JPS6256369A - 炭化ケイ素焼結体の製造方法 - Google Patents
炭化ケイ素焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6256369A JPS6256369A JP60195751A JP19575185A JPS6256369A JP S6256369 A JPS6256369 A JP S6256369A JP 60195751 A JP60195751 A JP 60195751A JP 19575185 A JP19575185 A JP 19575185A JP S6256369 A JPS6256369 A JP S6256369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- silicon carbide
- carbon
- boron
- carbide sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は高密度ＳｉＣ焼結体の製造方法、更に詳しくい
えば、焼結助剤としてＭ機ホウ素化合物及びＭ機炭素化
合物を用いて、′高密度ＳｉＣ焼結体を製造する方法に
関するものである。
えば、焼結助剤としてＭ機ホウ素化合物及びＭ機炭素化
合物を用いて、′高密度ＳｉＣ焼結体を製造する方法に
関するものである。
ＳＩＣ結結体は結像えばガスタービン部品、高温用島交
換器のような高温構造材料とし・て重めて優れた化学的
及び物理的な性質をＡｍしている。これらの温における
高強度特性を挙げることができる。
換器のような高温構造材料とし・て重めて優れた化学的
及び物理的な性質をＡｍしている。これらの温における
高強度特性を挙げることができる。
しかしながら、８ｉＣ焼結体の出発原料であるＳｉＣ粉
末は元来焼結し難い材料であるなめ、これまで高密度の
焼結体を得ようとする際には加圧燐結法（ＨＰ法）が採
用されていた。しかしながら前記加圧焼結法によれば複
雑形状の焼結体８製造することが難かしく、また生産性
も挙がらないと云う欠点がありた。
末は元来焼結し難い材料であるなめ、これまで高密度の
焼結体を得ようとする際には加圧燐結法（ＨＰ法）が採
用されていた。しかしながら前記加圧焼結法によれば複
雑形状の焼結体８製造することが難かしく、また生産性
も挙がらないと云う欠点がありた。
前記加圧焼結法の有する欠点を除去・改善するため、従
来種々の提案がなされておシ、なかでも特開昭５０−７
８６０９号「高密度炭化珪素セラミックスの製造方法」
％矢に特開昭５２−６７１６号「炭化ケイ素焼結体」に
Ｓ ｉＣ，ホウ累含ｖ奈加剤及び炭素質添加剤からなる
サブミクロン粒度の粉末を成形し、不活性雰囲気中の約
１９５０〜２３００℃で無加圧焼結する方法が開示され
ている。炭素質添加剤は非晶質炭素粉末の形でも添加さ
れるが、一般にはフェノール系樹脂の形で添加混合し成
形した後の不活性雰囲気中での脱脂工程における有機化
合物からの析出炭素により充当される。しかるにホウ素
含有添加剤は非晶質ホウ素粉末、Ｂ、Ｃ粉末、 Ｂ、０
．粉末、ＢＮ粉末等々の形で通常添加され、ポットミル
等によシ数時間〜数日間に渡フ混会し、均一分散が図ら
れる。しかし、Ｂ、Ｃはダイヤモンドに次ぐ硬さをイす
る極めて硬い物質でおるため、微粉砕することが困難で
ちゃ、そのため添加量を多くする必要が生ずる。しかる
に２０００℃近辺の温度におけるＳＩＣに固溶できるＢ
、 ＣＯ） −’ｊｌは高々０，３ ｗ ｔチ程度であ
り、この量を超えて添加され九Ｂ、Ｃは粒界に析出し１
強度低下の原因となる。この点を解決するなめに、焼成
によりＢ４Ｃに変化可能で、それ自体粉砕容易なり、０
．を用いる方法が提案されている。しかし、Ｂ、Ｏ，は
その沸点が１８６０℃と低いため、焼結温度に達する以
前に一部が揮散してしまい、所ｉの効果を得難いと云５
難点がある。
来種々の提案がなされておシ、なかでも特開昭５０−７
８６０９号「高密度炭化珪素セラミックスの製造方法」
％矢に特開昭５２−６７１６号「炭化ケイ素焼結体」に
