JPS58147826A - 信号記録再生装置 - Google Patents
信号記録再生装置Info
- Publication number
- JPS58147826A JPS58147826A JP2997282A JP2997282A JPS58147826A JP S58147826 A JPS58147826 A JP S58147826A JP 2997282 A JP2997282 A JP 2997282A JP 2997282 A JP2997282 A JP 2997282A JP S58147826 A JPS58147826 A JP S58147826A
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- JP
- Japan
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- recording medium
- signal
- recording
- recorded
- semiconductor layer
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/08—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using electrostatic charge injection; Record carriers therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明のａ術分野〕
この発明は、信号を電荷注入の形で配録し、！Ｆ ’ａ
谷蓋変化を検出して壺住する佃号砿鯰朽生装置に関する
。
谷蓋変化を検出して壺住する佃号砿鯰朽生装置に関する
。
ビデオ信号、オーディオ信号、７′−夕信号等の信号を
電荷注入の形で記録する装置として、シリコン単結晶基
板上に絶縁層を形成した記録媒体（ディスク）を用い、
この記録媒体上を相対的に移動する導電性ヘッドを介し
て信号に応じた電荷を注入するものが知られている（特
開１１８５５−１５３１４０ ）（ この方式のものは信号１に幾何学的形状変化（凹凸、ピ
ット勢）として記録するものと比べて、紀碌内容の書替
えが可能であるという利点を有する。しかしながら、シ
リコン単結晶基板として例えば直径２０ｃｍ〜３０３と
いうような大面積のものは技術的に実現が難しいことが
ら、ｆ４スク１枚当りの記録容量が十分に得られないと
いう問題がある。
電荷注入の形で記録する装置として、シリコン単結晶基
板上に絶縁層を形成した記録媒体（ディスク）を用い、
この記録媒体上を相対的に移動する導電性ヘッドを介し
て信号に応じた電荷を注入するものが知られている（特
開１１８５５−１５３１４０ ）（ この方式のものは信号１に幾何学的形状変化（凹凸、ピ
ット勢）として記録するものと比べて、紀碌内容の書替
えが可能であるという利点を有する。しかしながら、シ
リコン単結晶基板として例えば直径２０ｃｍ〜３０３と
いうような大面積のものは技術的に実現が難しいことが
ら、ｆ４スク１枚当りの記録容量が十分に得られないと
いう問題がある。
〔発明の目的〕
この発明の目的は、記録内容の書替えが可能であるとと
もに、記録媒体の記録容量を十分上けることがで唯る信
号記録再生装置を提供する〔発明の概要〕 この発明で杜、導電性基板上にアモルファスシリコンま
たはポリシリコンからなる半導体層および絶縁層を順次
形成してなる記録媒体を用い、この記録媒体の半導体層
との界面に記録すべき信号に応じて空間電荷を蓄積ぜし
めて信号を記録し、一方、記−された信号の再生は記録
媒体上を導電性ヘッドを相対的に移動せしめて、例えは
空間電荷を直接ま九は間接的に検出することによって行
なう。
もに、記録媒体の記録容量を十分上けることがで唯る信
号記録再生装置を提供する〔発明の概要〕 この発明で杜、導電性基板上にアモルファスシリコンま
たはポリシリコンからなる半導体層および絶縁層を順次
形成してなる記録媒体を用い、この記録媒体の半導体層
との界面に記録すべき信号に応じて空間電荷を蓄積ぜし
めて信号を記録し、一方、記−された信号の再生は記録
媒体上を導電性ヘッドを相対的に移動せしめて、例えは
空間電荷を直接ま九は間接的に検出することによって行
なう。
〔発明の効果」
この＠明によれは、信号ｆ：空間蒐荷の蓄積の形で記録
