JPS6258054B2 - - Google Patents
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- JPS6258054B2 JPS6258054B2 JP2998482A JP2998482A JPS6258054B2 JP S6258054 B2 JPS6258054 B2 JP S6258054B2 JP 2998482 A JP2998482 A JP 2998482A JP 2998482 A JP2998482 A JP 2998482A JP S6258054 B2 JPS6258054 B2 JP S6258054B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、信号を電荷注入の形で記録し、静
電容量変化を検出して再生する信号記録再生装置
に関する。
電容量変化を検出して再生する信号記録再生装置
に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
ビデオ信号、オーデイオ信号、データ信号等の
信号を電荷注入の形で記録する装置として、シリ
コン単結晶基板上に絶縁層を形成した記録媒体
（デイスク）を用い、この記録媒体上を相対的に
移動する導電性ヘツドを介して信号に応じた電荷
を注入するものが知られている（特開昭55−
153140）。
信号を電荷注入の形で記録する装置として、シリ
コン単結晶基板上に絶縁層を形成した記録媒体
（デイスク）を用い、この記録媒体上を相対的に
移動する導電性ヘツドを介して信号に応じた電荷
を注入するものが知られている（特開昭55−
153140）。
この方式のものは信号を幾可学的形状変化（凹
凸，ピツト等）として記録するものと比べて、記
録内容の書替えが可能であるという利点を有す
る。しかしながら、シリコン単結晶基板として例
えば直径20cm〜30cmというような大面積のものは
技術的に実現が難しいことから、デイスク１枚当
りの記録容量が十分に得られないという問題があ
る。
凸，ピツト等）として記録するものと比べて、記
録内容の書替えが可能であるという利点を有す
る。しかしながら、シリコン単結晶基板として例
えば直径20cm〜30cmというような大面積のものは
技術的に実現が難しいことから、デイスク１枚当
りの記録容量が十分に得られないという問題があ
る。
この発明の目的は、記録内容の書替えが可能で
あるとともに、記録媒体の記録容量を十分上げる
ことができる信号記録再生装置を提供することで
ある。
あるとともに、記録媒体の記録容量を十分上げる
ことができる信号記録再生装置を提供することで
ある。
この発明では、導電性基板上に光導電層および
絶縁層を順次形成してなる記録媒体を用い、この
記録媒体上を相対的に移動する導電性ヘツドを介
して記録媒体に信号電圧を印加することにより前
記絶縁層上に信号に応じた電荷を付与し、さらに
記録媒体に光を照射し光導電層を導電化せしめる
ことにより絶縁層と光導電層との界面に空間電荷
を生じせしめることによつて、信号を記録する。
一方記録された信号の再生は記録媒体上を相対的
に移動する導電性ヘツドを介して空間電荷による
記録媒体の静電容量の変化を検出することによつ
て行なうものである。
絶縁層を順次形成してなる記録媒体を用い、この
記録媒体上を相対的に移動する導電性ヘツドを介
して記録媒体に信号電圧を印加することにより前
記絶縁層上に信号に応じた電荷を付与し、さらに
記録媒体に光を照射し光導電層を導電化せしめる
ことにより絶縁層と光導電層との界面に空間電荷
を生じせしめることによつて、信号を記録する。
一方記録された信号の再生は記録媒体上を相対的
に移動する導電性ヘツドを介して空間電荷による
記録媒体の静電容量の変化を検出することによつ
て行なうものである。
この発明によれば、信号を空間電荷の蓄積の形
で記録するため、記録内容の消去、新たな記録を
容易に行なうことができるとともに、シリコン単
結晶半導体基板に代えて光導電層を用いるため、
記録媒体の大容量化が容易である。即ち、光導電
層は導電性基板上に蒸着、スパツタ等の膜形成技
術により形成できるため、記録媒体をデイスク状
にする場合、直径30cmといつたような大面積のも
のも容易に実現することができる。
で記録するため、記録内容の消去、新たな記録を
容易に行なうことができるとともに、シリコン単
結晶半導体基板に代えて光導電層を用いるため、
記録媒体の大容量化が容易である。即ち、光導電
層は導電性基板上に蒸着、スパツタ等の膜形成技
術により形成できるため、記録媒体をデイスク状
にする場合、直径30cmといつたような大面積のも
のも容易に実現することができる。
第１図はこの発明の一実施例における記録動作
を示す図である。図において、記録媒体１０は導
電性基板１１上に光導電層１２を蒸着またはスパ
ツタ等により形成し、さらにその上に絶縁層１３
を形成したもので、全体として例えばデイスク状
に形成されている。絶縁層１３の材料は特に限定
されないが、例えばテフロン（商品名）、ポリイ
ミド、ポリプロピレン等のエレクトレツト材料が
電荷保持能力の点から望ましい。
を示す図である。図において、記録媒体１０は導
電性基板１１上に光導電層１２を蒸着またはスパ
ツタ等により形成し、さらにその上に絶縁層１３