Ｓ ｉＣ，ホウ累含ｖ奈加剤及び炭素質添加剤からなる
サブミクロン粒度の粉末を成形し、不活性雰囲気中の約
１９５０〜２３００℃で無加圧焼結する方法が開示され
ている。炭素質添加剤は非晶質炭素粉末の形でも添加さ
れるが、一般にはフェノール系樹脂の形で添加混合し成
形した後の不活性雰囲気中での脱脂工程における有機化
合物からの析出炭素により充当される。しかるにホウ素
含有添加剤は非晶質ホウ素粉末、Ｂ、Ｃ粉末、 Ｂ、０
．粉末、ＢＮ粉末等々の形で通常添加され、ポットミル
等によシ数時間〜数日間に渡フ混会し、均一分散が図ら
れる。しかし、Ｂ、Ｃはダイヤモンドに次ぐ硬さをイす
る極めて硬い物質でおるため、微粉砕することが困難で
ちゃ、そのため添加量を多くする必要が生ずる。しかる
に２０００℃近辺の温度におけるＳＩＣに固溶できるＢ
、 ＣＯ） −’ｊｌは高々０，３ ｗ ｔチ程度であ
り、この量を超えて添加され九Ｂ、Ｃは粒界に析出し１
強度低下の原因となる。この点を解決するなめに、焼成
によりＢ４Ｃに変化可能で、それ自体粉砕容易なり、０
．を用いる方法が提案されている。しかし、Ｂ、Ｏ，は
その沸点が１８６０℃と低いため、焼結温度に達する以
前に一部が揮散してしまい、所ｉの効果を得難いと云５
難点がある。
一方、ＢＮは高温まで′安定であるが、Ｂ元素が８ｉＣ
の焼結促進効果を発揮し始めると同時にＮＩＪＫ子が焼
結の障害として効き始める８以上より非晶質ホウ素粉末
が最も有益であるが、これとて。
の焼結促進効果を発揮し始めると同時にＮＩＪＫ子が焼
結の障害として効き始める８以上より非晶質ホウ素粉末
が最も有益であるが、これとて。
ＳＩＣ粉末に均一に分散させるには自ずと限界がある。
したがりて、従来ＳｉＣ粉末を非加圧焼結するためには
、１９５０℃〜２３００℃の高温焼成が行なわれま九約
０．５μｍ以下の非常に入手し難く、かつ高価な８ｉＣ
超微分末が必要とされて来ており、工業的には必ずしも
満足し得るものでは無かつ九。
、１９５０℃〜２３００℃の高温焼成が行なわれま九約
０．５μｍ以下の非常に入手し難く、かつ高価な８ｉＣ
超微分末が必要とされて来ており、工業的には必ずしも
満足し得るものでは無かつ九。
本発明は前記欠点を除去会改善する新規ＳｉＣ鳩結体結
像法を提供することを目的としたもので。
像法を提供することを目的としたもので。
ＳｉＣ粉末原料に焼結助剤として炭素及びホウ素を均一
に分散さ昔る上で、有機化合物の形で添加混合し、成形
後の脱脂工程で分解析出するＣ及びＢをもりて充当する
ことを特長とする。従来における高々サブミクロン水準
までの均質混合を数段上回る原子−分子水準に近い均質
分散を達成することによＶ、比較的低温で高密度にＳｉ
Ｃを焼結する方法を提供することにある。
に分散さ昔る上で、有機化合物の形で添加混合し、成形
後の脱脂工程で分解析出するＣ及びＢをもりて充当する
ことを特長とする。従来における高々サブミクロン水準
までの均質混合を数段上回る原子−分子水準に近い均質
分散を達成することによＶ、比較的低温で高密度にＳｉ
Ｃを焼結する方法を提供することにある。
本発明を以下詳細に説明する。
本発明に於て原料として用いる８ｉＣ粉末は非等軸晶系
のα−５ｉｃ、等軸晶系のβ−８ｉＣのいずれでも良い
が、通常平均粒径２μｍ以下比表面積１ｍ” ／ １以
上、好ましくは平均粒径０．５μｍ以下比表面積５ｍ”
／Ｉ以上ｌこ分級された高１［粉末が使用される。
のα−５ｉｃ、等軸晶系のβ−８ｉＣのいずれでも良い
が、通常平均粒径２μｍ以下比表面積１ｍ” ／ １以
上、好ましくは平均粒径０．５μｍ以下比表面積５ｍ”
／Ｉ以上ｌこ分級された高１［粉末が使用される。
本発明で用いる有機ホウ素化合物としては例えば８重。
Ｈ１３、Ｂ１０Ｈ□工晶。Ｈ１ＩＣ！ −（（Ｃｍ Ｈ
ｓ）ｓ ＮＨ）２（Ｂｓｏ Ｈｓｔ ）ｓなどがあるが
、これらに限定されるものではない、Ｂ元素供給量はＳ
ＩＣに対し０．１〜２ｗＬ％ が好ましい、０−１ｗ１
０ 未満では添加効果が不充分であ夛、一方ＢのＳ’ｆ
Ｃへの固溶は高々０．３ψであるため２Ｗ１０以上Ｂを
供給するとＳｉＣ粒界に析出したＢによる強度特性の低
