JPS625509A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS625509A JPS625509A JP14298185A JP14298185A JPS625509A JP S625509 A JPS625509 A JP S625509A JP 14298185 A JP14298185 A JP 14298185A JP 14298185 A JP14298185 A JP 14298185A JP S625509 A JPS625509 A JP S625509A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、誘電体磁器組成物に係り、特に温度補償用
磁器コンデンサを製作するのに適した組成物に関する。
磁器コンデンサを製作するのに適した組成物に関する。
従来、温度補償用磁器コンデンサに使用されている誘電
体磁器組成物において、比誘電率の温度特性ＴＣが０〜
−２８０の広い範囲で、比誘電率が１１５と高り、シか
も一定の値を保つものとして、ＢａＴｉＯ３が５〜２５
モル％と＋Ｂｉ２Ｏ３が３〜１５モル％と、ＴｉＯ２が
５５〜７０モル％と、Ｌａ２Ｏ３が１０〜２Ｏモル％と
で総計１００モル％となる誘電体磁器組成物に、Ｙ２Ｏ
３ ＋Ｇｄ２Ｏ３及びＮｄ２Ｏ３からなるグループから
選択された一種以上の酸化物を、上記組成物に対して５
〜２Ｏ重量％添加したものがある（特公昭５５−２５６
９０号参照）。
体磁器組成物において、比誘電率の温度特性ＴＣが０〜
−２８０の広い範囲で、比誘電率が１１５と高り、シか
も一定の値を保つものとして、ＢａＴｉＯ３が５〜２５
モル％と＋Ｂｉ２Ｏ３が３〜１５モル％と、ＴｉＯ２が
５５〜７０モル％と、Ｌａ２Ｏ３が１０〜２Ｏモル％と
で総計１００モル％となる誘電体磁器組成物に、Ｙ２Ｏ
３ ＋Ｇｄ２Ｏ３及びＮｄ２Ｏ３からなるグループから
選択された一種以上の酸化物を、上記組成物に対して５
〜２Ｏ重量％添加したものがある（特公昭５５−２５６
９０号参照）。
このような誘電体磁器組成物のＱ （ｑｕａｌｉｔｙｆ
ａｃｔｏｒ）は、磁器コンデンサの誘電体の厚さを約０
．８５ｍｍとした場合、最高でも６３００以下、平均で
は、 ５６００程度であった。
ａｃｔｏｒ）は、磁器コンデンサの誘電体の厚さを約０
．８５ｍｍとした場合、最高でも６３００以下、平均で
は、 ５６００程度であった。
コンデンサの静電容量は、対向電極の直径の２乗に比例
し、厚みに反比例する。従って、磁気コンデンサの小型
化を図る場合、対向電極の直径の減少分の２乗倍だけ誘
電体磁器の厚さを減少させなければならない。ところが
、誘電体磁器の厚さを減少させると、これにはＶ゛比例
て上記０の値が減少する。
し、厚みに反比例する。従って、磁気コンデンサの小型
化を図る場合、対向電極の直径の減少分の２乗倍だけ誘
電体磁器の厚さを減少させなければならない。ところが
、誘電体磁器の厚さを減少させると、これにはＶ゛比例
て上記０の値が減少する。
従っ−こ、磁器コンデンサの小型化のためには。
従来のものに比べて、より高いＱの値が得られる誘電体
磁器組成物が要望される。
磁器組成物が要望される。
この発明は、」−２要望に基づいて創案されたもので。
従来のものに比べて、Ｊ、り高い無負荷のＱがｉびられ
る誘電体磁器組成物を提供するものである。
る誘電体磁器組成物を提供するものである。
ごの発明による誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ３が７
・〜２５モル％と、ＢｉＯ３／２が０．１〜１５モル％
と、ＴｉＯ２が５０−６５モル％と、７−ａｏ ２ｙ２
が０．１〜５モル％と、Ｎｄ０Ｂが０．１−・３０モル
％と、ＳｍＯＨが０．１〜３０モル％とで総計１００モ
ル％となる成分を１００ｆｆｉｉｔ部と、 Ｙ２Ｏ３、
Ｇｄ２Ｏ３．Ｃｅ２ ＣＯ３のグループから選択された
一種以上の成分が０．１〜５重量部と、ｃｒ２ｏ１．
へ／１ｎ０２ 、ＮｉＯ、ＣｏＯのグループから選択
さた一種以りの成分が０．０１＝１．０重量部とからな
