JPS58147827A - 信号記録再生装置 - Google Patents

信号記録再生装置

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JPS58147827A
JPS58147827A JP2997382A JP2997382A JPS58147827A JP S58147827 A JPS58147827 A JP S58147827A JP 2997382 A JP2997382 A JP 2997382A JP 2997382 A JP2997382 A JP 2997382A JP S58147827 A JPS58147827 A JP S58147827A
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JP
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recorded
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JP2997382A
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JPS6258051B2 (ja
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Yasuo Hosaka
保坂 靖夫
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B13/00Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明L1信号を電荷注入の形で記録し、これを検出
して信号を再生する信号記録再生装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
ビデオ信号、オーディオ信号、データ信号等の信号を電
荷注入の形で記録する装置として、シリコン単結晶基板
上に絶縁層を形成した記録媒体(ディスク)t−用い、
この記録媒体上を相対的に移動する導電性へ、ドを介し
て信号に応じ九電荷を注入するものが知られている(%
開11855−153140’)。
この方式のものは、信号を幾何学的形状変化(凹凸、ピ
ット等)として記録するものと比べて、記録内容の書替
えが可能であるという利点を有する。しかしながら、シ
リコン単結晶基板として例えは直径20aw〜303と
いうような大面積のものは技術的、に実桟が隷しいこと
がら、ディスク1枚当9の記録容量が十分に得られない
という間亀がある。
〔発明の目的〕 この発明の目的は、記録内容の書替えが可能であるとと
もに、記録媒体の記録容iItを十分上げることができ
る信号記録再生装置を提供することである。
〔発明の概要〕
この発明では、透明導電性基板上に光導電層および絶縁
層を順次形成してなる記録媒体を用い、この記録媒体の
光導電層と絶縁層との界面に記録すべき信号に応じて空
間電荷を蓄積せしめて信号を記録し、一方、再生は配録
縁体上を導電性ヘッドを相対的に移動させて例えは空間
電荷を直接または間接的に検出することで行なうO 〔発明の効果〕 この発明によれは、信号を空間電荷の蓄積の形で記録す
るため、記録内容の消去、新たな記録を容易に行なうこ
とができるとともに、シリコン単結晶半導体基板に代え
て光導電層を用いるため、記録媒体の大容量化が容易で
ある。即ち、光導電層は導電性基板上に急増、ス・譬、
り等の膜形成技術によ多形成できるため、記録媒体をf
4スク状にする場合、直径30副といつえよつな大面積
のものも容易に夾埃することができる。
そしてさらに、記録媒体において光導電層に光を照射す
るために、導電性ヘッドを透明にし良ことによシ、絶縁
層を透明にした場合に比べて、記録状態を保持する上で
1賛な絶縁層として、電荷保持能力にすぐれた材料を透
光性の制約を受けることなく任意に選択することが可能
である。
また、光導電層への光照射を基板個から行なうことがで
きるので、絶縁層側にある導電性へ、ドによって光がさ
えき′られることがないという利点もある。
〔発明の*m例〕
181図はこの発明の一実施例における記録動作を示す
−で必る0図において、配録媒体1゜はガラスfj◆の
透明基@11上に透明導電膜IJIf豪看させた導電性
基板上に、光導電層13を蒸溜またはスノ童ツタ等によ
り形成し、さらにその上に絶縁層14を形成したもので
、全体として例えばデ、fスク状に形成されている0絶
縁層14の材料は特に限定されないが、例えばテフロン
(商品名)、4リイミド、ポリグロピレン等のエレクト
レット材料が電荷保持能力の点から望ましい。これらの
