JPH08148092A - マイクロ波管用耐電圧セラミック構造体 - Google Patents
マイクロ波管用耐電圧セラミック構造体Info
- Publication number
- JPH08148092A JPH08148092A JP28773394A JP28773394A JPH08148092A JP H08148092 A JPH08148092 A JP H08148092A JP 28773394 A JP28773394 A JP 28773394A JP 28773394 A JP28773394 A JP 28773394A JP H08148092 A JPH08148092 A JP H08148092A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- corrugation
- tip
- corona ring
- ceramics
- withstand voltage
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】耐電圧特性が高くコロナリング先端から放電の
ないマイクロ波管用耐電圧セラミック構造体を提供す
る。 【構成】コルゲーション付セラミックス１３のコルゲー
ションを遮蔽するように配置されたコロナリング１２の
先端をコルゲーションの凹部と対応する位置に配置し、
コロナリング１２先端とコルゲーション付セラミックス
１３との間隔を大きくしコロナリング１２先端での電界
集中を抑制する。
ないマイクロ波管用耐電圧セラミック構造体を提供す
る。 【構成】コルゲーション付セラミックス１３のコルゲー
ションを遮蔽するように配置されたコロナリング１２の
先端をコルゲーションの凹部と対応する位置に配置し、
コロナリング１２先端とコルゲーション付セラミックス
１３との間隔を大きくしコロナリング１２先端での電界
集中を抑制する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波管用耐電圧セ
ラミック構造体に関し、特に耐電圧特性を改良したマイ
クロ波管用耐電圧セラミック構造体に関する。
ラミック構造体に関し、特に耐電圧特性を改良したマイ
クロ波管用耐電圧セラミック構造体に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のヘリックス形進行波管の一
例の概略の構成を示す断面図である。従来の進行波の構
造は、図３に示すように、陽極１には高電圧が印加され
陰極２より射出された電子はビーム成形電極１０により
電子ビーム１４を形成する。陽極１には高電圧が印加さ
れているので、電子ビーム１４は加速されてらせん状金
属材により構成される回路部４の内側を通過しコレクタ
部１９に到達し第１コレクタ電極７，第２コレクタ電極
８，第３コレクタ電極９に捕捉される。電子ビーム１４
集束用の円環状マグネット５は磁極６とともに磁気回路
を構成する。回路部４とマグネット５，磁極６は同電位
であり陽極１とほぼ同電位に保たれる。
例の概略の構成を示す断面図である。従来の進行波の構
造は、図３に示すように、陽極１には高電圧が印加され
陰極２より射出された電子はビーム成形電極１０により
電子ビーム１４を形成する。陽極１には高電圧が印加さ
れているので、電子ビーム１４は加速されてらせん状金
属材により構成される回路部４の内側を通過しコレクタ
部１９に到達し第１コレクタ電極７，第２コレクタ電極
８，第３コレクタ電極９に捕捉される。電子ビーム１４
集束用の円環状マグネット５は磁極６とともに磁気回路
を構成する。回路部４とマグネット５，磁極６は同電位
であり陽極１とほぼ同電位に保たれる。
【０００３】陽極１で加速された電子ビーム１４は回路
部４の内側を高速で通過し、入力高周波信号との相互作
用により運動エネルギーを高周波信号の電磁エネルギー
に変換する。入力窓１５は高周波窓であり、真空封止用
セラミックス１６により管球内を真空に保持したまま高
周波信号の入出力を行う。コレクタ部１９の第１コレク
タ電極７には回路部４よりも低い電圧が印加されてお
り、運動エネルギーの一部を失って遅くなった電子ビー
ム１４を捕捉する。第２コレクタ電極８には第１コレク
タ電極７よりも低い電圧が、第３コレクタ電極９には第
２コレクタ電極８よりも低い電圧が印加され、最も速い
速度の電子ビーム１４は第３コレクタ電極９で運動エネ
ルギーを落して捕捉される。これにより、コレクタ部１
９での熱損失を最小にする。
部４の内側を高速で通過し、入力高周波信号との相互作
用により運動エネルギーを高周波信号の電磁エネルギー
に変換する。入力窓１５は高周波窓であり、真空封止用
セラミックス１６により管球内を真空に保持したまま高
