JPS6252960A - ハイブリツド光集積回路 - Google Patents
ハイブリツド光集積回路Info
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- JPS6252960A JPS6252960A JP60193386A JP19338685A JPS6252960A JP S6252960 A JPS6252960 A JP S6252960A JP 60193386 A JP60193386 A JP 60193386A JP 19338685 A JP19338685 A JP 19338685A JP S6252960 A JPS6252960 A JP S6252960A
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- JP
- Japan
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- substrate
- optical
- guide
- waveguide
- guides
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、光通信及び光情報処理において必要な、ファ
イバ、光半導体素子等と光導波路との接続が容易であり
、かつ、単一モード系への応用に適したハイブリッド光
集積回路に関するものである。
イバ、光半導体素子等と光導波路との接続が容易であり
、かつ、単一モード系への応用に適したハイブリッド光
集積回路に関するものである。
「従来の技術」
光導波路と、光ファイバ、フィルタ、受発光素子等を同
一基板上で複合一体化したハイブリッド光集積回路は、
光合分波器、光スィッチ等の光通信、光情報処理用光回
路の実現手段として期待されている。しかしながら、こ
の分野は未だ基礎研究段階にあり、実用に供されるに到
った光回路はこれまでほとんど見受けられなかった。
一基板上で複合一体化したハイブリッド光集積回路は、
光合分波器、光スィッチ等の光通信、光情報処理用光回
路の実現手段として期待されている。しかしながら、こ
の分野は未だ基礎研究段階にあり、実用に供されるに到
った光回路はこれまでほとんど見受けられなかった。
ところで、この種のハイブリッド光集積回路として、石
英系光導波路を用いた技術が最近提案され、基礎検討が
なされている〔例えば、特願昭５９−１６７６７７、お
よびＭ、 Ｋａｗａｃｌｉｎ ｅｔ ａｌＩＥｌｅｏｔ
ｒｏｎ Ｌｅｔｔ 、 ２１ ｘ ３１４ （１９８４
）） ｏ これらの基礎検討がなされているハイブリッ
ド光集積回路の一例を第１図に示す。１は基板、２はチ
ャネル光導波路、３はファイバガイド、４は光ファイバ
、５はフィルタガイド、６は微小反射鏡ガイド、７は半
導体レーザガイド、８は半導体レーザ、９は微小反射鏡
、１０はアバランシュフォトダイオード、１１は干渉膜
フィルタであり、同一基板１の上で、光導波路と光フア
イバ受発光素子を複合一体化するためにチャネル光導波
路２と各種ガイド３，５，６．７を一体化している。こ
の回路においては、各種素子なガイド３． ５． ６．
７中に操入するだけで、光導波路２との位置合せが完
了するようになっており、このために導波路２及びガイ
ド３． ５． ６． ７の高さは７０〜１００μｍ程度
必要である。従来、この種の光回路においては、多モー
ド用部品に応用していたので、導波路幅は４０〜５０μ
ｍ程度である。したがって、導波路のアスペクト比（高
さ７幅）は１．５〜２程度であり、強度的に問題はない
構成になっている。
英系光導波路を用いた技術が最近提案され、基礎検討が
なされている〔例えば、特願昭５９−１６７６７７、お
よびＭ、 Ｋａｗａｃｌｉｎ ｅｔ ａｌＩＥｌｅｏｔ
ｒｏｎ Ｌｅｔｔ 、 ２１ ｘ ３１４ （１９８４
）） ｏ これらの基礎検討がなされているハイブリッ
ド光集積回路の一例を第１図に示す。１は基板、２はチ
ャネル光導波路、３はファイバガイド、４は光ファイバ
、５はフィルタガイド、６は微小反射鏡ガイド、７は半
導体レーザガイド、８は半導体レーザ、９は微小反射鏡
、１０はアバランシュフォトダイオード、１１は干渉膜
フィルタであり、同一基板１の上で、光導波路と光フア
イバ受発光素子を複合一体化するためにチャネル光導波
路２と各種ガイド３，５，６．７を一体化している。こ
の回路においては、各種素子なガイド３． ５． ６．
