JPH0265210A - 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物及び磁器 - Google Patents
還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物及び磁器Info
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- JPH0265210A JPH0265210A JP21697388A JP21697388A JPH0265210A JP H0265210 A JPH0265210 A JP H0265210A JP 21697388 A JP21697388 A JP 21697388A JP 21697388 A JP21697388 A JP 21697388A JP H0265210 A JPH0265210 A JP H0265210A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物及
び磁器に関する。
び磁器に関する。
[従来の技術]
半導体磁器コンデンサの1種として還元再酸化型半導体
磁器コンデンサが知られている。この還元再酸化型半導
体磁器コンデンサの誘電体はチタン酸バリウム系磁器か
ら成り、例えば特公昭6328492号公報に開示され
ているように、炭酸バリウム(B a CO2>と酸化
チタン(TiO2)と希土類元素の酸化物(Nd、Pr
、Sm、Eu、Gd、Dy、Laの酸化物の少なくとも
1種)と、Cr、Mn、Fe、Co及びNiの内の少な
くとも1種の酸化物とから成る混合物(原料組成物)を
用意し、この成形体を形成し、これを酸化性雰囲気中で
焼結させ、得られた焼結体を還元性雰囲気で加熱処理し
、更に酸化性雰囲気中で加熱処理(再酸化処理)して得
る。
磁器コンデンサが知られている。この還元再酸化型半導
体磁器コンデンサの誘電体はチタン酸バリウム系磁器か
ら成り、例えば特公昭6328492号公報に開示され
ているように、炭酸バリウム(B a CO2>と酸化
チタン(TiO2)と希土類元素の酸化物(Nd、Pr
、Sm、Eu、Gd、Dy、Laの酸化物の少なくとも
1種)と、Cr、Mn、Fe、Co及びNiの内の少な
くとも1種の酸化物とから成る混合物(原料組成物)を
用意し、この成形体を形成し、これを酸化性雰囲気中で
焼結させ、得られた焼結体を還元性雰囲気で加熱処理し
、更に酸化性雰囲気中で加熱処理(再酸化処理)して得
る。
[発明が解決しようとする課題]
上述の還元再酸化型半導体磁器コンデンサは、小型化、
大容量化が図れ、且つ高い耐電圧を得ることができると
いう特長を有する。しかし、従来の磁器組成物では高耐
電圧を保ったままより一層の大容量化を図ることか困難
であった。即ち、絶縁破壊電圧Vbdを例えは600■
以上にしようとすると、単位面積当りの静電容量Cが0
.3〜0.6μF / c m ”程度に低下し、逆に
容量Cを0.7μF / c m 2以上にしようとす
ると、絶縁破壊電圧Vbdが300〜400v程度に低
下した。
大容量化が図れ、且つ高い耐電圧を得ることができると
いう特長を有する。しかし、従来の磁器組成物では高耐
電圧を保ったままより一層の大容量化を図ることか困難
であった。即ち、絶縁破壊電圧Vbdを例えは600■
以上にしようとすると、単位面積当りの静電容量Cが0
.3〜0.6μF / c m ”程度に低下し、逆に
容量Cを0.7μF / c m 2以上にしようとす
ると、絶縁破壊電圧Vbdが300〜400v程度に低
下した。
そこで、本発明の目的は、絶縁破壊電圧Vbdが500
V以上、単位面積当りの静電容量Cが06μF / c
m 2以上の還元再酸化型半導体磁器コンデンサを得
ることか可能な磁器組成物及び磁器を提供することにあ
る。
V以上、単位面積当りの静電容量Cが06μF / c
m 2以上の還元再酸化型半導体磁器コンデンサを得
ることか可能な磁器組成物及び磁器を提供することにあ
る。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するための本発明は、10000重量部
の主成分と、Mn(マンガン)に換算して0,03〜0
