JPH0498709A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0498709A JPH0498709A JP2215362A JP21536290A JPH0498709A JP H0498709 A JPH0498709 A JP H0498709A JP 2215362 A JP2215362 A JP 2215362A JP 21536290 A JP21536290 A JP 21536290A JP H0498709 A JPH0498709 A JP H0498709A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子機器用固定磁器コンデンサの誘電体磁器組
成物に関するものである。
成物に関するものである。
従来の技術
以下に従来の誘電体磁器組成物について説明する。誘電
体磁器組成物として下記のような系が知られている。
体磁器組成物として下記のような系が知られている。
BaO・Ti0z’NdzOi系
BaO’Ti0z・SmzOz系
例えば0.09B a O・0.56T i Oz・0
.35N d O3/,zの組成比からなる誘電体磁器
組成物を使用し、誘電体磁器円板を作製し、電気特性お
よび誘電体磁器の密度を測定して、誘電率:67、静電
容量温度係数: N40p pm/’C1良好度Q :
3000、絶縁抵抗: 8.0X1012Ω、絶縁破
壊強度:30Kv/mmおよび密度: 5.6g/c
utの値が得られた。
.35N d O3/,zの組成比からなる誘電体磁器
組成物を使用し、誘電体磁器円板を作製し、電気特性お
よび誘電体磁器の密度を測定して、誘電率:67、静電
容量温度係数: N40p pm/’C1良好度Q :
3000、絶縁抵抗: 8.0X1012Ω、絶縁破
壊強度:30Kv/mmおよび密度: 5.6g/c
utの値が得られた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構成では、誘電体磁器の密度
が小さいので、一般にL 3.2wn X Wl、6a
m+以下の積層セラミックコンデンサのりフローはんだ
付け、特にヘーバーリフローはんだ付けではチップ立ち
(通常、ツームストーン現象、マンハッタン現象と呼ば
れている。)が発生しやすいという問題点を有していた
。
が小さいので、一般にL 3.2wn X Wl、6a
m+以下の積層セラミックコンデンサのりフローはんだ
付け、特にヘーバーリフローはんだ付けではチップ立ち
(通常、ツームストーン現象、マンハッタン現象と呼ば
れている。)が発生しやすいという問題点を有していた
。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、誘電体磁
器の密度を大きくして、リフローはんだ付けにおけるチ
ップ立ちを防ぐ誘電体磁器のチップ部品を得ることがで
きる誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
器の密度を大きくして、リフローはんだ付けにおけるチ
ップ立ちを防ぐ誘電体磁器のチップ部品を得ることがで
きる誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明の誘電体磁器組成物は
、一般弐x4 (Bad)N−ul (MgO)u )
・Y [(T i Oz) N−vl (S
n○2)vlzRe0,7□で表され、式中、Reは
La、PrNd、Smから選ばれる一種以上の希土類元
素であり、UおよびVの値が、0,01≦u≦0.05
および0.01≦v≦0.20なる範囲にある組成を有
し、かつx、yおよび2はモル比を表しx+y+z=1
でx、y、zの値が第1表に示すa、b、c、de、f
で囲まれるモル比の範囲にある組成の構成を有している
。
、一般弐x4 (Bad)N−ul (MgO)u )
・Y [(T i Oz) N−vl (S
n○2)vlzRe0,7□で表され、式中、Reは
La、PrNd、Smから選ばれる一種以上の希土類元
素であり、UおよびVの値が、0,01≦u≦0.05
および0.01≦v≦0.20なる範囲にある組成を有
し、かつx、yおよび2はモル比を表しx+y+z=1
でx、y、zの値が第1表に示すa、b、c、de、f
で囲まれるモル比の範囲にある組成の構成を有している
。
作用
この構成によって、ReをLa Pr、NdSmから
選ぶことによりLa、Pr、Nd、Smの順で静電容量
温度係数をプラス方向に移行することとなる。
選ぶことによりLa、Pr、Nd、Smの順で静電容量
温度係数をプラス方向に移行することとなる。
BaOをMgOで置換することにより、静電容量温度係
数をプラス方向に移行させ絶縁抵抗を大きくすることと
