JPH03219502A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH03219502A JPH03219502A JP2013858A JP1385890A JPH03219502A JP H03219502 A JPH03219502 A JP H03219502A JP 2013858 A JP2013858 A JP 2013858A JP 1385890 A JP1385890 A JP 1385890A JP H03219502 A JPH03219502 A JP H03219502A
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- dielectric
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良好
度Ｑにすくれ、静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組
成物に関するものである。
度Ｑにすくれ、静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組
成物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電率、絶縁抵抗が高く、良好度Ｑにすぐれ、
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記
のような系が知られている。
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記
のような系が知られている。
ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ、 ０３系
・ＢａＯＴｉ０ｚ ５ｒｎｚ ０３系発明が解決しよ
うとする課題 しかし、これらの組成は、例えば０．０９Ｂ ａ ００
．５６Ｔ ｉ ０２ ０．３５Ｎ ｄ Ｏ３／２の組成
比からなる誘電体材料を使用し、円板形磁器コンデンザ
を作製すると、誘電率＝６７、静電容量温度係数：Ｎ４
０ｐｐｍ／’Ｃ１良・好度Ｑ ： ３０００、絶縁抵抗
： ８．０Ｘ１０１２Ω、絶縁破壊強度：３０Ｋｖ／ｍ
ｍであり、満足のできる値ではない。
うとする課題 しかし、これらの組成は、例えば０．０９Ｂ ａ ００
．５６Ｔ ｉ ０２ ０．３５Ｎ ｄ Ｏ３／２の組成
比からなる誘電体材料を使用し、円板形磁器コンデンザ
を作製すると、誘電率＝６７、静電容量温度係数：Ｎ４
０ｐｐｍ／’Ｃ１良・好度Ｑ ： ３０００、絶縁抵抗
： ８．０Ｘ１０１２Ω、絶縁破壊強度：３０Ｋｖ／ｍ
ｍであり、満足のできる値ではない。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式
％式％
ｚＲｅｏ ３７ｚと表した時（ただし、ｘ ＋ ｙ ＋
ｚ＝１．０Ｏ１０＜ｍ≦０．３０、ＲｅはＬａ Ｐ
ｒ ＮｄＳｍから選ばれる一種以上の希土類元素。）
、ｘｙ、ｚが以下に表す各点ａ、ｂ ｃ、ｄ ｅ
ｆで囲まれるモル比の範囲からなることを特徴とする
誘電体磁器組成物を提案するものである。
ｚ＝１．０Ｏ１０＜ｍ≦０．３０、ＲｅはＬａ Ｐ
ｒ ＮｄＳｍから選ばれる一種以上の希土類元素。）
、ｘｙ、ｚが以下に表す各点ａ、ｂ ｃ、ｄ ｅ
ｆで囲まれるモル比の範囲からなることを特徴とする
誘電体磁器組成物を提案するものである。
作用
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａｊｌ域では
焼結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが
低下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電
容量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的で
なくなる。
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａｊｌ域では
焼結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが
低下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電
容量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的で
なくなる。
そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス方向に移
行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。また、Ｒ
ｅをＬａ、Ｐ’ｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ふことにより、Ｌ
ａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの順で誘電率を大きく下げること
なく、静電容量温度係数をプラス方向に移行することが
可能であり、ＬａＰｒ、Ｎｄ、Ｓｍの１種あるいはそれ
らの組合せにより静電容量温度係数の調節が可能である
。
行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。また、Ｒ
ｅをＬａ、Ｐ’ｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ふことにより、Ｌ
ａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの順で誘電率を大きく下げること
なく、静電容量温度係数をプラス方向に移行することが
可能であり、ＬａＰｒ、Ｎｄ、Ｓｍの１種あるいはそれ
らの組合せにより静電容量温度係数の調節が可能である
。