材料は特に透明であることは要求されない。
信号記録に際しては、まず第1図(a)に示すように記
録媒体10上に針状の導電性ヘッド15を当接し、これ
t記録媒体10の回転によシ矢印入方向に相対的に移動
させながら、ヘッド15と透明導電膜12との間に、記
録すべき信号に応じた変化をもつパルス状の信号電圧1
6を印加する0これによりて、絶縁層14上および基板
11上に互いに逆極性の電荷17.1gが付与される◎ そして次に、第1図(b)に示すように記録媒体10全
1[iK基板1194から光19t−照射し、光導電層
13を導電化せしめる0ここで、光導電層13がP溢の
場合は、第1図(a)における信号電圧l#を正極性と
すると、第1図(b)のプロセスで基板11惰から光導
電層J3に信号に応じた負極性の空間電荷20か注入さ
れ 光導電層13と絶縁層14との界面に蓄積される。
光導電層13がN型の場合は、信号電圧16を負極性と
することで、同様に空間電荷が蓄積される。
このようにして、記録媒体10に空間電荷20の形で信
号が記録される。この記録された信号の再生は例えは第
2図の如き構成の再生回路22によって記録媒体10の
静電容量を検出することで行なう。即ち、第1図(b)
の状態において光導電層13中には空間電荷20が蓄積
された部分に空乏層が生じ・この空乏層の靜電容蓋は空
間電荷200′#L荷量に依存する。このとき記録媒体
10の厚み方向の静電容量は絶縁層14の靜′ILv重
と、空乏層容量の変化分を含む光411E層13の静電
容量との直列合成容量となる〇 七こで、第2図に示すように記録媒体10上t−第1図
(a)と同様に導電性ヘッド16を矢印入方向に相対的
に移動させるようにすると共に、このへ、ド16にイン
ダクタンス素子25を接続して、記録媒体10の静電容
量とこのインダクタンス素子25とで共振回路を構成す
ると、この共振回路の共振周波数は空乏層容量の変化に
伴い変化する。ここでインダクタンス素子26に結合さ
せたインダクタンス素子24t−介して高周波発振器2
3よシ共振回路に基本共振周波数の高周波信号を供給す
るとともに、もう1つのインダクタンス素子26を介し
て共振回路の出力を取出すと、共振回路の出力は共振周
波数の変化によって変化する。従って、この出力変化を
ダイオード27.コンデンサ28および抵抗29からな
る検波回路を通して取出すことにより、周波数変調され
た貴生傷号V。を得ることができる。
なお、この再生に際して第2図に示すように光21t−
照射し光導電層13を導電化せしめると、空乏層容量の
変化が記録媒体10の静電容量変化として大きく取出さ
れるので、S/Hの良好な再生信号が得られる。この場
合、光21t−基板11111iから照射できるため、
導電性ヘッド16により影が生じることなく、良好な光
照射を行なうことができる。
第3図はこの発明の他の実施例における記録動作を説明
するための図で、導電性へ、ド15を用いずにレーデビ
ームのような光ビームを用いて信号を記−する場合でわ
る0即ち、まず第3図(@)に示すように記録媒体10
上全面に基板11@から光30を照射し光導電層13を
導電化させた状1で、絶縁層14上に一定極性の電荷J
Jt−付与し、光導電層ISと絶縁層14との界面にこ
れと逆極性の電荷3JIt−付与する。
このとき、光導電層13がP型の場合は、電荷31を負
極性、電′#32を正極性とし、NWの場合は逆にする
次に、第3図(b)に示すように記録媒体10上に電荷
31とは逆極性の電荷を与えながら、記録すべき信号に
より変調され九レーデビーム等の光ビーム34t−レン
ズ33によシ細く絞シ、且つ記録媒体10に対し矢印入
方向に相対的に移動させつつ記録媒体10上に基板Jl
@から照射する。このとき、光ビーム34が照射された
部分では絶縁層14上および光導電層IJと絶縁層14
との界面にそれぞれ電荷315.7gが蓄積され、また
光ビーム34が照射されなかった部分では光導電層13
の絶縁層14および基板11との肉界面に電荷37.3
8が蓄積される。これらの電荷のうち、光ビーム34が
照射された部分の光導電層13と絶縁層14との界面の
電荷36は空間電荷となる。
そして、第3図(、)に示すように記録媒体10上全面
に再び基板JJliilから光39を照射することによ
シ、第11伽)の場合と同様に空間電荷36が残り、信
号が記録されるO 従って、このように記録を行なった場合も、第2図で説
明したのと全く同様に再生を行なうことができる。
なお、この発明において記録媒体に記録された信号は、
例えば記録媒体に交書電荷を付与することによって空間
電荷管除去することで、容易に消去される。これによシ
、信号を何回も繰返し記−し直すことが可能である。
また、実施例では空間電荷による空乏層容量変化に伴う