.30重量部のMn化合物と、0.01〜0.20重量
部のCrO(酸化クロム)とから成り、前記主成分か8
1.5〜96.5モル%のB iT iO3(チタン酸
バリウム)と、La(ランタン)に換算して1,0〜4
.0モル%のL a 203 <酸化ランタン)と、C
e(セリウム)、Pr(プラセオジム)、Nd(ネオジ
ム)、Sm(サマリウム)及びY(イツトリウム)の内
の少なくとも1種から成る希土類元素に換算して0.5
〜3.0モル%の前記希土類元素の酸化物と、2.0〜
11.5モル%のT z O2(酸化チタン)とから成
ることを特徴とする還元再酸化型半導体磁器コンデンサ
用磁器組成物に係わるものである。
の主成分と、Mn(マンガン)に換算して0,03〜0
.30重量部のMn化合物と、0.01〜0.20重量
部のCrO(酸化クロム)とから成り、前記主成分か8
1.5〜96.5モル%のB iT iO3(チタン酸
バリウム)と、La(ランタン)に換算して1,0〜4
.0モル%のL a 203 <酸化ランタン)と、C
e(セリウム)、Pr(プラセオジム)、Nd(ネオジ
ム)、Sm(サマリウム)及びY(イツトリウム)の内
の少なくとも1種から成る希土類元素に換算して0.5
〜3.0モル%の前記希土類元素の酸化物と、2.0〜
11.5モル%のT z O2(酸化チタン)とから成
ることを特徴とする還元再酸化型半導体磁器コンデンサ
用磁器組成物に係わるものである。
なお、上記磁器組成物を焼成及び熱処理することにより
、請求項2に示す磁器を得ることができる。
、請求項2に示す磁器を得ることができる。
[作 用]
本発明に従う磁器組成物によって還元再酸化型半導体磁
器コンデンサを作製すると、500v以上の絶縁破壊電
圧Vbdを有し且つ0.6μF/cm2以上の単位面積
当りの静電容量Cを得ることができる。
器コンデンサを作製すると、500v以上の絶縁破壊電
圧Vbdを有し且つ0.6μF/cm2以上の単位面積
当りの静電容量Cを得ることができる。
[実施例コ
次に、本発明の詳細な説明する。
第1表の試料No、 1の組成物の主成分を得るなめに
、 BaTiO3を2000.OOg (90,8モル%)
、 La2O3を29.23g (Laに換算して1゜9モ
ル%)、 Nd2O3を12.718 (NdG:換算して0゜8
モル%)、 Ce O2を11.38g (Ceに換算して0゜7モ
ル%)、 Pr2O3を9.34g (Prに換算して0゜6モル
%)、 T 102を39.24g (5,2モル%)秤量した
。即ち、B a T i O3の90.8モル%と、L
aの1.9モル%と、Ndの0.8モル%と、Ceの0
.7モル%と、Prの0.6モル%と、T 102の5
.2モル%との和が100モル%となるようにBaTi
O3、La2O3、Nd2o3、Ce O2、Pr2O
3、T i O2を秤量した。
、 BaTiO3を2000.OOg (90,8モル%)
、 La2O3を29.23g (Laに換算して1゜9モ
ル%)、 Nd2O3を12.718 (NdG:換算して0゜8
モル%)、 Ce O2を11.38g (Ceに換算して0゜7モ
ル%)、 Pr2O3を9.34g (Prに換算して0゜6モル
%)、 T 102を39.24g (5,2モル%)秤量した
。即ち、B a T i O3の90.8モル%と、L
aの1.9モル%と、Ndの0.8モル%と、Ceの0
.7モル%と、Prの0.6モル%と、T 102の5
.2モル%との和が100モル%となるようにBaTi
O3、La2O3、Nd2o3、Ce O2、Pr2O
3、T i O2を秤量した。
また、添加成分としてM n CO3(炭酸マンガン)
を4.40g、CrOを2.10g秤量した。
を4.40g、CrOを2.10g秤量した。
なお、上記主成分の合計重量と4.40gのMnCO3
との割合は、100重量部の上記主成分と0.3重量部
のMnとめ割合に対応する。また、上記主成分の合計重
量と2、LogのCrOとの割合は、100重量部の上
記主成分と0.1重量部のCr Oとの割合に対応する
。要するに、100重量部の主成分に対してMnか0,
1重量部、C1−0か0,1重量部となるようにM n
、 C03とCrOとを秤量した。
との割合は、100重量部の上記主成分と0.3重量部
のMnとめ割合に対応する。また、上記主成分の合計重
量と2、LogのCrOとの割合は、100重量部の上
記主成分と0.1重量部のCr Oとの割合に対応する
。要するに、100重量部の主成分に対してMnか0,
1重量部、C1−0か0,1重量部となるようにM n
、 C03とCrOとを秤量した。
次に、上記主成分及び添加成分を湿式混合し、脱水乾燥
後有機バインダを入れて混疎し、しかる後、外径1.5
mIn、内径0.9mm、厚み0.3mm、長さ3.7
mmの円筒状成型体を得な。
後有機バインダを入れて混疎し、しかる後、外径1.5
mIn、内径0.9mm、厚み0.3mm、長さ3.7
mmの円筒状成型体を得な。
次に、得られた成型体を大気中1320℃で2時間焼成
して誘電体(絶縁体)磁器の焼結体を得、この誘電体磁
器を還元性雰囲気中1050°Cで2時間熱処理(半導
体化処理)して半導体磁器に変化させ、更に得られた半
導体磁器を大気中970°Cで1時間然処理(再酸化処
理)を行って図面で原理的に示すように半導体磁器1の
表面に誘電体層2を作った。なお、半導体磁器1の組成
は原料組成に対応している。また、表面誘電体層2は半
導体磁器1の酸化物から成る。
して誘電体(絶縁体)磁器の焼結体を得、この誘電体磁
器を還元性雰囲気中1050°Cで2時間熱処理(半導
体化処理)して半導体磁器に変化させ、更に得られた半
導体磁器を大気中970°Cで1時間然処理(再酸化処
理)を行って図面で原理的に示すように半導体磁器1の
表面に誘電体層2を作った。なお、半導体磁器1の組成
は原料組成に対応している。また、表面誘電体層2は半
導体磁器1の酸化物から成る。
次に、表面誘電体層2の上に銀(Ag)ペーストを塗布
し、850℃で10分間焼付けることによって一対の電
極3.4を形成し、半導体磁器コンデンサを完成させた
。
し、850℃で10分間焼付けることによって一対の電
極3.4を形成し、半導体磁器コンデンサを完成させた
。
得られたコンデンサの電極3,4にそれぞれリード線を
半田付けし、単位面積当りの静電容量C1tanδ、絶
縁抵抗IR2絶縁破壊電圧Vbdを測定したところ、第
2表に示すように、Cは0゜72 μF / c m
2、tanδは3.2%、IRは2X104MΩ、Vb
dは700■であった。
半田付けし、単位面積当りの静電容量C1tanδ、絶
縁抵抗IR2絶縁破壊電圧Vbdを測定したところ、第
2表に示すように、Cは0゜72 μF / c m
2、tanδは3.2%、IRは2X104MΩ、Vb
dは700■であった。
なお、C及びtanδは測定電圧0.1■、測定周波数
1kH2の条件で測定し、IR,は直流電圧50Vを1
5秒間印加した後に測定し、Vbdは直流昇圧破壊方式
で測定した。
1kH2の条件で測定し、IR,は直流電圧50Vを1
5秒間印加した後に測定し、Vbdは直流昇圧破壊方式
で測定した。
試料No、 2〜39においても、組成を第1表に示す
ように変えた他は試料No、 1と同一方法でコンデン
サを作り、同一方法で電気的特性を測定した。
ように変えた他は試料No、 1と同一方法でコンデン
サを作り、同一方法で電気的特性を測定した。
磁器組成物の組成を示す第1表において、主成分のBa
Ti0 とLaとXとT ] 02はモル%で示され
ている。主成分に含まれているXはCe、Pr、Nd、
Sm、Yの内の少なくとも1種から成る希土類元素であ
る。添加成分のMn及びCrOは主成分100重量部に
対する添加重量部で示されている。
Ti0 とLaとXとT ] 02はモル%で示され
ている。主成分に含まれているXはCe、Pr、Nd、
Sm、Yの内の少なくとも1種から成る希土類元素であ
る。添加成分のMn及びCrOは主成分100重量部に
対する添加重量部で示されている。
第1表及び第2表から明らかなように、本発明に従う組
成物によれは、絶縁破壊電圧Vbdが500〜800■
、単位面積当りの静電容量が0゜6〜0.8μF /
c m ”のコンデンサを得ることかできる。
成物によれは、絶縁破壊電圧Vbdが500〜800■
、単位面積当りの静電容量が0゜6〜0.8μF /
c m ”のコンデンサを得ることかできる。
一方、試料No、 2.6.20.21.23.26.