周波信号の入出力を行う。コレクタ部１９の第１コレク
タ電極７には回路部４よりも低い電圧が印加されてお
り、運動エネルギーの一部を失って遅くなった電子ビー
ム１４を捕捉する。第２コレクタ電極８には第１コレク
タ電極７よりも低い電圧が、第３コレクタ電極９には第
２コレクタ電極８よりも低い電圧が印加され、最も速い
速度の電子ビーム１４は第３コレクタ電極９で運動エネ
ルギーを落して捕捉される。これにより、コレクタ部１
９での熱損失を最小にする。
【０００４】陰極２とビーム成形電極１０には−１５ｋ
Ｖdcが、第１，第２，第３コレクタ電極７，８，９には
それぞれ−５ｋＶdc，−１０ｋＶdc，−１４ｋＶdcのよ
うに各電極間には高電圧が印加されるので、セラミック
ス１１で耐電圧を保持している。他の電極には０Ｖdcと
してアースされている。
Ｖdcが、第１，第２，第３コレクタ電極７，８，９には
それぞれ−５ｋＶdc，−１０ｋＶdc，−１４ｋＶdcのよ
うに各電極間には高電圧が印加されるので、セラミック
ス１１で耐電圧を保持している。他の電極には０Ｖdcと
してアースされている。
【０００５】図４は従来の電子管の耐電圧構造体の一例
の断面図である。従来の電子管の耐電圧構造体の一例が
実開昭５７−１０４４４３号公報に開示されている。こ
の耐電圧構造体は、図４に示すように、封入皿の一部に
コロナリング付封入皿１７を設けることにより耐電圧構
造体を形成している。セラミックス１１と陽極１との接
合部では通常は強電界がかかり、この電界を弱めるため
にコロナリング構造により耐電圧構造体が形成してい
る。
の断面図である。従来の電子管の耐電圧構造体の一例が
実開昭５７−１０４４４３号公報に開示されている。こ
の耐電圧構造体は、図４に示すように、封入皿の一部に
コロナリング付封入皿１７を設けることにより耐電圧構
造体を形成している。セラミックス１１と陽極１との接
合部では通常は強電界がかかり、この電界を弱めるため
にコロナリング構造により耐電圧構造体が形成してい
る。
【０００６】図５は従来のマイクロ波管の耐電圧構造体
の他の例の断面図である。従来のマイクロ波管の耐電圧
構造体の他の例が特開平４−２８００３７号公報に開示
されている。この耐電圧構造体は、図５に示すように、
陽極１と陰極２との間のセラミックスにコルゲーション
を付けることによりコルゲーション付セラミックス１３
とし耐電圧構造体を形成している。このコルゲーション
付セラミックス１３は、セラミックスと金属の陰極２側
接合部から陽極１側へ向う沿面距離を長くとることによ
り放電を起りにくくしている。
の他の例の断面図である。従来のマイクロ波管の耐電圧
構造体の他の例が特開平４−２８００３７号公報に開示
されている。この耐電圧構造体は、図５に示すように、
陽極１と陰極２との間のセラミックスにコルゲーション
を付けることによりコルゲーション付セラミックス１３
とし耐電圧構造体を形成している。このコルゲーション
付セラミックス１３は、セラミックスと金属の陰極２側
接合部から陽極１側へ向う沿面距離を長くとることによ
り放電を起りにくくしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来のコロナリン
グ構造の電子管の耐電圧構造体では、コロナリングの先
端とセラミックス間に高電界がかかり、コロナリング先
端より内側のセラミックスに向って放電が起り易いとい
う問題点があった。
グ構造の電子管の耐電圧構造体では、コロナリングの先
端とセラミックス間に高電界がかかり、コロナリング先
端より内側のセラミックスに向って放電が起り易いとい
う問題点があった。
【０００８】一方、コルゲーション構造のマイクロ波管
の耐電圧構造体でも十分な効果が得られずセラミックス
の構造が複雑になる等の問題点があった。
の耐電圧構造体でも十分な効果が得られずセラミックス
の構造が複雑になる等の問題点があった。
【０００９】さらに、コルゲーション構造とコロナリン
グ構造を単純に組み合わせてもコロナリング先端とセラ
ミックスのコルゲーションの凸部間に強電界がかかり、
コロナリング先端より放電し易いという問題点があっ
た。
グ構造を単純に組み合わせてもコロナリング先端とセラ
ミックスのコルゲーションの凸部間に強電界がかかり、
コロナリング先端より放電し易いという問題点があっ
た。
【００１０】本発明の目的は、耐電圧特性が高くコロナ
リング先端から放電のないマイクロ波管用耐電圧セラミ
ック構造体を提供することにある。
リング先端から放電のないマイクロ波管用耐電圧セラミ
ック構造体を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、外周にコルゲ
ーションが形成されたコルゲーション付セラミックス