るものである。
・〜２５モル％と、ＢｉＯ３／２が０．１〜１５モル％
と、ＴｉＯ２が５０−６５モル％と、７−ａｏ ２ｙ２
が０．１〜５モル％と、Ｎｄ０Ｂが０．１−・３０モル
％と、ＳｍＯＨが０．１〜３０モル％とで総計１００モ
ル％となる成分を１００ｆｆｉｉｔ部と、 Ｙ２Ｏ３、
Ｇｄ２Ｏ３．Ｃｅ２ ＣＯ３のグループから選択された
一種以上の成分が０．１〜５重量部と、ｃｒ２ｏ１．
へ／１ｎ０２ 、ＮｉＯ、ＣｏＯのグループから選択
さた一種以りの成分が０．０１＝１．０重量部とからな
るものである。
次ぎに、この発明の実施例について説明する。
まずＥａＴｉＯ３の粉末を１８．５７ｇ （７モル％相
当）、Ｂｉ２Ｏ：＋の粉末を０．２３ｇ （Ｂ ｉ （
１＋４で０．１モル％相当）、Ｔｉ０７の粉末を３９．
９５ｇ（５０モル％相当）、ｉ、ａ２Ｏ３の粉末を８．
１５．。
当）、Ｂｉ２Ｏ：＋の粉末を０．２３ｇ （Ｂ ｉ （
１＋４で０．１モル％相当）、Ｔｉ０７の粉末を３９．
９５ｇ（５０モル％相当）、ｉ、ａ２Ｏ３の粉末を８．
１５．。
（ＬａＯ，Ｈで５Ｔニル％相当）、Ｎｄ２Ｏ：＋の粉末
を５０．４７ｇ （Ｎ ａ Ｏ３／２で３０モル％相当
）、Ｓｍ２Ｏ３の粉末を１３．７７ｇ （Ｓ ｍ Ｏｖ
２で７．９モル％相当）ずつ秤量した。また＋ Ｙ ２
Ｏ３の粉末を０．１３ｇ （。に記成分の総量に対して
０．１重量部）。
を５０．４７ｇ （Ｎ ａ Ｏ３／２で３０モル％相当
）、Ｓｍ２Ｏ３の粉末を１３．７７ｇ （Ｓ ｍ Ｏｖ
２で７．９モル％相当）ずつ秤量した。また＋ Ｙ ２
Ｏ３の粉末を０．１３ｇ （。に記成分の総量に対して
０．１重量部）。
Ｃｒ２Ｏ３の粉末を０．０１ｇ （上記成分の総量に対
してｏ、ｏｉ重量部）ずつ秤量した。これらを純水と共
にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した。
してｏ、ｏｉ重量部）ずつ秤量した。これらを純水と共
にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した。
こうして得られた混合物を脱水して１５０”Ｃの温度を
５時間加え、乾燥した。次にこれをボールミルで粉砕し
た。この粉砕物にポリビニルアルコールを５ｇ加えて痛
潰機で混合し、６０メツシユの篩にかけて造粒した。
５時間加え、乾燥した。次にこれをボールミルで粉砕し
た。この粉砕物にポリビニルアルコールを５ｇ加えて痛
潰機で混合し、６０メツシユの篩にかけて造粒した。
これらの造粒物のうち０．７６ｇを金型に入れ。
約５０ｋｇ／ｃｕｔの圧力で直径１８ｍｍ、厚さｌ ｍ
ｍの円板に加圧成形した。同様にして２Ｏ個の円板を製
作した。
ｍの円板に加圧成形した。同様にして２Ｏ個の円板を製
作した。
これらの円板を酸化性雰囲気中で約１３００℃の温度で
約２時間焼成し、直径が１５．５ｍ、厚さｔが０．８７
ｍ＝ｉの誘電体磁器円板を得た。しかる後。
約２時間焼成し、直径が１５．５ｍ、厚さｔが０．８７
ｍ＝ｉの誘電体磁器円板を得た。しかる後。
この磁器円板の一方の主面に銀ベース［・を塗布［７，
約７５０’Ｃの温度で３０分間焼付けした。さらに他方
の主面にも同様の処理を施して９直径りが１４鰭の対向
電極を有する円板形磁器コンデンザを完成させ、これを
試料１とした。
約７５０’Ｃの温度で３０分間焼付けした。さらに他方
の主面にも同様の処理を施して９直径りが１４鰭の対向
電極を有する円板形磁器コンデンザを完成させ、これを
試料１とした。
次に、ト記試料１の２Ｏ（１７１Ｉについて、温度２Ｏ
℃で周波数ＩＭＨｚにおける比誘電率ε、比誘電率の温
度係数ＴＣ，温度２Ｏ°Ｃで周波数ＩＭｌ＋２におし、
ＩるＱをそれそ′れ求め５ これらの平均値を表の試料
番号１の（閑に示した。
℃で周波数ＩＭＨｚにおける比誘電率ε、比誘電率の温
度係数ＴＣ，温度２Ｏ°Ｃで周波数ＩＭｌ＋２におし、
ＩるＱをそれそ′れ求め５ これらの平均値を表の試料
番号１の（閑に示した。
ただし、比誘電率εの測定は、試料１の温度２Ｏ℃２周
波数ＩＭＨｚにおける静電容量Ｃ２Ｏと。