27.30.31.35.36.39では本発明の目的
を達成することかできない。従って、これ等は本発明の
範囲外のものであり、比較例として掲載されている。
27.30.31.35.36.39では本発明の目的
を達成することかできない。従って、これ等は本発明の
範囲外のものであり、比較例として掲載されている。
次に組成の限定理由を説明する。
Laか1.0モル%未満になると、Laの添加効果が小
さくなり過ぎてコンデンサの絶縁破壊電圧Vbdが目標
値よりも低くなる。一方、Laが4.0モル%よりも多
くなると、表面誘電体層2の誘電率が低くなり、単位面
積当りの静電容量Cが目標値よりも小さくなる。従って
、Laの好ましい範囲は1.0〜4.0モル%である。
さくなり過ぎてコンデンサの絶縁破壊電圧Vbdが目標
値よりも低くなる。一方、Laが4.0モル%よりも多
くなると、表面誘電体層2の誘電率が低くなり、単位面
積当りの静電容量Cが目標値よりも小さくなる。従って
、Laの好ましい範囲は1.0〜4.0モル%である。
X (Ce、Pr、Nd、Sm、Yの少なくとも1種)
が1種又は複数種の合計で0.5モル%未溝になると、
表面誘電体層2の誘電率を上げる効果を十分に得ること
ができなくなり、静電容量Cが目標値未満になる。一方
、Xが3.0モル%よりも多くなると、絶縁破壊電圧V
bdが目標値よりも低くなる。従ってXの好ましい範囲
は0.5〜3.0モル%である。
が1種又は複数種の合計で0.5モル%未溝になると、
表面誘電体層2の誘電率を上げる効果を十分に得ること
ができなくなり、静電容量Cが目標値未満になる。一方
、Xが3.0モル%よりも多くなると、絶縁破壊電圧V
bdが目標値よりも低くなる。従ってXの好ましい範囲
は0.5〜3.0モル%である。
B a 7103を81.5〜96.5モル%の範囲外
及びT jO2を2.0〜11.5モル%の範囲外にす
ると、焼結性が悪くなり、静電容量C及び絶縁破壊電圧
Vbdか低下する。
及びT jO2を2.0〜11.5モル%の範囲外にす
ると、焼結性が悪くなり、静電容量C及び絶縁破壊電圧
Vbdか低下する。
Mnを0,03重量部未満にすると、表面誘電体層2を
均一に形成することか困難になり、絶縁破壊電圧Vbd
が低下する。Mnを0.30重量部よりも多くすると、
表面誘電体層2を薄く形成することが困難になり、絶縁
破壊電圧Vbdを高く保ったまま静電容量Cを高くする
ことかきない。
均一に形成することか困難になり、絶縁破壊電圧Vbd
が低下する。Mnを0.30重量部よりも多くすると、
表面誘電体層2を薄く形成することが困難になり、絶縁
破壊電圧Vbdを高く保ったまま静電容量Cを高くする
ことかきない。
従って、Mnの好ましい範囲は0,03〜0,30重量
部である。
部である。
CrOは絶縁破壊電圧を高くする効果を有する。
しかしCrOか0.01重量部未満だと、その改1つ
善効果をほとんど期待することができない。CrOが0
,20重量部よりも多くなると、焼結状態か悪くなり、
容量、絶縁破壊電圧とも低下する。
,20重量部よりも多くなると、焼結状態か悪くなり、
容量、絶縁破壊電圧とも低下する。
従って、CrOの好ましい範囲は0.01〜0゜20重
量部である。
量部である。
[変形例]
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形か可能なものである。
次の変形か可能なものである。
(1) MnC0の代りにM n 02を使用しても
よい。
よい。
(2) 酸化性雰囲気による焼成(焼結)時の温度を1
260〜1400℃、還元性雰囲気の加熱処理温度を9
00〜1180℃、再酸化処理め温度を900〜110
0℃の範囲で変えることができる。
260〜1400℃、還元性雰囲気の加熱処理温度を9
00〜1180℃、再酸化処理め温度を900〜110
0℃の範囲で変えることができる。
(3) BaTjOの代りにB a CO3とTiO
2を出発材料としてもよい。
2を出発材料としてもよい。
(4) 電極3,4の内の一方の下め誘電体層2を省く
ことができる。
ことができる。
[発明の効果]
上述のように本発明によれば、絶縁破壊電圧が500v
以上、単位面積当りの静電容量が0,6μF/cm2以
上の半導体磁器コンデンサを提供することが可能になる
。
以上、単位面積当りの静電容量が0,6μF/cm2以
上の半導体磁器コンデンサを提供することが可能になる
。
図面は本発明の実施例に係わる磁器コンデンサを原理的
に示す断面図である。 1・・・半導体磁器、2・・・表面誘電体層、3.4・
・・電極。
に示す断面図である。 1・・・半導体磁器、2・・・表面誘電体層、3.4・
・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1]100.00重量部の主成分と、Mn(マンガン
)に換算して0.03〜0.30重量部のMn化合物と
、0.01〜0.20重量部のCrO(酸化クロム)と
から成り、 前記主成分が81.5〜96.5モル%のBaTiO_
3(チタン酸バリウム)と、La(ランタン)に換算し
て1.0〜4.0モル%のLa_2O_2(酸化ランタ
ン)と、Ce(セリウム)、Pr(プラセオジム)、N
d(ネオジム)、Sm(サマリウム)及びY(イットリ
ウム)の内の少なくとも1種から成る希土類元素に換算
して0.5〜3.0モル%の前記希土類元素の酸化物と
、2.0〜11.5モル%のTiO_2(酸化チタン)
とから成ることを特徴とする還元再酸化型半導体コンデ
ンサ用磁器組成物。 [2]100重量部の主成分と、0.03〜0.30重
量部のMnと、CrOに換算して0.01〜0.20重
量部のCrとを含有している半導体磁器と、前記半導体
磁器の表面に形成された前記半導体磁器の酸化物から成
る誘電体層とから成り、 前記主成分が81.5〜96.5モル%のBaTiO_
3と、1.0〜4.0モル%のLaと、0.5〜3.0
モル%のX(但し、XはCe、Pr、Nd、Sm及びY
の内の少なくとも1種の希土類元素)と、TiO_2に
換算して2.0〜11.5モル%のTiとを含むもので
あることを特徴とする還元再酸化型半導体コンデンサ用
磁器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21697388A JPH0265210A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物及び磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21697388A JPH0265210A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物及び磁器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0265210A true JPH0265210A (ja) | 1990-03-05 |
JPH0514409B2 JPH0514409B2 (ja) | 1993-02-25 |
Family
ID=16696820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21697388A Granted JPH0265210A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物及び磁器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0265210A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6769614B2 (en) | 2000-09-06 | 2004-08-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic card reader |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57181113A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface dielectric layer type semiconductor porcelain composition and method of producing same |
JPS59217321A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | 株式会社村田製作所 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
JPS625509A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-12 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21697388A patent/JPH0265210A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57181113A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface dielectric layer type semiconductor porcelain composition and method of producing same |
JPS59217321A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | 株式会社村田製作所 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
JPS625509A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-12 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6769614B2 (en) | 2000-09-06 | 2004-08-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic card reader |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0514409B2 (ja) | 1993-02-25 |
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