下が著しくなる丸めである。
ｓ）ｓ ＮＨ）２（Ｂｓｏ Ｈｓｔ ）ｓなどがあるが
、これらに限定されるものではない、Ｂ元素供給量はＳ
ＩＣに対し０．１〜２ｗＬ％ が好ましい、０−１ｗ１
０ 未満では添加効果が不充分であ夛、一方ＢのＳ’ｆ
Ｃへの固溶は高々０．３ψであるため２Ｗ１０以上Ｂを
供給するとＳｉＣ粒界に析出したＢによる強度特性の低
下が著しくなる丸めである。
本発明で用いる有機炭素化合物としては例えばフェノー
ル、フェノール樹脂、コールタールピッチ、石油ピッチ
などがあるが、これらに限定されるものではない、この
有機炭素化合物は熱分解後の残炭量で０．５〜１０ｗｔ
％ に相当する量で用いられる。この炭素はＳｉＣ粉末
粒子表面を呵う酸化皮婆を還元除去するためｌこ添加さ
れるもので、その適正量はＳＩＣ粉末原料に含有される
酸素量と金属不純物層に依存するが、高純度で各種金属
不純物量が夫々０．０５ｗ１０ 未満であるＳｉＣ原料
粉末に於ては全酸素含有量の１．０〜３．０倍の炭素重
量が適正値であった。これ以下の炭素では焼結の障害と
なる酸化皮膜が完全ｔこ除去することができず。
ル、フェノール樹脂、コールタールピッチ、石油ピッチ
などがあるが、これらに限定されるものではない、この
有機炭素化合物は熱分解後の残炭量で０．５〜１０ｗｔ
％ に相当する量で用いられる。この炭素はＳｉＣ粉末
粒子表面を呵う酸化皮婆を還元除去するためｌこ添加さ
れるもので、その適正量はＳＩＣ粉末原料に含有される
酸素量と金属不純物層に依存するが、高純度で各種金属
不純物量が夫々０．０５ｗ１０ 未満であるＳｉＣ原料
粉末に於ては全酸素含有量の１．０〜３．０倍の炭素重
量が適正値であった。これ以下の炭素では焼結の障害と
なる酸化皮膜が完全ｔこ除去することができず。
一方これ以上の炭素量では焼結体中に残留した炭素の偏
析量が増大し、ＳｌＣ本来の物性が劣化する。
析量が増大し、ＳｌＣ本来の物性が劣化する。
有機ホウ素化合物及び有機炭素化合物を有＠Ａ溶媒に溶
解させてＳｉＣ原料粉末と混合する方法が均質分散に■
効であり、溶媒としてはパラフィン系炭化水素（ペンタ
ンからセタンまで）、アルコール類（メタノール、エタ
ノール、ブタノール、プロパツール等々）％アセトン、
トリクレン、メタクレン、エチレングリコールなどがあ
るが、これらに限定されるものではない、成形上必要な
らば一時的結合剤も上記溶液ｌこ加えて８３Ｃ粉末と充
分均一に混合した後噴霧乾燥、凍結乾燥等の手段により
乾燥造粒する。乾式プレスなどで所望の形状にした成形
体は焼結する前に逸常、不活性雰囲気中で緩やかに約７
００℃まで加熱昇温される。この、 過程で一時的結合
剤は分解揮散し、Ｍ機ホウ素化合物及び有機炭素化合物
も熱分解する。しかも一部ホウ素と炭素は揮散せずＳｉ
Ｃ粉末粒子表面に残留分散する０例えば非晶質ホウ素や
非晶質炭素をポットミル、振動ミル等々にょｊ７ｓｉｃ
粉末と混合する場合に於ては如何に混合時間を費やそう
ともその分散状態は高々鷺すブミク０ン水準′ＪＪ：、
まシであるのに対し１本方法によるホウ素と炭素の分散
状態は数段優れてお３．ｓｉｃ粉末粒子の表面−ご原子
拳分子水準１に近い程度の均一分散状態を形成している
。
解させてＳｉＣ原料粉末と混合する方法が均質分散に■
効であり、溶媒としてはパラフィン系炭化水素（ペンタ
ンからセタンまで）、アルコール類（メタノール、エタ
ノール、ブタノール、プロパツール等々）％アセトン、
トリクレン、メタクレン、エチレングリコールなどがあ
るが、これらに限定されるものではない、成形上必要な
らば一時的結合剤も上記溶液ｌこ加えて８３Ｃ粉末と充
分均一に混合した後噴霧乾燥、凍結乾燥等の手段により
乾燥造粒する。乾式プレスなどで所望の形状にした成形
体は焼結する前に逸常、不活性雰囲気中で緩やかに約７
００℃まで加熱昇温される。この、 過程で一時的結合
剤は分解揮散し、Ｍ機ホウ素化合物及び有機炭素化合物
も熱分解する。しかも一部ホウ素と炭素は揮散せずＳｉ
Ｃ粉末粒子表面に残留分散する０例えば非晶質ホウ素や
非晶質炭素をポットミル、振動ミル等々にょｊ７ｓｉｃ