するため、記録内容の消去、新たな記録ｔ′谷易に行な
うことができるとと４に、シリコン単結晶基板に代えて
アモルファスシリコンまたはポリシリコンからなる半導
体層を用いるため、記録媒体の大谷量化が容易でるる。
するため、記録内容の消去、新たな記録ｔ′谷易に行な
うことができるとと４に、シリコン単結晶基板に代えて
アモルファスシリコンまたはポリシリコンからなる半導
体層を用いるため、記録媒体の大谷量化が容易でるる。
即ち、これらの半導体層はシリコン単結晶と興なシ導電
性基板上に周知の膜形成技術により形成できるため、記
伽媒体をディスク状にする場合、直径３０３といったよ
うな大面積のものも容易に実現することができる。
性基板上に周知の膜形成技術により形成できるため、記
伽媒体をディスク状にする場合、直径３０３といったよ
うな大面積のものも容易に実現することができる。
〔１発明の実施例〕
第１図はこの発明の一実施例における記録動作を示す図
である。図において、記録媒体１０はνりえはガラスの
ような絶縁性基板１１に導電Ｐｍ１２を被着した導電性
基板上に半導体層１３を形成し、さらにその上に透明絶
縁層１４を形成したもので、全体として例えにディスク
状に形成されている。ここで、半導体層１３はアモルフ
ァスシリコン（ａ−８ｉｎ）またはポリシリコンでアリ
、アモルファスシリコンの場合は導電層１２上に＃Ｎ尋
結合１Ｉｉｉ８披グロー放電等により形成され、ポリシ
リコンの場合はレーデアニール法等によυ形成される。
である。図において、記録媒体１０はνりえはガラスの
ような絶縁性基板１１に導電Ｐｍ１２を被着した導電性
基板上に半導体層１３を形成し、さらにその上に透明絶
縁層１４を形成したもので、全体として例えにディスク
状に形成されている。ここで、半導体層１３はアモルフ
ァスシリコン（ａ−８ｉｎ）またはポリシリコンでアリ
、アモルファスシリコンの場合は導電層１２上に＃Ｎ尋
結合１Ｉｉｉ８披グロー放電等により形成され、ポリシ
リコンの場合はレーデアニール法等によυ形成される。
一方、絶縁層１４はこれに限るものではないが、例えは
５ｔｏｚ膜と５ｉｓＮａ展との積層膜からなる。
５ｔｏｚ膜と５ｉｓＮａ展との積層膜からなる。
信号１碌に際しては、まず第１図（、）に示すように記
録媒体１０上に針状の導電性ヘッド１５を当接し、これ
を記録媒体１００回転により矢印入方向に相対的に移動
させながら、ヘッド１５と導電層１２との間に、記録す
べき信号に応じた変化をもつノ４１ルス状′の信号電圧
１６を印加する。これによって、絶縁層１４上および基
板１１上に互いに逆極性の電荷１１．１８が付与される
。
録媒体１０上に針状の導電性ヘッド１５を当接し、これ
を記録媒体１００回転により矢印入方向に相対的に移動
させながら、ヘッド１５と導電層１２との間に、記録す
べき信号に応じた変化をもつノ４１ルス状′の信号電圧
１６を印加する。これによって、絶縁層１４上および基
板１１上に互いに逆極性の電荷１１．１８が付与される
。
そして、第１図（ｂ）１、に示す如く電荷１８．を導電
層１２と半導体層１３との界面に９間電荷２０として注
入、蓄積せしめる０ このように９間電荷２０を蓄積するためには、半導体層
１３がＰ型の場合は第１図（ａ）におゆる信号電圧１６
を正極性とし、また半導体層ＩＪがＮ型の場合は信号電
圧１６を負極性とすれによいＯ ここで、半導体層１３がポリシリコンの場合はポリシリ
コンを通して電荷２０の注入が直接材なわれる。一方、
アモルファスシリコンの場合はキャリアの移動度が小さ
いことから、直接電荷を注入することは困欅なため、第
１図（ｂ）Ｋ示す如く九１９を照射して電荷の注入を促
進するようにする。なお、この光照射は導電性へラド１
５を介して信号電圧１６を印加するとき同時に行なって
もよいし、その後に行なってもよい０ このようにして、記録媒体１０に空間電荷２０の形で信
号が記録される。この記録された信号の再生は、例えば
第２図の如き構成の再生回路２２によって、記録媒体１
０の静電容量を検出することで行なう。即ち、第１図（
ｂ）の状態において半導体層１３中には空間電荷２０が
蓄積され九部分に空乏層が生じ、この空乏層の静電容量
は空間電荷２０の電荷量に依存する。このとき記録媒体
１０の厚み方向の静電＠童は、絶縁層１４の静電容量と
、空乏層容量の変化分を含む半導体層１３の静電容量と
の直列合成容量となる。