７中に操入するだけで、光導波路２との位置合せが完
了するようになっており、このために導波路２及びガイ
ド３． ５． ６． ７の高さは７０〜１００μｍ程度
必要である。従来、この種の光回路においては、多モー
ド用部品に応用していたので、導波路幅は４０〜５０μ
ｍ程度である。したがって、導波路のアスペクト比（高
さ７幅）は１．５〜２程度であり、強度的に問題はない
構成になっている。
「発明が解決しようとする問題点」
しかし、この回路を単一モード系部品に応用する場合、
導波路幅は５〜１０μｍ程度であるので、導波路のアス
ペクト比は１０程度となる。このような細くかつ高いパ
ターンは強度的に不安定であり、このため、ファイバ、
半導体レーザ等の装着時に導波路に欠げを発生する虞が
ある。また、単一モード系光導波路には、多モード系よ
り一桁高い加工精度が要求されるため、この観点からも
導波路部分を７０〜１００μｍの高さにすることは好ま
しくない。
導波路幅は５〜１０μｍ程度であるので、導波路のアス
ペクト比は１０程度となる。このような細くかつ高いパ
ターンは強度的に不安定であり、このため、ファイバ、
半導体レーザ等の装着時に導波路に欠げを発生する虞が
ある。また、単一モード系光導波路には、多モード系よ
り一桁高い加工精度が要求されるため、この観点からも
導波路部分を７０〜１００μｍの高さにすることは好ま
しくない。
逆に、ガイド高さを低くして、単一モード系導波路の高
さとして問題がないと考えられる１０〜２０μｍとした
場合は、ガイドの機能が十分に発揮されない。即ち、こ
のような背の低いガイドな用いて、例えば、光ファイバ
を接続する場合、光フアイバ外径を６０μｍ程度にしな
ければならないが、このような細いファイバは取り扱い
に不便なのである。
さとして問題がないと考えられる１０〜２０μｍとした
場合は、ガイドの機能が十分に発揮されない。即ち、こ
のような背の低いガイドな用いて、例えば、光ファイバ
を接続する場合、光フアイバ外径を６０μｍ程度にしな
ければならないが、このような細いファイバは取り扱い
に不便なのである。
このように、従来の構造では、単一モード系光導波路と
ガイドとを両立して製作することは困難な問題があった
。
ガイドとを両立して製作することは困難な問題があった
。
本発明の目的は、従来のガイド付光導波回路を単一モー
ド系に適用すると、導波路の高さと、ガイドの高さを両
立させて設定することが灘しいという問題点を解決し、
単一モード系に適したハイブリッド光集積回路を提供す
ることにある。
ド系に適用すると、導波路の高さと、ガイドの高さを両
立させて設定することが灘しいという問題点を解決し、
単一モード系に適したハイブリッド光集積回路を提供す
ることにある。
「問題点を解決するための手段」
本発明の１つは、ファイバガイドまたは光素子ガイドと
光導波路とを設ける基板に段差を形成し、上段の基板上
面に光導波路を下段の基板上面にファイバガイドまたは
光素子ガイドを設けたものである。
光導波路とを設ける基板に段差を形成し、上段の基板上
面に光導波路を下段の基板上面にファイバガイドまたは
光素子ガイドを設けたものである。
本発明の他の１つは、ファイバガイドまたは光素子ガイ
ドと、光導波路とを設ける基板に段差を形成し、上段の
基板上面に光導波路を下段の基板上面にファイバガイド
または光素子ガイドを設け、上段と下段の基板の内、少
なくとも一方に電気配線支持台を形成し、下段の基板上
面に第１導電膜をまた電気配線支持台の上面に第２導電
膜を相互に絶縁状態で形成したものである。
ドと、光導波路とを設ける基板に段差を形成し、上段の
基板上面に光導波路を下段の基板上面にファイバガイド
または光素子ガイドを設け、上段と下段の基板の内、少
なくとも一方に電気配線支持台を形成し、下段の基板上
面に第１導電膜をまた電気配線支持台の上面に第２導電
膜を相互に絶縁状態で形成したものである。
「作用」
基板に段差を形成し、下段に各ガイドを設は上段に先導
波路を形成すること罠よって、各ガイドの背を高く形成
しつつ光導波路の背を低（形成できるようになる。
波路を形成すること罠よって、各ガイドの背を高く形成
しつつ光導波路の背を低（形成できるようになる。
「実施例」
第１図は、本発明の一実施例を示す光合分波モジュール
であって、図中１ａは下部基板（Ｓｉ基板）を示し、′ この下部基板１ａの上面中央部には石英系光導波膜かも
なる上部基板１ｂが形成され、下部基板１ａと上部基ｆ
ｆ１ｌｂとによって段差を有する基板１が構成されてい
る。前記上部基板１ｂの上面には、該上面の一側から他
側にかげて石英系チャネル光導波路２が、更忙、上部基
板１ｂの上面中央には、光導波路２の長さ方向中央部を
挾むようにフィルタガイド５，５が各々形成されている
。なお、チャネル光導波路２はクラッド層２ａとコア層
２ｂとからなっている。また、上部基板１ｂの一側（第
１図の左側）端部側方であって、下部基板１ａの上面に
は、ファイバガイド３，３が立設され、上部基板１ｂの
他側（第２図の右側〕端部側方であって、下部基板１ａ
の上面には、光導波路２の一端を挾んだ反射鏡ガイド６
．６が立設され、反射鏡ガイド６．６の間であって下部
基板ＩＩＬの上面には微小反射鏡９が立設されている。
であって、図中１ａは下部基板（Ｓｉ基板）を示し、′ この下部基板１ａの上面中央部には石英系光導波膜かも
なる上部基板１ｂが形成され、下部基板１ａと上部基ｆ
ｆ１ｌｂとによって段差を有する基板１が構成されてい
る。前記上部基板１ｂの上面には、該上面の一側から他
側にかげて石英系チャネル光導波路２が、更忙、上部基
板１ｂの上面中央には、光導波路２の長さ方向中央部を
挾むようにフィルタガイド５，５が各々形成されている
。なお、チャネル光導波路２はクラッド層２ａとコア層
２ｂとからなっている。また、上部基板１ｂの一側（第
１図の左側）端部側方であって、下部基板１ａの上面に
は、ファイバガイド３，３が立設され、上部基板１ｂの
他側（第２図の右側〕端部側方であって、下部基板１ａ
の上面には、光導波路２の一端を挾んだ反射鏡ガイド６
．６が立設され、反射鏡ガイド６．６の間であって下部
基板ＩＩＬの上面には微小反射鏡９が立設されている。
なお、光導波路２は、その中央部で側方に分岐され、そ
の分岐部分の先端前方であって下部基板１ａの上面には
発光素子ガイド７と半導体レーザ８が立設されている。
の分岐部分の先端前方であって下部基板１ａの上面には
発光素子ガイド７と半導体レーザ８が立設されている。
一方、前記ガイド３，３０間に挿入されているのはファ
イバクラッド層４ａとファイバコア部４ｂとからなる光
ファイバである。なお、前記各ガイド３． ５． ６．
７においてはその外面に石英系光導波膜がエツチング
されている。
イバクラッド層４ａとファイバコア部４ｂとからなる光
ファイバである。なお、前記各ガイド３． ５． ６．
７においてはその外面に石英系光導波膜がエツチング
されている。
以上の如く構成された光合分波モジュールにあっては、
チャネル光導波路２を上部基板ｌｂ上に形成したために
、その背を上部基板１ｂの厚さ分、従来構造よりも低く
することができ、たとえチャネル光導波路２が単モード
系であってもそのアスペクト比を小さくすることができ
る。なお、各ガイド３． ５． ６． ７は、下部基板
１ａ上面に立設されていて、上部基板１ｂの厚さにチャ
ネル光導波路２の高さを加えた高さを有するために、各
ガイド３． ５． ６． ７を必要十分な高さに形成す
ることができる。これにより、例えば、単一モード系光
導波路を用いて、この光合分波モジュールを製作した場
合、チャネル光導波路２のアスペクト比を１〜３程度と
小さくすることが可能になり、機械的信頼性が高くなる
。一方、ガイド３の部分では十分な深さく高さ）が確保
できるので、ファイバ位置決め、半導体レーザ位置決め
等の機能を発揮することができる。
チャネル光導波路２を上部基板ｌｂ上に形成したために
、その背を上部基板１ｂの厚さ分、従来構造よりも低く
することができ、たとえチャネル光導波路２が単モード
系であってもそのアスペクト比を小さくすることができ
る。なお、各ガイド３． ５． ６． ７は、下部基板
１ａ上面に立設されていて、上部基板１ｂの厚さにチャ
ネル光導波路２の高さを加えた高さを有するために、各
ガイド３． ５． ６． ７を必要十分な高さに形成す
ることができる。これにより、例えば、単一モード系光
導波路を用いて、この光合分波モジュールを製作した場
合、チャネル光導波路２のアスペクト比を１〜３程度と
小さくすることが可能になり、機械的信頼性が高くなる
。一方、ガイド３の部分では十分な深さく高さ）が確保
できるので、ファイバ位置決め、半導体レーザ位置決め
等の機能を発揮することができる。
次に、上述したようなガイド付光導波回路の設計条件を
具体的な数値例を挙げて説明する。第２図は、第１図の
ファイバガイド３付近を、ガイド３の外方より導波路２
叫を見た図である。図中ｇ１は下部基板１ａの上面から
、導波路のコア層２ｂの中心までの高さを示し、ｅ２は
下部基板１ａの上面から、導波路２のクラッド石上部ま
での高さで、これはガイド３の高さと等しい。ｅ３は上
部基板上面ｌｂから導波路２のクラッド層２ａの上部ま
での高さであり、これは、導波路２の高さと等しい。こ
こで導波路幅は胃とするとともにファイバガイド３，３
の間隔は、２ｅｔに設定してお（。したがってファイバ
４の外径を２１１に設定しておけば、ファイバ４をファ
イバガイド３に挿入するだけで、ファイバコア部４ｂと
導波路２のコア／４２ｂとの位置合せが達成できる。例
えば、ファイバ４として外径１２５μｍ１コア径８μｍ
のファイバを考える。このとき、ガイド間隔２ｇｔは１
２５μｍに設定する必要があり、したがって１ｌ＝６２
．５μｍとする。一方、導波路２のコア寸法を、ファイ
バにあわせて、コア層幅（Ｗ）＝コア層高さ２８μｍと
する。これに合わせてクラッド層２ａまで含めた導波路
２の高さｅ３は、例えばＪ３＝１５μｍにするとともに
ファイバガイド高さ１２を例えばｅｚ＝７４μｍとする
。この数値例のように設定すれば、導波路２のアスペク
ト比は２程度と小さくできる。一方、ファイバガイド３
としては、高さ６０μｍ程度と十分な高さを採用できる
。これに合わせて、半導体レーザ８も第３図に示すよう
にレーザの基板の厚さを研磨等によって調節しておき、
活性層８ａの高さが下部基板ｌの上面からｌＩの高さに
なるようにすればよい。また、受光素子の搭載にあたっ
ては、微小反射鏡９の高さを、微小反射鏡ガイド６の高
さと同等のｇ２に設定し、この上にアバランシュフォト
ダイオード等の受光素子１０を第１図の矢印の如く設置
すればよい。また、干渉膜フィルタチップｌｌをフィル
タガイド５に第１図の矢印の如く挿入すれば、光合分波
モジュールを組み立てることができる。このように、本
構成によれば、単一モード系光導波路のアスペクト比を
２程度に抑えて、深さ６０μｍ以上のガイドが形成でき
るために、単一モード系ハイブリッド光集積回路に適用
できる。
具体的な数値例を挙げて説明する。第２図は、第１図の
ファイバガイド３付近を、ガイド３の外方より導波路２
叫を見た図である。図中ｇ１は下部基板１ａの上面から
、導波路のコア層２ｂの中心までの高さを示し、ｅ２は
下部基板１ａの上面から、導波路２のクラッド石上部ま
での高さで、これはガイド３の高さと等しい。ｅ３は上
部基板上面ｌｂから導波路２のクラッド層２ａの上部ま
での高さであり、これは、導波路２の高さと等しい。こ
こで導波路幅は胃とするとともにファイバガイド３，３
の間隔は、２ｅｔに設定してお（。したがってファイバ
４の外径を２１１に設定しておけば、ファイバ４をファ
イバガイド３に挿入するだけで、ファイバコア部４ｂと
導波路２のコア／４２ｂとの位置合せが達成できる。例
えば、ファイバ４として外径１２５μｍ１コア径８μｍ
のファイバを考える。このとき、ガイド間隔２ｇｔは１
２５μｍに設定する必要があり、したがって１ｌ＝６２
．５μｍとする。一方、導波路２のコア寸法を、ファイ
バにあわせて、コア層幅（Ｗ）＝コア層高さ２８μｍと
する。これに合わせてクラッド層２ａまで含めた導波路
２の高さｅ３は、例えばＪ３＝１５μｍにするとともに
ファイバガイド高さ１２を例えばｅｚ＝７４μｍとする
。この数値例のように設定すれば、導波路２のアスペク
ト比は２程度と小さくできる。一方、ファイバガイド３
としては、高さ６０μｍ程度と十分な高さを採用できる
。これに合わせて、半導体レーザ８も第３図に示すよう
にレーザの基板の厚さを研磨等によって調節しておき、
活性層８ａの高さが下部基板ｌの上面からｌＩの高さに
なるようにすればよい。また、受光素子の搭載にあたっ
ては、微小反射鏡９の高さを、微小反射鏡ガイド６の高
さと同等のｇ２に設定し、この上にアバランシュフォト
ダイオード等の受光素子１０を第１図の矢印の如く設置
すればよい。また、干渉膜フィルタチップｌｌをフィル
タガイド５に第１図の矢印の如く挿入すれば、光合分波
モジュールを組み立てることができる。このように、本
構成によれば、単一モード系光導波路のアスペクト比を
２程度に抑えて、深さ６０μｍ以上のガイドが形成でき
るために、単一モード系ハイブリッド光集積回路に適用
できる。
また、光素子への電気配線支持台を形成することがある
。第４図は、半導体レーザ８に、電気配線支持台１２を
設けて給電可能な構成とした例を示す図である。
