JPS5910004B2 - ユウデンタイジキノ セイゾウホウホウ - Google Patents
ユウデンタイジキノ セイゾウホウホウInfo
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- JPS5910004B2 JPS5910004B2 JP50081304A JP8130475A JPS5910004B2 JP S5910004 B2 JPS5910004 B2 JP S5910004B2 JP 50081304 A JP50081304 A JP 50081304A JP 8130475 A JP8130475 A JP 8130475A JP S5910004 B2 JPS5910004 B2 JP S5910004B2
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- oxide
- capacitance
- kaolin
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、誘電損失、容量温度依存性、容量バイアス
電圧依存性に優れた粒界絶縁型半導体磁器を製造する方
法に関する。
電圧依存性に優れた粒界絶縁型半導体磁器を製造する方
法に関する。
従来から表面絶縁型または粒界絶縁型の半導性誘電体磁
器として製造されているものに、チタン５ 酸バリウム
またはチタン酸バリウム固溶体を主成分とするものがあ
るが、この種のものはチタン酸バリウムが有する強誘電
的性質を回避することができないので、磁器コンデンサ
として電気回路素子に応用する場合いくつかの基本的な
欠点を有す１０る。
器として製造されているものに、チタン５ 酸バリウム
またはチタン酸バリウム固溶体を主成分とするものがあ
るが、この種のものはチタン酸バリウムが有する強誘電
的性質を回避することができないので、磁器コンデンサ
として電気回路素子に応用する場合いくつかの基本的な
欠点を有す１０る。
すなわち、使用温度範囲で主成分の変態点に基因する誘
電損の影響を受けること、および容量温度依存性を小さ
くする目的で添加される副成分の影響を受けて誘電損失
が大きくなることである。たとえば、表１に示すように
、周波数１Ｋｌｌ２）温度１５２０℃において誘電正接
ｔａ■δは３．０％〜５．０％である。また、同表に示
すように、直流バイアス電圧による容量変化は大きく、
２５Ｖバイアスの場合の容量はＯＶバイアスの場合のそ
れよりも約３０％低下し、容量温度依存性も−２５℃〜
＋８５２０℃の温度範囲において容量変化率を±１５％
以内にとどめることは困難である。さらに、コンデンサ
に入力される信号電圧によつても容量値が変化し、たと
えば周波数１Ｙｋ、において１Ｖｒｍｓの信号電圧によ
る容量値に対して４．５Ｖｒｍｓの場合の２５それは約
５％増加する。電気回路設計の立場から誘電正接ｔａｎ
δ、容量温度依存性並びに直流バイアス電圧や信号電圧
による容量変化がいずれも小さく、比誘電率の大きい磁
器コンデンサが要求され、この発明はその要求勿 を充
足する粒界絶縁型半導体磁器を安価に製造することを目
的とする。
電損の影響を受けること、および容量温度依存性を小さ
くする目的で添加される副成分の影響を受けて誘電損失
が大きくなることである。たとえば、表１に示すように
、周波数１Ｋｌｌ２）温度１５２０℃において誘電正接
ｔａ■δは３．０％〜５．０％である。また、同表に示
すように、直流バイアス電圧による容量変化は大きく、
２５Ｖバイアスの場合の容量はＯＶバイアスの場合のそ
れよりも約３０％低下し、容量温度依存性も−２５℃〜
＋８５２０℃の温度範囲において容量変化率を±１５％
以内にとどめることは困難である。さらに、コンデンサ
に入力される信号電圧によつても容量値が変化し、たと
えば周波数１Ｙｋ、において１Ｖｒｍｓの信号電圧によ
る容量値に対して４．５Ｖｒｍｓの場合の２５それは約
５％増加する。電気回路設計の立場から誘電正接ｔａｎ
δ、容量温度依存性並びに直流バイアス電圧や信号電圧
による容量変化がいずれも小さく、比誘電率の大きい磁
器コンデンサが要求され、この発明はその要求勿 を充
足する粒界絶縁型半導体磁器を安価に製造することを目
的とする。
以下、この発明による粒界絶縁型半導体磁器の製造方法
について述べる。
について述べる。
酸化ストロンチウム５に０４８．５〜４９．７５モル％