また、ＢａＯをＳｒＯで置換することにより、静電容量
温度係数、絶縁抵抗の値を大きく変えることなく、誘電
率、良好度Ｑ、絶縁破壊強度を高くする効果を有してい
るが、その置換率ｍが０．０１未満では置換効果はなく
、一方０．３０を超えると絶縁抵抗が低下し、静電容量
温度係数もマイナス側に太き（なり実用的でなくなる。
温度係数、絶縁抵抗の値を大きく変えることなく、誘電
率、良好度Ｑ、絶縁破壊強度を高くする効果を有してい
るが、その置換率ｍが０．０１未満では置換効果はなく
、一方０．３０を超えると絶縁抵抗が低下し、静電容量
温度係数もマイナス側に太き（なり実用的でなくなる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
（実施例１）
出発原料には化学的に高純度のＢ ａ ＣＯ３、ＳｒＣ
ｏｓ 、ＴｉＯ２，Ｌａｚ ｏ３ Ｐｒｂ ０Ｎｄ２
０３およびＳｍｚ Ｏｓ粉末を下記の第１表に示す組成
比になるように秤量し、めのうポールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水
乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ
、空気中で１１００°Ｃにて２時間仮焼した。この仮焼
粉末を、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミル
に純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この
粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とした後、３
２メツシユのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレス
を用いて成形圧力１ｔｏｎ／ｃｒｄで直径１５ｍｍ、厚
み０．４ｍｍに成形した。次いで、成形円板をジルコニ
ア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて下
記の第１表に示す温度で２時間焼成し、第１表に示す組
成比の誘電体磁器を得このようにして得られた誘電体磁
器円板は、厚みと直径を測定し、誘電率、良好度Ｑ、静
電容量温度係数測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全
体に銀電極を焼き付け、絶縁抵抗、絶縁破壊強度測定用
試料は、誘電体磁器円板の外周より内側に１ｍｍの幅で
銀電極のない部分を設け、銀電極を焼き付けた。そして
、誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数は、横河・ヒユ
ーレット・パラカード■製デジタルＬＣＲメータのモデ
ル４２７５ Ａを使用し、測定温度２０°Ｃ１測定電圧
１．ＯＶ ｒ ｍ ｓ、測定周波数ＩＭＨ２での測定よ
り求めた。なお、静電容量温度係数は、２０°Ｃと８５
°Ｃの静電容量を測定し、次式により求めた。
ｏｓ 、ＴｉＯ２，Ｌａｚ ｏ３ Ｐｒｂ ０Ｎｄ２
０３およびＳｍｚ Ｏｓ粉末を下記の第１表に示す組成
比になるように秤量し、めのうポールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水
乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ
、空気中で１１００°Ｃにて２時間仮焼した。この仮焼
粉末を、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミル
に純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この
粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とした後、３
２メツシユのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレス
を用いて成形圧力１ｔｏｎ／ｃｒｄで直径１５ｍｍ、厚
み０．４ｍｍに成形した。次いで、成形円板をジルコニ
ア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて下
記の第１表に示す温度で２時間焼成し、第１表に示す組
成比の誘電体磁器を得このようにして得られた誘電体磁
器円板は、厚みと直径を測定し、誘電率、良好度Ｑ、静
電容量温度係数測定用試料は、誘電体磁器円板の両面全
体に銀電極を焼き付け、絶縁抵抗、絶縁破壊強度測定用
試料は、誘電体磁器円板の外周より内側に１ｍｍの幅で
銀電極のない部分を設け、銀電極を焼き付けた。そして
、誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数は、横河・ヒユ
ーレット・パラカード■製デジタルＬＣＲメータのモデ
ル４２７５ Ａを使用し、測定温度２０°Ｃ１測定電圧
１．ＯＶ ｒ ｍ ｓ、測定周波数ＩＭＨ２での測定よ
り求めた。なお、静電容量温度係数は、２０°Ｃと８５
°Ｃの静電容量を測定し、次式により求めた。
ＴＣ＝ （Ｃ−Ｃｏ）／ＣｏＸ １／６５Ｘ１０６ＴＣ
：静電容量温度係数（ｐｐｍ／’Ｃ）Ｃｏ：２０°Ｃで
の静電容量（ｐＦ） Ｃ：８５°Ｃでの静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
：静電容量温度係数（ｐｐｍ／’Ｃ）Ｃｏ：２０°Ｃで
の静電容量（ｐＦ） Ｃ：８５°Ｃでの静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
Ｋ＝ １４３．８ｘＣｏ ｘ ｔ ／Ｄ２Ｋ ：誘電率
ＣＯ：２０°Ｃでの静電容量（ｐＦ）
Ｄ ：誘電体磁器の直径（ｍｍ）
ｔ ：誘電体磁器の厚み（ｍｍ）
さら、′ｄＡ縁抵抗抵抗横筒・ヒユーレット・パラカー
ド■製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測定電