記録媒体の静電容量変化を検出して再生を行なったが、
空間電荷を直接検出して再生を行なってもよい。
1m4図はこの発明を適用した信号記録再生装置のIa
略図で、40は記録媒体10(ディスク)を回転躯動す
るモータ、41.44はヘッド部であシ、前述した導電
性ヘッド15等を含む記録再生ヘッド42と、第2図の
紀−を行なうための光学へラド45および消去用の父誉
電荷発生器43等からな9、矢印Bに対する記―媒体1
0の牛径方向に等動可能となっている。
【図面の簡単な説明】
In1図(a) 、 (b)はこの発明の一実施例に係
る信号記録再生装置の記録動作を示す図、第2図は同じ
く再生動作を示す図、第3図(&)〜(、)はこの発明
の他の実施例における記録動作を示す図、第4図はこの
発明を適用した信号記録再生装置の概略図である。 JO・・・記録媒体、11・・・透明基板、12・・・
透明導電膜、13・・・光導電層、14・・・絶縁層、
15・・・導電性ヘッド、16・・・信号電圧、20・
・・空間電荷、22・・・再生回路、34・・・光ビー
ム、36・・・空間電荷。 出願人代理人  弁通士 鈴 江 武 門弟1図 第2図 第3図 第4図 手続補正書 昭和57年4.庁7日 特許庁長官 島田春樹  殿 1、事件の表示 昭和57年特許願オ 29973号 2・ 発明の名称 信号記録再往装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307)  東京芝浦電気株式会社 4、代理人 5、自発補正 明細書の浄IF(内容に変更なし)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透明都電性基板上に光導電層および絶縁層を顔次
    形献してなる記録媒体と、この記録媒体の光導電層と絶
    縁層とO界肉に記録すべき信号に応じて空間it荷を蓄
    積せしめて信号を配録する記録手段と、この手段によ)
    信号が記録された1111配記録媒体上を相対的に移動
    する導電性ヘッドt−介してm号を再生する再生手段を
    漏えることを特許とする(1号配録再生装置。
  2. (2)記録媒体の絶縁層はエレクトレット材料からなる
    もので今る%許#FJ求の範囲第1積記載の優号記録り
    主装置。
  3. (3)  記録手段は導電性ヘッド【ブrして記録縁体
    に信号電圧を印加する手段と、記録媒体に透明番電性基
    &餉から光を照射して光導電層を導電化せしめる手段と
    會含むものである特許請求O鵬吐第l積記載の信号記録
    再生装置。
  4. (4)記録手段は記録媒体の絶縁階上に一定極性の電荷
    を付与する手段と、記録媒体に仁の電荷と逆極性の電荷
    を付与しつつ記録すべき信号より変調された光ビームを
    記録媒体上を相対的に移動させて透明導電性基板側から
    照射する手段とを含むものである特許請求の範囲第1項
    記載の信号記録再生装置。
  5. (5)再生手段は町録媒体上を相対的に移動する導電性
    ヘッドを介して記録媒体の光4%層と絶縁層との界面に
    蓄積された空間電荷による静電容量変化を検出して、記
    録された信号を再生するものである特許請求の範囲第1
    項記載の信号記録再生装置。
  6. (6)再生手段は記録媒体上を導1を性ヘッドを相対的
    に移動させつつ記録媒体に透明導電性基板側から光を照
    射するものである%軒請求の範囲w、1狽iたは第4項
    記載の信号記録再生装置◇
JP2997382A 1982-02-26 1982-02-26 信号記録再生装置 Granted JPS58147827A (ja)

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JPS6258051B2 JPS6258051B2 (ja) 1987-12-03

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148092A (ja) * 1994-11-22 1996-06-07 Nec Corp マイクロ波管用耐電圧セラミック構造体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148092A (ja) * 1994-11-22 1996-06-07 Nec Corp マイクロ波管用耐電圧セラミック構造体

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JPS6258051B2 (ja) 1987-12-03

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