と、酸化チタン３５ＴｉＯ。５０モル％と、希土類元素
酸化物、たとえば酸化ジスプロシウムＤｙ２０３または
酸化ランタンＬａ２ｏ３よたは酸化イットリウムＹ２０
３Ｏ、２５〜１．５モル％とを総和が１００モル％にな
るように調合した半導体組成物粉末、またはその組成物
を基礎成分としてこれにカオリンＭ２Ｓｉ２Ｏ５（０Ｆ
４を重量比で０．０５〜０．５％添加含有せしめた半導
体組成物粉末を、空気雰囲気中において１３５０℃〜１
５００℃で焼成し焼結した半導件磁器を、毎時５０℃以
下の低速度で冷却することによつて異常成長した結晶粒
表面を酸化して絶縁化し、回の焼成でもつて粒界絶縁型
半導体磁器として完成させる。
と、酸化チタン３５ＴｉＯ。５０モル％と、希土類元素
酸化物、たとえば酸化ジスプロシウムＤｙ２０３または
酸化ランタンＬａ２ｏ３よたは酸化イットリウムＹ２０
３Ｏ、２５〜１．５モル％とを総和が１００モル％にな
るように調合した半導体組成物粉末、またはその組成物
を基礎成分としてこれにカオリンＭ２Ｓｉ２Ｏ５（０Ｆ
４を重量比で０．０５〜０．５％添加含有せしめた半導
体組成物粉末を、空気雰囲気中において１３５０℃〜１
５００℃で焼成し焼結した半導件磁器を、毎時５０℃以
下の低速度で冷却することによつて異常成長した結晶粒
表面を酸化して絶縁化し、回の焼成でもつて粒界絶縁型
半導体磁器として完成させる。
焼成の際、最高温度での保持時間は１〜８時間程度でよ
い。ここで、粒界絶縁型半導体磁器はたとえば次のよう
な方法で製造する。
い。ここで、粒界絶縁型半導体磁器はたとえば次のよう
な方法で製造する。
所定組成比に正確な割合で秤量した原料をボールミル等
で混合し、１１５０℃〜１２５０℃の空気雰囲気中で予
備焼成した後、ポールミルによつて粉砕して半導体組成
物の調製粉末とする。なおこの際使用する原料としては
加熱することによつて酸化物になる化合物、たとえば炭
酸塩、蓚酸塩、水酸化物などが用いられる。このように
して得た調製粉末にポリビニールアルコール等の有機結
合剤を添加し、５００ｋ９／Ｃｄ〜１４００ｋ９／（１
−JモVｆの圧力で加圧成形を施し、直径１６ｍｍ１厚さ
０．７ｍｍ程度のデイスク型に仕上げる。このようにし
て製造された磁器材料は、微細な半導体の結晶の焼結体
をなしており、かつ個々の結晶粒子の表面は極めて薄い
酸化絶縁被膜で覆われている。そして、この材相をコン
デンサとして使用する際には、上述の薄い酸化皮膜が誘
電体として作用する。次に、この発明において粒界絶縁
型半導体磁器．の組成範囲および焼成温度範囲を上述の
ように限定した理由について述べる。
で混合し、１１５０℃〜１２５０℃の空気雰囲気中で予
備焼成した後、ポールミルによつて粉砕して半導体組成
物の調製粉末とする。なおこの際使用する原料としては
加熱することによつて酸化物になる化合物、たとえば炭
酸塩、蓚酸塩、水酸化物などが用いられる。このように
して得た調製粉末にポリビニールアルコール等の有機結
合剤を添加し、５００ｋ９／Ｃｄ〜１４００ｋ９／（１
−JモVｆの圧力で加圧成形を施し、直径１６ｍｍ１厚さ
０．７ｍｍ程度のデイスク型に仕上げる。このようにし
て製造された磁器材料は、微細な半導体の結晶の焼結体
をなしており、かつ個々の結晶粒子の表面は極めて薄い
酸化絶縁被膜で覆われている。そして、この材相をコン
デンサとして使用する際には、上述の薄い酸化皮膜が誘
電体として作用する。次に、この発明において粒界絶縁
型半導体磁器．の組成範囲および焼成温度範囲を上述の
ように限定した理由について述べる。
第１図は、カオリン無添加の場合と０．３重量％添加し
た場合について、酸化ジスプロシウムまたは酸化ランタ
ンの添加量をそれぞれ変化させて調製し、１４００℃で
４時３間焼成したときの見かけ比誘電率εｒ（周波数１
Ｋ臥信号電圧１Ｖｒｍｓで測定した静電容量値から算出
したもの）の変化の傾向を示したもので、同図から明ら
かなように、ジスプロシウムまたはランタンが０．５〜
３．０原子％の範囲で比誘電率が大４きくなり、粒界絶
縁型半導体磁器として適当であることがわかる。また、
第２図は、酸化ジスプロシウム０．３５モル％に固定し
、カオリンの添加量をそれぞれ変化させて調製し、１４
８０℃で４時フ間焼成した場合と、１３５０℃で同時間
焼成した場合の見かけの比誘電率の変化の傾向を示すも
ので、１３５０℃で焼成した場合はカオリン０．０５重
量％以上で比誘電率は大きく増加し、１４８０℃の場合
はカオリン０．０５重量％で無添加の場合よりもむしろ
低下するがカオリン０．５重量％で極大となり、カオリ
ン添加の効果が明らかである。
た場合について、酸化ジスプロシウムまたは酸化ランタ
ンの添加量をそれぞれ変化させて調製し、１４００℃で
４時３間焼成したときの見かけ比誘電率εｒ（周波数１
Ｋ臥信号電圧１Ｖｒｍｓで測定した静電容量値から算出
したもの）の変化の傾向を示したもので、同図から明ら
かなように、ジスプロシウムまたはランタンが０．５〜
３．０原子％の範囲で比誘電率が大４きくなり、粒界絶
縁型半導体磁器として適当であることがわかる。また、
第２図は、酸化ジスプロシウム０．３５モル％に固定し
、カオリンの添加量をそれぞれ変化させて調製し、１４
８０℃で４時フ間焼成した場合と、１３５０℃で同時間
焼成した場合の見かけの比誘電率の変化の傾向を示すも
ので、１３５０℃で焼成した場合はカオリン０．０５重
量％以上で比誘電率は大きく増加し、１４８０℃の場合
はカオリン０．０５重量％で無添加の場合よりもむしろ
低下するがカオリン０．５重量％で極大となり、カオリ
ン添加の効果が明らかである。
しかし、カオリン０．５重量％を越えると磁器素子間に
融着がみられ製造上好ましくない。また、第３図は、酸
化ジスプロシウム０．３５モル％、カオリン０．１５重
量％も加えて調製した試料について焼成時間を４時間に
固定し、種々の温度で焼成した場合の見かけの比誘電率
の変化を示したもので、１３５０℃以上で高い比誘電率
が得られ半導体磁器コンデンサ材料として適当であり、
１３５０℃未満では比誘電率が小さく、焼結件も悪く好
ましくない。
融着がみられ製造上好ましくない。また、第３図は、酸
化ジスプロシウム０．３５モル％、カオリン０．１５重
量％も加えて調製した試料について焼成時間を４時間に
固定し、種々の温度で焼成した場合の見かけの比誘電率
の変化を示したもので、１３５０℃以上で高い比誘電率
が得られ半導体磁器コンデンサ材料として適当であり、
１３５０℃未満では比誘電率が小さく、焼結件も悪く好
ましくない。
また１５００℃を越えると比誘電率は大きいが原利中に
含有されている不純物の影響で磁器素子間に融着がみら
れ製造上好ましくない。以上に述べたこの発明によれば
、表１、第４図、第５図に示す如く、従来のものと比較
して誘電正接、温度特性、バイアス特性に優れた粒界絶
縁型半導体磁器を製造することができる。
含有されている不純物の影響で磁器素子間に融着がみら
れ製造上好ましくない。以上に述べたこの発明によれば
、表１、第４図、第５図に示す如く、従来のものと比較
して誘電正接、温度特性、バイアス特性に優れた粒界絶
縁型半導体磁器を製造することができる。
また、従来の如く焼結後に再度の熱処理を施したり還元
雰囲気を用いて還元処理を施したりすることは必要なく
、一回の焼成で粒界絶縁型半導体磁器として完成させる
ことができるので、工程が非常に簡便となり安価に製造
できる。なお、表１において、容量変化率のＤＣバイア
スの欄は直流電圧２５Ｖをバイアス電圧として印加した
ときのバイアス電圧０Ｖの場合に対する容量変化率を、
温度の欄は−２５℃〜＋８５℃の温度範囲における２０
℃のときの容量に対する容量変化率を、ＡＣ信号電圧の
欄は４Ｖｒｍｓの場合の１Ｖｒｍｓの場合に対する容量
変化率をそれぞれ示し、絶縁抵抗の欄は直流電圧２５Ｖ
を印加し１分後の抵抗値を示した。
雰囲気を用いて還元処理を施したりすることは必要なく
、一回の焼成で粒界絶縁型半導体磁器として完成させる
ことができるので、工程が非常に簡便となり安価に製造
できる。なお、表１において、容量変化率のＤＣバイア
スの欄は直流電圧２５Ｖをバイアス電圧として印加した
ときのバイアス電圧０Ｖの場合に対する容量変化率を、
温度の欄は−２５℃〜＋８５℃の温度範囲における２０
℃のときの容量に対する容量変化率を、ＡＣ信号電圧の
欄は４Ｖｒｍｓの場合の１Ｖｒｍｓの場合に対する容量
変化率をそれぞれ示し、絶縁抵抗の欄は直流電圧２５Ｖ
を印加し１分後の抵抗値を示した。
また、比誘電率、比面積容量は周波数１ＫＩＩｚ１電圧
１ｒｍｓの正弦波で測定した容量値から算出し、誘電損
失値は周波数１Ｋ１ｚ１電圧１ｒｍｓの正弦波で測定し
た等価抵抗値からＴａｎδ二２πＦＲＣｓ（Ｃｓはブリ
ツジの基準容量値１μＦ）によつて算出した。なお、表
２は、以下に述べる実施例によつて製造された粒界絶縁