を形成したもので、全体として例えばデイスク状
に形成されている。絶縁層１３の材料は特に限定
されないが、例えばテフロン（商品名）、ポリイ
ミド、ポリプロピレン等のエレクトレツト材料が
電荷保持能力の点から望ましい。
信号記録に際しては、まず第１図ａに示すよう
に記録媒体１０上に針状の導電性ヘツド１４を当
接し、これを記録媒体１０の回転により矢印Ａ方
向に相対的に移動させながら、ヘツド１４と基板
１１との間に、記録すべき信号に応じた変化をも
つパルス状の信号電圧１５を印加する。これによ
つて、絶縁層１３上および基板１１上に互いに逆
極性の電荷１６，１７が付与される。そして次
に、第１図ｂに示すように記録媒体１０全面に絶
縁層１３側から光１８を照射し、光導電層１２を
導電化する。ここで、光導電層１２がＰ型の場合
は、第１図ａにおける信号電圧１５を正極性とす
ると、第１図ｂのプロセスで基板１１から光導電
層１２に信号に応じた負極性の空間電荷１９が注
入され、光導電層１２と絶縁層１３との界面に蓄
積される。光導電層１２がＮ型の場合は、信号電
圧１５を負極性とすることで、同様に空間電荷が
蓄積される。
に記録媒体１０上に針状の導電性ヘツド１４を当
接し、これを記録媒体１０の回転により矢印Ａ方
向に相対的に移動させながら、ヘツド１４と基板
１１との間に、記録すべき信号に応じた変化をも
つパルス状の信号電圧１５を印加する。これによ
つて、絶縁層１３上および基板１１上に互いに逆
極性の電荷１６，１７が付与される。そして次
に、第１図ｂに示すように記録媒体１０全面に絶
縁層１３側から光１８を照射し、光導電層１２を
導電化する。ここで、光導電層１２がＰ型の場合
は、第１図ａにおける信号電圧１５を正極性とす
ると、第１図ｂのプロセスで基板１１から光導電
層１２に信号に応じた負極性の空間電荷１９が注
入され、光導電層１２と絶縁層１３との界面に蓄
積される。光導電層１２がＮ型の場合は、信号電
圧１５を負極性とすることで、同様に空間電荷が
蓄積される。
このようにして、記録媒体１０に空間電荷１９
の形で信号が記録される。この記録された信号の
再生は例えば第２図の如き構成の再生回路２０に
よつて、記録媒体１０の静電容量を検出すること
で行なう。即ち、第１図ｂの状態において光導電
層１２中には空間電荷１９が蓄積された部分に空
乏層が生じ、この空乏層の静電容量は空間電荷１
９の電荷量に依存する。このとき記録媒体１０の
等価回路は第３図に示され、その厚み方向の静電
容量は絶縁層１３の静電容量C0と、空乏層容量
の変化分を含む光導電層１２の静電容量ΔＣとの
直列合成容量となる。
の形で信号が記録される。この記録された信号の
再生は例えば第２図の如き構成の再生回路２０に
よつて、記録媒体１０の静電容量を検出すること
で行なう。即ち、第１図ｂの状態において光導電
層１２中には空間電荷１９が蓄積された部分に空
乏層が生じ、この空乏層の静電容量は空間電荷１
９の電荷量に依存する。このとき記録媒体１０の
等価回路は第３図に示され、その厚み方向の静電
容量は絶縁層１３の静電容量C0と、空乏層容量
の変化分を含む光導電層１２の静電容量ΔＣとの
直列合成容量となる。
そこで、第２図に示すように記録媒体１０上を
第１図ａと同様に導電性ヘツド１４を矢印Ａ方向
に相対的に移動させるようにすると共に、このヘ
ツド１４にインダクタンス素子２３を接続して、
記録媒体１０の静電容量とこのインダクタンス素
子２３とで共振回路を構成すると、この共振回路
の共振周波数は容量ΔＣの変化に伴い第４図のよ
うに変化する。即ち、空間電荷１９によるΔＣの
変化がないときは実線４１の共振特性、ΔＣの変
化があるときは点線４２の共振特性をそれぞれ示
し、前者の共振周波数（基本共振周波数）０に
対し、後者の共振周波数はΔだけ変化する。こ
こで、インダクタンス素子２３に結合させたイン
ダクタンス素子２２を介して高周波発振器２１よ
り共振回路に周波数０の高周波信号を供給する
とともに、もう１つのインダクタンス素子２４を
介して共振回路の出力を取出すと、共振回路の出
力は共振周波数が０のときv1，０＋Δのと
きv2となる。従つて、この出力変化v0をダイオー
ド２５、コンデンサ２６および抵抗２７からなる
検波回路を通して取出すことにより、周波数変調
された再生信号を得ることができる。
第１図ａと同様に導電性ヘツド１４を矢印Ａ方向
に相対的に移動させるようにすると共に、このヘ
ツド１４にインダクタンス素子２３を接続して、
記録媒体１０の静電容量とこのインダクタンス素
子２３とで共振回路を構成すると、この共振回路
の共振周波数は容量ΔＣの変化に伴い第４図のよ
うに変化する。即ち、空間電荷１９によるΔＣの
変化がないときは実線４１の共振特性、ΔＣの変
化があるときは点線４２の共振特性をそれぞれ示
し、前者の共振周波数（基本共振周波数）０に
対し、後者の共振周波数はΔだけ変化する。こ
こで、インダクタンス素子２３に結合させたイン
ダクタンス素子２２を介して高周波発振器２１よ
り共振回路に周波数０の高周波信号を供給する
とともに、もう１つのインダクタンス素子２４を
介して共振回路の出力を取出すと、共振回路の出
力は共振周波数が０のときv1，０＋Δのと
きv2となる。従つて、この出力変化v0をダイオー
ド２５、コンデンサ２６および抵抗２７からなる