波数ＩＭＨｚにおける静電容量Ｃ２Ｏと。
誘電体磁器円板の厚さｔと、対向電極の直径りとから、
ε−１４４ｘ ｃ ｘ ｔ ／Ｄ２なる式で求めた。
ε−１４４ｘ ｃ ｘ ｔ ／Ｄ２なる式で求めた。
比誘電率の温度係数ＴＣば、温度８５℃３周波数ＬＭ）
Ｉｚにおける静電容量Ｃａｓを測定し、この値と温度２
Ｏ℃のときの上記静電容量Ｃ２Ｏの値とから、 ＴＣ
＝ （Ｃａｓ Ｃ２Ｏ／Ｃ２ＯＸ６５） ＸＩＯ
６（ｐｐｍ／”ｃ）なる式で求めた。
Ｉｚにおける静電容量Ｃａｓを測定し、この値と温度２
Ｏ℃のときの上記静電容量Ｃ２Ｏの値とから、 ＴＣ
＝ （Ｃａｓ Ｃ２Ｏ／Ｃ２ＯＸ６５） ＸＩＯ
６（ｐｐｍ／”ｃ）なる式で求めた。
表に示された他の試料２〜２４についても、試料１と同
様にしてそれぞれの欄に示された組成の誘電体磁器円板
を作り、これに電極を設けて製作した。そしてこれら試
料２−２４についても。
様にしてそれぞれの欄に示された組成の誘電体磁器円板
を作り、これに電極を設けて製作した。そしてこれら試
料２−２４についても。
試料１と同様の方法で比誘電率ε、比誘電率の温度係数
ＴＣ及びＱを求め１下表の該５欄に示した。
ＴＣ及びＱを求め１下表の該５欄に示した。
表から明らかへ通り、試料１＝２４の比誘電率εは８１
−１．１６．比誘電率の温度係数ＴＣは−９６〜（−１
，無負荷の０は＋、 ８２Ｏ０〜１３６００であった。
−１．１６．比誘電率の温度係数ＴＣは−９６〜（−１
，無負荷の０は＋、 ８２Ｏ０〜１３６００であった。
なお、上記の各成分からなる誘電体磁器組成物であって
、この発明の範囲に含まれないものは、一般的に次のよ
うな問題を含んでいる。なお、ここでい・う特性値は上
記実施例と同じ条件で求められたものである。
、この発明の範囲に含まれないものは、一般的に次のよ
うな問題を含んでいる。なお、ここでい・う特性値は上
記実施例と同じ条件で求められたものである。
ｆｌ） ＢａＴｉ０：＋が７モル％未満または２５モ
ル％を越えると、Ｑが８０００以下Ｑ、ニなってｔ、２
まう。
ル％を越えると、Ｑが８０００以下Ｑ、ニなってｔ、２
まう。
（２１Ｂ ｉ ０３／２が０．１モル％未満または１５
モル％を越えると、Ｑが８０００以′Ｆになってしまう
。
モル％を越えると、Ｑが８０００以′Ｆになってしまう
。
ｆ３） Ｔ ｔ Ｑ ２が５０％ル％未満または６．
５モル％を越えると、Ｑが８０００以下になってしま・
う。
５モル％を越えると、Ｑが８０００以下になってしま・
う。
（４） Ｉ、 ａ Ｏ１／２が０．１モル％未満また
は６５モル％を越えると、Ｑが８０００以下になってし
まう。
は６５モル％を越えると、Ｑが８０００以下になってし
まう。
（５１ＮｄＯン２が０８１モル％未満であると、Ｑが８
０００以下となり、３０モル％を越えると、 １４００
℃以下の焼成温度で焼結されない。
０００以下となり、３０モル％を越えると、 １４００
℃以下の焼成温度で焼結されない。
ｆ６） Ｓ ｍ Ｏｓが０．１モル％未満であると、
Ｑが８０００以下となり９３０モル％を越えると、 １
４００”Ｃ以下の焼成温度で焼結されない。
Ｑが８０００以下となり９３０モル％を越えると、 １
４００”Ｃ以下の焼成温度で焼結されない。
（７） Ｙ２Ｏ３ 、Ｇｄ２Ｏ３、Ｃｅ２ ＣＯ３の
ググループの１種以」二からなる成分が０．１モル％未
満または５モル％を越えるとＱが８０００以下になって
しまう。
ググループの１種以」二からなる成分が０．１モル％未
満または５モル％を越えるとＱが８０００以下になって
しまう。
（８）Ｃｒ２Ｏ３ 、ＭｎＯ２，ＮｔＯ，Ｃｏｏのグル
ープの１種以上からなる成分が０．０１未満であると、
その添加効果が見られず、１．０重量部を越えるとＱが
８０００以下になってしまう。
ープの１種以上からなる成分が０．０１未満であると、
その添加効果が見られず、１．０重量部を越えるとＱが
８０００以下になってしまう。
以上の理由から、これらをこの発明の範囲外とした。
以上の説明の通り、この発明によれば、Ｑが８０００〜
１１０００と非常に高い誘電体磁器組成物を提供するこ