粉末と混合する場合に於ては如何に混合時間を費やそう
ともその分散状態は高々鷺すブミク０ン水準′ＪＪ：、
まシであるのに対し１本方法によるホウ素と炭素の分散
状態は数段優れてお３．ｓｉｃ粉末粒子の表面−ご原子
拳分子水準１に近い程度の均一分散状態を形成している
。
従来、炭素に関してはこの様な高水準の分散も実施され
ており、本発明者らはその手法を詳細に検討し焼結適正
温度を約１００℃低下させる効果があることを確認した
０本発明は、ホウ素に関しても高水準の均一分散を実施
することｌこよｆｆ、！正焼結温度を更に約１００℃（
合計約２００℃）低下させたものである。
ており、本発明者らはその手法を詳細に検討し焼結適正
温度を約１００℃低下させる効果があることを確認した
０本発明は、ホウ素に関しても高水準の均一分散を実施
することｌこよｆｆ、！正焼結温度を更に約１００℃（
合計約２００℃）低下させたものである。
上記成形体を１８００〜２１００℃で無加圧焼結する時
の雰囲気はＡｒ、Ｎｅ、Ｈｅ、ＣＱ、などの不活性気体
又はＨｌ、ＧＯなどの還元性気体を使用できる。
の雰囲気はＡｒ、Ｎｅ、Ｈｅ、ＣＱ、などの不活性気体
又はＨｌ、ＧＯなどの還元性気体を使用できる。
この様にして製造される８正Ｃ焼結体は３．０１７ｃｃ
以上の高密度を有し、微構造も細かく、優れ九機械的強
度、耐熱衝撃性を備えるので、メカニカルシール材、摺
動材、耐磨耗材、高温構造材、ヒーター、熱交換体など
としても有用である。
以上の高密度を有し、微構造も細かく、優れ九機械的強
度、耐熱衝撃性を備えるので、メカニカルシール材、摺
動材、耐磨耗材、高温構造材、ヒーター、熱交換体など
としても有用である。
〔発明の実施例〕
次に実施例によＶ本発明を更に詳細に説明する。
出発原料として比表面積１５ｍ”／＃、全酸素含有（ｉ
ｒ １． Ｏｗ ／ ｏその他不純物は全て０．１ ｗ
／ ｏ未満であるα−８ＩＣ粉末１００ｇを秤量する
。カルボラン０．５Ｉ！とフェノール系ノボラック樹脂
３．５ｇ及びエチレングリコール５ ｃｃをアセトン１
００ｃｃに溶解する。
ｒ １． Ｏｗ ／ ｏその他不純物は全て０．１ ｗ
／ ｏ未満であるα−８ＩＣ粉末１００ｇを秤量する
。カルボラン０．５Ｉ！とフェノール系ノボラック樹脂
３．５ｇ及びエチレングリコール５ ｃｃをアセトン１
００ｃｃに溶解する。
ＳｉＣ粉末１００ｇを上記アセトン溶液に浸漬撹拌し乾
燥造粒する。４３．５Ｘ３３．５ｍｍ”の金型を使い２
０ＩＩ／ρの試料をｌ ｔｏｎ／ｃｍ”で加圧成形する
。成形体を窒素雰囲気中で７００℃まで８時間をかけて
加熱することによシ、脱脂賛成形体を得る。この成形体
を黒鉛匣鉢５こ入れて焼成炉内に設定し、１８００〜２
１００℃のアルゴン雰囲気ｔで非加圧焼結する。
燥造粒する。４３．５Ｘ３３．５ｍｍ”の金型を使い２
０ＩＩ／ρの試料をｌ ｔｏｎ／ｃｍ”で加圧成形する
。成形体を窒素雰囲気中で７００℃まで８時間をかけて
加熱することによシ、脱脂賛成形体を得る。この成形体
を黒鉛匣鉢５こ入れて焼成炉内に設定し、１８００〜２
１００℃のアルゴン雰囲気ｔで非加圧焼結する。
各実Ｍ１列及び参考ｆｒＪを次の図表に示す。
以上説明したように本発明によれば低温にてち密、高密
度のＳ五〇焼結体を得ることができる。
度のＳ五〇焼結体を得ることができる。
図は焼結温度−密度特性歯。
代理人 弁理士 則 近 ′ｉＩｉ＠竹 花 喜久男
同
Claims (4)
- （１）硼素及び炭素を焼結助剤として含有する炭化ケイ
素焼結体の製造方法において、前記硼素及び炭素を有機
化合物の形で添加し、前記有機化合物を熱分解により残
留硼素及び残留炭素として、焼結助剤とすることを特徴
とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。 - （２）前記熱分解を脱脂と同時に行なうことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の炭化ケイ素焼結体の製造
方法。 - （３）前記硼素供給の有機化合物としてＢ＿１＿０Ｈ＿
１＿４（デカボラン）、Ｂ＿１＿０Ｈ＿１＿３Ｉ（ヨー
ドデカボラン）、Ｂ＿１＿０Ｈ＿１＿２Ｃ＿２（カルボ
ラン）及び｛（Ｃ＿２Ｈ＿５）＿２ＮＨ｝＿２（Ｂ＿１
＿０Ｈ＿１＿２）のうち少なくとも一種を用いることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の炭化ケイ素焼結
体の製造方法。 - （４）前記炭素供給の有機化合物としてフエノール、フ
ェノール樹脂、コールタールピッチ、石油ピッチ、重質
油のうちくとも一種を用いることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60195751A JPH06104592B2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
| US06/903,141 US4853299A (en) | 1985-09-06 | 1986-09-03 | Silicon carbide sintered body and method of manufacturing the same |
| DE3645097A DE3645097C2 (ja) | 1985-09-06 | 1986-09-05 | |
| DE19863630369 DE3630369A1 (de) | 1985-09-06 | 1986-09-05 | Siliziumcarbid-sinterkoerper und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60195751A JPH06104592B2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6256369A true JPS6256369A (ja) | 1987-03-12 |
| JPH06104592B2 JPH06104592B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=16346359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60195751A Expired - Lifetime JPH06104592B2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104592B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01160869A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 炭化珪素質焼結体の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5837271A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-04 | 三洋電機株式会社 | 入室管理装置 |
| JPS60246263A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-05 | 日産自動車株式会社 | 炭化珪素質焼結体 |
| JPS61168568A (ja) * | 1985-01-23 | 1986-07-30 | 日産自動車株式会社 | 炭化珪素質焼結体の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP60195751A patent/JPH06104592B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5837271A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-04 | 三洋電機株式会社 | 入室管理装置 |
| JPS60246263A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-05 | 日産自動車株式会社 | 炭化珪素質焼結体 |