層１２と半導体層１３との界面に９間電荷２０として注
入、蓄積せしめる０ このように９間電荷２０を蓄積するためには、半導体層
１３がＰ型の場合は第１図（ａ）におゆる信号電圧１６
を正極性とし、また半導体層ＩＪがＮ型の場合は信号電
圧１６を負極性とすれによいＯ ここで、半導体層１３がポリシリコンの場合はポリシリ
コンを通して電荷２０の注入が直接材なわれる。一方、
アモルファスシリコンの場合はキャリアの移動度が小さ
いことから、直接電荷を注入することは困欅なため、第
１図（ｂ）Ｋ示す如く九１９を照射して電荷の注入を促
進するようにする。なお、この光照射は導電性へラド１
５を介して信号電圧１６を印加するとき同時に行なって
もよいし、その後に行なってもよい０ このようにして、記録媒体１０に空間電荷２０の形で信
号が記録される。この記録された信号の再生は、例えば
第２図の如き構成の再生回路２２によって、記録媒体１
０の静電容量を検出することで行なう。即ち、第１図（
ｂ）の状態において半導体層１３中には空間電荷２０が
蓄積され九部分に空乏層が生じ、この空乏層の静電容量
は空間電荷２０の電荷量に依存する。このとき記録媒体
１０の厚み方向の静電＠童は、絶縁層１４の静電容量と
、空乏層容量の変化分を含む半導体層１３の静電容量と
の直列合成容量となる。
そこで、第２−に示すように記録媒体ｌＯ上を第１図（
ａ）と固体に導電性ヘッド１６を矢印入方向に相対的に
移動させるようにすると共に、このへ、ド１６にインダ
クタンス素子２５を接続して、記録媒体１０の静電容量
とこのインダクタンス素子２５とで共振回路を構成する
と、この共蚕＠略の共振周波数は空乏層容量の変化に伴
い変化する。ここで、インダクタンス素子２５に結合さ
せたインダクタンス素子２４を介して高周波発振器２３
より共振回路に基本共振胸波数と同一周波数の高周波毎
号を供給するとともに、もう一つのインダクタンス素子
２６を介して共振回路の出力を取出すと、共振回路の耐
力は共振周波数の変化に伴って変化するので、この出力
変化をダイオード２７、コンデンサ２８および抵抗２９
からなる検波回路を通して取出すことによシ、周波数変
調された再生信号■。を得ることができる。
ａ）と固体に導電性ヘッド１６を矢印入方向に相対的に
移動させるようにすると共に、このへ、ド１６にインダ
クタンス素子２５を接続して、記録媒体１０の静電容量
とこのインダクタンス素子２５とで共振回路を構成する
と、この共蚕＠略の共振周波数は空乏層容量の変化に伴
い変化する。ここで、インダクタンス素子２５に結合さ
せたインダクタンス素子２４を介して高周波発振器２３
より共振回路に基本共振胸波数と同一周波数の高周波毎
号を供給するとともに、もう一つのインダクタンス素子
２６を介して共振回路の出力を取出すと、共振回路の耐
力は共振周波数の変化に伴って変化するので、この出力
変化をダイオード２７、コンデンサ２８および抵抗２９
からなる検波回路を通して取出すことによシ、周波数変
調された再生信号■。を得ることができる。
なお、この再生時に第２図に示す如く記録媒体１０に光
２１を照射すると、空乏層容量の変化による記録媒体１
０の静電容量の変化を大きく検出でき、Ｓ／Ｎのより良
好な再生毎号出力が得られる。
２１を照射すると、空乏層容量の変化による記録媒体１
０の静電容量の変化を大きく検出でき、Ｓ／Ｎのより良
好な再生毎号出力が得られる。
第３図はこの発明の他の実施例における記録動作を説明
するための図で、導電性へラド１５を用いずにレーデビ
ームのような光ビームを用いて信号を記録する場合の例
である。即ち、まず謝３図（畠）に示すように記録媒体
１０上全面に光３０を照射し半導体層１３を導電化させ
た状態で、絶縁１１１ｘ４上に一定極性の電荷３ノを付
与し、半導体Ｍ１３と絶縁層１４との界面にこれと逆極
性の電４ｔ１３２に付与する。このとき、半導体層Ｊ３
がＰ型の場合は、電荷３１を負極性、電荷３２を正極性
とし、Ｎ型の場合は逆にする。
するための図で、導電性へラド１５を用いずにレーデビ
ームのような光ビームを用いて信号を記録する場合の例
である。即ち、まず謝３図（畠）に示すように記録媒体
１０上全面に光３０を照射し半導体層１３を導電化させ
た状態で、絶縁１１１ｘ４上に一定極性の電荷３ノを付
与し、半導体Ｍ１３と絶縁層１４との界面にこれと逆極
性の電４ｔ１３２に付与する。このとき、半導体層Ｊ３
がＰ型の場合は、電荷３１を負極性、電荷３２を正極性