とができた。具体的には、従来のものに比べて１．８倍
程度の高いＱを持つ誘電体磁器組成物が得られた。これ
により、従来の誘電体磁器組成物に比較して、Ｑが同一
であるものにおいて、約３０％程小型化された磁器コン
デンサを得ることができる。
１１０００と非常に高い誘電体磁器組成物を提供するこ
とができた。具体的には、従来のものに比べて１．８倍
程度の高いＱを持つ誘電体磁器組成物が得られた。これ
により、従来の誘電体磁器組成物に比較して、Ｑが同一
であるものにおいて、約３０％程小型化された磁器コン
デンサを得ることができる。
手続補正書
１、事件の表示
昭和６０年特許願第１４２９８１号
２、発明の名称
誘電体磁器組成物
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 東京都台東区」二野１丁目２番１２号氏名（名
称） 太陽誘電株式会社 ４、代理人 明 細 書 １、発明の名称 誘電体磁器組成物 ２、特許請求の範囲 ＢａＴｉＯ３が７〜２５モル％と、Ｂｉ２Ｏ３が０．１
〜１５モル％と、ＴｉＯ２が５０〜６５モル％と＋Ｌａ
０３４が０．１〜５モル％と、Ｎｄ０３／２が０．１〜
３０モル％と、ＳｍＣ）３／２が０．１〜３０モル％と
で総計１００モル％となる成分が１００重量部と。
称） 太陽誘電株式会社 ４、代理人 明 細 書 １、発明の名称 誘電体磁器組成物 ２、特許請求の範囲 ＢａＴｉＯ３が７〜２５モル％と、Ｂｉ２Ｏ３が０．１
〜１５モル％と、ＴｉＯ２が５０〜６５モル％と＋Ｌａ
０３４が０．１〜５モル％と、Ｎｄ０３／２が０．１〜
３０モル％と、ＳｍＣ）３／２が０．１〜３０モル％と
で総計１００モル％となる成分が１００重量部と。
Ｙ２Ｏ３、Ｃｒｄ２Ｏ３ 、 Ｃｅ ０２のグループ
から選択された一種以上の成分が０．１〜５重量部と、
Ｃｒ２Ｏ３．ＭｎＯ２、ＮｉＯ、ＣｏＯのグループから
選択された一種以上の成分が０．０１〜１．０重量部と
からなる誘電体磁器組成物。
から選択された一種以上の成分が０．１〜５重量部と、
Ｃｒ２Ｏ３．ＭｎＯ２、ＮｉＯ、ＣｏＯのグループから
選択された一種以上の成分が０．０１〜１．０重量部と
からなる誘電体磁器組成物。
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は、誘電体磁器組成物に係り、特に温度補償用
磁器コンデンサを製作するのに適した組成物に関する。
磁器コンデンサを製作するのに適した組成物に関する。
従来、温度補償用磁器コンデンサに使用されている誘電
体磁器組成物において、比誘電率の温度特性ＴＣがＯ〜
−２８０の広い範囲で、比誘電率が１１５と高＜、シか
も一定の値を保つものとして、 ＢａＴｉＯ３が５〜
２５モル％と、Ｂｉ２Ｏ３が３〜１５モル％と、ＴｉＯ
２が５５〜７０モル％と＋ Ｌ ａ ２Ｏ３が１０〜
２Ｏモル％とで総計１００モル％となる誘電体磁器組成
物に＋ Ｙ２Ｏ３ｒＧｄ２Ｏ：＋及びＮｄ２Ｏ３からな
るグループから選択された一種以上の酸化物を、上記組
成物に対して５〜２Ｏ重量％添加したものがある（特公
昭５５−２５６９０号参照）。
体磁器組成物において、比誘電率の温度特性ＴＣがＯ〜
−２８０の広い範囲で、比誘電率が１１５と高＜、シか
も一定の値を保つものとして、 ＢａＴｉＯ３が５〜
２５モル％と、Ｂｉ２Ｏ３が３〜１５モル％と、ＴｉＯ
２が５５〜７０モル％と＋ Ｌ ａ ２Ｏ３が１０〜
２Ｏモル％とで総計１００モル％となる誘電体磁器組成
物に＋ Ｙ２Ｏ３ｒＧｄ２Ｏ：＋及びＮｄ２Ｏ３からな
るグループから選択された一種以上の酸化物を、上記組
成物に対して５〜２Ｏ重量％添加したものがある（特公
昭５５−２５６９０号参照）。
このような誘電体磁器組成物のＱ （ｑｕａｌｉｔｙｆ
ａｃｔｏｒ）は、磁器コンデンサの誘電体の厚さを約０
．８５ｍｍとした場合、最高でも６３００以下、平均で
は、 ５６００程度であった。
ａｃｔｏｒ）は、磁器コンデンサの誘電体の厚さを約０
．８５ｍｍとした場合、最高でも６３００以下、平均で
は、 ５６００程度であった。
コンデンサの静電容量は、対向電極の直径の２乗に比例