型半導体磁器の諸特性を示すものである。
１ｒｍｓの正弦波で測定した容量値から算出し、誘電損
失値は周波数１Ｋ１ｚ１電圧１ｒｍｓの正弦波で測定し
た等価抵抗値からＴａｎδ二２πＦＲＣｓ（Ｃｓはブリ
ツジの基準容量値１μＦ）によつて算出した。なお、表
２は、以下に述べる実施例によつて製造された粒界絶縁
型半導体磁器の諸特性を示すものである。
酸化ストロンチウム４８．５〜４９．７５モル％と酸化
チタン５０モル％と酸化ジスプロシウム（または酸化ラ
ンタンまたは酸化イツトリウム）０．２５〜１，５モル
％との総和が１００モル％になる組成物、またはこの組
成物を基礎成分としこの基礎成分に対しカオリンを重量
比で０．０５〜０．５％添加含有せしめた組成物になる
ように、原料を正確に秤量し、これらの混合物をポール
ミルによつて湿式混合し、その混合物を空気中で１１９
００Ｃで２時間予備焼成し、さらにポールミルによつて
粉砕して半導体組成物粉末を得た。ここで、酸化ストロ
ンチウムは同モル％の炭酸ストロンチウムを用いた。上
記調製原料粉末にポリビニールアルコールを３．０重量
％添加し、１２００ｋ９／〜の圧力で加圧成形し、電気
炉を１３５０℃〜１５００℃に設定し、その設定温度で
４時間保持して焼結せしめ、５『Ｃ／時〜２５でＣ／時
の速度で冷却し、直径約１３．５ｍｍ１厚さ約０．５５
ｍｍの円板磁器を得た。この磁器に一般的な方法で銀電
極を温度８００℃時間３０分で焼成し形成した。このよ
うにして得た試料をキヤパシタンスブリツジによつて周
波数１ＫＨｚ１入力電圧１ｒｍｓで容量および誘電正接
（Ｔａｎδ）を、また絶縁抵抗計によつて直流電圧２５
Ｖを試料に印加し１分後の値を読取つて絶縁抵抗（．Ｒ
．）を測定し、これらの測定結果をそれらの試料の組成
比とともに表２に示した。同表には容量値から見かけの
比誘電率εｒを計算して示した。
チタン５０モル％と酸化ジスプロシウム（または酸化ラ
ンタンまたは酸化イツトリウム）０．２５〜１，５モル
％との総和が１００モル％になる組成物、またはこの組
成物を基礎成分としこの基礎成分に対しカオリンを重量
比で０．０５〜０．５％添加含有せしめた組成物になる
ように、原料を正確に秤量し、これらの混合物をポール
ミルによつて湿式混合し、その混合物を空気中で１１９
００Ｃで２時間予備焼成し、さらにポールミルによつて
粉砕して半導体組成物粉末を得た。ここで、酸化ストロ
ンチウムは同モル％の炭酸ストロンチウムを用いた。上
記調製原料粉末にポリビニールアルコールを３．０重量
％添加し、１２００ｋ９／〜の圧力で加圧成形し、電気
炉を１３５０℃〜１５００℃に設定し、その設定温度で
４時間保持して焼結せしめ、５『Ｃ／時〜２５でＣ／時
の速度で冷却し、直径約１３．５ｍｍ１厚さ約０．５５
ｍｍの円板磁器を得た。この磁器に一般的な方法で銀電
極を温度８００℃時間３０分で焼成し形成した。このよ
うにして得た試料をキヤパシタンスブリツジによつて周
波数１ＫＨｚ１入力電圧１ｒｍｓで容量および誘電正接
（Ｔａｎδ）を、また絶縁抵抗計によつて直流電圧２５
Ｖを試料に印加し１分後の値を読取つて絶縁抵抗（．Ｒ
．）を測定し、これらの測定結果をそれらの試料の組成
比とともに表２に示した。同表には容量値から見かけの
比誘電率εｒを計算して示した。
第１図乃至第３図は酸化チタンと酸化ストロンチウムと
希土類元素酸化物とを含有する誘電体磁器において酸化
ジスプロシウムおよび酸化ランタンの含有量と見かけ比
誘電率の関係、カオリンの含有量と見かけ比誘電率の関
係、並びに焼成温度と見かけ比誘電率の関係をそれぞれ
示す特性図、第４図は本発明例および従来例の容量温度
依存性を示す特性図、第５図は本発明例および従来例の
容量バイアス電圧依存性を示す特性図である。
希土類元素酸化物とを含有する誘電体磁器において酸化
ジスプロシウムおよび酸化ランタンの含有量と見かけ比
誘電率の関係、カオリンの含有量と見かけ比誘電率の関
係、並びに焼成温度と見かけ比誘電率の関係をそれぞれ
示す特性図、第４図は本発明例および従来例の容量温度
依存性を示す特性図、第５図は本発明例および従来例の
容量バイアス電圧依存性を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化チタン５０モル％と酸化ストロンチウム４８．
５モル％乃至４９．７５モル％と希土類元素酸化物０．
２５モル％乃至１．５モル％とをその総和が１００モル
％となる如く調合し、それを空気雰囲気中において１３
５０℃乃至１５００℃で焼成して、半導体粒子の粒界に
酸化絶縁皮膜を形成することを特徴とする誘電体磁器の
製造方法。 ２ 酸化チタン５０モル％と酸化ストロンチウム４８．
５モル％乃至４９．７５モル％と希土類元素酸化物０．
２５モル％乃至１．５モル％とをその総和が１００モル
％となる如く調合し、その組成物にさらにカオリンを重
量比で０．０５％乃至０．５％添加し、それを空気雰囲
気中において１３５０℃乃至１５００℃で焼成して、半
導体粒子の粒界に酸化絶縁皮膜を形成することを特徴と
する誘電体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50081304A JPS5910004B2 (ja) | 1975-06-30 | 1975-06-30 | ユウデンタイジキノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50081304A JPS5910004B2 (ja) | 1975-06-30 | 1975-06-30 | ユウデンタイジキノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS524098A JPS524098A (en) | 1977-01-12 |
| JPS5910004B2 true JPS5910004B2 (ja) | 1984-03-06 |
Family
ID=13742639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50081304A Expired JPS5910004B2 (ja) | 1975-06-30 | 1975-06-30 | ユウデンタイジキノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910004B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174809U (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-20 | ||
| JPS6257282A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | 松下電器産業株式会社 | 部品装着機における部品位置認識装置 |
| JPS63185100A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | オークマ株式会社 | 部品実装機における実装基板固有デ−タ入力方式 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3484332D1 (de) * | 1983-02-10 | 1991-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Porzellanzusammensetzung fuer spannungsabhaengigen nichtlinearen resistor. |
-
1975
- 1975-06-30 JP JP50081304A patent/JPS5910004B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174809U (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-20 | ||
| JPS6257282A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | 松下電器産業株式会社 | 部品装着機における部品位置認識装置 |
| JPS63185100A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | オークマ株式会社 | 部品実装機における実装基板固有デ−タ入力方式 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS524098A (en) | 1977-01-12 |
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