JP2003532979A - ＢｉＣｕ３Ｔｉ３ＦｅＯ１２を組み込んだチューナブルデバイス - Google Patents

ＢｉＣｕ３Ｔｉ３ＦｅＯ１２を組み込んだチューナブルデバイス

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JP2003532979A
JP2003532979A JP2001581289A JP2001581289A JP2003532979A JP 2003532979 A JP2003532979 A JP 2003532979A JP 2001581289 A JP2001581289 A JP 2001581289A JP 2001581289 A JP2001581289 A JP 2001581289A JP 2003532979 A JP2003532979 A JP 2003532979A
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feo
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リ ドン
アパドール サブラマニアン マニルパラム
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イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、新規な誘電性ＢｉＣｕ3Ｔｉ3ＦｅＯ12を提供する。ＢｉＣｕ3Ｔｉ3ＦｅＯ12は、１０ｋＨｚから１０ＭＨｚまでの周波数範囲にわたり良好な誘電チューナビリティーおよび低損失を提供し、インターディジタルおよび三層キャパシター、コプレーナー導波路およびマイクロストリップを含む、移相器、マッチングネットワーク、発振器、フィルター、共振器、およびアンテナのようなチューナブルデバイスに特に有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の分野） 本発明は、誘電性ＢｉＣｕ3Ｔｉ3ＦｅＯ12を組み込んだチューナブルデバイス
を提供する。
【０００２】 （発明の分野） キャパシタンスを増加させるために誘電性物質を使用することは周知であり、
長い間使用されている。初期のキャパシター誘電体は２つのカテゴリーに分類さ
れた。第１のカテゴリーの誘電体は、比較的温度に依存しない誘電率を有するが
、誘電率の値が低く、たとえば５〜１０である。電気磁器および雲母のような物
質は、このカテゴリーに分類される。第２のカテゴリーの誘電体は、非常に高い
誘電率、たとえば１０００以上を有するが、それらはきわめて温度に依存する。
その例は、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3である。
【０００３】 キャパシタンスは誘電率に比例するので、高誘電率物質が望ましい。同調回路
または共振回路で適格に動作させるために、誘電体はまた、最小の温度依存性を
呈する誘電率を有していなければならない。さもなければ、周囲温度の小さな変
化により、回路が共振しなくなる。他の用途では、最小の周波数依存性を呈する
誘電率が要求される。さらに、できるだけ小さな損失率または散逸率を有してい
ることが望ましい。
【０００４】 多くのマイクロ波デバイスでは、重要な物質特性は、誘電チューナビリティー
、すなわち、印加電圧による誘電率の変化、および低誘電損失である。チタン酸
バリウムストロンチウムＢａ1-xＳｒxＴｉＯ3はいくつかのそのような用途で使
用されてきたが、より良好な性質を有する物質が依然として必要とされる。
【０００５】 Ｙａｎｄｒｏｆｓｋｉら（米国特許第５，４７２，９３５号）は、チューナブ
ル強誘電体を組み込んだチューナブルマイクロ波およびミリメートル波デバイス
を開示している。
【０００６】 （発明の概要） 本発明は、新規な誘電性ＢｉＣｕ3Ｔｉ3ＦｅＯ12を提供する。ＢｉＣｕ3Ｔｉ3 ＦｅＯ12は、１０ｋＨｚから１０ＭＨｚまでの周波数範囲にわたり良好な誘電チ
ューナビリティーおよび低損失を提供し、インターディジタルおよび三層キャパ
シター、コプレーナー導波路およびマイクロストリップを含む、移相器、マッチ
ングネットワーク、発振器、フィルター、共振器、およびアンテナのようなチュ
ーナブルデバイスに特に有用である。
【０００７】 （発明の詳細な説明） ＢｉＣｕ3Ｔｉ3ＦｅＯ12は、チューナブルデバイスの場合と同様に高誘電率を
必要とするデバイスの場合にも利点のある誘電特性を有している。
【０００８】 ＢｉＣｕ3Ｔｉ3ＦｅＯ12は、次の手順で合成することができる。化学量論量の
前駆体を十分に混合する。前駆体Ｂｉ2Ｏ3、ＣｕＯ、ＴｉＯ2およびＦｅ2Ｏ3が
好ましい。混合された前駆体粉末を約９００℃で約１２時間焼成する。焼成され
た粉末を再粉砕およびプレスして直径１２．７ｍｍ／厚さ１〜２ｍｍのディスク
にする。空気中、約９７５℃でディスクを２４時間焼結する。焼成および焼結の
いずれのステップにおいても、昇温速度は、室温（すなわち約２０℃）から焼成
または焼結温度まで約２００℃／時であり、冷却速度は、焼成または焼結温度か
ら室温（すなわち約２０℃）まで約１５０℃／時である。
【０００９】 ＢｉＣｕ3Ｔｉ3ＦｅＯ12は、立方晶ペロブスカイトＩｍ３構造で結晶化する。
【００１０】 誘電測定はディスクサンプルを用いて行った。ディスク状サンプルの面を微細
なグリットサンドまたはエメリーペーパーで研磨した。その面上に銀ペイント電
極を適用し、７０〜１００℃で乾燥させた。キャパシタンスおよび誘電損失の測
定は、Ｈｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ ４２７５Ａおよび４２８４Ａ ＬＣＲ
ブリッジを用いて２５℃の温度で１ｋＨｚから１ＭＨｚまでの周波数範囲にわた
り２端子法により行った。キャパシタンスＣおよび散逸率は、ブリッジから直接
読み取った。誘電率（Ｋ）は、測定されたピコファラド単位のキャパシタンスＣ
からＫ＝（１００Ｃｔ）／（８．８５４Ａ）の関係を用いて計算し、式中、ｔは
ｃｍ単位のディスク状サンプルの厚さであり、Ａはｃｍ2単位の電極の面積であ
る。ディスクのフラット電極化面を横切って電圧を印加し、印加電圧による誘電
率の変化を測定することによりチューナビリティーを計算した。チューナビリテ
ィー（Ｔ）は、式Ｔ＝［Ｋ（０）―Ｋ（Ｖ）］／Ｋ（０）］から計算され、式中
、Ｋ（０）は印加電圧がないときの誘電率であり、Ｋ（Ｖ）は印加電圧Ｖがある
ときの誘電率である。チューナビリティーは、通常、Ｔに対する上記の結果に１
００を掛けてパーセントとして所定の印加電界に対して表されるか、またはＴ＝
（定数）Ｅとして記述され、式中、Ｔは％単位のチューナビリティーであり、Ｅ
は電界であり、定数は特定の物質に特有なものである。
【００１１】 （発明の実施例） ＢｉＣｕ3Ｔｉ3ＦｅＯ12は、次の手順により調製した。適切な量の出発酸化物
Ｂｉ2Ｏ3、ＣｕＯ、ＴｉＯ2およびＦｅ2Ｏ3を化学量論比に従って秤量し、メノ
ウ乳鉢中で十分に混合した。使用した前駆体のグラム量を表１に示す。混合粉末
を９００℃で１２時間焼成した。焼成された粉末を再粉砕およびプレスして直径
１２．７ｍｍ／厚さ１〜２ｍｍのディスクにした。空気中、９７５℃でディスク
を２４時間焼結した。焼成および焼結のいずれのステップにおいても、室温（す
なわち約２０℃）から焼成または焼結温度まで２００℃／時の速度で温度を上昇
させ、焼成または焼結温度から室温（すなわち約２０℃）まで１５０℃／時の速
度で温度を低下させた。
【００１２】 Ｓｉｅｍｅｎｓ Ｄ５０００回折計を用いて、Ｘ線粉末回折パターンを記録し
た。データは、ＢｉＣｕ3Ｔｉ3ＦｅＯ12が立方晶ペロブスカイト関連Ｉｍ３構造
で結晶化したことを示した。測定された格子パラメーターを表１に与える。
【００１３】
【表１】
【００１４】 ディスクサンプルを研磨してフラットな均一表面を生成させ、そして銀ペイン
トで電極化した。ペイント被覆されたサンプルを７０〜１００℃で一晩乾燥させ
た。室温（すなわち約２０℃）で１ｋＨｚから１ＭＨｚまでの周波数範囲にわた
りＨＰ−４２８４Ａ ＬＣＲメーターを用いてキャパシタンスおよび損失正接の
測定を行った。結果を表２に示す。
【００１５】
【表２】
【００１６】 Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２２８Ａ電圧／電流源を用いてディスクのフラット電極化
面を横切って１００Ｖまでの電圧を印加し、ＨＰ−４２７５Ａ ＬＣＲメーター
を用いて室温で印加電圧の関数として誘電率を測定した。チューナビリティーパ
ーセントおよびその大きさのチューナビリティーを得るのに印加された電界を１
０ｋＨｚから１０ＭＨｚまでの周波数範囲にわたり表３に示す。Ｔ＝（定数）Ｅ
の形で記述されたチューナビリティー式をも表３に与える。この式は、全周波数
範囲にわたり有効である。
【００１７】
【表３】
【００１８】 これらの結果は、ＢｉＣｕ3Ｔｉ3ＦｅＯ12が、１０ｋＨｚから１０ＭＨｚまで
周波数に依存しない比較的高いチューナビリティーを有することを示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＯ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ， ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，Ｉ Ｓ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ， ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，Ｐ Ｔ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ， ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 マニルパラム アパドール サブラマニア ン アメリカ合衆国 19348 ペンシルベニア 州 ケネット スクエア プラット レー ン 20 Ｆターム(参考） 4G031 AA11 AA21 AA25 AA35 BA09 5G303 AA02 AB06 AB07 BA12 CA01 CB05 CB11 CB13 CB35

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 式ＢｉＣｕ3Ｔｉ3ＦｅＯ12を有することを特徴とする強誘電
    性組成物。
  2. 【請求項２】 ＢｉＣｕ3Ｔｉ3ＦｅＯ12を含むことを特徴とするチューナブ
    ル電気デバイス。
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Cited By (1)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100882693B1 (ko) * 2007-09-14 2009-02-06 삼성모바일디스플레이주식회사 발광표시장치 및 그의 제조방법
US9776916B2 (en) * 2014-01-28 2017-10-03 University Of Delaware Processes for depositing nanoparticles upon non-conductive substrates
CN104291805B (zh) * 2014-08-19 2016-07-27 陕西师范大学 一种钛铁铌酸铜铋巨介电陶瓷材料及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5472935A (en) * 1992-12-01 1995-12-05 Yandrofski; Robert M. Tuneable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007191689A (ja) * 2005-11-23 2007-08-02 General Electric Co <Ge> 同調可能な誘電率を有する複合材料、その製造方法、およびそれを備える物品

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