JPH0323264A - 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 - Google Patents
積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物Info
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- JPH0323264A JPH0323264A JP1156505A JP15650589A JPH0323264A JP H0323264 A JPH0323264 A JP H0323264A JP 1156505 A JP1156505 A JP 1156505A JP 15650589 A JP15650589 A JP 15650589A JP H0323264 A JPH0323264 A JP H0323264A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高〈、良好
度Qにすぐれ、静電容量温度係数が小さく、かつ密度の
より大きな誘電体磁器を得ることができる誘電体磁器組
戒物に関するものである。
度Qにすぐれ、静電容量温度係数が小さく、かつ密度の
より大きな誘電体磁器を得ることができる誘電体磁器組
戒物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電率、絶縁抵抗が高く,良好度Qにすぐれ,
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組或物として下記
のような系が知られている。
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組或物として下記
のような系が知られている。
BaO−TiO −Nd203系
2
BaO−TiO −Sm■0,系
2
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの組或は、例えば0.09 B ao
−0.55 Tie2−0.36 Kd0572の組成
比からなる誘電体材料を使用し、円板形磁器コンデンサ
を作製すると、絶縁抵抗の平均値二8.0×1012Ω
、絶縁破壊強度の平均値:30k▼/rntaであり、
満足のできる値ではない。1た、この誘電体磁器の密度
は、6.ey/cdであるが、一般に長さL3。2×幅
!1.6mm以下の積層セラミックコンデンサのりフロ
ーはんだ付ケ,%にペーパー+Jフローはんだ付けでは
、チップ立ち(通常、ツームストーン現象、マンハッタ
ン現象と呼ばれている。)が発生しやすく、このチップ
立ちを防ぐため誘電体磁器の密度をより大きくしなけれ
ばならないという課題があった。
−0.55 Tie2−0.36 Kd0572の組成
比からなる誘電体材料を使用し、円板形磁器コンデンサ
を作製すると、絶縁抵抗の平均値二8.0×1012Ω
、絶縁破壊強度の平均値:30k▼/rntaであり、
満足のできる値ではない。1た、この誘電体磁器の密度
は、6.ey/cdであるが、一般に長さL3。2×幅
!1.6mm以下の積層セラミックコンデンサのりフロ
ーはんだ付ケ,%にペーパー+Jフローはんだ付けでは
、チップ立ち(通常、ツームストーン現象、マンハッタ
ン現象と呼ばれている。)が発生しやすく、このチップ
立ちを防ぐため誘電体磁器の密度をより大きくしなけれ
ばならないという課題があった。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は,一般式
?B!Lo 7 C ( TiO■)(1−@) (
Sn02)@ ]一zReo3/2と表した時(ただし
.X+7+Z=1,00 , 0.01≦m≦0.10
,ReはLa,Pr,N(1,Sl1から選ばれる一種
以上の希士類元素。),X,7,”I.が以下に表す各
点a , b , c , d , e,fで囲1れる
モル比の範囲からなる主戊分100重量部に対し、副成
分としてバナジウム酸化物をv205に換算して0.0
05〜1.ooO重量部含有したことを特徴とする誘電
体磁器組威物を提案するものである。
Sn02)@ ]一zReo3/2と表した時(ただし
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,ReはLa,Pr,N(1,Sl1から選ばれる一種
以上の希士類元素。),X,7,”I.が以下に表す各
点a , b , c , d , e,fで囲1れる
モル比の範囲からなる主戊分100重量部に対し、副成
分としてバナジウム酸化物をv205に換算して0.0
05〜1.ooO重量部含有したことを特徴とする誘電
体磁器組威物を提案するものである。
作用
第1図は本発明にかかる組戒物の主戒分の組或範囲を示
す三元図であり、主戒分の組或範囲を限?した理由を第
1図を参照しながら説明する。すなわち、▲領域では焼
結が著しく困難である。また、B領域では良好度qが低
下し実用的でな〈なる。さらに,0,D領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。
す三元図であり、主戒分の組或範囲を限?した理由を第
1図を参照しながら説明する。すなわち、▲領域では焼
結が著しく困難である。また、B領域では良好度qが低
下し実用的でな〈なる。さらに,0,D領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。
そして、X領域では静電容量温度係数がプラス方向に移
行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。iた、R
eをLa,Pr,Ha,Smから選ぶことにより、L&
,Pr,Ha,Smの順で誘電率を大きく下げることな
く、静電容量温度係数をプラス方向に移行することが可
能であり、La,Pr,Nd,Smの1種あるいは組合
せによル静電容量温度係数の調節が可能である。
行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。iた、R
