JPH0397668A - 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 - Google Patents
積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物Info
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- JPH0397668A JPH0397668A JP1235046A JP23504689A JPH0397668A JP H0397668 A JPH0397668 A JP H0397668A JP 1235046 A JP1235046 A JP 1235046A JP 23504689 A JP23504689 A JP 23504689A JP H0397668 A JPH0397668 A JP H0397668A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率,絶縁抵抗,絶縁破壊電圧が高く、良好
度Qを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
密度のより大きな誘電体磁器を得ることができる誘電体
磁器組戒物に関するものである。
度Qを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
密度のより大きな誘電体磁器を得ることができる誘電体
磁器組戒物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電率,絶縁抵抗が高く、良好度Qにすぐれ、
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組戚物として下記
のような系が知られている。
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組戚物として下記
のような系が知られている。
・BaO−Ti○2−Nd203系
・BaO−T i 02−Sm203系発明が解決しよ
うとする課題 しかし、これらの組成は、例えば 0.09Ba○−0.55T i 02−0.36N
d 03/2の組威比からなる誘電体材料を使用し、円
板形磁器コンデンサを作製すると、絶縁抵抗の平均値=
8.OX1012Ω、絶縁破壊強度の平均値=3 0
k V / mであり、満足のできる値ではない。
うとする課題 しかし、これらの組成は、例えば 0.09Ba○−0.55T i 02−0.36N
d 03/2の組威比からなる誘電体材料を使用し、円
板形磁器コンデンサを作製すると、絶縁抵抗の平均値=
8.OX1012Ω、絶縁破壊強度の平均値=3 0
k V / mであり、満足のできる値ではない。
また、この誘電体磁器の密度は、5.6g/c+llで
あるが、一般に長さ(L)3.2X幅(W)1.6閣以
下の積層セラミックコンデンサのりフローはんだ付け、
特にベーバーリフローはんだ付けではチップ立ち(通常
、ツームストーン現象、マンハッタン現象と呼ばれてい
る。)が発生しやすく、このチップ立ちを防ぐため、誘
電体磁器の密度をより大きくしなければならないという
課題があった。
あるが、一般に長さ(L)3.2X幅(W)1.6閣以
下の積層セラミックコンデンサのりフローはんだ付け、
特にベーバーリフローはんだ付けではチップ立ち(通常
、ツームストーン現象、マンハッタン現象と呼ばれてい
る。)が発生しやすく、このチップ立ちを防ぐため、誘
電体磁器の密度をより大きくしなければならないという
課題があった。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式x B
a O − y((T i 02)(+−111(
S r+ 02)ml− z(R e (1−n)Me
n)03/2と表した時(たたし、x+y+z=1..
oo.o.oi≦m≦0.20.0.01≦n≦0.2
0,Reは、La+ Pr,Nd,Smから選ばれる一
種以上の希土類元素。MeはLa.Pr,Nd.Smを
除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。)
、x,y,zが以下に表す各点a,b,c,d,e,f
で囲まれるモル比の範囲からなる主成分100重量部に
対し、副成分として二オブ酸化物をNb20Sに換算し
て0,3〜5.0重量部含有したことを特徴とする誘電
体磁器組成物作用 第1図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
1図を参照しながら説明する。すなわち、A領域では焼
結が著しく困難である。また、B領域では良好度Qが低
下し実用的でなくなる。さらに、C.D@域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、E領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。
a O − y((T i 02)(+−111(
S r+ 02)ml− z(R e (1−n)Me
n)03/2と表した時(たたし、x+y+z=1..
