SU943725A1 - Оптоэлектронный коррел тор изображени - Google Patents

Description

(5) ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ КОРРЕЛЯТОР ИЗОБРАЖЕНИЯ

1

Изобретение относитс  к технике оптоэлектронной обработки информации , а более конкретно к устройствам оптоэлектронных коррел торов и системам обработки аналоговой информации в реальном масштабе времени, и может быть использовано дл  распознавани  образов, слежени  за объектами, (| 1льтрации сигналов, задаваемых в форме оптического изображени  и т.д.

Известен оптический коррел тор, вкотором обрабатываемый сигнал, также как и весова  функци , записываетс  на фотопленке в виде модул ции оптической плотности 1.,j

Так как дл  регистрации сигнала на фотопленке требуетс  значительное врем , то такой коррел тор не может работать в реальном масштабе времени.

Известен также оптоэлектронный 20 коррел тор изображени , содержаций расположенные на одной оптической оси проекционный блок и множительно-запоминающий блок, выполненный в виде

нанесенной на подложку слоистой структуры , состо щей из первого прозрачного электрода фоторезистивного сло  и второго электрода, причем электроды соединены с источником напр жени  питани . При этом фоторезистивный слой обладает большим временем релаксации фотопроводимости, что позвол ет осуществл ть оперативную запись и запоминание одного из Изображений сигнала . Ввод сигналов осуществл етс  проекционными блоками, осуществл ющими перемещение второго изображени  по поверхности второго (безынерцион7 но го) фоторезистивного сло  .

При перемещении второго изображени  выходной ток множительно-запоминающего блока соответствует текущему изменению коррел ционного интеграла между обрабатываемыми изображени ми.

Claims (2)

1. Недостатком такого устройства  вл етс  малое врем  запоминани  одного из изображений, определ емое временем релаксации фотопроводимости (не более нескольких дес тых долей секунды ), и соответственно непрерывное изменение уровн  записанного сигнала в результате релаксационных процессов фотопроводимости с естественным затуханием. Это ухудшает точность работы устройства и существенно огра ничивает его функциональные возможности , так как дл  решени  многих за дач необходимо иметь возможность импульсного введени  одного из изображений и его запоминание на длительно врем  без изменени  уровн  записанно го сигнала, а также его стирание в нужные моменты времени. Цель изобретени  - увеличение точ ности и расширение области примене|ни  коррел тора. Указанна  цель достигаетс  тем, что. в оптоэлектронном коррел торе изображени , содержащем расположенные на одной оптической оси проекционный блок и множительно запоминающий блок, выполненный в виде нанесенной наподложку слоистой структуры , состо щей из первого прозрачного электрода, фоторезистивного сло  и втЪрого электрода, причем электроды соединены с источником напр жени  питани , в множительно-запоминающий блок между фоторезистивным слоем и вторым электродом введен полупроводниковый слой, обладающий бистабильной вольт-амперной характеристикой, т.е. переключающийс  из высокоомного состо ни  в низкоомное при приложении к нему электрического пол  выше некоторого порогового значени . На чертеже приведена схема предлагаемого устройства. Множительно-запоминающий блок состоит из фоторезистивного сло  1 и полупроводникового сло  с бистабильной вольт-амперной характеристикой (S -сло ) 2, помещенных между двум  пленочными электродами 3 и , причем один из них электрод Ц прозрачен дл  светового потока; эти слои нанесены на подложку 5. Между электродами 3 и k приложено напр жение записи U. Проекционный блок 6 в режиме записи фокусирует опорное изображение на поверхность фоторезистивного сло  После записи питающее напр жение снижаетс  до величины рабочего напр  жени  U2 а проекционный блок фокусирует на поверхность сло  1 второе (движущеес ) изображение. Устройство работает следующим образом . В исхс)дном состо нии (отсутствие сигналов) напр жение, приложенное к структуре, делитс  между слоем фоторезистора и 5-слоем, таким образом, что S-слой находитс  в высокоомном состо нии. При проектировании на фоторезистивный слой -опорного изображени  в освещенных местах произойдет перераспределение напр жени  U между фоторезистивным слоем и 5-слоем таким образом, что последний в этих местах перейдет в низкоомное состо ние , т.е. происходит запись опорного изображени  в двухуровневой (бинарной) форме. Уровень квантовани  может регулироватьс  величиной напр жени  в режиме записи U. . После записи одного из сигналов на S-слое в виде распределени  низкоомных областей, прикладываемое к структуре напр жение несколько снижают до величины U2 (чтобы не происходило повторных записей) и на фоторезистивный слой проектируетс  второй сигнал. При этом интегральный ток через структуру пропорционален коррел ционной функции изображений си|- налов, записанного на S-слое и проектируемого на фоторезистивный слой. Стирание записанного изображени  осуществл етс  подачей коротких импульсов , напр жени  УЗ определенной пол рности и длительности; параметры стирающих импульсов определ ютс  материалом и составом S-сло . В результате стирани  все низкоомные области S-сло  станов тс  вновь высокоомными. Один из возможных вариантов реализации предлагаемого устройства состоит в следующем. На стекл нную подложку нанос т прозрачный электрод из Sn02 толщиной А, на который путем термического испарени  в кёазизамкнутом объеме и последующего очувствлени  наноситс  фоточувствительный слой CdS толщиной мкм. Поверх этого сло  напыл етс  слой аморфного полупроводника состава , толщиной л, 7 мкм, обладающий бистабильной характеристикой с порогом переключени  10-15 В, затем напыл етс  второй металлический электрод из Pt толщиной л.1-3 мкм. Стирание осуществл етс  импульсами напр жени  обратной пол рности, с длительностью 0,1 ms и амплитудой 20 В. Формула изобретени  Оптоэлектронный коррел тор изображени , содержащий расположенные на одной оптической оси проекционный блок и множительно-запоминающий блок, выполненный в виде нанесенной на подложку слоистой структуры, состо щей из первого прозрачного электрода, фоторезистивного сло  и второго электрода , причем электроды соединены с источником напр жени  питани , о тличающийс  тем, что, с целью увеличени  точности и расширени  9 56 области применени  коррел тора, в множительно-запоминающий блок между фо-торезистивным слоем и вторым электродом введен полупроводниковый слой, обладающий бистабильной вольтамперной характеристикой. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР , N 269628, кл. G Об F 9/ОП, 1968.
2. 2.Авторское свидетельство СССР № 72393, кл. G 06 F 9/00, 1978 ( прототип).