JPH0397668A - 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 - Google Patents
積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物Info
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- JPH0397668A JPH0397668A JP1235046A JP23504689A JPH0397668A JP H0397668 A JPH0397668 A JP H0397668A JP 1235046 A JP1235046 A JP 1235046A JP 23504689 A JP23504689 A JP 23504689A JP H0397668 A JPH0397668 A JP H0397668A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title abstract description 14
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 10
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- -1 P r so++ Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率，絶縁抵抗，絶縁破壊電圧が高く、良好
度Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
密度のより大きな誘電体磁器を得ることができる誘電体
磁器組戒物に関するものである。
度Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
密度のより大きな誘電体磁器を得ることができる誘電体
磁器組戒物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電率，絶縁抵抗が高く、良好度Ｑにすぐれ、
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組戚物として下記
のような系が知られている。
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組戚物として下記
のような系が知られている。
・ＢａＯ−Ｔｉ○２−Ｎｄ２０３系
・ＢａＯ−Ｔ ｉ ０２−Ｓｍ２０３系発明が解決しよ
うとする課題 しかし、これらの組成は、例えば ０．０９Ｂａ○−０．５５Ｔ ｉ ０２−０．３６Ｎ
ｄ ０３／２の組威比からなる誘電体材料を使用し、円
板形磁器コンデンサを作製すると、絶縁抵抗の平均値＝
８．ＯＸ１０１２Ω、絶縁破壊強度の平均値＝３ ０
ｋ Ｖ ／ ｍであり、満足のできる値ではない。
うとする課題 しかし、これらの組成は、例えば ０．０９Ｂａ○−０．５５Ｔ ｉ ０２−０．３６Ｎ
ｄ ０３／２の組威比からなる誘電体材料を使用し、円
板形磁器コンデンサを作製すると、絶縁抵抗の平均値＝
８．ＯＸ１０１２Ω、絶縁破壊強度の平均値＝３ ０
ｋ Ｖ ／ ｍであり、満足のできる値ではない。
また、この誘電体磁器の密度は、５．６ｇ／ｃ＋ｌｌで
あるが、一般に長さ（Ｌ）３．２Ｘ幅（Ｗ）１．６閣以
下の積層セラミックコンデンサのりフローはんだ付け、
特にベーバーリフローはんだ付けではチップ立ち（通常
、ツームストーン現象、マンハッタン現象と呼ばれてい
る。）が発生しやすく、このチップ立ちを防ぐため、誘
電体磁器の密度をより大きくしなければならないという
課題があった。
あるが、一般に長さ（Ｌ）３．２Ｘ幅（Ｗ）１．６閣以
下の積層セラミックコンデンサのりフローはんだ付け、
特にベーバーリフローはんだ付けではチップ立ち（通常
、ツームストーン現象、マンハッタン現象と呼ばれてい
る。）が発生しやすく、このチップ立ちを防ぐため、誘
電体磁器の密度をより大きくしなければならないという
課題があった。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式ｘ Ｂ
ａ Ｏ − ｙ（（Ｔ ｉ ０２）（＋−１１１（
Ｓ ｒ＋ ０２）ｍｌ− ｚ（Ｒ ｅ （１−ｎ）Ｍｅ
ｎ）０３／２と表した時（たたし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．．
ｏｏ．ｏ．ｏｉ≦ｍ≦０．２０．０．０１≦ｎ≦０．２
０，Ｒｅは、Ｌａ＋ Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一
種以上の希土類元素。ＭｅはＬａ．Ｐｒ，Ｎｄ．Ｓｍを
除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。）
、ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ
で囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重量部に
対し、副成分として二オブ酸化物をＮｂ２０Ｓに換算し
て０，３〜５．０重量部含有したことを特徴とする誘電
体磁器組成物作用 第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ．Ｄ＠域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。
ａ Ｏ − ｙ（（Ｔ ｉ ０２）（＋−１１１（
Ｓ ｒ＋ ０２）ｍｌ− ｚ（Ｒ ｅ （１−ｎ）Ｍｅ
ｎ）０３／２と表した時（たたし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．．
ｏｏ．ｏ．ｏｉ≦ｍ≦０．２０．０．０１≦ｎ≦０．２
０，Ｒｅは、Ｌａ＋ Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一
種以上の希土類元素。ＭｅはＬａ．Ｐｒ，Ｎｄ．Ｓｍを
除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。）
、ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ
で囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重量部に
