JPS60179958A - 消去方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、半導体層と絶縁膜とによって構成される記
録媒体に静電荷の形で記録された信号を消去する消去方
式に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

従来、ＩＯメモリ以外のいわゆる動的メモリ装置は大き
くわけて磁気方式のディスクまたはテープ光学式ディス
ク、静電容量方式ディスクに分類される。磁気方式のも
のは、記録再生・消去を簡単に行なうことができるとい
う大きな利点で有しているが、記録密度が低いという欠
点がある。一方、光学方式ディスク・静電容量方式ディ
スクにおいては、ビデオ信号、オーディオ信号あるいは
データ信号等の信号を凹凸の形で塩化ビニルなどのディ
スク状記録媒体に記録し、光学的あるいは静電的に再生
する方法を採用しているので、高密度に信号を記録し再
生することが可能であるが、消去・再記録が実用上不可
能という欠点がある。

再記録可能な光ディスクも種々提案されているがまだ実
験段階のものがほとんどである。

これらに対し、記録密度が高く、シかも再記録可能な記
録再生方式として、シリコンなどの半導体層の上に電荷
蓄積機能を有する絶縁膜を形成して記録媒体を構成し、
絶縁膜上を相対的に移動する記録電極に記録信号電圧を
印加することによシ絶縁膜中に電荷を蓄積して信号の記
録を行ない、一方、再生は再生電極を同様に記録媒体上
を移動させ、絶縁膜中の電荷蓄積状態に対応して半導体
層中に生じる空乏層の有無を静電容量の変化として検出
することで行なう方式が提案されている。

この方式により、記録媒体に記録された信号の消去は、
記録時と逆極性の電圧を印加するか、紫外線を照射する
かまたは、荷電粒子を記録媒体上に乗せることなどによ
って行なうことができる。

全面消去には、紫外線照射や荷電粒子を記録媒体上に乗
せる方式がとられるが、装置が大がかりとなったシ、高
電圧が必要となるなど問題が多い。

〔発明の目的〕

この発明の目的は、半導体を利用した記録媒体に記録さ
れた信号を、電圧を印加して全面的に消去する消去方式
を提供することにある。

〔発明の概要〕

この発明は、半導体層の上に電荷蓄積機能を有する絶縁
膜を形成してなる記録媒体に静電荷の形で記録された信
号を消去するとき、樹脂に導伝性の微粉末を混入させて
つくった導伝性ペーストラ記録媒体表面に塗布し、導伝
性膜を形成し、との導伝性膜に電圧を印加することによ
って記録媒体の全面にわたって消去することを特徴とし
ている。

消去終了後、導伝性膜は記録媒体表面よシはかす。

〔発明の効果〕

この発明妬よれば、導伝性ペーストを記録媒体表面に塗
布し、導伝性膜を形成し、との導伝性膜に電圧を印加す
ることによシ消去を行なうので、消去用装置が簡単にな
シ、容易Ｋかつ大量に全面消去することができる。

〔発明の実施例〕

第１図は、この発明の一実施例における概略構成図であ
る。図において、記録媒体１０６は半導体層１０４、例
えばＮ型のシリコン単結晶基板の上に第１の絶縁膜１０
３、例えば２０μ程度の酸化シリコン（Ｓｉｏ、）膜を
形成し、きらＫその上に５００Ａ程度またはそれ以下の
厚さの８ｉ、Ｎ＋等の電荷蓄積機能を有する第２の絶縁
膜１０２を形成したものであシ、半導体層１０４の裏面
は導伝層１０５が必要に応じて被着きれている。この場
合記録媒体１０６は記録されたものであり、記録信号に
応じて第２の絶縁膜に電荷が蓄わ見られている。半導体
層をＮ型のシリコンとすれば正電圧での記録となり、電
荷は図のように電子１０７となる。

消去を行なうため、記録媒体１０６の表面に導伝性の膜
１０１を塗布形成する。この導伝性の膜】０１は例えば
、カーボンブラックとか銀粉のような導伝性の微粒子を
含む導伝性樹脂を用いて塗布形成する。微粒子の大きさ
は、記録密度を考慮すると０２μもしくは０１μ以下に
することが７望ましい。導伝性樹脂は、熱可塑性樹脂、
例えば塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合体を溶剤に溶か
してカーボン、銀等の導伝性微粉末を混入して導伝性ペ
ーストとし、記録媒体赤面に塗布し、乾燥させ形成する
。または、熱硬化性樹脂、例えばエポキシを溶剤に溶か
し、導伝性微粉末を混入して導伝性ペーストとし、記録
媒体の表面に塗布し、硬化させ形成する。

導伝性膜１０１に記録時と逆極性の電圧、第１図の場合
負電圧１０８を印加することにより、この導伝性膜でお
おわれた記録媒体全体にわたり消去することができる。

消去終了後は、第２図に示すように導伝性膜２０１を記
録媒体２０２よりはがすことにより、記録媒体２０２は
再び記録できる状態となる。

【図面の簡単な説明】 第１図は、この発明の一実施例に係る概略構成図、第２
図は消去終了後、記録媒体表面に塗布形成した導伝性膜
をはがして塩９去ることを示す模式図である。 １０１・・・導伝性膜、１０２・・・第２の絶縁膜、１
０３−第１の絶縁膜、１０４・・・半導体層、１０５・
・・導伝層、１０６・・・記録媒体、１０７・・・蓄積
電荷、１０８・・・消去時印加電圧、２０１・・・導伝
性膜、２０２・・・記録媒体。 代理人　弁理士　則　近　憲　佑　（ほか１名）第　１
　図 第　２　図 ０２

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体層の上Ｋｍ荷蓄積機能を有する絶縁膜を形成して
   なるディスク状の記録媒体と、この記録媒体上を記録信
   号電圧が印加された記録電極と相対的に移動せしめて記
   録信号電圧に対応した電荷を前記絶縁膜に蓄積すること
   によシ、信号の記録を行なう記録手段と、前記記録媒体
   上を再生電極を相対的に移動せしめて、この再生電極を
   介して記録媒体の電気的特性の変化を検出するととｋよ
   多信号の再生を行なう再生手段とを備えた記録再生装置
   によって、前記記録媒体に記録された情報を記録電圧と
   逆極性の電圧を印加することにより消去する消去方式に
   おいて、記録媒体表面に導電性の膜を塗布し、この導電
   性膜に電圧を印加することによシ記録媒体の全面にわた
   シ消去することを特徴とする消去方式。