とし、Ｎ型の場合は逆にする。
次に、第３図（ｂ）に示すように記録媒体ｌｏ上に電荷
３１とは逆極性の電荷を与えながら、記録すべきｇｓ号
によ）変−され九レーデビーム等の光ビーム３４にレン
ズ３３にょち細く絞シ、且つ記録媒体１ｏに対し矢印入
方向に相対的に薔駒させつつ配−媒体ｌｏ上に照射する
。このとき、光ビーム３４が照射された部分でＦｉ絶縁
層１４上および半導体層１３と絶縁層１４との界面にそ
れぞれ電荷３５．３６が蓄積され、また光ビーム３４が
照射されなかった部分では半導体層１３の絶縁層１４お
よび基板１１との両界面に電荷３７．３８が蓄積される
。これらの電荷のうち、光ビーム３４が照射された部分
の半導体層１３と絶縁層１４との界面の電荷３６は空間
電荷となる。
３１とは逆極性の電荷を与えながら、記録すべきｇｓ号
によ）変−され九レーデビーム等の光ビーム３４にレン
ズ３３にょち細く絞シ、且つ記録媒体１ｏに対し矢印入
方向に相対的に薔駒させつつ配−媒体ｌｏ上に照射する
。このとき、光ビーム３４が照射された部分でＦｉ絶縁
層１４上および半導体層１３と絶縁層１４との界面にそ
れぞれ電荷３５．３６が蓄積され、また光ビーム３４が
照射されなかった部分では半導体層１３の絶縁層１４お
よび基板１１との両界面に電荷３７．３８が蓄積される
。これらの電荷のうち、光ビーム３４が照射された部分
の半導体層１３と絶縁層１４との界面の電荷３６は空間
電荷となる。
そして、第３図（ｃ）に示すように記録媒体ｌ。
上全面に光３９ｔ−照射することにより、空間電荷３６
が残り、信号が記録される。
が残り、信号が記録される。
従って、このように記録を行なっ九場合も、第２図で説
明したのと全くｌｉｌ、１様に再生が行なわれる。
明したのと全くｌｉｌ、１様に再生が行なわれる。
なお、この発明において記録媒体に記録された信号は、
例えば記録媒体に又膏電荷を付与することによって空間
電荷を除去することで、容易に消去される。これにより
信号を何回４繰返し記録し直すことが可能である。
例えば記録媒体に又膏電荷を付与することによって空間
電荷を除去することで、容易に消去される。これにより
信号を何回４繰返し記録し直すことが可能である。
Ｍ４図はこの発明を適用した信号記録再生装置の概略図
で、４０は記録媒体１ｏ（ディスク）を回転駆動するモ
ータ、４１はヘッド部であり、前述した導電性ヘッド１
４等を含む記録再生ヘッド４２と、第３図で説明した記
録を行なう九めの光学ヘッド４３および消去用の交番電
荷発生器４４等からなり、矢印Ｂに示す記録媒体１０の
半径方向に移動可能となっている。
で、４０は記録媒体１ｏ（ディスク）を回転駆動するモ
ータ、４１はヘッド部であり、前述した導電性ヘッド１
４等を含む記録再生ヘッド４２と、第３図で説明した記
録を行なう九めの光学ヘッド４３および消去用の交番電
荷発生器４４等からなり、矢印Ｂに示す記録媒体１０の
半径方向に移動可能となっている。
第１図はこの発明の一実施例に係る信号記録再生装置の
記録動作を示す図、第２図は同じく再生動作を示す図、
第３図はこの発明の他の実施例における記録動作を説明
する九めの図、第４図はこの発明を適用し良信号記録再
生装置の航路図である。 １０・・・記録媒体、１１・・・絶縁性基板、１２・・
・導電層、１３・・・半導体層、１４・・・透明絶縁層
、１５・・・導電性ヘッド、１６・・・信号電圧、２ｏ
・・・９間電荷、２２・・・再生回路、３４・・・光ビ
ーム、Ｊ６・・・９関電荷〇 出緘人代理人 弁理士 鈴 江 武 門弟１図 第２図 第３図 手続補正書 昭牝了午４０月７ 日 特許庁長官 島田春樹 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願オ ２９９’７２号 ２、発明の名称 信号記録再生装置 ３、補正をする渚 事件との関係 特許出［人 （３０７） 東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 ６、補正の苅象 明細書全文 ７、補正の内容
記録動作を示す図、第２図は同じく再生動作を示す図、
第３図はこの発明の他の実施例における記録動作を説明
する九めの図、第４図はこの発明を適用し良信号記録再
生装置の航路図である。 １０・・・記録媒体、１１・・・絶縁性基板、１２・・
・導電層、１３・・・半導体層、１４・・・透明絶縁層
、１５・・・導電性ヘッド、１６・・・信号電圧、２ｏ