対し、副成分として二オブ酸化物をＮｂ２０Ｓに換算し
て０，３〜５．０重量部含有したことを特徴とする誘電
体磁器組成物作用 第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ．Ｄ＠域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。
また、ＲｅをＬａ．Ｐｒ，Ｎｄ．Ｓｍから選ぶことによ
り、Ｌａ，Ｐｒ．Ｎｄ，Ｓｍの順で誘電率を大きく下げ
ることなく、静電容量温度係数をプラス方向に移行する
ことが可能であり、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍの１種ある
いはその組合せにより静電容量温度係数の調節が可能で
ある。
り、Ｌａ，Ｐｒ．Ｎｄ，Ｓｍの順で誘電率を大きく下げ
ることなく、静電容量温度係数をプラス方向に移行する
ことが可能であり、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍの１種ある
いはその組合せにより静電容量温度係数の調節が可能で
ある。
さらに、Ｌａ．Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一種以上
の希土類元素の一部を、Ｌａ．Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを除く
希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素で置換す
ることにより、良好度Ｑを大幅に改善する効果を有して
いるが、その置換量が０．０ １未満では置換効果はな
く、一方０．２０を越えると誘電率が低下し実用的でな
くなる。
の希土類元素の一部を、Ｌａ．Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを除く
希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素で置換す
ることにより、良好度Ｑを大幅に改善する効果を有して
いるが、その置換量が０．０ １未満では置換効果はな
く、一方０．２０を越えると誘電率が低下し実用的でな
くなる。
また、Ｔ ｉ ０２をＳｎ○２で置換することにより、
誘電率，良好度Ｑ，静電容量温度係数，絶縁抵抗，絶縁
破壊強度の値を大きく変えることなく、誘電体磁器の密
度を大きくする効果を有しているが、その置換率ｍが０
．０１未満では置換効果はなく、一方０．２０を越える
と誘電率，良好度Ｑが低下し，静電容量温度係数もマイ
ナス側に大きくなりすぎ実用的でなくなる。
誘電率，良好度Ｑ，静電容量温度係数，絶縁抵抗，絶縁
破壊強度の値を大きく変えることなく、誘電体磁器の密
度を大きくする効果を有しているが、その置換率ｍが０
．０１未満では置換効果はなく、一方０．２０を越える
と誘電率，良好度Ｑが低下し，静電容量温度係数もマイ
ナス側に大きくなりすぎ実用的でなくなる。
また、主戒分に対し、副成分Ｎｂ２０５を含有すること
により、絶縁抵抗，絶縁破壊強度が向上する効果を有し
ているが、Ｎｂ２０ｓの含有量が主成分１００重量部に
対し、０．３重量部未満ではそれほど絶縁破壊強度が大
きくなく、この発明の範囲から除外した。一方、Ｎｂ２
０Ｓの含有量が主成分に対し、５．０重量部を越えると
良好度Ｑ，絶縁抵抗が低下し、静電容ｆｌ ＴＦＡ度係
数がマイナス制に大きくなり，さらに静電容量の温度変
化の直線性が失われ実用的でなくなるため、同じくこの
発明から除外した。
により、絶縁抵抗，絶縁破壊強度が向上する効果を有し
ているが、Ｎｂ２０ｓの含有量が主成分１００重量部に
対し、０．３重量部未満ではそれほど絶縁破壊強度が大
きくなく、この発明の範囲から除外した。一方、Ｎｂ２
０Ｓの含有量が主成分に対し、５．０重量部を越えると
良好度Ｑ，絶縁抵抗が低下し、静電容ｆｌ ＴＦＡ度係
数がマイナス制に大きくなり，さらに静電容量の温度変
化の直線性が失われ実用的でなくなるため、同じくこの
発明から除外した。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
（実施例１）
まず、出発原料には化学的に高純度の
ＢａＣＯ３．Ｔｉ０２，Ｓｎ０２，Ｌａ２０３，Ｐ ｒ
ｓｏ＋＋，ＣｅＯ２．Ｇｄ２０ａ．Ｄｙ２０３，Ｎｄ２
０３，Ｓｍｚ（ｈおよびＮｂ２０５粉末を下記の第１表
に示す絹戒比になるように秤量し、めのうボールを備え
たゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混
合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のル
ツポに入れ、空気中で１１００℃にて２時間仮焼した。
ｓｏ＋＋，ＣｅＯ２．Ｇｄ２０ａ．Ｄｙ２０３，Ｎｄ２
０３，Ｓｍｚ（ｈおよびＮｂ２０５粉末を下記の第１表
に示す絹戒比になるように秤量し、めのうボールを備え
たゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混
合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のル
ツポに入れ、空気中で１１００℃にて２時間仮焼した。
この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張りのボ
ールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥し
た。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とし
た後、３２メッシュのふるいを通して整粒し、金型と油
圧プレスを用いて戒形圧力ｌｔｏｎ／ｃ−で直径１５ｍ
、厚み０．４ａｍ＋＋に威形した。次いで、この戒形円
板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、
空気中にて下記の第ｌ表に示す温度で２時間焼成し、第
１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
ールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥し