eをLa,Pr,Ha,Smから選ぶことにより、L&
,Pr,Ha,Smの順で誘電率を大きく下げることな
く、静電容量温度係数をプラス方向に移行することが可
能であり、La,Pr,Nd,Smの1種あるいは組合
せによル静電容量温度係数の調節が可能である。
筐た、TiO をSnO■で置換することによシ、2
誘電率、良好度Q、静電容量温度係数、絶縁抵抗、絶縁
破壊強度の値を太き〈変えることなく、誘電体磁器の密
度を大きくする効果を有し、その置換率箇が0.01未
満では置換効果はなく、一方0.20を越えると誘電率
、良好度Qが低下し、静電容量温度係数もマイナス側に
大きくなうすぎ実用的でなくなる。
破壊強度の値を太き〈変えることなく、誘電体磁器の密
度を大きくする効果を有し、その置換率箇が0.01未
満では置換効果はなく、一方0.20を越えると誘電率
、良好度Qが低下し、静電容量温度係数もマイナス側に
大きくなうすぎ実用的でなくなる。
また、主戊分に対し,副或分v205を含有することに
よ少、絶縁抵抗,絶縁破壊強度が向上する効果を有し、
v205の含有量が主成分1oO重量部に対し、o.o
os重量部未満はそれほど絶縁破壊強度が大きくなく、
この発明の範囲から除外した。一方、v205の含有量
が主成分に対し、1.000重量部を越えると良好度Q
、絶縁抵抗が低下し実用的でなくなる。
よ少、絶縁抵抗,絶縁破壊強度が向上する効果を有し、
v205の含有量が主成分1oO重量部に対し、o.o
os重量部未満はそれほど絶縁破壊強度が大きくなく、
この発明の範囲から除外した。一方、v205の含有量
が主成分に対し、1.000重量部を越えると良好度Q
、絶縁抵抗が低下し実用的でなくなる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
(実施例1)
出発原料には化学的に高純度のBaCO3,Tie2,
Sn02, La203, Pr603/ , N
(120, ,Sm2o3およびv205粉末を下記の
第1表に示す組成比になるように秤量し、めのうボール
を備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、
湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ
質のルツボに入れ、空気中で1100℃にて2時間仮焼
した。この仮焼粉末を,めのうポールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水
乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均
質とした後、32メッシュのふるいを通して整粒し、金
型と油圧プレスを用いて或形圧力1ton/c,jで直
径15111111、厚み0.4 mWに或形した。次
いで、或形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質の
サヤに入れ、空気中にて下記の第1表に示す温度で2時
間焼或し、第1表に示す組或比の誘電体磁器を得た。
Sn02, La203, Pr603/ , N
(120, ,Sm2o3およびv205粉末を下記の
第1表に示す組成比になるように秤量し、めのうボール
を備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、
湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ
質のルツボに入れ、空気中で1100℃にて2時間仮焼
した。この仮焼粉末を,めのうポールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水
乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均
質とした後、32メッシュのふるいを通して整粒し、金
型と油圧プレスを用いて或形圧力1ton/c,jで直
径15111111、厚み0.4 mWに或形した。次
いで、或形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質の
サヤに入れ、空気中にて下記の第1表に示す温度で2時
間焼或し、第1表に示す組或比の誘電体磁器を得た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
と重量を測定し、重量を厚みと直径より算出した体積で
除算し、誘電体磁器の密度とした。
と重量を測定し、重量を厚みと直径より算出した体積で
除算し、誘電体磁器の密度とした。
壕た、誘電率、良好度Q、静電容量温度係数測定用試料
は、誘電体磁器円板の両面全体に銀!極を焼き付け、絶
縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円板の
外周より内側に1■■の幅で銀電極のない部分を設け,
銀電極を焼き付けた。
は、誘電体磁器円板の両面全体に銀!極を焼き付け、絶
縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円板の
外周より内側に1■■の幅で銀電極のない部分を設け,
銀電極を焼き付けた。
そして、誘電率、良好度Q、静電容量温度係数は,YH
P社製デジタルLCRメータのモデル4276▲を使用
し、測定温度20゜C、測定電圧1 .O Vrmg、
測定周波数1MIIIzでの測定よシ求めた。な釦、静
電容量温度係数は、20℃と86℃の静電容量を測定し
、次式によシ求めた。
P社製デジタルLCRメータのモデル4276▲を使用
し、測定温度20゜C、測定電圧1 .O Vrmg、
測定周波数1MIIIzでの測定よシ求めた。な釦、静
電容量温度係数は、20℃と86℃の静電容量を測定し
、次式によシ求めた。
τC=+(C−1o)/Cox1/ecsx1o6TC
:静電容量温度係数(ppm/”C)CO:20℃での
静電容量(pF) C :86℃での静電容量(pF) 渣た、誘電率は次式より求めた。
:静電容量温度係数(ppm/”C)CO:20℃での
静電容量(pF) C :86℃での静電容量(pF) 渣た、誘電率は次式より求めた。
