JPH0487107A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0487107A JPH0487107A JP2200540A JP20054090A JPH0487107A JP H0487107 A JPH0487107 A JP H0487107A JP 2200540 A JP2200540 A JP 2200540A JP 20054090 A JP20054090 A JP 20054090A JP H0487107 A JPH0487107 A JP H0487107A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子機器用固定磁器コンデンサの誘電体磁器組
成物に関するものである。
成物に関するものである。
従来の技術
以下に従来の誘電体磁器組成物について説明する。
誘電体磁器組成物として下記のような系が知られている
。
。
BaO−TiO2・Nd2O3系
BaO−TiO2・Sm2O3系
例えば0.09BaO−0,56Ti02・0.35N
dO3/2の組成比からなる誘電体磁器組酸物を使用し
、誘電体磁器円板を作製し、電気特性を測定して誘電率
:67.静電容量温度係数;N40ppm/℃、良好度
Q 、3000.絶縁抵抗:8.0X1012Ω、絶縁
破壊強度: 30kv/■の値が得られた。
dO3/2の組成比からなる誘電体磁器組酸物を使用し
、誘電体磁器円板を作製し、電気特性を測定して誘電率
:67.静電容量温度係数;N40ppm/℃、良好度
Q 、3000.絶縁抵抗:8.0X1012Ω、絶縁
破壊強度: 30kv/■の値が得られた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記の従来の構成では、良好度Q、絶縁
抵抗および絶縁破壊強度が小さ(、誘電体磁器の特性が
不十分であるという問題点を有していた。
抵抗および絶縁破壊強度が小さ(、誘電体磁器の特性が
不十分であるという問題点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、良好度Q
が高く、絶縁抵抗および絶縁破壊強度が大きい誘電体磁
器を得ることができる誘電体磁器組成物を提供すること
を目的とする。
が高く、絶縁抵抗および絶縁破壊強度が大きい誘電体磁
器を得ることができる誘電体磁器組成物を提供すること
を目的とする。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明の誘電体磁器組成物は
、一般式x[(B a O)(+−u)(A e O)
、1 ・yTi○2 ・z(Re B−w>M e、s
>O+72で表され、式中AeはCaもしくはSrのア
ルカリ土金属てReはLa、Pr、Nd、Smから選ば
れる一種以上の希土類元素で、MeはLa、Pr、Nd
。
、一般式x[(B a O)(+−u)(A e O)
、1 ・yTi○2 ・z(Re B−w>M e、s
>O+72で表され、式中AeはCaもしくはSrのア
ルカリ土金属てReはLa、Pr、Nd、Smから選ば
れる一種以上の希土類元素で、MeはLa、Pr、Nd
。
Smを除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元
素であり、UおよびWの値が0.01≦u≦0.30お
よび0.01≦w≦0.20なる範囲にある組成を有し
、かつx、yおよびZはモル比を表し、x+y+z=1
でX、y、zの値が第1表に示すa、b、c、d、e、
fで囲まれるモル比の範囲にある組成の構成を有してい
る。
素であり、UおよびWの値が0.01≦u≦0.30お
よび0.01≦w≦0.20なる範囲にある組成を有し
、かつx、yおよびZはモル比を表し、x+y+z=1
でX、y、zの値が第1表に示すa、b、c、d、e、
fで囲まれるモル比の範囲にある組成の構成を有してい
る。
作用
コノ構成によって、ReをLa、Pr、Nd。
Smから選ぶことにより、La、Pr、Nd、Smの順
で静電容量温度係数をプラス方向に移行することとなり
、La、Pr、Nd、Smから選ばれる一種以上の希土
類元素の一部を、L a + P r +Nd、Smを
除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素で置
換することにより、良好度Qを大幅に改善することとな
る。
で静電容量温度係数をプラス方向に移行することとなり
、La、Pr、Nd、Smから選ばれる一種以上の希土
類元素の一部を、L a + P r +Nd、Smを
除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素で置
換することにより、良好度Qを大幅に改善することとな
る。
また、BaOをCaOで置換することにより、良好度Q
を向上させ、絶縁抵抗をを大きくすることとなり、Ba
OをSrOで置換することにより、誘電率と良好度Qを
高くし絶縁破壊強度を大きくすることが可能となる。
を向上させ、絶縁抵抗をを大きくすることとなり、Ba
OをSrOで置換することにより、誘電率と良好度Qを
高くし絶縁破壊強度を大きくすることが可能となる。
実施例
以下本発明の一実施例について説明する。
