率が高いこと、生産コストが安
価であること等が挙げられるが、加工性がよく薄膜化に
適している、等の理由もある。また、アルミニウム板1
4は、板状体に限定されず、アルミニウム箔であっても
よい。更に熱反射率の良好な他の金属、或いは白色のセ
ラミック等を用いることも可能である。
〔実施例−2〕 次に、第5図を参照して本発明の第2実施例を述べる。
なお、本実施例と上記第1実施例との相違は、アルミニ
ウム板14に代えて表面白色又は熱反射率の高い金属性
テープを熱反射用に用いたことにある。
テープ310表面は白色系であり、その下面には接着剤
32が塗布されている。そして、パッケージ120表面
に上記テープ31を矢印方向から接着し、カッター33
等で切断する。上記テープ31はアルミニウム箔等が好
ましいが、他の材質であってもよい。
この場合も、上記第1実施例と同様に、パッケージ12
の熱吸収を低減することができ、I C1lの耐湿性を
良好にすることができる。
さらに、マークは上記実施例1と同じようにすれば、マ
ーク認識は確実にできる。
なお、本発明が適用されるICは、外形、パッケージの
形状等にかかわりなく適用することができる。以下に、
本発明の応用例として、各種ノ<ツケージへの適用例を
説明する。
〔実施例−3〕 以下、第6図〜第8図を参照して本発明の第3実施例を
述べる。
第6図はデュアルインチ4ン型IC41への応用例を示
すものである。パッケージ420表面には、上記実施例
と同様のアルミニウム板14が接着剤13によって接着
されている。なお、43は外部接続ピンである。
これにより、赤外線リフロー法による実装時において、
上記同様の熱反射が行われ、上記同様に耐湿性を良好に
することができる。
第7図はスモールアウトラインパッケージと呼ばれるI
C51への適用例を示すものである。パッケージ520
表面には、上記同様にアルミニウム板14が接着剤13
によって接着され曵いる。
なお、53は外部接続ピンである。
これにより、赤外線リフロー法による実装時において、
上記同様の熱反射が行われ、上記同様に耐湿性を良好に
することができる。
第8図はフラットパッケージと呼ばれるI C61への
適用例を示すものである。パッケージ62の表面には、
上記同様にアルミニウム板14が接着剤13によって接
着されている。なお、63は外部接続ビンである。
これにより、赤外線リフロー法による実装時罠おいて、
上記同様の熱反射が行われ、上記同様に耐湿性を良好に
することができる。
以上に本発明を適用したICの実施例を述べたが、アル
ミニウム板をパッケージの表面に接着した場合、注目す
べき効果が得られる。
すなわち、アルミニウム板は実装時においては、赤外線
を反射して熱吸収を低減せしめるよ5に作用する。
一方、実装終了後ICに通電された場合、ICチップか
ら発生した熱を外部に放射するように作用する。換言す
れば、上記アルミニウム板は、ICが動作中には放熱板
とし曵機能すること罠なり、ICの動作を安定化させる
ものである。
〔効 果〕
(1) ICのパッケージ表面にアルミニウム板等の熱
反射率の良好な物Ixを接着することにより、赤外線リ
フロー法等の加熱によるプリント基板への実装時におい
てアルミニウム板が熱反射を行うので、パッケージの熱
膨張が低減されることになり、外部接続ビン等の金属部
分との間の間隙発生が減少する、という効果が得られる
[2J  上記+11により、外部接続ビン、タブ吊り
リード等を介しての水分浸透がなく、ICの信頼性が向
上する、という効果が得られる。
(3)  パッケージ表面にアルミニウム板を接着する
ことにより、通電時におけるICの熱がアルミニウム板
を介して効率的に空気中に放射されることになり、IC
の回路動作が安定化される、という効果が得られる。
(41白色系のアルミニウム板に、黒色でマーキングを
施こしであるため、両者のコントラストが良好になり、
かつ、マーク文字そのものと印刷又は打ち抜いて形成す
るため、文字太さの目減りが低減でき文字、マーク等の
目視が容易になる、という効果が得られる。
以上に、本発明者によってなされた発明を実施例にもと
づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で櫛々変
更可能であることはいうまでもない。
例えば、アルミニウム板に表示されるマークは赤色系等
のアルミニウムとのコントラストが明確になる色であっ
てもよい。
更K、第3実施例で述べた各パッケージの表面に白色プ
ラスチック等の反射の良好な物質を接着してもよい。
〔利用分野〕
以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である赤外線リフロー法
によって実装されるICに適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、アルミニウム板
江上記のように放熱効果があることから他の各種ICに
も利用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を適用したICの第ト実施例〉示す側面
図を示し、 第2図は上記ICの表面形状を示す平面図を示し、 第3図は上記ICへのマーク塗布状況を示す平面図を示
し、 第4図は上記ICの熱反射作用を示すICの要部の断面
図を示し、 第5図は本発明の第2実施例を示すICの側面図を示し
、 第6図は本発明の第3実施例として示すICの1の応用
例を示す斜視図を示し、 第7図は本発明の第3実施例として示すIcの2の応用
例を示す斜視図を示し、 第8図は本発明の第3実施例として示すICの3の応用
例を示す斜視図を示し、 第9図は本発明に光重って検討されたICの要部の断面
図を示し、 第10図は上記ICKおける水分の浸透状況を示す要部
の平面図を示す。 11.41,51.61・・・IC,12,42゜52
.62・・・パッケージ、13.32・・・接着剤、1
4・・・アルミニウム板、15,43,53.63・・
・外部接続ビン、16・・・ワイヤー線、17・・・I
Cチップ、21・・・プリント基板、22・・・回路パ
ターン、23・・・中日、31・・・アルミ箔、L・・
・赤外線。 第  1  図 第  2  図 第  3  図 第  4  図 L Z 第  5  図 第  6  図 第  7  図 第  8  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(1)半導体チップを収納する封止体と、(2)上
    記封止体の外側面から外部に突出して設けられた上記半
    導体チップの外部接続端 子と、 (3)上記封止体の上記外部接続端子の突出面とは異な
    った側面のうちの少なくとも上側 に熱硬化性接着剤を介して接着された熱反 射物質と、 をそれぞれ具備し、上記封止体の少なくとも上面から照
    射される熱を上記熱反射物質によって反射するように構
    成したことを特徴とする電子装置。 2、上記熱反射物質が白色系の色彩を帯びた金属板から
    なることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子
    装置。 3、上記熱反射物官がアルミニウム板で構成されたこと
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子装置。 4、上記熱反射物質が上記封止体の上面全域にわたって
    接着されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の電子装置。
JP20421285A 1985-09-18 1985-09-18 電子装置 Pending JPS6265349A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20421285A JPS6265349A (ja) 1985-09-18 1985-09-18 電子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20421285A JPS6265349A (ja) 1985-09-18 1985-09-18 電子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6265349A true JPS6265349A (ja) 1987-03-24

