JPS6250650A - 核磁気共鳴を用いた検査方法 - Google Patents

核磁気共鳴を用いた検査方法

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JPS6250650A
JPS6250650A JP60189652A JP18965285A JPS6250650A JP S6250650 A JPS6250650 A JP S6250650A JP 60189652 A JP60189652 A JP 60189652A JP 18965285 A JP18965285 A JP 18965285A JP S6250650 A JPS6250650 A JP S6250650A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、核磁気共鳴(以下、rNMRJという)を用
いた検査装置に関し、特にケミカルシフトイメージング
を高速で行なうことが可能なNMRを用いた検査方法に
関する。
〔発明の背景〕
従来1人体の頭部、腹部などの内部構造を非破壊的に検
査する装置として、X@CTや超音波撮像装置が広く利
用されて来ている。近年、核磁気共鳴現象を用いて同様
の検査を行う試みが成功しX1iCTや超音波撮像装置
では得られない情報を取得できることが明らかになって
来た。核磁気共鳴現象を用いた検査装置においては、検
査物体からの信号を物体各部に対応させて分離・識別す
る。
必要がある。その1つに、検査物体に傾斜磁場を印加し
、物体各部の置かれた静磁場を異ならせ、これにより各
部の共鳴周波数あるいはフェーズ・エンコード量を異な
らせることで位置の情報を得る方法がある。
その基本原理については、ジャーナル・オン・マグネテ
ィック・レゾナンス誌(J 、 Magn。
Re5on、 )第18巻、第69頁(1975年)に
、あるいはフィジックス・オン・メデイシン・アンド・
バイオロジー誌(Phys、 Med、 & Biol
、 )第25巻、第751頁(1980年)に報告され
ている。
このようなイメージングの1方法として、ケミカルシブ
トイメージングがある。ケミカルシフトとは、同一の核
種であっても各スピンの感じる磁場がその周囲の分子構
造の相違により異なるため、各スピンの共鳴周波数が分
子構造上での位置に応じて変化する現象である。ケミカ
ルシフトは被測定体の分子構造に関する情報を与えてく
れるため、極めて重要な現象である。ケミカルシフト量
をイメージングする方法としては、これまで(、)マウ
ズレイ(Maudsley)らにより報告されたフーリ
エイメージング法の拡張法(ジャーナル・オン・マグネ
ティック・レゾナンス誌、第51巻、第147頁(19
83年)、(b)ディクソン(Dixon)により提案
された方法(ラジオグラフィ誌(Radiology)
 を第153巻、第189頁(1984年))などが代
表例としてあげられる。
(a)の方法は、イメージングの次元を1つ高めること
により、ケミカルシフト量の分離・測定を可能にする方
法である。この方法では、通常、2次元平面を対象にす
る場合被測定体をLXMの画素に分割し、その各々に対
してN個の信号点をサンプリングすることが行なわれる
。LあるいはMは空間分解能に応じて決められるが、例
えばL=M=128とすればLXM回測定、384とな
る。
1回の測定でN個の信号点をサンプリングできるが、次
の測定までには被測定体の縦緩和時間程度(生体の場合
約1秒)待たなければならず、結局、LXM回測定する
ためには、4.6時間の測定時間を要すことになる。こ
れに対しくb)の方法は。
90°−τ□−180°−τ2(信号計測)なるパルス
シーケンスにおいて、τ1=τ2とτλ神τ2の2枚の
画像の和と差から、特定のケミカルシフトの情報だけを
含む画像を構成する方法である。ここで、90″および
180°は各々スピンを90°、180°倒す周波数磁
場を表わしている。この方法は、計測に要する時間が1
枚の画像の2倍で済むため、極めて実用的な方法である
しかし、ケミカルシフト量は静磁場の不均一と同程度か
あるいはそれよりも小さいため、τ1−で2の画像にお
いては、静磁場の不均一に基づく位相誤差の方がケミカ
ルシフト量に基づく位相誤差よりも大きくなる場合が生
じる。これに対し、ディクソン(Dixon)らは複素
フーリエ変換後、実部と虚部の2乗和の平方根すなわち
絶対膜を計算することにより、静磁場不均一の影響を除
去している。しかし、この場合、2つのケミカルシフト
量に対応するスピン数の大小いかんによっては両者を区
別できない場合が生じる。
さらに、2つのケミカルシフト像を得るには。
2回の異なった条件下での測定が必要であった。
〔発明の目的〕
本発明はこのような欠点に鑑がみてなされたもので、そ
の目的はケミカルシフトイメージングにおいて、シフト
数が2本の場合、1回の測定でケミカルシフト像を得る
ことを可能にした検査方法の提供を目的とする。
〔発明の概要〕
本発明の要点は、フーリエイメージング法を用いた検査
方法において、静磁場の不均一に起因する位相誤差およ
び装置固有の位相オフセットを補正することにより、2
本のケミカルシフト間の位相差をπ/2の奇数倍とする
ような高周波パルスシーケンスで得られるたった1回の
測定データから、ケミカルシフト像が得られるようにし
た点にある。これについて、以下、若干の補足的説明を
行なう。
まず、2次元面をイメージングする場合を例にとって、
変形スピンワープ法の原理と本発明を2次元変形スピン
ワープ法に適用した例について述べる。第1図は2次元
の変形スピンワープ法を実施するための照射パルスと、
XyY方向の傾斜磁場と核スピンからの信号のタイミン
グを示すものである。ここでは、(xt y)面に平行
なある断面を選択するものとしている。図においてRF
は上記照射パルスを、G、およびG8はそれぞれyおよ
びX方向の傾斜磁場を示している。また、Sは核スピン
からの信号を示している。
まず、90’RFパルスを照射し、試料内の核スピンを
90°倒す。その直後に、上記傾斜磁場G2を時間tz
だけ印加する。次に90@RFパルスの中心から時間τ
aが経過した時点でその中心がくるように180@RF
パルスを照射する。
信号の観測はGyを印加しながら行なう。なお180°
RFパルスの中心からスピンエコーのピークまでの時間
をτbとすると通常のイメージングではτ8=τ1とな
るように設定する。
また、G!においては90@RFパルスの後に反転区間
tzaを設けているが、これは180゜RFパルスの後
に非反転区間tubを設けても同じ効果が得られる。同
様にG7においては180゜RFパルスの後に反転区間
tyゎを設けているが。
これは90°RFパルスの後に非反転区間tbaを設け
ても同様の効果が得られる。なお、t!8とf!bti
7aとtyゎの区間の傾斜磁場の積分値は等しくなけれ
ばならない。
このような計測をX方向の傾斜磁場の大きさを変化させ
て行なった結果得られる2次元信号5(Gxyfア)は
、前記選択断面の核スピン分布ρ (xpy)との間に 5(Gx、t y)=  ρ(x、y) eXp (−
jy(G X xt)(+G y yty))axp(
jθ0)dxdx の関係がある。ただし、(1)式は静磁場に不均一がな
いものとし、またケミカルシフトも無視した場合である
。なお、θ0は装置に固有の位相オフセットを表わす。
さて、本発明においては第1図のシーケンスにてτ8と
てゎを異ならせて、例えばτ8=Δτ+τbとして計測
を行なう。測定対象とする試料にケミカルシフトが2本
(σ1とσ2)存在し、それらに対応するスピン密度を
ρ□ (xt y)+ρ2 (xt y) 、また、静
磁場の不均一をE (x。
y)とすると、τ8=Δτ十τゎのもとで得られる信号
は次式で与えられる。
s (c x、 t y)=Σp k(x、y) eX
p (−jy[Gxxt)(+Gyyty+(E(x、
y)+σk) (t y+Δr))) exp (jθ
1)dxdxここで、θ1は装置固有の位置オフセット
である。(2)式を変形すると 5(Gx、 t y)=Σ p h’ (x、y) e
Xp (−jy(Gxxtx十(Gyy)CIll +(E(x、y)+σk) t y)) exp (j
θ1)dxdxが得られる。ここで、 p w’ (XIY)=7) k(x、y) eXp 
(−jy(E(x、y)+cr k)Δτ)さて、積分
変数を x’=x とすると、次式が得られる。
S(G xp ” y)”Σ ρに’ (x’ ry 
k) exp (−j7(GxX’ txksll +Gyy’  t、y))  X exp  θθt)
  dx’  dyk’ここで、ykは(5)式をyに
ついて解いたものであり、またρよ’(xpyk)とρ
に’cXryh)との間には、次式で示される関係が成
立する。
a(x、y)/a(x’ ry k’ )は積分の変数
変換で生じるヤコビアン(J acobian)である
。E(x。
y)のy方向への変化率がGyに比べて下さく、かつ7
 k’:ke yが成立するならばρに’ (XyY 
k’ )=ρよ’ (x、y)      (8)が得
られる。従って、(6)式を逆フーリエ変換(F″″1
で表記する)すると次式が得られる。
F −’ (S(Gx、 t y)) =Σ/’ h’
 (XrY) eXP C1θ1)(9)上式に(4)
式を代入すると結局次式が得られる。
F−” (S(Gx、ty))=Σp k(x、y) 
exp (−jy(E(x、y)al +σk)Δτ)expθθ1)     (lのここで
、Δτは温室時に設定するパラメータであり、σ□は測
定対象により決まる値である。そこで残された変数のう
ちの1つであるE(x、y)の求め方について述べる。
まず、(lO)式において、σよ=0すなわち化学シフ
トが1本(共鳴線が1本)の物質を対象にイメージング
すると、F−’ (SC(GXJt7)) =p c(
x、y) eXp(−jyE(x、y)Δt n) e
xp Cjθc)    (11)が再生される。F−
1(sc(Gx、by))は複素数であり、その実部お
よび虚部をそれぞれEr(x、y)f Ei(X、y)
とすると、次式が得られる。
(exp (−jyE(x、y)Δ? n) exp 
Cjθ。)〕木上式中〔〕木は複素共役を表わす。(1
2)式を(10)式に掛は合せると左辺をP(x、y)
として次式が成立する。
p(x、y)=Σp 5r(X+ y) eyrp (
−jy a wΔτ)1ll exp(j(θt −θc))   (13)上式にお
いてE (X r y )は消去されており、静磁場の
不均一よる位相誤差は補正されたことが分がる。ところ
で、σよは基準周波数からのずれを表わすだけであるか
ら、Δτ間に生じる位相は相対値としてしか意味を持た
ない。そのため、基準周波数の選び方により位相オフセ
ットとして変化する。
さて、Δτを次式で与えるとする。1 (14)式を(13)式に代入すると次式が得られる。
P(x、y)= (p t(x、y)+ρ2(x、y)
 exp (−j・−))exp(−jγσ1Δt)X
exp (−j(θ1−θc))   (15)従って
、(15)式の位相項exp(−jγσ1Δτ) ex
p (−j(θ1−θc))が一定値となるように位相
を設定できればP(x、y)は非常に簡単になる。次に
、上記位相項を決める方法として。
σ1あるいはσ2のいずれか1つのシフトを有する物質
をイメージング視野内に設置する方法について述べる。
例えばσ、に対応する物質で満たした試料管を、第2図
に示すようにコイル4の内におく。さて、得られた画像
中で、この試料に対応する画像の中心部をQ r + 
j Q iとした時、次式が成立する。
(16)式の共役複素数をQr=Qiから求め、(15
)式にかけると次式に示す補正像を得る。
T(x、y)=ρ1 (x、y)−jp 2(X、)I
)   (17)すなわち、T(x、y)の実部および
虚部が、それぞれ、σ、およびσ2に対応したケミカル
シフト像となることが分かる。さらに、ρt(x、y)
十ρz (x r y )あるいは(ρ1”(x、y)
+ρ□”(x、y))  は通常のシーケンスで得られ
る像でもある。
なお、(14)式において右辺が1/2πでない場合に
も画像処理が少々複雑になるが、同様のことを行なうこ
とができる。
すなわち、 γ(σ2−σ1)Δτ=θP      (1g)とす
ると、(■3)式は P(x、y)= (p 、(x、y)+ρz(x、y)
 exp (−jθP))exp(−jγσ、Δτ) 
exp (j(θ□−θc))   (19)となる。
従って、(19)式のexpの項を前記方法により除去
すれば次式を得る。
P(x、y)=ρz (x、y)+ρ2(x、y) e
Xp (−jθF)    (20)P(x、y)の実
部をRe (P)、虚部をIm(P)とすれば Re(P)=ρt(X、y)+ρ2(x、y) cos
 (θP)     (21a)Im(P)=p 2(
x、y) sin (θp )         (2
1b)となる。(21a)、 (2l b)式は、ρL
 (” r V )yρ2(x、y)に関する連立1次
方程式であるので。
これを実部像と虚部像の対応する画素について解けばρ
1(X#Y)l ρ2 (x r y )を求めること
ができる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。第3図は本発明の一実施例である検査装置の構成図で
ある。図において、1は計算機、2は高周波パルス発生
器、3は電力増幅器、4は高周波磁場を発生させると同
時に対象物体16から生ずる信号°を検出するためのコ
イル(rfコイル)、5は増幅器、6は検波器、7はデ
ィスプレイ装置である。また、8,9および10はそれ
ぞれ2方向およびこれに直角の方向の傾斜磁場を発生さ
せるコイル(傾斜磁場コイル)、11,12゜13はそ
れぞれ上記コイル8,9.10を駆動する電源部である
計算機lは各装置に種々の命令を一定のタイミングで出
力する機能をも有するものである。高周波パルス発生器
2の出力は電力増幅器3で増幅され、上記コイル4を励
磁する。該コイル4は前述の如く受信コイルを兼ねてお
り、受信された(B号成分は増幅器5を通り検波器6で
検波後、計算機lに入力され信号処理後ディスプレイ装
@7で画像に変換される。
なお、静磁場の発生は電源15により駆動される静磁場
コイル14で行う。検査対象物体である人体16はベッ
ド17上に載置され、上記ベッド1′7は支持台18上
を移動可能なように構成されている。また、19.20
は記憶装置(以下、「メモリ」という)である。メモリ
19には(10)式で示されるF−1(”(GX+  
f y))が格納され、メモリ20には(12)式で句
、えられる静磁場の不均一による位相項および(16)
式で与えられる位相オフセットが格納される。
次に第4図をも参照して本実施例の動作を、説明する。
まず、第4図に示すステップ401ではσよ=0、すな
わち化学シフトが1本である試料を満たした容器をコイ
ル4の中におき、第1図に示すシーケンスのくり返しに
よりNMR償号の計測を行なう。なお目的とする被測定
体の化学シフトがσ□、σ2であるとき、(14)式を
満たすようなΔτを求め、τ8=Δτ+τゎとなるよう
なタイミング設定を予めしておく。このシーケンスは被
測定体の計測に用いるのと全く同じであることが好まし
い。ただし上記の試料の緩和時間が、目的とする被測定
体の緩和時間より小さければ、第1図に示すくり返し周
期trより小さくすることができる。
次にステップ401では上記の試料の像を再構成する2
次元フーリエ変換を計算機1で行ない。
(11)式に示す像データを得る。次にステップ403
ではこの像データの実部Er(x、y)及び虚部Ei(
x、y)から(12)式により補正のための位相像を抽
出し、メモリ20に格納する。
次にステップ404では、目的とする被測定体をコイル
中におき、再び第1図のシーケンスにてNMR信号を計
測する。この場合には被測定体の緩和時間に対してシー
ケンスのくり返し周期trを十分に長くとる必要がある
。次にステップ405では2次元フーリエ変換による像
再構成を行ない(10)式で示される。イメージF ”
−1(S (G x v  t y))を得てこれをメ
モリ19に格納する。
なお、上記ステップ401〜403と、ステップ404
〜405のいずれを先に行なっても良いのは勿論である
次にステップ406では被測定体の像の位相誤差を消去
する。すなわち、計算機1はメモリ20より補正用位相
像112)式)を、またメモリ19よりF−’ (SC
ax+  t y))をロードし、両者を掛は合せるこ
とにより(15)式のP(x。
y)を計算する。この結果は再びメモリ19に格納され
る。
次にステップ407では装置に依存したオフセット位相
の消去を行なう。具体的には第2図に先に示した通り、
σ、あるいはσ2のいずれか1つのシフトを有する物質
で満たした試料管をコイル4の中におき、第1図のシー
ケンスにて計測を行ない、2次元フーリエイメージング
を行なって得られた画像のうち、試料管の中心部のデー
タをQ r + j Q iを求めて(16)式を得る
。さらにメモリ19に格納されているP (x t y
 )をロードし、(16)式の共役被素数をP(x、y
)にかけて(17)式のT(x、y)を得る。これを再
びメモリ19に格納する。
次にステップ408ではディスプレイ7に必要に応じて
結果を表示する。すなわち(17)式の実部ρ1 (x
 z y )を表示すれば、σ1に対応したケミカルシ
フト像となり、ρ2 (x z y )を表示すればσ
2に対応したケミカルシフト像となる。またρl (X
 r y )+ρz(x、y)tあるいは(ρ1′(X
+y)+ρ2’(X、y)))を算出して表示すれば、
ケミカルシフトの区別のないスピン分布像が得られる。
〔発明の効果〕
以上述べた如く、本発明によれば、静磁場、傾斜磁場お
よび高周波磁場内におけるNMR現象を利用する検査装
置において、前記静磁場の不均一による位相回りおよび
装置固有の位相オフセットを各点ごとに補正するように
したので、1回の測定により2本のケミカルシフトに対
応した像を得ることが可能な方法および装置を実現でき
るという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明で用いるパルスシーケンスを示す図であ
り、第2図は位相オフセット補正に用いる基準物質の配
置を示す図であり、第3図は本発明の実施例である検査
装置の概略植成を示す図で、第4図は本発明の実施例の
動作フローを示すフローチャートである。 1・・・計算機、2・・・高周波パルス発生器、3・・
・電力増幅器、4・・・rfコイル、5・・・増巾器、
6・・・検波器、7・・・ディスプレイ装置、8,9.
10・・・傾斜磁場コイル、11,12.13・・・電
源部、14・・・静磁場コイル、15・・・電源、19
.20・・・メモリ。 第3目 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、静磁場、傾斜磁場および高周波磁場の各磁場発生手
    段と、検査対象からの核磁気共鳴信号を検出する信号検
    出手段と、該信号検出手段の検出信号の演算を行う計算
    機および該計算機による演算結果の出力手段を有し、前
    記検査対象のフーリエ空間における直交座標点を計測す
    る如く構成された核磁気共鳴を用いた検査装置において
    、90°高周波パルスと180°高周波パルスとの間隔
    が、180°高周波パルスとエコー信号との間隔と異な
    るように設定し、その結果、対象とする2本のケミカル
    シフト間にほぼπ/2の奇数倍の位相差を生じさせて得
    られた画像と、検査対象領域の1部あるいは全体の静磁
    場不均一分布あるいはそれにより生じた位相誤差とから
    ケミカルシフト像を演算により求めることを特徴とする
    核磁気共鳴を用いた検査方法。 2、前記特許請求範囲第1項に記載の演算において、信
    号検出手段の一部である高周波コイルの近傍に設けた基
    準試料の位相から求めた、装置固有の位相オフセットを
    画像の位相補正に利用することを特徴とする核磁気共鳴
    を用いた検査方法。 3、前記請求範囲第2項に記載の基準試料として、検査
    対象の有するケミカルシフトのうちのいずれか1本に対
    応する共鳴周波数を有する物質を選んだことを特徴とす
    る核磁気共鳴を用いた検査方法。 4、特許請求範囲第1項に記載の演算で求められた2種
    類のケミカルシフト像に対して、それらを合成すること
    で新らしい像を得ることを特徴とする核磁気共鳴を用い
    た検査方法。
JP18965285A 1985-04-01 1985-08-30 核磁気共鳴を用いた検査装置 Expired - Lifetime JP2607466B2 (ja)

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