なる。
数をプラス方向に移行させ絶縁抵抗を大きくすることと
なる。
また、T r Ozを5no2で置換することにより、
誘電体磁器の密度を大きくすることとなる。
誘電体磁器の密度を大きくすることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例について説明する。
出発原料には化学的に高純度のB a COs 、 M
go、Ti0z 、5nOz 、LazOz 、Prh
。
go、Ti0z 、5nOz 、LazOz 、Prh
。
+ + 、 N d t O3およびSm、O,粉末を
第2表に示す組成比になるように秤量し、めのうボール
を備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、
湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ
賞のるつぼに入れ、空気中で1100℃にて2時間仮焼
した。この仮焼粉末を、めのうポールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水
乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均
質とした後、32メノンユのふるいを通し才整粒し、金
型と油圧プレスを用いて成形圧力1ton/cnで直径
15mm、厚み0.4閣に成形した。次いで、成形円板
をジルコニア粉末を敷いたアルミナ賞のさやに入れ、空
気中にて第2表に示す焼成温度で2時間焼成し、第2表
の試料番号1〜10に示す組成比の誘電体磁器円板を得
た。
第2表に示す組成比になるように秤量し、めのうボール
を備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、
湿式混合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ
賞のるつぼに入れ、空気中で1100℃にて2時間仮焼
した。この仮焼粉末を、めのうポールを備えたゴム内張
りのボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水
乾燥した。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均
質とした後、32メノンユのふるいを通し才整粒し、金
型と油圧プレスを用いて成形圧力1ton/cnで直径
15mm、厚み0.4閣に成形した。次いで、成形円板
をジルコニア粉末を敷いたアルミナ賞のさやに入れ、空
気中にて第2表に示す焼成温度で2時間焼成し、第2表
の試料番号1〜10に示す組成比の誘電体磁器円板を得
た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
と重量を測定し、重量を厚みと直径より算出した体積で
除算し、誘電体磁器の密度とした。
と重量を測定し、重量を厚みと直径より算出した体積で
除算し、誘電体磁器の密度とした。
誘電率、良好度Q、静電容量温度係数測定用試料は、誘
電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁抵抗
、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円板の外周よ
り内側に1閣の幅で銀電極の無い部分を設け、銀電極を
焼き付けた。そして、誘電率、良好度Q、静電容量温度
係数は、横河ヒユーレット・パラカード■製デジタルL
CRメータのモデル4275Aを使用し、測定温度20
℃、測定電圧1.QV r m s、測定周波数IMH
zでの測定より求めた。なお、静電容量温度係数は、2
0’Cと85°Cの静電容量を測定し、次式により求め
た。
電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁抵抗
、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円板の外周よ
り内側に1閣の幅で銀電極の無い部分を設け、銀電極を
焼き付けた。そして、誘電率、良好度Q、静電容量温度
係数は、横河ヒユーレット・パラカード■製デジタルL
CRメータのモデル4275Aを使用し、測定温度20
℃、測定電圧1.QV r m s、測定周波数IMH
zでの測定より求めた。なお、静電容量温度係数は、2
0’Cと85°Cの静電容量を測定し、次式により求め
た。
TC−(C−Co)/CoX1/65X106TC:静
電容量温度係数(ppm/’C)Co:20°Cでの静
電容量(pF) C:85°Cでの静電容量(PF) また、誘電率は次式より求めた。
電容量温度係数(ppm/’C)Co:20°Cでの静