。第４図は、半導体レーザ８に、電気配線支持台１２を
設けて給電可能な構成とした例を示す図である。
第４図に示す購造にあっては、上部基板１ｂの角部に上
部基板１ｂを貫通した電気配線支持合成な半導体レーザ
８に隣接させ【下部基板１ａの上面に設けたものであり
、その池の構成は大計前記実施例と同等である。なお、
本実施例にあっては、電気配線支持台１２の上面に、金
）Ａｍｘ３を、導電膜として形成しである。なお、金属
膜１３としては、ＡＪ−Ａｕ蒸着膜等を使用すればよい
。また、下部基板１ａの表面にも、金属膜ＩＪを形成し
である。下部基板１ａの表面上の金属膜１３′は半導体
レーザ８の電極と接続しており、また、電気配線支持台
１２の上面の金属膜１３と活性層上の上部電極８ｂとは
金線１４によってボッディングされている。この場合、
電気配線支持台１２０幅が単一モード系光導波路幅程度
に挾ければ、上部基板１ｂ上に′ｉ！気配線支持台を形
成することにより、光導波路と同様に、°アスペクト比
が小さく、充分な機械的強度を有する電気配線支持台を
製作することができる。
部基板１ｂを貫通した電気配線支持合成な半導体レーザ
８に隣接させ【下部基板１ａの上面に設けたものであり
、その池の構成は大計前記実施例と同等である。なお、
本実施例にあっては、電気配線支持台１２の上面に、金
）Ａｍｘ３を、導電膜として形成しである。なお、金属
膜１３としては、ＡＪ−Ａｕ蒸着膜等を使用すればよい
。また、下部基板１ａの表面にも、金属膜ＩＪを形成し
である。下部基板１ａの表面上の金属膜１３′は半導体
レーザ８の電極と接続しており、また、電気配線支持台
１２の上面の金属膜１３と活性層上の上部電極８ｂとは
金線１４によってボッディングされている。この場合、
電気配線支持台１２０幅が単一モード系光導波路幅程度
に挾ければ、上部基板１ｂ上に′ｉ！気配線支持台を形
成することにより、光導波路と同様に、°アスペクト比
が小さく、充分な機械的強度を有する電気配線支持台を
製作することができる。
第５図は、本発明の別の実施例であって、下部基板１＆
及び上部基板１ｂともにＳｉ基板からなり、その上には
、石英系先導波膜よりなるチャネル光導波路２、ファイ
バガイド３、半導体レーザガイド７が形成されている。
及び上部基板１ｂともにＳｉ基板からなり、その上には
、石英系先導波膜よりなるチャネル光導波路２、ファイ
バガイド３、半導体レーザガイド７が形成されている。
この例では、半導体レーザガイド７上に導電膜１３が形
成されており、レーザガイド７は電気配線支持台も兼ね
”Ｃいる。
成されており、レーザガイド７は電気配線支持台も兼ね
”Ｃいる。
また、ガイド７の形成されている下部基板１ａの表面に
も導電１１１１３’が形成されている。この光回路はフ
ァイバガイド３甲にファイバを挿入し、レーザガイド７
に半導体レーザを装着し導電膜１３及び１３′を利用し
て電気配線を行なうことにより、・ 合流モジュールと
し″′Ｃ機能する。この実施例においても、導波路３は
上部基板ｌｂ上に形成されているので、この背は低く、
シたがって、アスペクト比は小さくできるので、機械的
強度を十分確保できる。
も導電１１１１３’が形成されている。この光回路はフ
ァイバガイド３甲にファイバを挿入し、レーザガイド７
に半導体レーザを装着し導電膜１３及び１３′を利用し
て電気配線を行なうことにより、・ 合流モジュールと
し″′Ｃ機能する。この実施例においても、導波路３は
上部基板ｌｂ上に形成されているので、この背は低く、
シたがって、アスペクト比は小さくできるので、機械的
強度を十分確保できる。
以上説明したように、本発明の１つのハイブリッド光集
積回路は、基板表面に段差を付は上部基板、下部基板の
２段構成として、幅の狭い単一モード用光導波路につい
ては、上部基板上に形成し、その高さを必要最小限に抑
え、また、ガイドのように、十分な高さがないと機能し
ない構成要素については、下部基板上に形成しているの
で、光導波路のように細いバタンであってモ、ソのアス
ペクト比を１〜２程度に設定することができ、かつ、ガ
イドも十分機能を発揮することができるという利点があ
る。そしてこのような光回路は、特に、単一モード系の
ハイブリッド光集積回路に有効で−ある。
積回路は、基板表面に段差を付は上部基板、下部基板の
２段構成として、幅の狭い単一モード用光導波路につい
ては、上部基板上に形成し、その高さを必要最小限に抑
え、また、ガイドのように、十分な高さがないと機能し