し、厚みに反比例する。従って、磁器コンデンサの小型
化を図る場合、対向電極の直径の減少分の２乗倍だけ誘
電体磁器の厚さを減少させなければならない。ところが
、誘電体磁器の厚さを減少させると、これにはｙ゛比例
て上記Ｑの値が減少する。
し、厚みに反比例する。従って、磁器コンデンサの小型
化を図る場合、対向電極の直径の減少分の２乗倍だけ誘
電体磁器の厚さを減少させなければならない。ところが
、誘電体磁器の厚さを減少させると、これにはｙ゛比例
て上記Ｑの値が減少する。
従って、磁器コンデンサの小型化のためには。
従来のものに比べて、より高いＱの値が得られる誘電体
磁器組成物が要望される。
磁器組成物が要望される。
この発明は、上記要望に基づいて創案されたもので、従
来のものに比べて、より高いＱが得られる誘電体磁器組
成物を提供するものである。
来のものに比べて、より高いＱが得られる誘電体磁器組
成物を提供するものである。
この発明による誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ３が７
〜２５モル％と、Ｂｉ２Ｏ３が０．１〜１５モル％と、
ＴｉＯ２が５０〜６５モル％と。
〜２５モル％と、Ｂｉ２Ｏ３が０．１〜１５モル％と、
ＴｉＯ２が５０〜６５モル％と。
ＬａＯ：ｔ４が０．１〜５モル％と、ＮｄＯ功が０．１
〜３０モル％と、ＳｍＯ３／２が０．１〜３０モル％と
で総計１００モル％となる成分を１００重量部と、 Ｙ
２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ）、ＣｅＯ２グループから選択された
一種以上の成分が０．１〜５重量部と。
〜３０モル％と、ＳｍＯ３／２が０．１〜３０モル％と
で総計１００モル％となる成分を１００重量部と、 Ｙ
２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ）、ＣｅＯ２グループから選択された
一種以上の成分が０．１〜５重量部と。
Ｃｒ２Ｏ３ 、ＭｎＯ２、ＮｉＯ、ＣｏＯのグループか
ら選択さた一種以上の成分が０．０１〜１．０重量部と
からなるものである。
ら選択さた一種以上の成分が０．０１〜１．０重量部と
からなるものである。
次ぎに、この発明の実施例について説明する。
まずＢａＴｉ０：＋の粉末を１８．５７ｇ’ （７モル
％相当）、Ｂｉ２Ｏ３の粉末を０．４７ｇ （０，１モ
ル％相当）、ＴｉＯ２の粉末を３９．９５ｇ （５０モ
ル％相当）、Ｌａ２Ｏ３の粉末を８．１５ｇ （Ｌ ａ
０ａｚ２で５モル％相当）＋ Ｎ ｄ２Ｏ３の粉末を
５０．４７ｇ（Ｎ ｄ Ｏ：／２で３０モル％相当）、
Ｓｍ２Ｏ３の粉末を１３．７７ｇ （Ｓ ｍ ＯＨで７
．９モル％相当）ずつ秤量した。また＋ Ｙ ２Ｏ３の
粉末を０．１３ｇ （上記成分の総量１００重量部に対
して０．１重量部）。
％相当）、Ｂｉ２Ｏ３の粉末を０．４７ｇ （０，１モ
ル％相当）、ＴｉＯ２の粉末を３９．９５ｇ （５０モ
ル％相当）、Ｌａ２Ｏ３の粉末を８．１５ｇ （Ｌ ａ
０ａｚ２で５モル％相当）＋ Ｎ ｄ２Ｏ３の粉末を
５０．４７ｇ（Ｎ ｄ Ｏ：／２で３０モル％相当）、
Ｓｍ２Ｏ３の粉末を１３．７７ｇ （Ｓ ｍ ＯＨで７
．９モル％相当）ずつ秤量した。また＋ Ｙ ２Ｏ３の
粉末を０．１３ｇ （上記成分の総量１００重量部に対
して０．１重量部）。
Ｃｒ２Ｏ３の粉末を０．０１ｇ （上記成分の総量１０
０Ｍ量部に対して０．０１重量部）ずつ秤量した。
０Ｍ量部に対して０．０１重量部）ずつ秤量した。
これらを純水と共にボールミルに入れ、２４時間湿式混
合した。
合した。
こうして得られた混合物を脱水して１５０℃の温度を５
時間加え、乾燥した。次にこれをボールミルで粉砕した
。この粉砕物にポリビニルアルコール・ε５ｇ加えて播
ｆ貴機で混合し、６０メ、・シュの篩にかけて造粒し、
た。
時間加え、乾燥した。次にこれをボールミルで粉砕した
。この粉砕物にポリビニルアルコール・ε５ｇ加えて播
ｆ貴機で混合し、６０メ、・シュの篩にかけて造粒し、
た。
これらの造粒物のうＬ）０．７６ｇを金型に入れ。