(実施例1)
出発原料には化学的に高純度のBaCO3゜Ca CO
s、T i 02. L azo3. P rsou。
s、T i 02. L azo3. P rsou。
Nd2O3およびSm2O3粉末を第2表に示す組成比
になるように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張り
のボールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾
燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のるつぼに入れ、
空気中で1100℃にて2時間仮焼した。この仮焼粉末
を、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミルに純
水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕
粉末に、有機バインダーを加え、均質とした後、32メ
ツシユのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用
いて成形圧力1ton/cjで直径15■、厚み0.4
msに成形した。次いで、成形円板をジルコニア粉末を
敷いたアルミナ質のさやに入れ、空気中にて第2表に示
す焼成温度で2時間焼成し、第2表の試料番号1〜10
に示す組成比の誘電体磁器円板を得た。
になるように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張り
のボールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾
燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のるつぼに入れ、
空気中で1100℃にて2時間仮焼した。この仮焼粉末
を、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミルに純
水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕
粉末に、有機バインダーを加え、均質とした後、32メ
ツシユのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用
いて成形圧力1ton/cjで直径15■、厚み0.4
msに成形した。次いで、成形円板をジルコニア粉末を
敷いたアルミナ質のさやに入れ、空気中にて第2表に示
す焼成温度で2時間焼成し、第2表の試料番号1〜10
に示す組成比の誘電体磁器円板を得た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率、良好度Q2静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円
板の外周より内側に1閣の幅で銀電極のない部分を設け
、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率、良好度Q、静
電容量温度係数は、横河ヒユーレット・パラカード■製
デジタルLCRメータのモデル4275Aを使用し、測
定温度20℃、測定電圧1.QVrms。
を測定し、誘電率、良好度Q2静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円
板の外周より内側に1閣の幅で銀電極のない部分を設け
、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率、良好度Q、静
電容量温度係数は、横河ヒユーレット・パラカード■製
デジタルLCRメータのモデル4275Aを使用し、測
定温度20℃、測定電圧1.QVrms。
測定周波数IMHzでの測定より求めた。
なお、静電容量温度係数は、20℃と85℃の静電容量
を測定し、次式により求めた。
を測定し、次式により求めた。
TC−(C−Co)/Cox 1/65X 106TC
:静電容量温度係数(ppm/℃)Co:20℃での静
電容量(pF> C:85℃での静電容量(pF) また、誘電率は次式より求めた。
:静電容量温度係数(ppm/℃)Co:20℃での静
電容量(pF> C:85℃での静電容量(pF) また、誘電率は次式より求めた。
K=143.8XCoX t/D2
K :誘電率
Co : 20℃での静電容量(pF)D :誘電体磁
器の直径(wa ) t ;誘電体磁器の厚み(m) さらに、絶縁抵抗は、横動ヒユーレット・パラカード■
製HRメータのモデル4329Aを使用し、測定電圧5
QV、D、C,、測定時間1分間による測定より求めた
。
器の直径(wa ) t ;誘電体磁器の厚み(m) さらに、絶縁抵抗は、横動ヒユーレット・パラカード■
製HRメータのモデル4329Aを使用し、測定電圧5
QV、D、C,、測定時間1分間による測定より求めた
。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業算製高電圧電源
PH335に一3形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度50V/seeにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、1醜当りの絶縁破壊強度と