ない構成要素については、下部基板上に形成しているの
で、光導波路のように細いバタンであってモ、ソのアス
ペクト比を１〜２程度に設定することができ、かつ、ガ
イドも十分機能を発揮することができるという利点があ
る。そしてこのような光回路は、特に、単一モード系の
ハイブリッド光集積回路に有効で−ある。
以上説明したようＫ、本発明の他の１つのノ・イブリッ
ド光集積回路は、基板表面に段差を付は上部基板、下部
基板の２段構成として、幅の狭い単一モード用光導波路
については、上部基板上に形成し、その藁さを必要最小
限に抑え、また、ガイドのように、十分な高さがないと
１１Ｍｅしない構成要素については下部基板上に形成し
ているので、光導波路のように細いバタンであっても、
そのアスペクト比を１〜２程度に設定することができ、
かつ、ガイドも十分機能を発揮することができるという
利点がある。そし℃このような光回路は、特に、単一モ
ード系のハイブリッド光集積回路に有効である。また、
基板上の電気配線支持台の導電膜と基板の４電膜を利用
して回路用の電気配線を施し、給電することができる。
ド光集積回路は、基板表面に段差を付は上部基板、下部
基板の２段構成として、幅の狭い単一モード用光導波路
については、上部基板上に形成し、その藁さを必要最小
限に抑え、また、ガイドのように、十分な高さがないと
１１Ｍｅしない構成要素については下部基板上に形成し
ているので、光導波路のように細いバタンであっても、
そのアスペクト比を１〜２程度に設定することができ、
かつ、ガイドも十分機能を発揮することができるという
利点がある。そし℃このような光回路は、特に、単一モ
ード系のハイブリッド光集積回路に有効である。また、
基板上の電気配線支持台の導電膜と基板の４電膜を利用
して回路用の電気配線を施し、給電することができる。
第１図は、本発明の一つの一実施列である下部基板Ｓ１
、上部基板、石英系光導波膜からなる光合分波モジュー
ルの斜視図、第２図は第１図に示すモジュールのファイ
バガイド部の側面図、第３は第１図に示すモジュールの
半導体レーザガイドの斜視図、第４図は、本発明の他の
一つである電気配線支持台を備えた光回路の斜視図、第
５図は、本発明の別の実施例であり、下部基板、上部基
板ともＳｌからなる光回路の斜視図、第６図は、従米の
ガイド付光導波回路の例（死金分波モジュール）を示す
８＋視図である。 １・・・・・・基板、１ａ・・・・・・下部基板、１ｂ
・・・・・・上部基板、２・・・・・・チャネル光４波
路、３・・・・・・ファイバガイド、４・・・・・・光
ファイバ、５・・・・・・フィルタガイド、６・・・・
・・微小反射鏡ガイド、７・・・・・・発光素子ガイド
、８・・・・・・半導体レーザ、１２・・・・・・電気
配線支持台、１３．１３’・・・・・・壽電膜。 出願人 日本電信′ａ１話株式会社 第４図
、上部基板、石英系光導波膜からなる光合分波モジュー
ルの斜視図、第２図は第１図に示すモジュールのファイ
バガイド部の側面図、第３は第１図に示すモジュールの
半導体レーザガイドの斜視図、第４図は、本発明の他の
一つである電気配線支持台を備えた光回路の斜視図、第
５図は、本発明の別の実施例であり、下部基板、上部基
板ともＳｌからなる光回路の斜視図、第６図は、従米の
ガイド付光導波回路の例（死金分波モジュール）を示す
８＋視図である。 １・・・・・・基板、１ａ・・・・・・下部基板、１ｂ
・・・・・・上部基板、２・・・・・・チャネル光４波
路、３・・・・・・ファイバガイド、４・・・・・・光
ファイバ、５・・・・・・フィルタガイド、６・・・・
・・微小反射鏡ガイド、７・・・・・・発光素子ガイド
、８・・・・・・半導体レーザ、１２・・・・・・電気
配線支持台、１３．１３’・・・・・・壽電膜。 出願人 日本電信′ａ１話株式会社 第４図
Claims (4)
- （１）基板上に設けられるファイバガイドおよび光素子
ガイドの少なくとも一方と、前記基板上に凸状に形成さ
れる光導波路とを具備したハイブリッド光集積回路にお
いて、前記基板に段差を形成し、上段の基板上面に光導
波路を形成し、下段の基板上面にファイバガイドおよび
光素子ガイドの少なくとも一方を設けてなるハイブリッ
ド光集積回路。 - （２）基板上に設けられるファイバガイドおよび光素子
ガイドの少なくとも一方と、前記基板上に凸状に形成さ
れる光導波路とを具備したハイブリッド光集積回路にお
いて、前記基板に段差を形成し、上段の基板上面に光導