Family

ID=16486691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20421285A Pending JPS6265349A (ja) 1985-09-18 1985-09-18 電子装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6265349A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0681306A1 (de) * 1994-05-05 1995-11-08 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Elektrisches Bauelement
WO2002099728A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-12 Siemens Aktiengesellschaft Bauteil, verwendung eines solchen bauteils sowie verfahren zum codieren einer elektrischen baugruppe

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0681306A1 (de) * 1994-05-05 1995-11-08 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Elektrisches Bauelement
WO2002099728A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-12 Siemens Aktiengesellschaft Bauteil, verwendung eines solchen bauteils sowie verfahren zum codieren einer elektrischen baugruppe

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20050253228A1 (en) Method for encapsulation of a chipcard and module obtained thus
US6093894A (en) Multiconductor bonded connection assembly with direct thermal compression bonding through a base layer
IE830707L (en) Semiconductor device
JP3092575B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6265349A (ja) 電子装置
JPS6320135Y2 (ja)
JP2570381B2 (ja) フレキシブルプリント基板へのicチツプ搭載構造
JPH09312358A (ja) Icパッケージ
CN100505232C (zh) 晶片承载器及其晶片封装体
JP3519994B2 (ja) 混成集積回路装置およびその製造方法
JPH05166949A (ja) 樹脂封止半導体装置のパッケージのマーキング方法
JPH08264910A (ja) 放熱板付きプリント配線板の作製方法及びプリント配線板へのハイパワー部品の実装方法
JP3024886B2 (ja) チップキャリア
JPH0263143A (ja) 半導体素子パッケージ
JPS6334281Y2 (ja)
JP3408395B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2870366B2 (ja) リードフレームへのフィルム貼付け装置
JP2516394Y2 (ja) 半導体装置
JPS60200534A (ja) 半導体装置
JPH0267788A (ja) 半導体装置の実装方法
JPS6352431A (ja) フイルムキヤリアパツケ−ジ
JPH09223767A (ja) リードフレーム
JPH0625008Y2 (ja) 半導体装置
JPH0231436A (ja) 半導体装置
JPH02119167A (ja) 樹脂封止型半導体装置