約５０ ｋ＋？／ ｃａの圧力で直ｆ’ｆ＝ １８ ｉ
ｉｍ 、 ｆｔ７−さ１肛の円板に加圧成形した。同様
にｊｌ、７２Ｏ個の円板を製作した。
ｉｍ 、 ｆｔ７−さ１肛の円板に加圧成形した。同様
にｊｌ、７２Ｏ個の円板を製作した。
これらの円板を酸化性雰囲気中ご約１３００℃の２１Ｍ
度で約２時間焼成し、直径が１５．５１１１１．厚さし
が０．８７１１の誘電体磁器円板を得た。しかる後。
度で約２時間焼成し、直径が１５．５１１１１．厚さし
が０．８７１１の誘電体磁器円板を得た。しかる後。
ごの磁器円板の一力のＬ面６ごｔ）２ペーストを塗布し
、約７５０℃の温度で３０分間焼付わ３した。さら乙１
−他方の１・面６．二も同様の処理を施して、直ｆ％
Ｄが１４職の対向電極を白゛する円扱形磁器コンデンザ
を完成させ、これを試料１とし、た３、次に、上記試料
１の２Ｏ（固に′りいζ、温度２Ｏ゛Ｃで周波数ＩＭＩ
ｌｚにおける比誘電率ε、比誘電率の温度係数ＴＣ１温
度２Ｏ℃で周波数ＩＭＨｚにおけるＱをそれぞれ求め。
、約７５０℃の温度で３０分間焼付わ３した。さら乙１
−他方の１・面６．二も同様の処理を施して、直ｆ％
Ｄが１４職の対向電極を白゛する円扱形磁器コンデンザ
を完成させ、これを試料１とし、た３、次に、上記試料
１の２Ｏ（固に′りいζ、温度２Ｏ゛Ｃで周波数ＩＭＩ
ｌｚにおける比誘電率ε、比誘電率の温度係数ＴＣ１温
度２Ｏ℃で周波数ＩＭＨｚにおけるＱをそれぞれ求め。
これらの平均値を表の試料番号１の欄に示した。
ただし、比誘電率εの測定は、試料１の温度２Ｏ″Ｃ５
周波ｆＪ １． Ｍ ＩＩ ｚ Ｌ：：、おける静電容
量Ｃ２Ｏ＝？＝ 。
周波ｆＪ １． Ｍ ＩＩ ｚ Ｌ：：、おける静電容
量Ｃ２Ｏ＝？＝ 。
誘電体磁器円板のＩＶさｔと、対向電極の直径りとから
、ε、＝ １．４４ｘ Ｃｘ ｔ ／Ｄ２なる式で末め
）こ。
、ε、＝ １．４４ｘ Ｃｘ ｔ ／Ｄ２なる式で末め
）こ。
比誘電率の温ＦＫ係数′１゛Ｃば、温度８５℃１周波数
ＩＭＩ（ｚ４．’ｌおける静電容量Ｃ１１５を測定し、
この値と温度２Ｏ″Ｃのときのｌ−１記静電容幻Ｃ２ｏ
１７）値とから、ＴＣ＝ （Ｃａ５−Ｃ２Ｏ／Ｃ２ｏ
Ｘ６５）ＸＩＯ”（ｐ［）（ト）／”Ｃ）なる式で求め
た。
ＩＭＩ（ｚ４．’ｌおける静電容量Ｃ１１５を測定し、
この値と温度２Ｏ″Ｃのときのｌ−１記静電容幻Ｃ２ｏ
１７）値とから、ＴＣ＝ （Ｃａ５−Ｃ２Ｏ／Ｃ２ｏ
Ｘ６５）ＸＩＯ”（ｐ［）（ト）／”Ｃ）なる式で求め
た。
表に示された伯の試料２へ一２２Ｆ７ついても、試車：
＋１と同様にし、Ｃそれぞれの（閣に示された組成の誘
電体磁器円板を作り、これに電極を設けて製作した。そ
１．”ζごれら試料２＝２２についても。
＋１と同様にし、Ｃそれぞれの（閣に示された組成の誘
電体磁器円板を作り、これに電極を設けて製作した。そ
１．”ζごれら試料２＝２２についても。
試料１と同様の方法で比誘電率ε、比誘電率の温度係数
Ｔ Ｃ及び０を求め１下表の該５欄に示（１，た。
Ｔ Ｃ及び０を求め１下表の該５欄に示（１，た。
表から明らかな通り、試料１−・２２の比誘電率εは）
１１〜１１６．比誘電率の温度係数′Ｔ’ Ｃは−９６
〜＋１．Ｑは、 ８２Ｏ０−１３６００であった。
１１〜１１６．比誘電率の温度係数′Ｔ’ Ｃは−９６
〜＋１．Ｑは、 ８２Ｏ０−１３６００であった。
なお、上記の各成分からなる誘電体磁器組成物であって
、この発明の範囲に含まれないものは、一般的に次のよ
うな問題を含んでいる。ここでいう特性値は上記実施例
と同じ条件で求められたものである。
、この発明の範囲に含まれないものは、一般的に次のよ
うな問題を含んでいる。ここでいう特性値は上記実施例
と同じ条件で求められたものである。
（１） Ｂ ａ Ｔ ｔ Ｏ３が７モル％未満または
２５モル％を越えると、Ｑが８０００以下になってしま
う。
２５モル％を越えると、Ｑが８０００以下になってしま
う。
（２１Ｂｉ２Ｃ）＋が０．１モル％未満または１５モル
％を越えると、Ｑが８０００以下になってしまう。
％を越えると、Ｑが８０００以下になってしまう。
（３１Ｔｉ０２が５０モル％未満または６５モル％を越
えると、Ｑが８０００以下になってしまう。
えると、Ｑが８０００以下になってしまう。
（４１ＬａＯ３／２が０．１モル％未満または５モル％
を越えると、Ｑが８０００以下になってしまう。
を越えると、Ｑが８０００以下になってしまう。
（５１Ｎ ｄ Ｏ３／’２が０．１モル％未満であると
、Ｑが８０００以下となり、３０モル％を越えると、
１４００℃以下の焼成温度で焼結されない。
、Ｑが８０００以下となり、３０モル％を越えると、
１４００℃以下の焼成温度で焼結されない。
（６） Ｓ ｍ ＯＨが０．１モル％未満であると、
Ｑが８０００以下となり、３０モル％を越えると、 １
４００″Ｃ以下の焼成温度で焼結されない。
Ｑが８０００以下となり、３０モル％を越えると、 １
４００″Ｃ以下の焼成温度で焼結されない。
（７） Ｙ２Ｏ３．Ｇｄ：＋ Ｏｙ 、ＣａＣ２のグ
ルーブの１種以、Ｌからなる成分が、（１）〜（６）の
成分の総量１００重量部に対して０．１重量部未満また
は５重量部を越えるどＱが８０００以不になってしまう
。
ルーブの１種以、Ｌからなる成分が、（１）〜（６）の
成分の総量１００重量部に対して０．１重量部未満また
は５重量部を越えるどＱが８０００以不になってしまう
。
Ｆ８）Ｃｒ２Ｏ３ 、ＭｎＯ２、ＮｉＯ，Ｃｏｏのグル
ープの１種以」二からなる成分が、（１）−（６）の成
分の総量１００重量部に対し２て０．０１重量部未満で
あると、その添加効果が見られず、１．０重量部を越え
るとＱが８０００以下になってしまう。
ープの１種以」二からなる成分が、（１）−（６）の成
分の総量１００重量部に対し２て０．０１重量部未満で
あると、その添加効果が見られず、１．０重量部を越え
るとＱが８０００以下になってしまう。
以上の理由から、これらをこの発明の範囲外としまた。
以上の説明の通り５ この発明によれば、Ｑが８０００
〜１１０００と非常に高い誘電体磁器組成物を提供する
ことができた。具体的には、従来のものに比べて１．８
倍程度の高いＱを持つ誘電体磁器組成物が得られた。こ
れにより、従来の誘電体磁器組成物に比較して、Ｑが同
一であるものにおいて、約３０％程小型化された磁器コ
ンデンサを得ることができる。
〜１１０００と非常に高い誘電体磁器組成物を提供する
ことができた。具体的には、従来のものに比べて１．８
倍程度の高いＱを持つ誘電体磁器組成物が得られた。こ
れにより、従来の誘電体磁器組成物に比較して、Ｑが同
一であるものにおいて、約３０％程小型化された磁器コ
ンデンサを得ることができる。
Claims (1)
- ＢａＴｉＯ＿３が７〜２５モル％と、ＢｉＯ＿３＿／
＿２が０．１〜１５モル％と、ＴｉＯ＿２が５０〜６５
モル％と、ＬａＯ＿３＿／＿２が０．１〜５モル％と、
ＮｄＯ＿３＿／＿２が０．１〜３０モル％と、ＳｍＯ＿
３＿／＿２が０．１〜３０モル％とで総計１００モル％
となる成分が１００重量部と、Ｙ＿２Ｏ＿３、Ｇｄ＿２
Ｏ＿３、Ｃｅ＿２Ｃｏ＿３のグループから選択された一
種以上の成分が０．１〜５重量部と、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、
ＭｎＯ＿２、ＮｉＯ、ＣｏＯのグループから選択された
一種以上の成分が０．０１〜１．０重量部とからなる誘
電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14298185A JPS625509A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14298185A JPS625509A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625509A true JPS625509A (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=15328150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14298185A Pending JPS625509A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS625509A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63222064A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-14 | 宇部興産株式会社 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
| JPH0265210A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物及び磁器 |
| JPH0265211A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物及び磁器 |
| JPH0280366A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-20 | Narumi China Corp | 誘電体磁器組成物 |
| EP0412440A2 (en) * | 1989-08-09 | 1991-02-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Dielectric ceramic for microwave applications |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5525690A (en) * | 1978-08-03 | 1980-02-23 | Howaldtswerke Deutsche Werft | Ship rudder construction |
| JPS5893103A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-02 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1985
- 1985-06-29 JP JP14298185A patent/JPS625509A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5525690A (en) * | 1978-08-03 | 1980-02-23 | Howaldtswerke Deutsche Werft | Ship rudder construction |
| JPS5893103A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-02 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH054941B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1993-01-21 | Ube Industries | |
| JPH0265210A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物及び磁器 |
| JPH0265211A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物及び磁器 |
| JPH0514409B2 (ja) * | 1988-08-31 | 1993-02-25 | Taiyo Yuden Kk | |
| JPH0514410B2 (ja) * | 1988-08-31 | 1993-02-25 | Taiyo Yuden Kk | |
| JPH0280366A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-20 | Narumi China Corp | 誘電体磁器組成物 |
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