JPH07110410A - 光路変換回路 - Google Patents
光路変換回路Info
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- JPH07110410A JPH07110410A JP5256214A JP25621493A JPH07110410A JP H07110410 A JPH07110410 A JP H07110410A JP 5256214 A JP5256214 A JP 5256214A JP 25621493 A JP25621493 A JP 25621493A JP H07110410 A JPH07110410 A JP H07110410A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
- G02B6/2817—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers using reflective elements to split or combine optical signals
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】簡単な工程とすることにより、量産化の容易
な、しかも任意の光路変換位置をとることができる端面
反射技術を用いた光路変換回路を提供する。 【構成】結晶基板１の一面に光導波路を形成するクラッ
ド層２とコア層３とを形成する。この光導波路の導波路
端面３ａに棒状の反射体５の先端面５ａにコーティング
した反射膜６を突き合わせる。反射膜６による反射によ
り上記光導波路の光路が変換される。基板１に設けたガ
イド４ａと４ｂとが反射体５を導波路端面３ａのコア層
３に案内する。
な、しかも任意の光路変換位置をとることができる端面
反射技術を用いた光路変換回路を提供する。 【構成】結晶基板１の一面に光導波路を形成するクラッ
ド層２とコア層３とを形成する。この光導波路の導波路
端面３ａに棒状の反射体５の先端面５ａにコーティング
した反射膜６を突き合わせる。反射膜６による反射によ
り上記光導波路の光路が変換される。基板１に設けたガ
イド４ａと４ｂとが反射体５を導波路端面３ａのコア層
３に案内する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路の光路（光通路
ともいう）変換を端面反射技術により行う光路変換回路
に関し、特に、上記光路変換を低損失で行うことができ
しかも作製の容易な光路変換回路に関する。
ともいう）変換を端面反射技術により行う光路変換回路
に関し、特に、上記光路変換を低損失で行うことができ
しかも作製の容易な光路変換回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に光通信および光交換システムを構
成する際には、その基本構成要素として光変調器，光合
分波器および光スイッチ等がよく用いられるが、これら
の構成要素は一般に光導波路デバイスで構成されるた
め、光導波路技術を必要不可欠とする。特に近年、光導
波路基板上での光配線等の研究も行われており、光導波
路を効率的に低損失で配置する技術が重要性を増してい
る。その中でも光の進行経路あるいは進行方向を変更す
る光路変換の技術は光導波路デバイスの小型化において
重要な技術である。この光路変換技術では、光導波路デ
バイスの小型化や多機能化さらに量産化を簡便に実現で
きることが重要である。
成する際には、その基本構成要素として光変調器，光合
分波器および光スイッチ等がよく用いられるが、これら
の構成要素は一般に光導波路デバイスで構成されるた
め、光導波路技術を必要不可欠とする。特に近年、光導
波路基板上での光配線等の研究も行われており、光導波
路を効率的に低損失で配置する技術が重要性を増してい
る。その中でも光の進行経路あるいは進行方向を変更す
る光路変換の技術は光導波路デバイスの小型化において
重要な技術である。この光路変換技術では、光導波路デ
バイスの小型化や多機能化さらに量産化を簡便に実現で
きることが重要である。
【０００３】従来より光導波路基板における光路変換技
術として曲がり導波路技術，グレーティング技術および
端面反射技術等がある。
術として曲がり導波路技術，グレーティング技術および
端面反射技術等がある。
【０００４】ここで、曲がり導波路技術では、導波路の
曲がりの外側での放射による損失の発生があるので、こ
の放射損失を抑えるために上記曲がりの曲率半径を大き
くする必要があり、光導波路デバイスの小型化に適さな
いという欠点がある。
曲がりの外側での放射による損失の発生があるので、こ
の放射損失を抑えるために上記曲がりの曲率半径を大き
くする必要があり、光導波路デバイスの小型化に適さな
いという欠点がある。
【０００５】また、グレーティング技術では、導波路面
に設けられた光波長程度の微細な周期構造のグレーティ
ングと光波の結合を介して光路の変換を行う。このグレ
ーティングによる光路変換は、小型で光路変換の角度を
大きくできる反面、その作製が困難であり、また入射角
の許容範囲が狭い等の欠点を持つ。
に設けられた光波長程度の微細な周期構造のグレーティ
ングと光波の結合を介して光路の変換を行う。このグレ
ーティングによる光路変換は、小型で光路変換の角度を
大きくできる反面、その作製が困難であり、また入射角
の許容範囲が狭い等の欠点を持つ。
【０００６】一方、端面反射技術では、導波路端面の導
波路面に対する角度を９０度（垂直）になるように研磨
（研摩）し、さらに上記導波路端面に反射膜をコーティ
ングすることにより、高い変換効率でしかも光路変換の
角度も大きくとれる光路変換を行うことができるという
特徴がある。
波路面に対する角度を９０度（垂直）になるように研磨
（研摩）し、さらに上記導波路端面に反射膜をコーティ
ングすることにより、高い変換効率でしかも光路変換の
角度も大きくとれる光路変換を行うことができるという
特徴がある。
【０００７】以下、図４に示した斜視図を参照して従来
の端面反射技術を用いた光路変換回路を説明する。
の端面反射技術を用いた光路変換回路を説明する。
【０００８】基板４１はシリコン（以下、Ｓｉ）等の結
晶基板である。この基板４１の一面上に屈折率の低いク
ラッド層４２と屈折率の高いコア層４３ａおよび４３ｂ
（以下、コア層４３ａと４３ｂとを符号４３で代表させ
ることがある）とを形成し、これらクラッド層４２とコ
ア層４３とを光の伝送路，つまり光導波路とする。光は
主としてコア層４３を伝送する。上記光導波路をクラッ
ド層４２とコア層４３とに垂直な面で切断して導波路端
面４３ｃを露出させる。この導波路端面４３ｃに光を反
射する反射膜４６を形成する。いま、コア層４２ａ内を
反射膜４６方向へ進行する光路変換前の光の通路（光
路）を導波路４８とし、反射膜４６によって反射された
光路変換後の光の通路を導波路４９とする。導波路４８
および導波路４９が導波路端面４３ｃに関してともに９
０度の角度をなすならば、これら導波路４８と導波路４
９とは同一の光通路をなし、光路変換前後の光は互いに
逆行する関係にある。また、導波路４８が導波路端面４
３ｃに関して第１の角度（入射角）を有し、導波路４９
が上記第１の角度と補角をなす出射角を有するように、
コア層４３ａおよび４３ｂを構成することにより、光路
変換の角度を任意に選ぶことができる。
晶基板である。この基板４１の一面上に屈折率の低いク
ラッド層４２と屈折率の高いコア層４３ａおよび４３ｂ
（以下、コア層４３ａと４３ｂとを符号４３で代表させ
ることがある）とを形成し、これらクラッド層４２とコ
ア層４３とを光の伝送路，つまり光導波路とする。光は
主としてコア層４３を伝送する。上記光導波路をクラッ
ド層４２とコア層４３とに垂直な面で切断して導波路端
面４３ｃを露出させる。この導波路端面４３ｃに光を反
射する反射膜４６を形成する。いま、コア層４２ａ内を
反射膜４６方向へ進行する光路変換前の光の通路（光
路）を導波路４８とし、反射膜４６によって反射された
光路変換後の光の通路を導波路４９とする。導波路４８
および導波路４９が導波路端面４３ｃに関してともに９
０度の角度をなすならば、これら導波路４８と導波路４
９とは同一の光通路をなし、光路変換前後の光は互いに
逆行する関係にある。また、導波路４８が導波路端面４
３ｃに関して第１の角度（入射角）を有し、導波路４９
が上記第１の角度と補角をなす出射角を有するように、
コア層４３ａおよび４３ｂを構成することにより、光路
変換の角度を任意に選ぶことができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述の端面反射技術を
用いた光路変換回路は、上記のように数多くの利点があ
るものの、その作製において、導波路端面の研磨および
この導波路端面への反射膜のコーティングを必要とする
ため、作製工程が煩雑になってしまい量産化に適さない
という欠点がある。
用いた光路変換回路は、上記のように数多くの利点があ
るものの、その作製において、導波路端面の研磨および
この導波路端面への反射膜のコーティングを必要とする
ため、作製工程が煩雑になってしまい量産化に適さない
という欠点がある。
【００１０】また、この光路変換回路は、結晶基板上の
端面部分でしか光路変換させることができないため、光
路変換の位置が限定されるという欠点を持っていた。
端面部分でしか光路変換させることができないため、光
路変換の位置が限定されるという欠点を持っていた。
【００１１】従って本発明の目的は、従来の端面反射技
術を用いる光路変換回路の欠点を解消することにあり、
煩雑な作製工程を必要とせず、しかも光路変換位置の限
定されない光路変換回路を提供することにある。
術を用いる光路変換回路の欠点を解消することにあり、
煩雑な作製工程を必要とせず、しかも光路変換位置の限
定されない光路変換回路を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光路変換回路
は、板状の結晶基板と、前記結晶基板の一面に設けたク
ラッド層およびコア層を含み主として前記コア層を通じ
て光路変換前の光と光路変換後の光とを伝送する光導波
路と、前記光導波路を前記クラッド層と前記コア層とに
垂直な面で切断した面である導波路端面と、光を反射し
て光路変換する反射膜を先端面にコーティングしており
この反射膜を前記導波路端面の前記コア層に突き合わせ
た棒状の反射体と、前記結晶基板に配置され前記反射体
の先端面に設けた前記反射膜を前記光導波路端面の前記
コア層に突き合わせ可能な位置に案内するガイドとを備
える。
は、板状の結晶基板と、前記結晶基板の一面に設けたク
ラッド層およびコア層を含み主として前記コア層を通じ
て光路変換前の光と光路変換後の光とを伝送する光導波
路と、前記光導波路を前記クラッド層と前記コア層とに
垂直な面で切断した面である導波路端面と、光を反射し
て光路変換する反射膜を先端面にコーティングしており
この反射膜を前記導波路端面の前記コア層に突き合わせ
た棒状の反射体と、前記結晶基板に配置され前記反射体
の先端面に設けた前記反射膜を前記光導波路端面の前記
コア層に突き合わせ可能な位置に案内するガイドとを備
える。
【００１３】
【作用】本発明の光路変換回路は、従来には光導波路の
導波路端面にコーティングしていた反射膜に変えて、予
め反射膜を先端面にコーティングした棒状の反射体を、
上記導波路端面の近傍に設置したガイドを案内として上
記導波路端面に突き合わせているので、上記導波路端面
に反射膜をコートする必要がない。従って、本発明の光
路変換回路は、作製工程が簡単であり、一括して量産化
作製することが可能になる。
導波路端面にコーティングしていた反射膜に変えて、予
め反射膜を先端面にコーティングした棒状の反射体を、
上記導波路端面の近傍に設置したガイドを案内として上
記導波路端面に突き合わせているので、上記導波路端面
に反射膜をコートする必要がない。従って、本発明の光
路変換回路は、作製工程が簡単であり、一括して量産化
作製することが可能になる。
【００１４】また、従来の光路変換回路では、結晶基板
の中央部分に，つまり外面部以外に反射膜をコーティン
グすることは非常に困難であったが、本発明では結晶基
板へのコーティングを必要としないので、結晶基板の中
央部分に配置した導波路端面においても何ら問題なく光
路を変換することができる。
の中央部分に，つまり外面部以外に反射膜をコーティン
グすることは非常に困難であったが、本発明では結晶基
板へのコーティングを必要としないので、結晶基板の中
央部分に配置した導波路端面においても何ら問題なく光
路を変換することができる。
【００１５】さらに、本発明の光路変換回路の一実施態
様は、上記ガイドとして異方性エッチングにより作製す
るＶ字溝を用いるので、上記反射体と上記導波路端面と
の突き合わせ工程が、従来からある導波路端面と光ファ
イバとの接続工程と全く同様の工程となるため、作製工
程を大幅に簡略化することができる。
様は、上記ガイドとして異方性エッチングにより作製す
るＶ字溝を用いるので、上記反射体と上記導波路端面と
の突き合わせ工程が、従来からある導波路端面と光ファ
イバとの接続工程と全く同様の工程となるため、作製工
程を大幅に簡略化することができる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１７】図１は本発明の第１の実施例の分解斜視図
である。
である。
【００１８】この光路変換回路は、Ｓｉ等の結晶基板で
ある基板１上に光導波路を構成するコア層３およびクラ
ッド層２を、ＣＶＤ法，スパッタ法あるいは火炎堆積法
等によって形成している。これらクラッド層２とコア層
３とを光の伝送路，つまり光導波路とする。光は主とし
てコア層３を伝送する。基板１上の任意の場所におい
て、上記光導波路をクラッド層２とコア層３とに垂直な
面で切断して導波路端面３ａを露出させる。但し、垂直
な露出面は基板１まで及ばなくてもよい。導波路端面３
ａはエッチングにより形成できる。光路変換前後の光
は、図４を参照して説明した従来の光路変換回路と同様
に、主としてコア層３で伝送される。
ある基板１上に光導波路を構成するコア層３およびクラ
ッド層２を、ＣＶＤ法，スパッタ法あるいは火炎堆積法
等によって形成している。これらクラッド層２とコア層
３とを光の伝送路，つまり光導波路とする。光は主とし
てコア層３を伝送する。基板１上の任意の場所におい
て、上記光導波路をクラッド層２とコア層３とに垂直な
面で切断して導波路端面３ａを露出させる。但し、垂直
な露出面は基板１まで及ばなくてもよい。導波路端面３
ａはエッチングにより形成できる。光路変換前後の光
は、図４を参照して説明した従来の光路変換回路と同様
に、主としてコア層３で伝送される。
【００１９】この光路変換回路は、コア層３およびクラ
ッド層２，つまり光導波路の不要な基板１上の一部に、
図示するごとき溝状あるいは突起状のガイド４ａおよび
４ｂを残す。ガイド４ａおよび４ｂは、コア層３および
クラッド層２をパターン化してエッチングすると、導波
路端面３ａの露出工程と同時に作製することができる。
また、ガイド４ａおよび４ｂを形成する別の方法として
機械的に研磨する方法もあるが、この機械的研磨では作
製が煩雑になる。
ッド層２，つまり光導波路の不要な基板１上の一部に、
図示するごとき溝状あるいは突起状のガイド４ａおよび
４ｂを残す。ガイド４ａおよび４ｂは、コア層３および
クラッド層２をパターン化してエッチングすると、導波
路端面３ａの露出工程と同時に作製することができる。
また、ガイド４ａおよび４ｂを形成する別の方法として
機械的に研磨する方法もあるが、この機械的研磨では作
製が煩雑になる。
【００２０】棒状の反射体５はガイド４ａおよび４ｂと
寸法を合わせて作製され、その先端面５ａには光を反射
する反射膜６をあらかじめ形成しておく。反射体５はガ
イド４ａおよび４ｂに沿って導波路端面３ａの方に案内
され、反射体５の反射膜６は導波路端面３ａのコア層３
に突き合わされる。従って、コア層３から導波路端面３
ａへの入射光は、反射膜６の反射により光路変換され、
導波路端面３ａから光路変換後の光として再びコア層３
に出射される。この光路変換作用は、図４に示した従来
の光路変換回路とほぼ同様である。
寸法を合わせて作製され、その先端面５ａには光を反射
する反射膜６をあらかじめ形成しておく。反射体５はガ
イド４ａおよび４ｂに沿って導波路端面３ａの方に案内
され、反射体５の反射膜６は導波路端面３ａのコア層３
に突き合わされる。従って、コア層３から導波路端面３
ａへの入射光は、反射膜６の反射により光路変換され、
導波路端面３ａから光路変換後の光として再びコア層３
に出射される。この光路変換作用は、図４に示した従来
の光路変換回路とほぼ同様である。
【００２１】ここで、反射体５に形成する反射膜６に
は、一般に、アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ）等の反
射率の高い金属膜を用いる。これらの金属膜は、ＥＢ蒸
着法やスパッタリング法等によって一括して形成するこ
とができるため、量産性に適する。また、反射体５は、
導波路端面５ａとの結合ずれを抑制する必要があるた
め、コア層３やクラッド層２と熱膨張係数が等しい，ま
たは非常に近い材料を選ぶ必要がある。例えば，基板
１，コア層２およびクラッド層３が石英系の材料である
ときには、反射体５として光ファイバを使用できる。
は、一般に、アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ）等の反
射率の高い金属膜を用いる。これらの金属膜は、ＥＢ蒸
着法やスパッタリング法等によって一括して形成するこ
とができるため、量産性に適する。また、反射体５は、
導波路端面５ａとの結合ずれを抑制する必要があるた
め、コア層３やクラッド層２と熱膨張係数が等しい，ま
たは非常に近い材料を選ぶ必要がある。例えば，基板
１，コア層２およびクラッド層３が石英系の材料である
ときには、反射体５として光ファイバを使用できる。
【００２２】上述したとおり、図１の実施例の光路変換
回路では、煩雑な工程である導波路端面３ａへ反射膜を
形成する工程を必要としない。
回路では、煩雑な工程である導波路端面３ａへ反射膜を
形成する工程を必要としない。
【００２３】また、この光路変換回路は、光路を変換さ
せる場所を基板１の端部に限定する必要がなく、基板１
上のあらゆる場所で光路の変換を行うことができる。
せる場所を基板１の端部に限定する必要がなく、基板１
上のあらゆる場所で光路の変換を行うことができる。
【００２４】図２は、本発明の第２の実施例を示す平面
図であり、コア層２３ａおよび２３ｂが露出するまでク
ラッド層２２を剥離して示している。
図であり、コア層２３ａおよび２３ｂが露出するまでク
ラッド層２２を剥離して示している。
【００２５】この光路変換回路は、第１の実施例と同様
に形成される、基板２１とクラッド層２２とガイド２４
ａおよび２４ｂと反射体２５と反射膜２６とを有する。
しかしながら、この光路変換回路は、光を互いに結合し
うる二つの光導波路，つまり方向性結合器を基板２１上
に有する。第１の光導波路は、光路変換前の光２８の光
路であり、コア層２３ａで示される。第２の光導波路
は、光路変換後の光２９の光路であり、コア層２３ｂで
示される。これら二つの光導波路は、導波路端面２３ｃ
と導波路端面２３ｃから距離Ｌ／２の点Ａとの間で、方
向性結合器の完全結合長のちょうど半分の長さを有す
る。コア層２３ａで示される一方の光導波路に入射され
た光路変換前の光２８は、点Ａからコア層２３ａ（およ
びコア層２３ｂ）を通って方向性結合器の完全結合長の
半分の距離Ｌ／２を進み、導波路端面２３ｃに達する。
光２８は、さらに進んで反射体５の先端部に設けた反射
膜２６で反射される。反射された光２８は光路変換され
て光２９に符号を変え、もう一度上記方向性結合器の完
全結合長の半分の長さＬ／２を通り、点Ａからコア層２
３ｂで示される他方の光導波路に全て出力される。上述
のとおり、この光路変換回路は、１８０度の折り返し光
導波路を形成している。
に形成される、基板２１とクラッド層２２とガイド２４
ａおよび２４ｂと反射体２５と反射膜２６とを有する。
しかしながら、この光路変換回路は、光を互いに結合し
うる二つの光導波路，つまり方向性結合器を基板２１上
に有する。第１の光導波路は、光路変換前の光２８の光
路であり、コア層２３ａで示される。第２の光導波路
は、光路変換後の光２９の光路であり、コア層２３ｂで
示される。これら二つの光導波路は、導波路端面２３ｃ
と導波路端面２３ｃから距離Ｌ／２の点Ａとの間で、方
向性結合器の完全結合長のちょうど半分の長さを有す
る。コア層２３ａで示される一方の光導波路に入射され
た光路変換前の光２８は、点Ａからコア層２３ａ（およ
びコア層２３ｂ）を通って方向性結合器の完全結合長の
半分の距離Ｌ／２を進み、導波路端面２３ｃに達する。
光２８は、さらに進んで反射体５の先端部に設けた反射
膜２６で反射される。反射された光２８は光路変換され
て光２９に符号を変え、もう一度上記方向性結合器の完
全結合長の半分の長さＬ／２を通り、点Ａからコア層２
３ｂで示される他方の光導波路に全て出力される。上述
のとおり、この光路変換回路は、１８０度の折り返し光
導波路を形成している。
【００２６】図３は、本発明の第３の実施例の分解斜視
図である。
図である。
【００２７】この光路変換回路も、第１の実施例と同様
に形成される、基板３１とクラッド層３２とコア層３３
とを有する。しかしながら、この光路変換回路は、第１
の実施例におけるガイド４ａおよび４ｂに代えて、Ｖ字
状の溝であるＶ溝３７を基板３１に形成し反射体５とし
て光ファイバ３８を使用する。光ファイバ３８の先端面
３８ａには反射膜３６を形成する。光ファイバ３８はＶ
溝３７に案内されて移動し、反射膜３６は光導波路の露
出面である導波路端面３３ａのコア層３３に突き合わさ
れる。
に形成される、基板３１とクラッド層３２とコア層３３
とを有する。しかしながら、この光路変換回路は、第１
の実施例におけるガイド４ａおよび４ｂに代えて、Ｖ字
状の溝であるＶ溝３７を基板３１に形成し反射体５とし
て光ファイバ３８を使用する。光ファイバ３８の先端面
３８ａには反射膜３６を形成する。光ファイバ３８はＶ
溝３７に案内されて移動し、反射膜３６は光導波路の露
出面である導波路端面３３ａのコア層３３に突き合わさ
れる。
【００２８】Ｖ溝３７の作製は、基板３１の結晶の異方
性エッチングを利用して行うことができる。例えば、基
板３１がＳｉの場合には、（１００）面を異方性エッチ
ングすることにより、（１１１）面によるＶ溝３７を形
成する。このエッチングにより作製されたＶ溝３７をガ
イドとして光ファイバ３８と上記光導波路とを結合する
技術は、光ファイバ３８の位置を正確に決める手段とし
て、従来から広く用いられている（例えば、公開特許公
報，平１−２６１６０４）。
性エッチングを利用して行うことができる。例えば、基
板３１がＳｉの場合には、（１００）面を異方性エッチ
ングすることにより、（１１１）面によるＶ溝３７を形
成する。このエッチングにより作製されたＶ溝３７をガ
イドとして光ファイバ３８と上記光導波路とを結合する
技術は、光ファイバ３８の位置を正確に決める手段とし
て、従来から広く用いられている（例えば、公開特許公
報，平１−２６１６０４）。
【００２９】上述のとおり、本実施例の光路変換回路
は、反射膜３６と導波路端面３３ａとの結合工程を、従
来からよく使われている光ファイバと光導波路との結合
工程と全く同一の工程とするので、作製工程の大幅な簡
略化を実現している。
は、反射膜３６と導波路端面３３ａとの結合工程を、従
来からよく使われている光ファイバと光導波路との結合
工程と全く同一の工程とするので、作製工程の大幅な簡
略化を実現している。
【００３０】なお、本実施例のＶ溝３７を構成しうる基
板３１としては、Ｓｉ，ひ化ガイウム（ＧａＡｓ）およ
びりん化インジウム（ＩｎＰ）等の結晶基板がある。基
板３１にＳｉ基板を用いると、りん（Ｐ），ゲルマニウ
ム（Ｇｅ）およびほう素（Ｂ）等をドープした石英系材
料が光導波路としてよく適合し、ＩｎＰおよびＧａＡｓ
基板を用いると、半導体系材料の光導波路としてよく適
合する。また、異方性エッチング液としては、Ｓｉ結晶
基板に対してはＫＯＨ，ＫＯＨ＋アルコールおよびエチ
レンジアミン＋ピロカテコール等の溶液が用いられ、Ｉ
ｎＰ結晶基板に対してはＨＣｌ＋Ｈ3 ＰＯ4 等の溶液が
用いられる。
板３１としては、Ｓｉ，ひ化ガイウム（ＧａＡｓ）およ
びりん化インジウム（ＩｎＰ）等の結晶基板がある。基
板３１にＳｉ基板を用いると、りん（Ｐ），ゲルマニウ
ム（Ｇｅ）およびほう素（Ｂ）等をドープした石英系材
料が光導波路としてよく適合し、ＩｎＰおよびＧａＡｓ
基板を用いると、半導体系材料の光導波路としてよく適
合する。また、異方性エッチング液としては、Ｓｉ結晶
基板に対してはＫＯＨ，ＫＯＨ＋アルコールおよびエチ
レンジアミン＋ピロカテコール等の溶液が用いられ、Ｉ
ｎＰ結晶基板に対してはＨＣｌ＋Ｈ3 ＰＯ4 等の溶液が
用いられる。
【００３１】さらに、エッチングのマスクには、上記の
エッチング液に対して基板３１の（１００）面よりエッ
チング速度の遅い材料が選ばれ、主にＳｉＯ熱酸化膜や
金属膜等が用いられる。
エッチング液に対して基板３１の（１００）面よりエッ
チング速度の遅い材料が選ばれ、主にＳｉＯ熱酸化膜や
金属膜等が用いられる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光導波路
における光路変換を、ガイドの案内により上記光導波路
の導波路端面に突き合わされるとともに反射体の先端面
に設けた反射膜の反射により行うので、作製工程を簡単
にでき、また量産化に適するという効果がある。
における光路変換を、ガイドの案内により上記光導波路
の導波路端面に突き合わされるとともに反射体の先端面
に設けた反射膜の反射により行うので、作製工程を簡単
にでき、また量産化に適するという効果がある。
【００３３】また、本発明は、上記反射体の先端面に設
ける上記反射膜は基板上の任意の位置に配置できるの
で、光路変換位置が限定されない光路変換回路を作製す
ることができる効果がある。
ける上記反射膜は基板上の任意の位置に配置できるの
で、光路変換位置が限定されない光路変換回路を作製す
ることができる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の分解斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す平面図であり、コ
ア層２３ａおよび２３ｂが露出するまでクラッド層２２
を剥離して示している。
ア層２３ａおよび２３ｂが露出するまでクラッド層２２
を剥離して示している。
【図３】本発明の第３の実施例の分解斜視図である。
【図４】従来の光路変換回路の斜視図である。
１，２１，３１ 基板 ２，２２，３２ クラッド層 ３，２３ａ，２３ｂ，３３ コア層 ３ａ，２３ｃ，３３ａ，４３ｃ 導波路端面 ４ａ，４ｂ，２４ａ，２４ｂ ガイド ５，２５ 反射体 ５ａ，３８ａ 先端面 ６，２６，３６ 反射膜 ２８，２９ 光 ３７ Ｖ溝 ３８ 光ファイバ
Claims (5)
- 【請求項１】 板状の結晶基板と、前記結晶基板の一面
に設けたクラッド層およびコア層とを含み主として前記
コア層を通じて光路変換前の光と光路変換後の光とを伝
送する光導波路と、前記光導波路を前記クラッド層と前
記コア層とに垂直な面で切断した面である導波路端面
と、光を反射して光路変換する反射膜を先端面にコーテ
ィングしておりこの反射膜を前記導波路端面の前記コア
層に突き合わせた棒状の反射体と、前記結晶基板に配置
され前記反射体の先端面に設けた前記反射膜を前記光導
波路端面の前記コア層に突き合わせ可能な位置に案内す
るガイドとを備えることを特徴とする光路変換回路。 - 【請求項２】 前記導波路端面における前記光導波路
が、前記導波路端面に関して第１の角度の入射角を有し
前記光路変換前の光を伝送する第１の光通路と、前記導
波路端面に関して前記第１の角度と補角をなす出射角を
有し前記光路変換後の光を伝送する第２の光通路とを備
えることを特徴とする請求項１記載の光路変換回路。 - 【請求項３】 前記光導波路が、完全結合長の半分の長
さを有するとともに結合部の中間点であるべき位置を前
記導波路端面に一致させた方向性結合器を含むことを特
徴とする請求項１記載の光路変換回路。 - 【請求項４】 前記結晶基板が、シリコン，ひ化ガリウ
ムおよびりん化インジウムいずれかの結晶基板であり、
前記ガイドが、上記結晶基板の異方性エッチングによる
Ｖ字状の溝であることを特徴とする請求項１記載の光路
変換回路。 - 【請求項５】 前記反射体が、反射膜を前記先端面にコ
ーティングした光ファイバであることを特徴とする請求
項１記載の光路変換回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5256214A JP2891856B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 光路変換回路 |
| EP94116187A EP0649038B1 (en) | 1993-10-14 | 1994-10-13 | Optical waveguide mirror |
| US08/322,532 US5546488A (en) | 1993-10-14 | 1994-10-13 | Waveguide-type optical path converter for converting a propagation direction of a light |
| DE69425857T DE69425857T2 (de) | 1993-10-14 | 1994-10-13 | Spiegel für optischen Wellenleiter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5256214A JP2891856B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 光路変換回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07110410A true JPH07110410A (ja) | 1995-04-25 |
| JP2891856B2 JP2891856B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=17289519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5256214A Expired - Lifetime JP2891856B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 光路変換回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5546488A (ja) |
| EP (1) | EP0649038B1 (ja) |
| JP (1) | JP2891856B2 (ja) |
| DE (1) | DE69425857T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008209904A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-09-11 | Nec Corp | 双方向光送受信モジュール、光送受信器、及び双方向光送受信モジュール製造方法 |
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| EP1252767B1 (en) | 2000-02-01 | 2010-08-11 | United Video Properties, Inc. | Methods and systems for forced advertising |
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- 1993-10-14 JP JP5256214A patent/JP2891856B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-10-13 US US08/322,532 patent/US5546488A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-13 EP EP94116187A patent/EP0649038B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-13 DE DE69425857T patent/DE69425857T2/de not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JP2891856B2 (ja) | 1999-05-17 |
| EP0649038A1 (en) | 1995-04-19 |
| EP0649038B1 (en) | 2000-09-13 |
| DE69425857D1 (de) | 2000-10-19 |
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