した。
PH335に一3形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度50V/seeにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、1醜当りの絶縁破壊強度と
した。
測定結果を試料番号1〜1o別に第2表に示す。
(以 下 余 白)
第1図は本発明にかかる誘電体磁器組成物の主成分の組
成範囲を示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定し
た理由を第1図を参照しながら説明する。すなわち、A
領域では焼結が著しく困難である。また、B領域では良
好度Qが低下し実用的でなくなる。さらに、C,D領域
では静電容量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて
実用的でな(なる。そして、E領域では静電容量温度係
数がプラス方向に移行するが誘電率が小さ(実用的でな
くなる。また、ReをLa、Pr、Nd。
成範囲を示す三元図であり、主成分の組成範囲を限定し
た理由を第1図を参照しながら説明する。すなわち、A
領域では焼結が著しく困難である。また、B領域では良
好度Qが低下し実用的でなくなる。さらに、C,D領域
では静電容量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて
実用的でな(なる。そして、E領域では静電容量温度係
数がプラス方向に移行するが誘電率が小さ(実用的でな
くなる。また、ReをLa、Pr、Nd。
Smから選ぶことにより、La、Pr、Nd、Smの順
で誘電率を大きく下げることなく静電容量温度係数をプ
ラス方向に移行することが可能であり、La、Pr、N
d、Smの1種あるいは組合せにより静電容量温度係数
の調節が可能である。
で誘電率を大きく下げることなく静電容量温度係数をプ
ラス方向に移行することが可能であり、La、Pr、N
d、Smの1種あるいは組合せにより静電容量温度係数
の調節が可能である。
さらに、La、Pr、Nd、Smから選ばれる一種以上
の希土類元素の一部を、La、Pr、Nd。
の希土類元素の一部を、La、Pr、Nd。
Smを除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元
素で置換することにより、良好度Qを大幅に改善する効
果を有し、その置換率Wが0.01未満では置換効果は
なく、0.20を超えると誘電率が低下し実用的でなく
なる。
素で置換することにより、良好度Qを大幅に改善する効
果を有し、その置換率Wが0.01未満では置換効果は
なく、0.20を超えると誘電率が低下し実用的でなく
なる。
また、BaOをCaOで置換することにより誘電率、静
電容量温度係数、絶縁破壊強度の値を大きく変えること
なく良好度Qを向上させ、絶縁抵抗を高くする効果を有
し、その置換率Uが0.01未満では置換効果はなく、
一方0.30を超えると良好度Q、絶縁抵抗が低下し、
静電容量温度係数もマイナス側に大きくなりすぎ実用的
でなくなる。
電容量温度係数、絶縁破壊強度の値を大きく変えること
なく良好度Qを向上させ、絶縁抵抗を高くする効果を有
し、その置換率Uが0.01未満では置換効果はなく、
一方0.30を超えると良好度Q、絶縁抵抗が低下し、
静電容量温度係数もマイナス側に大きくなりすぎ実用的
でなくなる。
(実施例2)
実施例1の高純度のCa C03粉末に代えて、高純度
のSrCO3粉末を第4表に示す組成比になるように秤
量し、以降の工程を実施例1と同様に処理して第4表の
試料番号11〜20に示す組成比の誘電体磁器円板を得
、実施例1と同様に処理して電気特性を測定した結果を
試料番号11〜20別に第5表に示す。
のSrCO3粉末を第4表に示す組成比になるように秤
量し、以降の工程を実施例1と同様に処理して第4表の
試料番号11〜20に示す組成比の誘電体磁器円板を得
、実施例1と同様に処理して電気特性を測定した結果を
試料番号11〜20別に第5表に示す。
(以 下 余 白)
主成分の組成範囲を限定した理由は実施例1と同様であ
るので説明は省略する。
るので説明は省略する。
なお、BaOをSrOで置換することにより、静電容量
温度係数、絶縁抵抗の値を大きく変えることなく、誘電
率と良好度Qを高くし絶縁破壊強度を大きくする効果を
有し、その激変率Uが0.01未満では置換効果はな(
、一方0.30を超えると絶縁抵抗が低下し、静電容量
温度係数もマイナス側に大きくなり実用的でなくなる。
温度係数、絶縁抵抗の値を大きく変えることなく、誘電
率と良好度Qを高くし絶縁破壊強度を大きくする効果を
有し、その激変率Uが0.01未満では置換効果はな(
、一方0.30を超えると絶縁抵抗が低下し、静電容量
温度係数もマイナス側に大きくなり実用的でなくなる。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ba
CO3,CaCO3,SrCO2,TiO2゜La2O
3,P rso++、Nd2O3およびSm2O3を使