oo.o.oi≦m≦0.20.0.01≦n≦0.2
0,Reは、La+ Pr,Nd,Smから選ばれる一
種以上の希土類元素。MeはLa.Pr,Nd.Smを
除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。)
、x,y,zが以下に表す各点a,b,c,d,e,f
で囲まれるモル比の範囲からなる主成分100重量部に
対し、副成分として二オブ酸化物をNb20Sに換算し
て0,3〜5.0重量部含有したことを特徴とする誘電
体磁器組成物作用 第1図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
1図を参照しながら説明する。すなわち、A領域では焼
結が著しく困難である。また、B領域では良好度Qが低
下し実用的でなくなる。さらに、C.D@域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。そして、E領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。
また、ReをLa.Pr,Nd.Smから選ぶことによ
り、La,Pr.Nd,Smの順で誘電率を大きく下げ
ることなく、静電容量温度係数をプラス方向に移行する
ことが可能であり、La,Pr,Nd,Smの1種ある
いはその組合せにより静電容量温度係数の調節が可能で
ある。
り、La,Pr.Nd,Smの順で誘電率を大きく下げ
ることなく、静電容量温度係数をプラス方向に移行する
ことが可能であり、La,Pr,Nd,Smの1種ある
いはその組合せにより静電容量温度係数の調節が可能で
ある。
さらに、La.Pr,Nd,Smから選ばれる一種以上
の希土類元素の一部を、La.Pr,Nd,Smを除く
希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素で置換す
ることにより、良好度Qを大幅に改善する効果を有して
いるが、その置換量が0.0 1未満では置換効果はな
く、一方0.20を越えると誘電率が低下し実用的でな
くなる。
の希土類元素の一部を、La.Pr,Nd,Smを除く
希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素で置換す
ることにより、良好度Qを大幅に改善する効果を有して
いるが、その置換量が0.0 1未満では置換効果はな
く、一方0.20を越えると誘電率が低下し実用的でな
くなる。
また、T i 02をSn○2で置換することにより、
誘電率,良好度Q,静電容量温度係数,絶縁抵抗,絶縁
破壊強度の値を大きく変えることなく、誘電体磁器の密
度を大きくする効果を有しているが、その置換率mが0
.01未満では置換効果はなく、一方0.20を越える
と誘電率,良好度Qが低下し,静電容量温度係数もマイ
ナス側に大きくなりすぎ実用的でなくなる。
誘電率,良好度Q,静電容量温度係数,絶縁抵抗,絶縁
破壊強度の値を大きく変えることなく、誘電体磁器の密
度を大きくする効果を有しているが、その置換率mが0
.01未満では置換効果はなく、一方0.20を越える
と誘電率,良好度Qが低下し,静電容量温度係数もマイ
ナス側に大きくなりすぎ実用的でなくなる。
また、主戒分に対し、副成分Nb205を含有すること
により、絶縁抵抗,絶縁破壊強度が向上する効果を有し
ているが、Nb20sの含有量が主成分100重量部に
対し、0.3重量部未満ではそれほど絶縁破壊強度が大
きくなく、この発明の範囲から除外した。一方、Nb2
0Sの含有量が主成分に対し、5.0重量部を越えると
良好度Q,絶縁抵抗が低下し、静電容fl TFA度係
数がマイナス制に大きくなり,さらに静電容量の温度変
化の直線性が失われ実用的でなくなるため、同じくこの
発明から除外した。
により、絶縁抵抗,絶縁破壊強度が向上する効果を有し
ているが、Nb20sの含有量が主成分100重量部に
対し、0.3重量部未満ではそれほど絶縁破壊強度が大
きくなく、この発明の範囲から除外した。一方、Nb2
0Sの含有量が主成分に対し、5.0重量部を越えると
良好度Q,絶縁抵抗が低下し、静電容fl TFA度係
数がマイナス制に大きくなり,さらに静電容量の温度変
化の直線性が失われ実用的でなくなるため、同じくこの
発明から除外した。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
(実施例1)
まず、出発原料には化学的に高純度の
BaCO3.Ti02,Sn02,La203,P r
so++,CeO2.Gd20a.Dy203,Nd2
03,Smz(hおよびNb205粉末を下記の第1表
に示す絹戒比になるように秤量し、めのうボールを備え
たゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混
合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のル
ツポに入れ、空気中で1100℃にて2時間仮焼した。
so++,CeO2.Gd20a.Dy203,Nd2
03,Smz(hおよびNb205粉末を下記の第1表
に示す絹戒比になるように秤量し、めのうボールを備え
たゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混
合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のル
ツポに入れ、空気中で1100℃にて2時間仮焼した。
この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張りのボ
ールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥し
た。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とし
た後、32メッシュのふるいを通して整粒し、金型と油
圧プレスを用いて戒形圧力lton/c−で直径15m