| JPS61168568A (ja) * | 1985-01-23 | 1986-07-30 | 日産自動車株式会社 | 炭化珪素質焼結体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01160869A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 炭化珪素質焼結体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06104592B2 (ja) | 1994-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4004934A (en) | Sintered dense silicon carbide | |
| US7723247B2 (en) | Method for pressurelessly sintering zirconium diboride/silicon carbide composite bodies to high densities | |
| JPH0769731A (ja) | 高強度、高嵩密度導電セラミックス | |
| JPS5934147B2 (ja) | 炭化ケイ素焼結セラミツク体及びその製造法 | |
| JPS6228109B2 (ja) | ||
| US8097548B2 (en) | High-density pressurelessly sintered zirconium diboride/silicon carbide composite bodies and a method for producing the same | |
| JPH0672051B2 (ja) | 炭化珪素質焼結体及びその製造法 | |
| US20110227259A1 (en) | Methods of forming sintered boron carbide | |
| JPS60221365A (ja) | 高強度炭化珪素焼結体の製造法 | |
| JPH0341426B2 (ja) | ||
| JPS62275063A (ja) | 炭化珪素−窒化アルミニウム焼結製品の製造法 | |
| JPH0826709A (ja) | 炭素材の製造方法 | |
| JPS6256369A (ja) | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 | |
| JPS60200861A (ja) | 高強度炭化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPH07165467A (ja) | 等方性黒鉛材の製造方法 | |
| JPS6081064A (ja) | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 | |
| JPS6325274A (ja) | 炭化ケイ素粉末混合物およびその焼結セラミツク製品 | |
| JPS632913B2 (ja) | ||
| JPH0455142B2 (ja) | ||
| JPS61168567A (ja) | 炭化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPS61227968A (ja) | 炭化珪素質焼結体及びその製法 | |
| JPH0333064A (ja) | 炭素―炭化ケイ素複合材料製造用紛末組成物、炭素―炭化ケイ素複合材料の製造方法および炭素―炭化ケイ素複合材料 | |
| JPH02229767A (ja) | 制御された粒寸を有する焼結成形体のための方法 | |
| JPS61127663A (ja) | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 | |
| JPS6172673A (ja) | 炭化珪素焼結体の製造方法 |