K=143.8 xCo x t /D2K:誘電率
CO:20℃での静電容量(pF)
D:誘電体磁器の直径(mm)
t:誘電体磁器の厚み( ++uo )さらに、絶縁抵
抗は、丁1{P社製HRメータのモデル4329▲を使
用し、測定Til圧s o V.D,C. ,測定時間
1分間による測定より求めた。
抗は、丁1{P社製HRメータのモデル4329▲を使
用し、測定Til圧s o V.D,C. ,測定時間
1分間による測定より求めた。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業(株)製高電圧
電源PH835K−3形を使用し、試料をシリコンオイ
ル中に入れ、昇圧速度sOV,/Secにより求めた絶
縁破壊電圧を誘電体厚みで除算し,1 1lm当たシの
絶縁破壊強度とした。
電源PH835K−3形を使用し、試料をシリコンオイ
ル中に入れ、昇圧速度sOV,/Secにより求めた絶
縁破壊電圧を誘電体厚みで除算し,1 1lm当たシの
絶縁破壊強度とした。
試験条件を第1表に併せて示し、試験結果を下記の第2
表に示す。
表に示す。
なお・、実施例における誘電体磁器の作製方法では、B
aCO, , Tie2, SnO2, La20S
,Pr6013/Nd203 ,Ss20,hよびv2
05を使用したが、この方法に限定されるものではなく
、所望の組威比になるようにBaT105などの化合物
、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱により
、BaO ,Tie2,SnO2,La203/Pr6
03/, Nd203, Ss205ふ1よびv205
となる化合物を使用しても実施例と同程度の特性を得る
ことができる。
aCO, , Tie2, SnO2, La20S
,Pr6013/Nd203 ,Ss20,hよびv2
05を使用したが、この方法に限定されるものではなく
、所望の組威比になるようにBaT105などの化合物
、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中での加熱により
、BaO ,Tie2,SnO2,La203/Pr6
03/, Nd203, Ss205ふ1よびv205
となる化合物を使用しても実施例と同程度の特性を得る
ことができる。
1た、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
筐た、上述の基本組或のほかに、Sin2, MnO2
,Fe205,ZnO など一般にフラックスと考え
られている塩類,酸化物などを、特性を損なわない範囲
で加えることもできる。
,Fe205,ZnO など一般にフラックスと考え
られている塩類,酸化物などを、特性を損なわない範囲
で加えることもできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗、絶縁
破壊電圧が高く、良好度Qにすぐれ、静電容量温度係数
が小さいため、製品の小型化、大容量化、特性向上が可
能である。1た、密度のよシ大きな誘電体磁器であるた
め、この組或物で面実装の小形チップ部品を作製すると
りフローはんだ付けでのチップ立ちを改善できるなど、
実装性の高い製品を得ることが可能である。
破壊電圧が高く、良好度Qにすぐれ、静電容量温度係数
が小さいため、製品の小型化、大容量化、特性向上が可
能である。1た、密度のよシ大きな誘電体磁器であるた
め、この組或物で面実装の小形チップ部品を作製すると
りフローはんだ付けでのチップ立ちを改善できるなど、
実装性の高い製品を得ることが可能である。
第1図は本発明にかかる組或物の主成分の組或範囲を説
明する三元図である。
明する三元図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 xBaO−y〔(TiO_2)_(_1_−_m_)(
SnO_2)_m〕−zReO_3_/_2と表した時
(ただし、x+y+z=1.00,0.01≦m≦0.
20,ReはLa,Pr,Nb,Smから選ばれる一種
以上の希士類元素。)、x,y,zが以下に表す各点a
,b,c,d,e,fで囲まれるモル比の範囲からなる
主成分100重量部に対し、副成分としてバナジウム酸
化物をV_2O_5に換算して0.005〜1.000
重量部含有したことを特徴とする誘電体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1156505A JP3008410B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1156505A JP3008410B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0323264A true JPH0323264A (ja) | 1991-01-31 |
JP3008410B2 JP3008410B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=15629231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1156505A Expired - Fee Related JP3008410B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3008410B2 (ja) |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1156505A patent/JP3008410B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JP3008410B2 (ja) | 2000-02-14 |
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Date | Code | Title | Description |
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