用したが、この方法に限定されるものではなく、所望の
組成比になるように、BaTiO3などの化合物あるい
は炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱により、BaO
,Cab、SrO。
CO3,CaCO3,SrCO2,TiO2゜La2O
3,P rso++、Nd2O3およびSm2O3を使
用したが、この方法に限定されるものではなく、所望の
組成比になるように、BaTiO3などの化合物あるい
は炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱により、BaO
,Cab、SrO。
T i 02.La2’3.P rsoll、Nd2O
3およびSm2O3となる。化合物を使用しても実施例
と同程度の特性を得ることができる。
3およびSm2O3となる。化合物を使用しても実施例
と同程度の特性を得ることができる。
また、上述の基本組成のほかに、S i 02゜MnO
2,Fe2 o3.ZnOなど一般にフラックスと考え
られている塩類9wI化物などを、特性を損なわない範
囲で加えることもできる。
2,Fe2 o3.ZnOなど一般にフラックスと考え
られている塩類9wI化物などを、特性を損なわない範
囲で加えることもできる。
発明の効果
以上の実施例の説明からも明らかなように本発明は、一
般式x [(Bad)(+−u)(AeO)u11I・
yTiO211Z(Re(1−w)Mew)03/2で
表され、式中AeはCaもしくはSrのアルカリ土金属
でReはLa、Pr、Nd、Smから選ばれる一種以上
の希土類元素で、MeはLa、Pr、Nd。
般式x [(Bad)(+−u)(AeO)u11I・
yTiO211Z(Re(1−w)Mew)03/2で
表され、式中AeはCaもしくはSrのアルカリ土金属
でReはLa、Pr、Nd、Smから選ばれる一種以上
の希土類元素で、MeはLa、Pr、Nd。
Smを除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元
素であり、UおよびWの値が0.01≦u≦0.30お
よび0.01≦w≦0.20なる範囲にある組成を有し
、かつX、yおよびZはモル比を表し、X + y 十
z = 1でx、y、zの値が表に示すa、b、c、d
、e、fで囲まれるモル比の範囲にある組成を有する誘
電体磁器組成物の構成により、良好度Qが高く、絶縁抵
抗と絶縁破壊強度が大きい誘電体磁器を得ることができ
る優れた誘電体磁器組成物を実現できるものである。
素であり、UおよびWの値が0.01≦u≦0.30お
よび0.01≦w≦0.20なる範囲にある組成を有し
、かつX、yおよびZはモル比を表し、X + y 十
z = 1でx、y、zの値が表に示すa、b、c、d
、e、fで囲まれるモル比の範囲にある組成を有する誘
電体磁器組成物の構成により、良好度Qが高く、絶縁抵
抗と絶縁破壊強度が大きい誘電体磁器を得ることができ
る優れた誘電体磁器組成物を実現できるものである。
第1図は本発明の一実施例の誘電体磁器組成物の主成分
の組成範囲を説明する三元図である。
の組成範囲を説明する三元図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式x[(BaO)_(_1_−_u_)(AeO
)_u]・yTiO_2・z(Re_(_1_−_W_
)Me_w)O_3_/_2で表され、式中AeはCa
もしくはSrのアルカリ土金属でReはLa,Pr,N
d,Smから選ばれる一種以上の希土類元素で、Meは
La,Pr,Nd,Smを除く希土類元素から選ばれる
一種以上の希土類元素であり、uおよびwの値が0.0
1≦u≦0.30および0.01≦w≦0.20なる範
囲にある組成を有し、かつx,yおよびzはモル比を表
し、x+y+z=1でx,y,zの値が表に示すa,b
,c,d,e,fで囲まれるモル比の範囲にある組成を
有する誘電体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2200540A JPH0487107A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2200540A JPH0487107A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0487107A true JPH0487107A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16426008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2200540A Pending JPH0487107A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0487107A (ja) |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP2200540A patent/JPH0487107A/ja active Pending
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