、厚み0.4am++に威形した。次いで、この戒形円
板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、
空気中にて下記の第l表に示す温度で2時間焼成し、第
1表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
ールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥し
た。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とし
た後、32メッシュのふるいを通して整粒し、金型と油
圧プレスを用いて戒形圧力lton/c−で直径15m
、厚み0.4am++に威形した。次いで、この戒形円
板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、
空気中にて下記の第l表に示す温度で2時間焼成し、第
1表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
( 以 下 余 白 )
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
と重量を測定し、重量を厚みと直径より算出した体積で
除算し、誘電体磁器の密度とした。また、誘電率,良好
度Q,静電容量温度係数測定用試料は、誘電体磁器円板
の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁抵抗,絶縁破壊強
度測定甲試料は、誘電体磁器円板の外周より内側に1閣
の幅で銀電極のない部分を設け、銀電極を焼き付けた。
と重量を測定し、重量を厚みと直径より算出した体積で
除算し、誘電体磁器の密度とした。また、誘電率,良好
度Q,静電容量温度係数測定用試料は、誘電体磁器円板
の両面全体に銀電極を焼き付け、絶縁抵抗,絶縁破壊強
度測定甲試料は、誘電体磁器円板の外周より内側に1閣
の幅で銀電極のない部分を設け、銀電極を焼き付けた。
そして、誘電率,良好度Q,静電容量温度係数は、Y}
{P社製デジタルLCRメータのモデル4275Aを使
用し、測定温度20℃,測定電圧1.OVrms,測定
周波数IMHzでの測定より求めた。なお、静電容量の
温度変化は、−55℃,−25℃.20℃,85℃,1
25℃の静電容量を測定し、直線性を確認するとともに
、静電容量温度係数は、20℃と85℃の静電容量を用
いて次式により求めた。
{P社製デジタルLCRメータのモデル4275Aを使
用し、測定温度20℃,測定電圧1.OVrms,測定
周波数IMHzでの測定より求めた。なお、静電容量の
温度変化は、−55℃,−25℃.20℃,85℃,1
25℃の静電容量を測定し、直線性を確認するとともに
、静電容量温度係数は、20℃と85℃の静電容量を用
いて次式により求めた。
TC=(C−Co)/Coxl./65xlOCTC:
静電容量温度係数(ppm/℃)Co : 20℃での
静電容量(pF)C :85℃での静電容量(pF) また、誘電率は次式より求めた。
静電容量温度係数(ppm/℃)Co : 20℃での
静電容量(pF)C :85℃での静電容量(pF) また、誘電率は次式より求めた。
K = 1 4 3 . 8 X C o x t /
D 2K ;誘電率 Co : 20℃での静電容量(pF)−D :誘電体
磁器の直径(閣) t :誘電体磁器の厚み(mw+) さらに、絶縁抵抗は、YHP社製HRメータのモデル4
329 Aを使用し、測定電圧50V.D.C.、測定
時間l分間による測定より求めた。
D 2K ;誘電率 Co : 20℃での静電容量(pF)−D :誘電体
磁器の直径(閣) t :誘電体磁器の厚み(mw+) さらに、絶縁抵抗は、YHP社製HRメータのモデル4
329 Aを使用し、測定電圧50V.D.C.、測定
時間l分間による測定より求めた。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業@製高電圧電源
PH335K−3形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度50V/seeにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、1雨当りの絶縁破壊強度と
した。この試験結果を下記の第2表に示す。
PH335K−3形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度50V/seeにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、1雨当りの絶縁破壊強度と
した。この試験結果を下記の第2表に示す。
( 以 下 余 白 〉
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ba
CO3. TiOx, SnOt, La20s+P
rso目.Ndzo3r Sm203,Ce02,Gd
:03,Dy203およびNbtOsを使用したが、こ
の方法に限定されるものではなく、所望の組成比になる
ように、BaTi03などの化合物、あるいは炭酸塩,
水酸化物など空気中での加熱により,Bad.TiOz
.Sn02,La203,PrsO++,Nd2031
Sm203,CeOz.Gd203,DY203およ
びNb2OSとなる化合物を使用しても実施例と同程度
の特性を得ることができる。
CO3. TiOx, SnOt, La20s+P
rso目.Ndzo3r Sm203,Ce02,Gd
:03,Dy203およびNbtOsを使用したが、こ
の方法に限定されるものではなく、所望の組成比になる
ように、BaTi03などの化合物、あるいは炭酸塩,
水酸化物など空気中での加熱により,Bad.TiOz
.Sn02,La203,PrsO++,Nd2031
Sm203,CeOz.Gd203,DY203およ
びNb2OSとなる化合物を使用しても実施例と同程度
の特性を得ることができる。
また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、誘電体磁器用として一般に使用される工業用原料
の二酸化チタン、例えばチタン工業(掬製二酸化チタン
KA−10.古河鉱業@製二酸化チタンFA−55Wに
は最大0.45重量%のNb20sが含まれるが、これ
らの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作製
しても主成分100重量部に対して、N b 2 0
sの含有量は最大で0.23M量部であり、この発明の
範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中のNb2
0sfitを考慮し、不足分のNb2OSを含有させる
ことにより、実施例と同程度の特性を{qることかでき
る。
の二酸化チタン、例えばチタン工業(掬製二酸化チタン
KA−10.古河鉱業@製二酸化チタンFA−55Wに
は最大0.45重量%のNb20sが含まれるが、これ
らの二酸化チタンを使用して主成分の誘電体磁器を作製
しても主成分100重量部に対して、N b 2 0
sの含有量は最大で0.23M量部であり、この発明の
範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン中のNb2
0sfitを考慮し、不足分のNb2OSを含有させる
ことにより、実施例と同程度の特性を{qることかでき
る。
また、上述の基本組成のほかに、Si○2,Mn 02
. F e203. Z n Oなど、一般にフラック
スと考えられている塩類,酸化物などを、特性を損なわ
ない範囲で加えることもできる。
. F e203. Z n Oなど、一般にフラック
スと考えられている塩類,酸化物などを、特性を損なわ
ない範囲で加えることもできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば,誘電率,絶縁抵抗,絶縁
破壊電圧が高く、良好度Qを大幅に改善し、静電容量温
度係数が小さいため、製品の小型化,大容量化,特性向
上が可能である。また、密度のより大きな誘電体磁器で
あるため、この組成物で面実装の小形チップ部品を作製
するとりフローはんだ付けでのチップ立ちを改善できる
等、実装性の高い製品を得ることが可能である。
破壊電圧が高く、良好度Qを大幅に改善し、静電容量温
度係数が小さいため、製品の小型化,大容量化,特性向
上が可能である。また、密度のより大きな誘電体磁器で
あるため、この組成物で面実装の小形チップ部品を作製
するとりフローはんだ付けでのチップ立ちを改善できる
等、実装性の高い製品を得ることが可能である。
第
I
図
第1図は本発明にかかる組成物の主成分の組成紀囲を説
明する三元図である。
明する三元図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 xBaO−y[(TiO_2)_(_1_−_m_)(
SnO_2)_m]−z(Re_(_1_−_n)Me
_n)O_3_/_2と表した時(ただし、x+y+z
=1.00,0.01≦m≦0.20,0.01≦n≦
0.20,ReはLa,Pr,Nd,Smから選ばれる
一種以上の希土類元素。MeはLa,Pr,Nd,Sm
を除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。 )、x,y,zが以下に表す各点a,b,c,d,e,
fで囲まれるモル比の範囲からなる主成分100重量部
に対し、副成分としてニオブ酸化物をNb_2O_5に
換算して0.3〜5.0重量部含有したことを特徴とす
る誘電体磁器組成物。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1235046A JP2850399B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
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JP1235046A JP2850399B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH0397668A true JPH0397668A (ja) | 1991-04-23 |
JP2850399B2 JP2850399B2 (ja) | 1999-01-27 |
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JP (1) | JP2850399B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006110179A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Fuairudo Kk | 腰部加圧用ベルト |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1235046A patent/JP2850399B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2006110179A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Fuairudo Kk | 腰部加圧用ベルト |
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Publication number | Publication date |
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JP2850399B2 (ja) | 1999-01-27 |
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