圧５０Ｖ、Ｄ、Ｃ、測定時間１分間による測定より求め
た。
ド■製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使用し、測定電
圧５０Ｖ、Ｄ、Ｃ、測定時間１分間による測定より求め
た。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電チエ業■製高電圧電源
ＰＨ３３５に一３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／Ｓｅｃにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、１ｍｍ当りの絶縁破壊強度
とした。
ＰＨ３３５に一３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／Ｓｅｃにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、１ｍｍ当りの絶縁破壊強度
とした。
試験条件を第１表に併せて示し、試験結果を下記の第２
表に示す。
表に示す。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂａ
Ｃ０：＋ 、ＳｒＣＯ３，Ｔｉ０ｚ 、Ｌａｚ０３
Ｐｒｂ Ｏｚ、Ｎｄｚ○３およびＳｍ、０３を使用した
が、この方法に限定されるものではなく、所望の組成比
になるように、ＢａＴｉＯ３なく第１表〉 く第２表〉 どの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での
加熱により、Ｂ ａ Ｏ，Ｓ ｒ Ｏ，Ｔ ｉ ０ｚＬ
ａ２ｏｚ 、Ｐｒｂ Ｏ＋＋、Ｎ（ＩｚＯｚおよびＳｍ
ｚ○３となる化合物を使用しても実施例と同程度の特性
を得ることができる。
Ｃ０：＋ 、ＳｒＣＯ３，Ｔｉ０ｚ 、Ｌａｚ０３
Ｐｒｂ Ｏｚ、Ｎｄｚ○３およびＳｍ、０３を使用した
が、この方法に限定されるものではなく、所望の組成比
になるように、ＢａＴｉＯ３なく第１表〉 く第２表〉 どの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での
加熱により、Ｂ ａ Ｏ，Ｓ ｒ Ｏ，Ｔ ｉ ０ｚＬ
ａ２ｏｚ 、Ｐｒｂ Ｏ＋＋、Ｎ（ＩｚＯｚおよびＳｍ
ｚ○３となる化合物を使用しても実施例と同程度の特性
を得ることができる。
また、上述の基本組成のほかに、３１０２．Ｍｎｏｚ
、Ｆｅｚ ０３ 、ＺｎＯなど、一般にフラ・ノクスと
考えられている塩類、酸化物などを、特性を損なわない
範囲で加えることもできる。
、Ｆｅｚ ０３ 、ＺｎＯなど、一般にフラ・ノクスと
考えられている塩類、酸化物などを、特性を損なわない
範囲で加えることもできる。
以下余白
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗、絶縁
破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数
が小さいため、製品の小型化、大容量化、特性向上が可
能である。
破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数
が小さいため、製品の小型化、大容量化、特性向上が可
能である。
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を説
明する三元図である。
明する三元図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘ［（ＢａＯ）＿（＿１＿−＿ｍ＿）（ＳｒＯ）＿ｍ］
−ｙＴｉＯ＿２−ｚＲｅＯ＿３＿／＿２と表した時（た
だし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００、０．０１＜ｍ≦０．３０
、ＲｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ばれる一種以上
の希土類元素。）、ｘ、ｙ、ｚが以下に表す各点ａ、ｂ
、ｃ、ｄ、ｅ、ｆで囲まれるモル比の範囲からなること
を特徴とする誘電体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013858A JPH03219502A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013858A JPH03219502A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219502A true JPH03219502A (ja) | 1991-09-26 |
Family
ID=11844970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013858A Pending JPH03219502A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03219502A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0473806A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波用誘電体磁器材料 |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP2013858A patent/JPH03219502A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0473806A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波用誘電体磁器材料 |
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