電容量(pF) C:85°Cでの静電容量(PF) また、誘電率は次式より求めた。
K=143.8XCo X t /D”K :誘電率
Co:20℃での静電容量(pF)
D :誘電体磁器の直径(In)
t :誘電体磁器の厚み(閣)
さらに、絶縁抵抗は、横河ヒユーレット・パラカード■
製HRメータのモデル4329Aを使用し、測定電圧5
0V、 D、 C,、測定時間1分間による測定より
求めた。
製HRメータのモデル4329Aを使用し、測定電圧5
0V、 D、 C,、測定時間1分間による測定より
求めた。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業■製高電圧ti
llP H335K −3形を使用し、試料をシリコン
オイル中に入れ、昇圧速度5QV/secにより求めた
絶縁破壊電圧を誘電体厚みで除算し、I圓当りの絶縁破
壊強度とした。
llP H335K −3形を使用し、試料をシリコン
オイル中に入れ、昇圧速度5QV/secにより求めた
絶縁破壊電圧を誘電体厚みで除算し、I圓当りの絶縁破
壊強度とした。
測定結果を試料番号1〜10別に第3表に示す。
(以下余白)
第2表
第3表
第1図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
1図を参照しながら説明する。すなわち、A領域では焼
結が著しく困難である。また、B %p域では良好度Q
が低下し実用的でなくなる。さらに、C,D領域では静
電容量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的
でなくなる。
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
1図を参照しながら説明する。すなわち、A領域では焼
結が著しく困難である。また、B %p域では良好度Q
が低下し実用的でなくなる。さらに、C,D領域では静
電容量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的
でなくなる。
そして、Eel域では静電容量温度係数がプラス方向に
移行するが誘電率が小さく実用的でなくなる。
移行するが誘電率が小さく実用的でなくなる。
また、ReをLa、Pr、Nd、Smから選ふことによ
りLa、Pr、Nd、Smの順で誘電率を大きく下げる
ことなく静電容量温度係数をプラス方向に移行すること
が可能であり、La、Pr。
りLa、Pr、Nd、Smの順で誘電率を大きく下げる
ことなく静電容量温度係数をプラス方向に移行すること
が可能であり、La、Pr。
Nd、Smの1種あるいは組合せにより静電容量温度係
数の調節が可能である。
数の調節が可能である。
また、BaOをMgOで置換することにより誘電率、良
好度Q、絶縁破壊強度の値を大きく変えることなく静電
容量温度係数をプラス方向に移行させ、絶縁抵抗を高く
する効果を有し、その置換率Uが0.01未満では置換
効果はな(、一方0.05を超えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。
好度Q、絶縁破壊強度の値を大きく変えることなく静電
容量温度係数をプラス方向に移行させ、絶縁抵抗を高く
する効果を有し、その置換率Uが0.01未満では置換
効果はな(、一方0.05を超えると誘電率が低下し実
用的でなくなる。
また、TiO□をSnO□で置換することにより誘電率
、良好度Q、静電容量温度係数、絶縁抵抗、絶縁破壊強
度の値を大きく変えることなく、誘電体磁器の密度を大
きくする効果を有し、その1換率Uが0.01未満では
置換効果はなく、一方0.20を超えると誘電率、良好
度Qが低下し、静電容量温度係数もマイナス側に大きく
なりすぎ実用的でなくなる。
、良好度Q、静電容量温度係数、絶縁抵抗、絶縁破壊強
度の値を大きく変えることなく、誘電体磁器の密度を大
きくする効果を有し、その1換率Uが0.01未満では
置換効果はなく、一方0.20を超えると誘電率、良好
度Qが低下し、静電容量温度係数もマイナス側に大きく
なりすぎ実用的でなくなる。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ba
Cox 、MgO,T i Oz 、5nOz 。
Cox 、MgO,T i Oz 、5nOz 。
L、azO3,Prbo++、NdzO:+およびSm
2O3を使用したが、この方法に限定されるものではな
く、所望の組成比になるように、B a T i 03
などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中で
の加熱により、BaO,MgO,TiO2゜5nO7,
LazO3,P r60+1. Na2o3およびS