・・・９間電荷、２２・・・再生回路、３４・・・光ビ
ーム、Ｊ６・・・９関電荷〇 出緘人代理人 弁理士 鈴 江 武 門弟１図 第２図 第３図 手続補正書 昭牝了午４０月７ 日 特許庁長官 島田春樹 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願オ ２９９’７２号 ２、発明の名称 信号記録再生装置 ３、補正をする渚 事件との関係 特許出［人 （３０７） 東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 ６、補正の苅象 明細書全文 ７、補正の内容
Claims (5)
- （１）４１１６基板上にアモルファスシリコンまたはポ
リシリコンからなる半導体層および絶縁ＮＩＩｔ＃１１
１次形地してなる記録媒体と、この配録媒体の半導体層
と絶縁層との界四に記録すべき記号に応じて！２１ｉ１
Ｊ ＩＩＩＬ句を壷検せしめて信号を記録する配鰺手反
と、この手段により＠号が記録された罰配配録課体上を
相対的に移動する導゛−性ヘッドを介して信号を再生す
る再生手段とｔ−儒えることｆ：付値とする１！号配蝋
丹生装置。 - （２）記録手段ｄｋ記録媒体上相対的に移動する４篭社
ヘッドを介して記録媒体に信号電圧を印加するものでる
る特肝縛求の軛Ｉ２１８第１槙配駈の傷号配−杏生鉄直
〇 - （３） 配鯨手坂は尋電社ヘッドを弁して配録媒体に
４ｒ４号亀圧を印加すると同時に、またはその依に、半
導体層と絶縁層との昇（３）への窒閾ｔＩＬ何注入を促
進するために記録媒体に光を照射するものである特軒廁
求の範１第２項配叡の信号記讃再生装置。 - （４）記録手段は記録媒体の絶縁層上に一定極性の′ｗ
ｉ、荷な付与する手段と、この電荷と逆極性の電荷を付
与しつつ記録すべき信号によシ変調された元ビームを記
録媒体上を相対的に移動させて照射する手段とを含むも
のである％許請求の範囲第１項記載の信号記録再生装置
。 - （５）再生手段は記録媒体上′４を相対的に移刷する尋
電性ヘッドを介して記録媒体の半導体層と絶縁層との昇
拘に蓄積された空ｉ＆＋］亀何による靜［谷１変化を検
出して配録された信号ｔｈ生するものである特許請求の
範囲第ｌ槍に畝の毎号ｉｉｅ録丹生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2997282A JPS58147826A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 信号記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2997282A JPS58147826A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 信号記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147826A true JPS58147826A (ja) | 1983-09-02 |
Family
ID=12290872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2997282A Pending JPS58147826A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 信号記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147826A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6577591B2 (en) * | 2000-03-31 | 2003-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP2997282A patent/JPS58147826A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6577591B2 (en) * | 2000-03-31 | 2003-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium |
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