た。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とし
た後、３２メッシュのふるいを通して整粒し、金型と油
圧プレスを用いて戒形圧力ｌｔｏｎ／ｃ−で直径１５ｍ
、厚み０．４ａｍ＋＋に威形した。次いで、この戒形円
板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、
空気中にて下記の第ｌ表に示す温度で２時間焼成し、第
１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
（ 以 下 余 白 ）
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
と重量を測定し、重量を厚みと直径より算出した体積で
除算し、誘電体磁器の密度とした。また、誘電率，良好
度Ｑ，静電容量温度係数測定用試料は、誘電体磁器円板
の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁抵抗，絶縁破壊強
度測定甲試料は、誘電体磁器円板の外周より内側に１閣
の幅で銀電極のない部分を設け、銀電極を焼き付けた。
と重量を測定し、重量を厚みと直径より算出した体積で
除算し、誘電体磁器の密度とした。また、誘電率，良好
度Ｑ，静電容量温度係数測定用試料は、誘電体磁器円板
の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁抵抗，絶縁破壊強
度測定甲試料は、誘電体磁器円板の外周より内側に１閣
の幅で銀電極のない部分を設け、銀電極を焼き付けた。
そして、誘電率，良好度Ｑ，静電容量温度係数は、Ｙ｝
｛Ｐ社製デジタルＬＣＲメータのモデル４２７５Ａを使
用し、測定温度２０℃，測定電圧１．ＯＶｒｍｓ，測定
周波数ＩＭＨｚでの測定より求めた。なお、静電容量の
温度変化は、−５５℃，−２５℃．２０℃，８５℃，１
２５℃の静電容量を測定し、直線性を確認するとともに
、静電容量温度係数は、２０℃と８５℃の静電容量を用
いて次式により求めた。
｛Ｐ社製デジタルＬＣＲメータのモデル４２７５Ａを使
用し、測定温度２０℃，測定電圧１．ＯＶｒｍｓ，測定
周波数ＩＭＨｚでの測定より求めた。なお、静電容量の
温度変化は、−５５℃，−２５℃．２０℃，８５℃，１
２５℃の静電容量を測定し、直線性を確認するとともに
、静電容量温度係数は、２０℃と８５℃の静電容量を用
いて次式により求めた。
ＴＣ＝（Ｃ−Ｃｏ）／Ｃｏｘｌ．／６５ｘｌＯＣＴＣ：
静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃）Ｃｏ ： ２０℃での
静電容量（ｐＦ）Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃）Ｃｏ ： ２０℃での
静電容量（ｐＦ）Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
Ｋ ＝ １ ４ ３ ． ８ Ｘ Ｃ ｏ ｘ ｔ ／
Ｄ ２Ｋ ；誘電率 Ｃｏ ： ２０℃での静電容量（ｐＦ）−Ｄ ：誘電体
磁器の直径（閣） ｔ ：誘電体磁器の厚み（ｍｗ＋） さらに、絶縁抵抗は、ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４
３２９ Ａを使用し、測定電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定
時間ｌ分間による測定より求めた。
Ｄ ２Ｋ ；誘電率 Ｃｏ ： ２０℃での静電容量（ｐＦ）−Ｄ ：誘電体
磁器の直径（閣） ｔ ：誘電体磁器の厚み（ｍｗ＋） さらに、絶縁抵抗は、ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４
３２９ Ａを使用し、測定電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定
時間ｌ分間による測定より求めた。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業＠製高電圧電源
ＰＨ３３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｅにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、１雨当りの絶縁破壊強度と
した。この試験結果を下記の第２表に示す。
ＰＨ３３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｅにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、１雨当りの絶縁破壊強度と
した。この試験結果を下記の第２表に示す。
（ 以 下 余 白 〉
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂａ
ＣＯ３． ＴｉＯｘ， ＳｎＯｔ， Ｌａ２０ｓ＋Ｐ
ｒｓｏ目．Ｎｄｚｏ３ｒ Ｓｍ２０３，Ｃｅ０２，Ｇｄ
：０３，Ｄｙ２０３およびＮｂｔＯｓを使用したが、こ
の方法に限定されるものではなく、所望の組成比になる
ように、ＢａＴｉ０３などの化合物、あるいは炭酸塩，
水酸化物など空気中での加熱により，Ｂａｄ．ＴｉＯｚ
．Ｓｎ０２，Ｌａ２０３，ＰｒｓＯ＋＋，Ｎｄ２０３１
Ｓｍ２０３，ＣｅＯｚ．Ｇｄ２０３，ＤＹ２０３およ
びＮｂ２ＯＳとなる化合物を使用しても実施例と同程度
の特性を得ることができる。
ＣＯ３． ＴｉＯｘ， ＳｎＯｔ， Ｌａ２０ｓ＋Ｐ
ｒｓｏ目．Ｎｄｚｏ３ｒ Ｓｍ２０３，Ｃｅ０２，Ｇｄ
：０３，Ｄｙ２０３およびＮｂｔＯｓを使用したが、こ
の方法に限定されるものではなく、所望の組成比になる
ように、ＢａＴｉ０３などの化合物、あるいは炭酸塩，
水酸化物など空気中での加熱により，Ｂａｄ．ＴｉＯｚ
．Ｓｎ０２，Ｌａ２０３，ＰｒｓＯ＋＋，Ｎｄ２０３１
Ｓｍ２０３，ＣｅＯｚ．Ｇｄ２０３，ＤＹ２０３およ
びＮｂ２ＯＳとなる化合物を使用しても実施例と同程度
の特性を得ることができる。
また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、誘電体磁器用として一般に使用される工業用原料
の二酸化チタン、例えばチタン工業（掬製二酸化チタン
ＫＡ−１０．古河鉱業＠製二酸化チタンＦＡ−５５Ｗに
は最大０．４５重量％のＮｂ２０ｓが含まれるが、これ