mzO,、となる化合物を使用しても実施例と同程度の
特性を得ることができる。
2O3を使用したが、この方法に限定されるものではな
く、所望の組成比になるように、B a T i 03
などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物など空気中で
の加熱により、BaO,MgO,TiO2゜5nO7,
LazO3,P r60+1. Na2o3およびS
mzO,、となる化合物を使用しても実施例と同程度の
特性を得ることができる。
また、上述の基本組成のほかに、5iOz、MnO2、
Fe2O,、ZnOなど一般にフラックスと考えられて
いる塩類、酸化物などを、特性を損なわない範囲で加え
ることもできる。
Fe2O,、ZnOなど一般にフラックスと考えられて
いる塩類、酸化物などを、特性を損なわない範囲で加え
ることもできる。
発明の効果
以上の実施例の説明からも明らかなように本発明は、−
船蔵x ((Bad)+1−ul (MgO)u〕’
y ((TiOz )N−v)(SnOz)v) ・
zReo3.□で表され、式中ReはLa、Pr、Nd
Smから選ばれる一種以上の希土類元素であり、Uおよ
び■の値が0.O1≦u≦0.50および0.01≦v
≦0.20なる範囲にある組成を有し、かつx、yおよ
びZはモル比を表しx+y+z=1でX、)’。
船蔵x ((Bad)+1−ul (MgO)u〕’
y ((TiOz )N−v)(SnOz)v) ・
zReo3.□で表され、式中ReはLa、Pr、Nd
Smから選ばれる一種以上の希土類元素であり、Uおよ
び■の値が0.O1≦u≦0.50および0.01≦v
≦0.20なる範囲にある組成を有し、かつx、yおよ
びZはモル比を表しx+y+z=1でX、)’。
,zの値が第4表に示すa、b、c、d、e、fで囲ま
れるモル比の範囲にある組成を有する誘電体磁器組成物
の構成により、密度の大きな誘電体磁器となり、この誘
電体磁器組成物で面実装用の小形チップ部品を作製する
とりフローはんだ付けでのチップ立ちを防いで、実装性
の高い製品を得ることができ、かつ良好度Qが高く、絶
縁抵抗と絶縁破壊強度が大きい誘電体磁器を得ることが
できる優れた誘電体磁器組成物を実現できるものである
。
れるモル比の範囲にある組成を有する誘電体磁器組成物
の構成により、密度の大きな誘電体磁器となり、この誘
電体磁器組成物で面実装用の小形チップ部品を作製する
とりフローはんだ付けでのチップ立ちを防いで、実装性
の高い製品を得ることができ、かつ良好度Qが高く、絶
縁抵抗と絶縁破壊強度が大きい誘電体磁器を得ることが
できる優れた誘電体磁器組成物を実現できるものである
。
第1図
第1図は本発明の一実施例の誘電体磁器組成物の主成分
の組成範囲を説明する三元図である。
の組成範囲を説明する三元図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式x〔(BaO)_(_1_−_u_)(MgO
)_u〕y〔(TiO_2)_(_1_−_v_)(S
nO_2)_v〕・zReO_3_/_2で表され、式
中ReはLa,Pr,Nd,Smから選ばれる一種以上
の希土類元素であり、uおよびvの値が、0.01≦u
≦0.50および0.01≦v≦0.20なる範囲にあ
る組成を有し、かつx,yおよびzはモル比を表しx+
y+z=1でx,y,zの値が表に示すa,b,c,d
,e,fで囲まれるモル比の範囲にある組成を有する誘
電体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2215362A JPH0498709A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2215362A JPH0498709A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0498709A true JPH0498709A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16671037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2215362A Pending JPH0498709A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0498709A (ja) |
-
1990
- 1990-08-14 JP JP2215362A patent/JPH0498709A/ja active Pending
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