検波回路を通して取出すことにより、周波数変調
された再生信号を得ることができる。
なお、この発明において記録媒体に記録された
信号は、例えば記録媒体に交番電荷を付与するこ
とによつて空間電荷を除去することで、容易に消
去される。これにより信号を何回も繰返し記録し
直すことが可能である。
信号は、例えば記録媒体に交番電荷を付与するこ
とによつて空間電荷を除去することで、容易に消
去される。これにより信号を何回も繰返し記録し
直すことが可能である。
また、実施例では絶縁層１３を透明としたが、
導電性基板１１の方を透明にして、基板１１側か
ら光を照射してもよい。
導電性基板１１の方を透明にして、基板１１側か
ら光を照射してもよい。
第５図はこの発明を適用した信号記録再生装置
の概略図で、５０は記録媒体１０（デイスク）を
回転駆動するモータ、５１はヘツド部であり、前
述した導電性ヘツド１４等を含む記録再生ヘツド
５２および消去用の交番電荷発生器５３等からな
り、矢印Ｂに示す記録媒体１０の半径方向に移動
可能となつている。
の概略図で、５０は記録媒体１０（デイスク）を
回転駆動するモータ、５１はヘツド部であり、前
述した導電性ヘツド１４等を含む記録再生ヘツド
５２および消去用の交番電荷発生器５３等からな
り、矢印Ｂに示す記録媒体１０の半径方向に移動
可能となつている。
第１図はこの発明の一実施例に係る信号記録再
生装置の記録動作を示す図、第２図は同じく再生
動作を示す図、第３図は同実施例における記録媒
体の等価回路図、第４図は同実施例における共振
回路の共振特性の変化を示す図、第５図はこの発
明を適用した信号記録再生装置の概略図である。 １０……記録媒体、１１……導電性基板、１２
……光導電層、１３……透明絶縁層、１４……導
電性ヘツド、１５……信号電圧、１９……空間電
荷、２０……再生回路。
生装置の記録動作を示す図、第２図は同じく再生
動作を示す図、第３図は同実施例における記録媒
体の等価回路図、第４図は同実施例における共振
回路の共振特性の変化を示す図、第５図はこの発
明を適用した信号記録再生装置の概略図である。 １０……記録媒体、１１……導電性基板、１２
……光導電層、１３……透明絶縁層、１４……導
電性ヘツド、１５……信号電圧、１９……空間電
荷、２０……再生回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性基板上に光導電層および絶縁層を順次
形成してなる記録媒体と、この記録媒体上を相対
的に移動する導電性ヘツドを介して前記記録媒体
に信号電圧を印加することにより前記絶縁層上に
信号に応じた電荷を付与する手段と、この絶縁層
上に電荷が付与された前記記録媒体に光を照射
し、前記光導電層を導電化せしめることにより前
記絶縁層と光導電層との界面に空間電荷を生じせ
しめる手段と、前記記録媒体上を相対的に移動す
る導電性ヘツドを介して前記空間電荷による前記
記録媒体の静電容量の変化を検出して信号を再生
する再生手段とを備えることを特徴とする信号記
録再生装置。 ２ 記録媒体の絶縁層はエレクトレツト材料から
なるものである特許請求の範囲第１項記載の信号
記録再生装置。 ３ 再生手段は空間電荷による記録媒体の静電容
量の変化を、この静電容量と外部インダクタンス
とで形成される共振周波数の変化として検出する
ものである特許請求の範囲第１項記載の信号記録
再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2998482A JPS58147831A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 信号記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2998482A JPS58147831A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 信号記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147831A JPS58147831A (ja) | 1983-09-02 |
| JPS6258054B2 true JPS6258054B2 (ja) | 1987-12-03 |
Family
ID=12291219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2998482A Granted JPS58147831A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 信号記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147831A (ja) |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP2998482A patent/JPS58147831A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58147831A (ja) | 1983-09-02 |
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