らの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作製
しても主成分１００重量部に対して、Ｎ ｂ ２ ０
ｓの含有量は最大で０．２３Ｍ量部であり、この発明の
範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中のＮｂ２
０ｓｆｉｔを考慮し、不足分のＮｂ２ＯＳを含有させる
ことにより、実施例と同程度の特性を｛ｑることかでき
る。
の二酸化チタン、例えばチタン工業（掬製二酸化チタン
ＫＡ−１０．古河鉱業＠製二酸化チタンＦＡ−５５Ｗに
は最大０．４５重量％のＮｂ２０ｓが含まれるが、これ
らの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作製
しても主成分１００重量部に対して、Ｎ ｂ ２ ０
ｓの含有量は最大で０．２３Ｍ量部であり、この発明の
範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中のＮｂ２
０ｓｆｉｔを考慮し、不足分のＮｂ２ＯＳを含有させる
ことにより、実施例と同程度の特性を｛ｑることかでき
る。
また、上述の基本組成のほかに、Ｓｉ○２，Ｍｎ ０２
． Ｆ ｅ２０３． Ｚ ｎ Ｏなど、一般にフラック
スと考えられている塩類，酸化物などを、特性を損なわ
ない範囲で加えることもできる。
． Ｆ ｅ２０３． Ｚ ｎ Ｏなど、一般にフラック
スと考えられている塩類，酸化物などを、特性を損なわ
ない範囲で加えることもできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば，誘電率，絶縁抵抗，絶縁
破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に改善し、静電容量温
度係数が小さいため、製品の小型化，大容量化，特性向
上が可能である。また、密度のより大きな誘電体磁器で
あるため、この組成物で面実装の小形チップ部品を作製
するとりフローはんだ付けでのチップ立ちを改善できる
等、実装性の高い製品を得ることが可能である。
破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に改善し、静電容量温
度係数が小さいため、製品の小型化，大容量化，特性向
上が可能である。また、密度のより大きな誘電体磁器で
あるため、この組成物で面実装の小形チップ部品を作製
するとりフローはんだ付けでのチップ立ちを改善できる
等、実装性の高い製品を得ることが可能である。
第
Ｉ
図
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成紀囲を説
明する三元図である。
明する三元図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＢａＯ−ｙ［（ＴｉＯ＿２）＿（＿１＿−＿ｍ＿）（
ＳｎＯ＿２）＿ｍ］−ｚ（Ｒｅ＿（＿１＿−＿ｎ）Ｍｅ
＿ｎ）Ｏ＿３＿／＿２と表した時（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１．００，０．０１≦ｍ≦０．２０，０．０１≦ｎ≦
０．２０，ＲｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる
一種以上の希土類元素。ＭｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ
を除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。 ）、ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，
ｆで囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重量部
に対し、副成分としてニオブ酸化物をＮｂ＿２Ｏ＿５に
換算して０．３〜５．０重量部含有したことを特徴とす
る誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1235046A JP2850399B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1235046A JP2850399B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397668A true JPH0397668A (ja) | 1991-04-23 |
| JP2850399B2 JP2850399B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=16980284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1235046A Expired - Fee Related JP2850399B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850399B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006110179A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Fuairudo Kk | 腰部加圧用ベルト |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1235046A patent/JP2850399B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006110179A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Fuairudo Kk | 腰部加圧用ベルト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2850399B2 (ja) | 1999-01-27 |
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Legal Events
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |