JPS625242A - レチクル - Google Patents
レチクルInfo
- Publication number
- JPS625242A JPS625242A JP60143754A JP14375485A JPS625242A JP S625242 A JPS625242 A JP S625242A JP 60143754 A JP60143754 A JP 60143754A JP 14375485 A JP14375485 A JP 14375485A JP S625242 A JPS625242 A JP S625242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- wafer
- pattern
- patterns
- chips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、薄膜磁気ヘッドをステップアンドリピート
方式に従ってパターンニングする際に有効なレチクルに
関する。
方式に従ってパターンニングする際に有効なレチクルに
関する。
近年、ビデオチーブレコーダでは、従来のバルク型磁気
ヘッドに代って薄膜磁気ヘッドが多く使われるようにな
りてきている。薄膜磁気へ、ドを製造するには、半導体
製造方式の１つであるステップアンドリピート方式を用
いることができる。このステップアンドリピート方式は
、１つのレチクル（ｙＫ板）を使って、９工Ｉ・−上に
薄膜磁気ヘッドの・母ターン（詳しくハ、ヘッドのコイ
ルノ母ターンや磁性層の／ぐターン）を、複数繰り返し
形成するものである。なお、この方式は、さらにルチク
ルを使ってウェノ・−上に直接・母ターンを形成する方
式とレチクルを使ってまず・・−ドマスクを作シ、次に
この・・−ド。
ヘッドに代って薄膜磁気ヘッドが多く使われるようにな
りてきている。薄膜磁気へ、ドを製造するには、半導体
製造方式の１つであるステップアンドリピート方式を用
いることができる。このステップアンドリピート方式は
、１つのレチクル（ｙＫ板）を使って、９工Ｉ・−上に
薄膜磁気ヘッドの・母ターン（詳しくハ、ヘッドのコイ
ルノ母ターンや磁性層の／ぐターン）を、複数繰り返し
形成するものである。なお、この方式は、さらにルチク
ルを使ってウェノ・−上に直接・母ターンを形成する方
式とレチクルを使ってまず・・−ドマスクを作シ、次に
この・・−ド。
マスクを使ってウェハー上にノＪ？ターンを形成する方
式に大別される。
式に大別される。
ところで、薄膜磁気ヘッドの製造においては、バルク型
磁気ヘッドの製造に比べ、テープ面の加工に、はるかに
高い精度を必要とする。これは、薄膜磁気ヘッドの出力
特性と寿命が、バルク型磁気へ、ドに比べ、ギャップデ
プスに大キく依存するためである。
磁気ヘッドの製造に比べ、テープ面の加工に、はるかに
高い精度を必要とする。これは、薄膜磁気ヘッドの出力
特性と寿命が、バルク型磁気へ、ドに比べ、ギャップデ
プスに大キく依存するためである。
このため、薄膜磁気ヘッドのテープ面の削シ・ ・１．
加工には、自動化された機械加工が採用されている。こ
の場合、削シ量を測定する方法としては、例えば電気的
な測定方法が用いられる。この電気的な測定′方法の一
例を第３図を用いて説明する。図示の例は、削シ量を電
気抵抗として測定するものである。すなわち、図におい
て、レチクルＩＩには、ヘッド用の２臂ターン１２の他
に、電気抵抗測定用のコ字状のダミー・り一ンＩ３が形
成されている。これによシ、ウェハー上にもノ９ターフ
１２の他にダミー・母ターンＩ３が形成されることにな
る。このようにしてウェハー上に形成されたダミー・リ
ーンＩ３の両端部１３１，１３２にグローブを当て、ダ
ミー／４ターンＩ３の抵抗値を測定することによ広開多
量を測定することができる。
加工には、自動化された機械加工が採用されている。こ
の場合、削シ量を測定する方法としては、例えば電気的
な測定方法が用いられる。この電気的な測定′方法の一
例を第３図を用いて説明する。図示の例は、削シ量を電
気抵抗として測定するものである。すなわち、図におい
て、レチクルＩＩには、ヘッド用の２臂ターン１２の他
に、電気抵抗測定用のコ字状のダミー・り一ンＩ３が形
成されている。これによシ、ウェハー上にもノ９ターフ
１２の他にダミー・母ターンＩ３が形成されることにな
る。このようにしてウェハー上に形成されたダミー・リ
ーンＩ３の両端部１３１，１３２にグローブを当て、ダ
ミー／４ターンＩ３の抵抗値を測定することによ広開多
量を測定することができる。
しかしながら上記の如く、ウェハー上に削シ量測定のた
めのダミーパターン１３を設けると次のような問題があ
る。
めのダミーパターン１３を設けると次のような問題があ
る。
すなわち、ダミーパターンＩ３の両端部１３１ｅ１３２
にグローブを当てるには、このダミー・ぐターンＩ３は
ウェハー上で少なくとも１５０μｍの幅（ｄ）を必要と
する。したがって、特に、形成チップ数が多い大りエハ
ーの場合、ダミーパターンＩ３の形成に使われるウェハ
ー量が多くなシ、ウェハーが有効に利用されているとは
いえない。
にグローブを当てるには、このダミー・ぐターンＩ３は
ウェハー上で少なくとも１５０μｍの幅（ｄ）を必要と
する。したがって、特に、形成チップ数が多い大りエハ
ーの場合、ダミーパターンＩ３の形成に使われるウェハ
ー量が多くなシ、ウェハーが有効に利用されているとは
いえない。
この発明は上記の事情に対処すべくなされたもので、ウ
ェハー上にダミー／母ターンを形成する場合でありても
、ウェハーの有効利用を図ることができるレチクルを提
供することを目的とする。
ェハー上にダミー／母ターンを形成する場合でありても
、ウェハーの有効利用を図ることができるレチクルを提
供することを目的とする。
この発明は、リピートアンドステップ処理によって初め
て所望の／４’ターンが形成されるように１上記所望の
・譬ターンを２つに分割してレチクル上に形成すること
によシ、ウェハー上では、上記所望のパターンをチップ
分割のための切シ代を利用して形成可能なようにしたも
のである。
て所望の／４’ターンが形成されるように１上記所望の
・譬ターンを２つに分割してレチクル上に形成すること
によシ、ウェハー上では、上記所望のパターンをチップ
分割のための切シ代を利用して形成可能なようにしたも
のである。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に説明
する。
する。
第１図は一実施例の構成を示す図である。図において、
２Ｉはレチクルである。このレチクル２Ｉには、ヘッド
用のノナターン２２及びダミー／４ターン用の第１、第
２のノ４ｆ−：ｙ２３，２４が形成される。
２Ｉはレチクルである。このレチクル２Ｉには、ヘッド
用のノナターン２２及びダミー／４ターン用の第１、第
２のノ４ｆ−：ｙ２３，２４が形成される。
上記第１、第２のパターン２３．２４は、先の第３図に
示すようなコ字状のダミーパターン１３を例えば線対称
に２等分することによって得たものである。ここで、矢
印（Ｘ）方向をリピートアンドステップ処理におけるレ
チクル２Ｉの搬送方向とすると、レチクル２Ｉ上でこの
搬送方向（Ｘ）の端部に形成される第１の・ぐターン２
３とこれとは反対方向の端部に形成される第２の／苧タ
ーン２４との相互関係は次のようになっている。すなわ
ち、今、レチクル２１のある連続する２つの搬送位置を
考えると、上記第１、第２の・母ターン２３．２４の相
互関係は、初めの搬送位置における第１のパターン２３
と後の搬送位置における第２の・母ターン２４がウェハ
ー上で接続されて、先の第３図に示すコ字状のダミー／
４ターンＩ３が形成されるように設定される。
示すようなコ字状のダミーパターン１３を例えば線対称
に２等分することによって得たものである。ここで、矢
印（Ｘ）方向をリピートアンドステップ処理におけるレ
チクル２Ｉの搬送方向とすると、レチクル２Ｉ上でこの
搬送方向（Ｘ）の端部に形成される第１の・ぐターン２
３とこれとは反対方向の端部に形成される第２の／苧タ
ーン２４との相互関係は次のようになっている。すなわ
ち、今、レチクル２１のある連続する２つの搬送位置を
考えると、上記第１、第２の・母ターン２３．２４の相
互関係は、初めの搬送位置における第１のパターン２３
と後の搬送位置における第２の・母ターン２４がウェハ
ー上で接続されて、先の第３図に示すコ字状のダミー／
４ターンＩ３が形成されるように設定される。
上記関係をウェハー上で示すと第２図のようＫなる。図
において、２５．２６はレチクル２Ｉの上記連続する２
つの搬送位置に対応するウェハー上のチップである。図
示の如く、これら連続する２つのチップ２５．２６間”
Ｃｕ、ｆッｆｚｓ上の第１のパターン２３とチッ７°２
６上の第２の・母ターン２４が接続されてコ字状のダミ
ー・臂ターン１３が形成される。
において、２５．２６はレチクル２Ｉの上記連続する２
つの搬送位置に対応するウェハー上のチップである。図
示の如く、これら連続する２つのチップ２５．２６間”
Ｃｕ、ｆッｆｚｓ上の第１のパターン２３とチッ７°２
６上の第２の・母ターン２４が接続されてコ字状のダミ
ー・臂ターン１３が形成される。
上記構成においては、ダミーパターンＩ３はウェハー上
でチップ分割のために必要な切シ代、つまシチッゾ２５
とチップ２６との境界線２７に沿ってウェハーを切断す
る際に破壊される部分を利用して形成される。したがり
て、この実施例によれば、ウェハー上にダミー／４ター
ンＩ３を形成するとしても、これに費やされるつエバー
量を少なくすることができ、ウェハーの有効利用、つま
シ、ウニ・・−を本来の利用目的であるヘッドパターン
２２の形成のためにより多く使用することができる。
でチップ分割のために必要な切シ代、つまシチッゾ２５
とチップ２６との境界線２７に沿ってウェハーを切断す
る際に破壊される部分を利用して形成される。したがり
て、この実施例によれば、ウェハー上にダミー／４ター
ンＩ３を形成するとしても、これに費やされるつエバー
量を少なくすることができ、ウェハーの有効利用、つま
シ、ウニ・・−を本来の利用目的であるヘッドパターン
２２の形成のためにより多く使用することができる。
なお、上記の如く、チッｆｚｓ、ｚｅの分割に必要な切
シ代を利用゛してダミー・母ターン１３を形成するとし
ても、チップ２５．２６の分割の前に削シ加工を行うよ
うＫすれば、削り量の測定は何ら問題なく行うことがで
きる。この場合、削シ加工は２つのチップ２５．２６に
対して同時になされる。ここで、削シ加工上でのとの実
施例の効果を説明するならば、この実施例では第２図に
示す如く、ダミー／やターンＩ３が２つのチップ２５．
２６に’！たがって形成されているので、２つのチップ
２５．２６の削り量を１つの測定装置で同時に測定でき
るという効果がある。
シ代を利用゛してダミー・母ターン１３を形成するとし
ても、チップ２５．２６の分割の前に削シ加工を行うよ
うＫすれば、削り量の測定は何ら問題なく行うことがで
きる。この場合、削シ加工は２つのチップ２５．２６に
対して同時になされる。ここで、削シ加工上でのとの実
施例の効果を説明するならば、この実施例では第２図に
示す如く、ダミー／やターンＩ３が２つのチップ２５．
２６に’！たがって形成されているので、２つのチップ
２５．２６の削り量を１つの測定装置で同時に測定でき
るという効果がある。
なお、この発明は上述したようなダミーノ４ターン１３
以外のパターンの形成にも適用できることは勿論である
。この場合、形成した・９ターンを最終的に分割するの
ではなく、残すのであれば、チップ分割位置を上記境界
線２７からずらせばよい。
以外のパターンの形成にも適用できることは勿論である
。この場合、形成した・９ターンを最終的に分割するの
ではなく、残すのであれば、チップ分割位置を上記境界
線２７からずらせばよい。
このようにこの発明によれば、ウェハー上にダミーパタ
ーンを形成する場合であっても、ウェハーの有効的な利
用を図ることができるレチクルを提供することができる
。
ーンを形成する場合であっても、ウェハーの有効的な利
用を図ることができるレチクルを提供することができる
。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す平面図、第２
図は第１図のレチクルを使ってパターンニングされたウ
ェハーを示す平面図、第３図は従来のレチクルを示す平
面図である。 Ｉ３・・・タミーＩ？ターン、２Ｉ・・・レチクル、２
３・・・第１のノ臂ターン、２４・・・第２のノ４ター
ン。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 ＠３図
図は第１図のレチクルを使ってパターンニングされたウ
ェハーを示す平面図、第３図は従来のレチクルを示す平
面図である。 Ｉ３・・・タミーＩ？ターン、２Ｉ・・・レチクル、２
３・・・第１のノ臂ターン、２４・・・第２のノ４ター
ン。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 ＠３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ステップアンドリピート方式によって同一パターンを複
数繰り返し形成する際に用いられるレチクルにおいて、 ステップアンドリピート処理によって第１、第２のパタ
ーンが接続されて所望のパターンが形成されるように、
該所望のパターンが上記第１、第２のパターンに分割さ
れて形成されていることを特徴とするレチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14375485A JPH0644145B2 (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14375485A JPH0644145B2 (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | レチクル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625242A true JPS625242A (ja) | 1987-01-12 |
| JPH0644145B2 JPH0644145B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=15346241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14375485A Expired - Lifetime JPH0644145B2 (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644145B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5098277A (ja) * | 1973-12-26 | 1975-08-05 | ||
| JPS513878A (ja) * | 1974-07-01 | 1976-01-13 | Hitachi Ltd | |
| JPS584927A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-12 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | パタ−ン作成方法 |
| JPS58157328U (ja) * | 1982-04-13 | 1983-10-20 | アルプス電気株式会社 | マスクパタ−ン |
-
1985
- 1985-06-29 JP JP14375485A patent/JPH0644145B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5098277A (ja) * | 1973-12-26 | 1975-08-05 | ||
| JPS513878A (ja) * | 1974-07-01 | 1976-01-13 | Hitachi Ltd | |
| JPS584927A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-12 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | パタ−ン作成方法 |
| JPS58157328U (ja) * | 1982-04-13 | 1983-10-20 | アルプス電気株式会社 | マスクパタ−ン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0644145B2 (ja) | 1994-06-08 |
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