と、このコルゲーション付セラミックスの前記コルゲー
ションを遮蔽するように配置されたコロナリングとを有
するマイクロ波管用耐電圧構造体において、前記コロナ
リングの先端が前記コルゲーション付セラミックスの前
記コルゲーションの凹部と対応する位置に配置されてい
る。
ーションが形成されたコルゲーション付セラミックス
と、このコルゲーション付セラミックスの前記コルゲー
ションを遮蔽するように配置されたコロナリングとを有
するマイクロ波管用耐電圧構造体において、前記コロナ
リングの先端が前記コルゲーション付セラミックスの前
記コルゲーションの凹部と対応する位置に配置されてい
る。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施例の一部断面側面図
である。図１に示すように陽極１と陰極２との間には、
コロナリング１２を介してコルゲーション付セラミック
ス１３がろう付け等により接合され、コロナリング１２
の先端はコルゲーション付セラミックス１３の凹部と対
応する位置に配置され所定の間隔をおいて同軸にコルゲ
ーションを取囲み遮蔽している。
である。図１に示すように陽極１と陰極２との間には、
コロナリング１２を介してコルゲーション付セラミック
ス１３がろう付け等により接合され、コロナリング１２
の先端はコルゲーション付セラミックス１３の凹部と対
応する位置に配置され所定の間隔をおいて同軸にコルゲ
ーションを取囲み遮蔽している。
【００１４】図２はコロナリング先端からの放電の発生
を説明する一部断面側面図である。図２に示すように、
一般に、等電位線１８は誘電率の低い方に押し出され
る。耐電圧用セラミックスとして広く用いられているア
ルミナセラミックスの比誘電率が８．５程度であるのに
対し真空中での比誘電率は１である。従って、コロナリ
ング構造の場合、等電位線１８はコルゲーション付セラ
ミックス１３の内部から押し出され、その結果としてコ
ロナリング１２先端とコルゲーション付セラミックス１
３側面間の電界強度が非常に強くなりコロナリング１２
先端からコルゲーション付セラミックス１３の側面に向
って放電が起り易くなる。特に、コロナリング１２の先
端がコルゲーション付セラミックス１３のコルゲーショ
ンの凸部と対応する位置に配置された場合には電界の集
中するコロナリング１２先端からコルゲーション付セラ
ミックス１３の間隔が最小となるので、コロナリング１
２先端とコルゲーション付セラミックス１３間の電界強
度が非常に強くなり放電が発生する。
を説明する一部断面側面図である。図２に示すように、
一般に、等電位線１８は誘電率の低い方に押し出され
る。耐電圧用セラミックスとして広く用いられているア
ルミナセラミックスの比誘電率が８．５程度であるのに
対し真空中での比誘電率は１である。従って、コロナリ
ング構造の場合、等電位線１８はコルゲーション付セラ
ミックス１３の内部から押し出され、その結果としてコ
ロナリング１２先端とコルゲーション付セラミックス１
３側面間の電界強度が非常に強くなりコロナリング１２
先端からコルゲーション付セラミックス１３の側面に向
って放電が起り易くなる。特に、コロナリング１２の先
端がコルゲーション付セラミックス１３のコルゲーショ
ンの凸部と対応する位置に配置された場合には電界の集
中するコロナリング１２先端からコルゲーション付セラ
ミックス１３の間隔が最小となるので、コロナリング１
２先端とコルゲーション付セラミックス１３間の電界強
度が非常に強くなり放電が発生する。
【００１５】一方、本実施例では、図１に示すように、
コロナリング１２の先端がコルゲーション付セラミック
ス１３のコルゲーションの凹部と対応する位置に配置さ
れているので、電界の集中するコロナリング１２先端と
コルゲーション付セラミックス１３の間隔が事実上長く
なるので、コロナリング１２先端とコルゲーション付セ
ラミックス間の電界が弱まり、結果としてコロナリング
１２先端の電界強度が弱められ先端からの放電が抑制さ
れる。コロナリング１２先端からコルゲート付セラミッ
クス１３までの最短距離が２倍になればコロナリング１
２先端の電界強度は１／２近くに半減する。
コロナリング１２の先端がコルゲーション付セラミック
ス１３のコルゲーションの凹部と対応する位置に配置さ
れているので、電界の集中するコロナリング１２先端と
コルゲーション付セラミックス１３の間隔が事実上長く
なるので、コロナリング１２先端とコルゲーション付セ
ラミックス間の電界が弱まり、結果としてコロナリング
１２先端の電界強度が弱められ先端からの放電が抑制さ
れる。コロナリング１２先端からコルゲート付セラミッ
クス１３までの最短距離が２倍になればコロナリング１
２先端の電界強度は１／２近くに半減する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、コロナリ
ングの先端をコルゲーション付セラミックスのコルゲー
ションの凹部と対応する位置に配置したので、コロナリ
ング先端の電界強度が弱められてコロナリング先端より
の放電が抑制され耐電圧を向上できるという効果があ
る。
ングの先端をコルゲーション付セラミックスのコルゲー
ションの凹部と対応する位置に配置したので、コロナリ
ング先端の電界強度が弱められてコロナリング先端より
の放電が抑制され耐電圧を向上できるという効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例の一部断面側面図である。
【図２】コロナリング先端からの放電の発生を説明する
一部断面側面図である。
一部断面側面図である。
【図３】従来のヘリックス形進行波管の一例の概略の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図４】従来の電子管の耐電圧構造体の一例の断面図で
ある。
ある。
【図５】従来のマイクロ波管の耐電圧構造体の他の例の
断面図である。
断面図である。
１ 陽極 ２ 陰極 ３ 封入皿 ４ 回路部 ５ マグネット ６ 磁極 ７ 第１コレクタ電極 ８ 第２コレクタ電極 ９ 第３コレクタ電極 １０ ビーム成形電極 １１ セラミックス １２ コロナリング １３ コルゲーション付セラミックス １４ 電子ビーム １５ 入力窓 １６ 真空封止用セラミックス １７ コロナリング付封入皿 １８ 等電位線 １９ コレクタ部
Claims (1)
- 【請求項１】 外周にコルゲーションが形成されたコル
ゲーション付セラミックスと、このコルゲーション付セ
ラミックスの前記コルゲーションを遮蔽するように配置
されたコロナリングとを有するマイクロ波管用耐電圧構
造体において、前記コロナリングの先端が前記コルゲー
ション付セラミックスの前記コルゲーションの凹部と対
応する位置に配置されたことを特徴とするマイクロ波管
用耐電圧セラミック構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6287733A JP2713189B2 (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | マイクロ波管用耐電圧セラミック構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6287733A JP2713189B2 (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | マイクロ波管用耐電圧セラミック構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148092A true JPH08148092A (ja) | 1996-06-07 |
| JP2713189B2 JP2713189B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=17721056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6287733A Expired - Lifetime JP2713189B2 (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | マイクロ波管用耐電圧セラミック構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2713189B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58147827A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Toshiba Corp | 信号記録再生装置 |
-
1994
- 1994-11-22 JP JP6287733A patent/JP2713189B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58147827A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Toshiba Corp | 信号記録再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2713189B2 (ja) | 1998-02-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970930 |