波路を形成し、下段の基板上面にファイバガイドおよび
光素子ガイドの少なくとも一方を設け、前記上段と下段
の基板の内、少なくとも一方に電気配線支持台を形成し
、前記下段の基板上面に第１導電膜をまた電気配線支持
台の上面に第２導電膜を相互に絶縁状態で形成し、給電
可能としたハイブリッド光集積回路。 - （３）下段の基板がＳｉ基板であり、上段の基板および
光導波路と各ガイドと電気配線支持台を石英系光導波膜
で形成した特許請求の範囲第１項または第２項記載のハ
イブリツド光集積回路。 - （４）上段および下段の基板がいずれもＳｉ基板であり
、光導波路と各ガイドと電気配線支持台を石英系光導波
膜で形成した特許請求の範囲第１項または第２項記載の
ハイブリッド光集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19338685A JPH0638490B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | ハイブリツド光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19338685A JPH0638490B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | ハイブリツド光集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252960A true JPS6252960A (ja) | 1987-03-07 |
| JPH0638490B2 JPH0638490B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=16307067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19338685A Expired - Lifetime JPH0638490B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | ハイブリツド光集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638490B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5195235A (en) * | 1990-05-31 | 1993-03-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Parts mounting apparatus |
| JPH0613601A (ja) * | 1991-10-18 | 1994-01-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光信号分配システムとその形成方法 |
| JPH07110410A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-04-25 | Nec Corp | 光路変換回路 |
-
1985
- 1985-09-02 JP JP19338685A patent/JPH0638490B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5195235A (en) * | 1990-05-31 | 1993-03-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Parts mounting apparatus |
| JPH0613601A (ja) * | 1991-10-18 | 1994-01-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光信号分配システムとその形成方法 |
| JPH07110410A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-04-25 | Nec Corp | 光路変換回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0638490B2 (ja) | 1994-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |