JPS62500130A - ゲロイドの導電性およびストレス勾配緩和用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ゲロイトの導電性およびストレス勾配緩和用途「発明の背景］ ａ）利用分野 本発明は、導電性およびストレス勾配緩和用途のためのゲロイド組成物に関する 。

ｂ）背景技術 電気的デバイスは、導電性またはストレス勾配緩和特性を有Ｊ−る材料の使用を しばしば必要とする。材料が電気的なストレス勾配緩和または導電性特性を維持 しながらも、安定で、かつ、良好な接着性を示す場合、材料は有用である３３例 えば、高電圧下の電気的スプライス、成端、Ｙ字継手等の場合、特にこのことが 当てはよる。

電気的な絶縁用途に対する誘電的特性の故に有用であるゼラチン状組成物が既知 である。例えばイギリス国公告特許第２．１３３．０２６号には、ある円錐貫入 度および伸びを存するシーラント材料が開示されている。該特許に記載される特 別な態様はオレフィン性不飽和を有するポリウレタン組成物を使用する。

アメリカ合衆国特許第３，４２５，９６７号には、ソリコン組成物が開示されて いる。これらのノリコン組成物は断熱性を示し、電気デバイスにと、）で有益で ある。しかＬ７、断熱組成物は異なる場所において使用され、導電性およびスト レス勾配緩和材料よりも、より高い体積抵抗率を示す。

アメリカ合衆国特許第４，０６０，０７８号および第４，２４８，６８５号には 、１０〜９０重量％のα、β〜オレフィン性不飽性力飽和カルボン酸び９０〜Ｉ Ｏ重量％の不飽和コモノマーを含有する親水性ゲルが記載され、該組成物は皮膚 に接するフィルムと同様に、医学的用途に電流の接触を形成する時の助剤として 有用である。その組成物は水溶性であり、２次プロ・・ｌキングを示す。しかし ながら、電場または磁場、もしくはイオン化され得る空隙の制御のための用途は 示されていない。

アメリカ合衆国特許第４．３６９　、２８４号には、ポリ（スチレン−エチレン −ブチレン−スチレン）トリーブロック・コポリマーの密接な混合物を含ａする ゼラチン状組成物が開示されている。それらは、玩具、治療用握力回復訓練グリ ップ、衝撃吸収材、音響遮断材等に有用であると述べられている。

前述のゼラチン状組成物は、電気絶縁を含む幅広い用途について述べられている 。しかしながら、磁場または電場、あるいはイオン化し得る空隙の制御、もしく はイオン化ｊ７得る空隙の充填または特に高電ｒＥケーブルにおける均一な電圧 の降下の提供のための組成物としての用途または利点について述べられていない １゜ アメリカ合衆国特許出願（代理人記号ＭＰＯ９６７ＵＳ２）には、良好な熱安定 性、低い水および油透過率、良好な接着性を示し、かつ、−次ブロッキングを示 ずゲロイドか開示されている。

［発明の要約］ 独特な特性を兼備するある種のゲロイト組成物か、電気的デバイスにおける導電 性およびストレス勾配緩和材料として特に有用であることが見出された。その組 成物は、更にシールとしても使用されてもよく、腐食を減少さＵ・ろことかでき 、かつ、成形され得る、導電性（即ち、磁場まｆこ；よ電場あるいはイオン化し 得る空隙の影響の制御。）またはストレス勾配緩和性（即ち、−（オン化し得る 空隙を充填し、あるいは導体と接地遮蔽との間の均一な電圧降下を提供するため に使用される材Ｌ　）材料であり、安定てあり、予ｊｉｊｊ成形されても５１； ＜、あるいは適当な支持体をｌ１ｉ１いてまたは用い］゛にその場ご形成さ杓２ τもよい。

本発明は、ストＩ、・ス勾配拶和お、ｌび導電性組成物とｔ７てのゲロイド組成 物の用途に関１２１．該ゲ［ｌイ′ト組成物は、液体およびポリマーの重稙基阜 １−約シ！０−．−≦）５重９１％の１代の液体・分分散Ｉ７て含むポリ〜？・ −１む含ｎ’Ｌ、、要すれば、約；（０体積％の分散されたスト１ノス勾配緩和 および導電性充填材をその中（，３白゛シ１、約３０−・３５０（Ｉ　ＣＶ’ｕ 酌の円錐貫入度を有する。導電性り−ａ−（ｐ組成物は１５０）ｉｚにおいｒ、 約１０？才〜ム・Ｇ！以下の体積抵抗率をｕ’　Ｉ、、スト１．・ス勾配緩和ゲ １ｊ（ド組成物は５０Ｌｉｚにおいｍ−１０’−１０”オーム・（Ｊの比・ｒン ビーダンスをｆ丁＋る。

本発明のら’Ｊ　１つの要旨は、電気的デバイスにおいて磁場または電場、ある いはイオ゛〕化し、得る空隙の影響を制御する方法であって、ａ）液体およびポ リマ・−の重叶塙準で約２０〜９５重量％の量の液体を分散して含有１−２、： ｉ　ｏ−約３５０（１０’顧）の円錐貫入度を有し、かつ、５０Ｈｚにおいて１ ０７オーム・ａｍ以下の体積抵抗率を有するポリマーを含有する導電性ゲロイド 組成物を選択し、１〕）磁場または電場、あるいはイオン化し得る空隙の影響を 制御する部分において、電気的デバイスにゲロイド組成物を配置することから成 る方法に関する。

また、別の本発明の要旨は、電気的デバイスにおいて、イオン化し得る空隙を充 填（７、あるいは導体と接地遮蔽との間の均一な電圧降下を提供する方法であっ て、 ａ）液体およびポリマーの重量基準で約２０〜９５重量％の量の液体を分散１． で含有（２、約３０〜３５０（１０″′ｓバ）の円錐貫入度を有し、かつ、５０ Ｈｚにおいでｔｏ’　〜１ａｌｌ″、ｉ−ムーｃｍ以下の比インビー・ダンスを 何するポリマーを含有する導電性ゲロイド組成物を選択１２、ｂ）イオン化１． 得る空隙を充填１２、あるいは均一な電圧降下を提供する部分にゲロイド組成物 を配置することから成る方法に関する。

［発明の詳細な説明コ 本発明のポリマーは、その中に分散された液体、および要すればその中に分散さ れたストレス勾配緩和または導電性充填剤を有し得るポリマーである。要すれば 、ポリマー・は架橋されてもよい、ポリマーは、ウレタン、シリコン、ブロック またはグラフトコポリマー、あるいは１９８４年８月３１　Ｂ出願のアメリカ合 衆国特許出願第６４６．５５５号に記載されているようなポリマーであるのが好 ましい。ポリマーおよび液体の重量基準で約２０＝９５重Ｍ％の液体を分散して 含有する。要すれば、全組成物の重量の約３０重ｅ％を越えないストレス勾配緩 和または導電性充填剤が、その中に分散されてもよい。更に液体は、組成物の可 塑剤、■溶剤、粘着付与剤等として作用することができる。組成物は好まし７く は弾性であり、実質的に非親水性である。

導電性組成物とは、特に高電圧（即ち、ＩＫν以上）下において内側または外側 で生じる磁場または電場の影響を制御するために機能するように電気的デバイス に配置される組成物を意味する。イオン化し得る空隙のまわりに等電圧ポテンシ ャル場を形成するファラデーのケージ効果により、イオン化し得る空隙の影響を 排除するために導電性ポリマーが配置されてもよい。イオン化し得る空隙は、高 電圧導体付近のあらゆる空間であり、そこでは、存在するガスおよびそれらに作 用する電気的ストレスの故にイオン化が起こり得る。導電性ゲロイド組成物は、 ５０）ｔｚにおいて１０７オーム・ｃｍ以下の体積抵抗率、および約３０＝３５ ０（ｌＯ−１，！！りの円錐貫入度を有する。組成物は、それ自身これらの特性 を有Ｉ７てもよく、あるいは所定の値を達成；４″るために、適当な導電性充填 剤が加えられてもよい。適当な導電性充填剤には、カーボンブラック、処理済ま たは未処理のグラフアイト、金属の粉末およびフレーク等が包含される。

本発明のストレス勾配緩和組成物とは、特に高電圧（即ち、ＩＫｖ以上）下にお いてケーブルの導体または半導体剥離におけるイオン化し得る空隙を排除し、か つ、ストレス勾配緩和組成物の上に配置された絶縁材料の内表面において、均一 な電気的ストレスを供給するように機能するように電気的デバイスに配置される 組成物を意味する。高電圧ケーブルのコネクターおよび半導電性カットバックの 周りの領域は、空隙がスプライスの破壊をもたらすような高い電気的ストレス下 で作用する。ストレス勾配緩和組成物は、導体と接地遮蔽との間の均一な電圧降 下を形成するだめにも使用されてもよい。ケロイド組成物が所定の値（即ち、５ ０Ｈｚにおいて１０７〜１０”オーム・ｃｍの比インピーダンスを有する。）を 達成するために、ケロイド組成物にストレス勾配緩和充填剤を加えてもよい。適 当なス）・レス勾配緩和充填剤には、カーボンブラック、処理済または未処理の グラファ・イト、金属酸化物、シリコンカルバイトおよびバリウムチタネートが 包含される。

本発明のケロイド組成物の好ましい貯蔵モジュラスは、（１＋２．５ｖ＋　１４ ．４ｖつＸ　ダイン／ｃｍ’［式中、Ｘは歪ｌＯ％、５ラジアン／秒で測定して ３０°Ｃでは５Ｘ１０’以下、９０℃では５Ｘ１０３以上であり、Ｖは充填剤の 体積分率である。ユで示される。式　（１＋２．５ｖ＋　＋　４．１ｖすＸは、 加えた充填剤の影響を表わす当業者に既知の標準式である（例えば、ゲス（Ｇｕ ｔｈ）、　ジャーＪル・オブ・アプライド・フィシ・フクス（Ｊｏｕｒｎａｌ　 ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ）。

■６巻、２０頁、１９４５年参照。）。貯蔵モジュラス（しばしば、Ｇ゛と表さ れる）は、正弦波剪断変形における歪みと同位相のストレスを歪みにより割った 値として定義される。これは、異なったシステムを同じ歪強度で比較する場合、 サイクル当りの貯蔵および回復エネルギーの尺度である。

本発明のケロイド組成物の好ましい動的粘度は、（１＋２．５ｖ−＋−１４，１ ν２）ｙ　ボイズ「式中、ｙは歪１０％、５ラジアン／秒で測定して３０℃では ｌＸＩＯ３以下、９０℃では３Ｘ１０３以」二であり、■は充填剤の体積分率で ある。］で示される。貯蔵モ′）、ラスおよび動的粘度の説明は、フェリー（Ｆ ｅｒｒｙ）の「ポリマーの粘弾性特性（Ｖｉｓｃｏｅｌａｓｔｉｃ　Ｐｒｏｐｅ ｒｔｉｅｓ　ｏｒ　Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）Ｊ４３・−４７頁、１９７０年に見られ る。動的粘度（ＪＳ歪速度と同位相のストレスを歪速度で割った比に関係する。

本発明の好ましいケロイド組成物は、−次または二次ブロッキングを示す。ブロ ッキングとは、上部の試料を持ち土、げた場合に、残りの試料がそれについてく るような度合の試験負荷下における組成物の表面間の接着を言う。−次ブロッキ ングにおいて、試料はいずれの表面にも損傷の形跡がない状態で離され得る。二 次ブロッキングにおいて、試料は損傷を受けることなしに離され得ない。試験は ＡＳＴＭ　Ｄ−１１４６に従って行なう。本発明の組成物についてのブロッキン グは凝集（同一の材料間）または接着（試験物および基材間）であってもよい。

ここで用いる「ケロイド」なる語は、ゼラチン状材料の物理的外観を有ずろが、 必ずしもゲル部分を有する必要はなく、従って、従来のゲルと考えられても、考 えられなくてもよいような本発明に使用される組成物を言う。本発明のケロイド 組成物は、架橋可能ポリマーの百分率基準で０〜１００％のゲル部分を有し得る 。

本発明のケロイド組成物は、ＡＳＴＭ　Ｄ−９３７−７７により測定して、約３ ０〜３５０（１０−’ｘｉ）、好ましくは約５０〜１５０（１０−’＋ｕ）の円 錐貫入度を有する必要がある。更に、該組成物は、ＡＳＴＭ　Ｄ−４１２により 測定して、好ましくは約２５〜７５０％、より好ましくは約１５０〜６００％の 伸びを存する必要がある。

組成物の電気的性質は、ストレス勾配緩和および導電用途において有用である。

ストレス勾配緩和用途において、組成物は、好ましくは誘電率６以」二、および （ＡＳＴＭ　Ｄ−１５０で測定して）５０Ｈｚにおいて１０７〜＋ＱＩＱオーム ・ＣＭの比インピーダンスを存し、導電用途において、組成物は、好ましくは（ ＡＳＴＭ　Ｄ−２５７で測定して）１０７オーム・ｃｍ以下の体積抵抗率を有す る。

本発明によりポリマー中に分散さる液体は、約２０〜９５％の量でポリマー中ｊ こ分散され得、かつ、ポリマーの架橋時に本質的に反応しないどのような液体で もよい。液体は、可塑剤、相溶剤、粘着付与剤であってもよい。適切な液体は、 例えば、パラフィン油、ナフチネート油、芳香部、液状ボリブデン、アルキル（ またはアリール）フタレート、植物油、鉱油、トリメリテート、ポリエチレング リコールのエステル、アルキル（またはアリール）ホスフェート、水素添加ウッ ドロジンのメチルエステル、液状ロジン油、パインタール、ポリテルペン、非反 応性液状ゴム、および非架橋または少なくとも重量平均分子当り０６１個の架橋 結合より小さく架橋した液状ポリマー等を包含する。

ケロイドは、好ましくは架橋されたまたは架橋され得るポリマーから製造されて よい。架橋は、従来の架橋方法のいずれか、好ましくは紫外線法、放射線照射法 または化学的方法により行なわれてよい。放射線照射架橋は電子線等の処理によ って行なうことができる。トリアシルシアヌレートおよびｌ・リアソルイソシア ヌｌ、＝−１−のような放射線照射架橋を促進するような適切な架橋促進剤を加 えることができろ。適切な化学的架橋剤は、個々のポリマーまたは使用−４゛る ポリマーに騒づいて゛選ぶことができる９、例えば、フコ−ノール樹脂−史ｌこ はｐ−ギア７ンジオキシムはゾ千ルゴムを硬化さ１」−ろＺ−め、過酸化物はＥ 　Ｐ　Ｄ　Ｍを硬化、き１ｆるため、ｔ、るいは末端）′ミンボリアミＩ・は」 、ビグ１月ゴヒドリンゴムを硬化ざ什るために用いる。

要、（真１．ば、所望の円錐Ｖ１人度のケロイドを得るのを助（１′るため１、 ：可塑剤を添加１．でよい。その上うＩ、ｊ可塑剤は、基剤ゴムの粘度を減じ、 基剤ゴム１．−相溶性の全ての液体を包１）する。

必要ならば、組成物に充填剤を追加してもよい。本明細書１−おいて［充填剤］ なる語は、組成物中にＴｉ−Ｏ７゛七るｆカ、状物質または繊維状物質を含む・ ？：での固形の添加剤発包含する。これらの付加的な充填剤は、色素、ｈ１１強 剤、熱安定剤、役カビ剤、殺菌剤、難燃剤（（例えば、三水和アルミニウムおよ びハロゲン化難燃剤）、洩れ指示剤（即ち、ある種の化学物質にさらされカニ時 に反応する化学物質）、腐食防止剤、紫外線安定剤、加工助剤および衝撃改良剤 等を包含する。

ケロイド組成物は、好ましくは、ストレス勾配緩和剤、導電性または添加剤、あ るいはいずれかの架橋剤等および液体を含有する所定の充填剤Ｊ６液状ポリマー とを混合し、その混合物を架橋手段下にさらすことにより製造さｔｌろ。一般１ こ、組成物は架橋時の容器の形状をとるが、所望ｊ・二より例えば切断？こより 再成形され得る。使用すべき場所にポリマーおよび相溶性の液体を適用し７そこ で架橋Ａ゛ること１、−より、その場で組成物を製造４゛るごとも可能である。

例えば、アメリカ合衆国出願（代理人記号ＭＰ　０９６７−’ＵＳ　２）のもの を参照されカーい。更にケロイドを製造する方法と（７て、架橋されたま）−は 非架橋の固体ポリマ・−から出発１２、必要な部分に導電性、またはストｌ−・ ス勾配援和充填剤を加メ乙当業者に既知の方法を用いて、充填させたポリマーゲ ロ、イドを製造する方法がある。

ストレス勾配緩和用および等電性ゲ〔Ｉイド組成物は、裏材料（通常はポリマー である。）があるまたは無い冷適用テープ２こ成形され、成形ゴムと共に使用さ れ、寸法的回復性管状およびシード状製品に取付けられ、裏材料〆バあるＪ：た は無い熱適用テープと共に使用される。隣接する一対の導体またはケーブルに適 合するように成形された形状のような成形物品に成形できる。成形物品は、スト レス勾配緩和および導電性特性に加えてソールが必要な箇所に特に有用である。

従って、ケロイドの特定の用途および所望の性質に基づいて、特定のケロイドを 選択できる。例えば、スプライスま１こは成端において使用する場合、取扱いが 容易で、かつ、再挿入可能であることはケロイドの好ましい性質である。ケロイ ドは、Ｍ４オ料、成形ゴムのような支持体に適用される、あるいは容器内にある 場合、いずれかの便利な方法により支持体に接着されてもよい。例えば、ケロイ ドは、それ自身の粘着性の故に固着し、熱処理され、その場で成形されてよく、 あるいはマスチックおよび接着剤が、接着を補強し、永久化させるために使用さ れてよい。電気的デバイスにケロイドを適用する他の方法は、当業者により成［ ２遂げられるようなハンダ、ワイヤボンドまたはクリンプの内的および外的使用 の両方を包含する。

明らかなように、本発明の組成物は、ストレス勾配緩和的および導電的電気的用 途、特に高電圧下の用途の種々の状況において使用される能力が非常にすぐれて いる。上記はそのような用途の例であり、それらに限定されるものではない。当 業者は、本発明が意図している別の用途を考え得る。本発明を更に詳細に説明す るため？、二、ストレス勾配緩和または導電性ケロイド組成物としてのケロイド 組成物のいくつかの用途を以下に説明する。

本発明のケロイド組成物が導電性またはストレス勾配緩和性である場合、例えば 高電圧下の用途において、ケロイド組成物は使用され得る。

高電圧（即ち、ＩＫｖ以上）ケーブルを接続する場合、絶縁、遮蔽、接地、ジャ ケット等は、導体を露出させるために剥離されねばならない。次に、露出した導 体はコネクター、ハンダ、ワイヤー等のような機械的手段により接続される。露 出した接続部分は高い電気的ストレス下にある。

５０Ｈ２のおいて１０７〜１ＱＩｏオーム・ｃｙｌの比インピーダンスを存する 本発明のケロイド組成物は、ストレス勾配緩和材料としてイオン化し得る空隙を 排除するために、これらの部分に適用され得る。剥離遮蔽または他の導電Ｒの末 端およびストレス勾配緩和か必要な接続のいずれかの他の領域における接続部に 直接隣接して、本発明のケロイド材料は配置される。絶縁材料である組成物は、 ストレス勾配緩和内層上に配置され得る。同様に、１０７オーム・ａ以下の体積 抵抗率を有するような導電性ケロイド組成物は、絶縁層上に配置された高電圧接 続部の外側の導電層であってよい。同様に、高電圧ケーブルを成端する場合、ゲ ロイドネ■成物のストレス勾配緩和内層が使用され得る。

以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

当業名は、過度の実験を行なイつずに、特定の適用のために、適当な架橋剤、架 橋促進剤、ポリマー、液体、放射線照射量等を容易に選択することかできる。

Ｆ好ましい聾様の説明］ 実施例１ 化了昨架町〜ビクロロ頃月Ｌ■、７．　）　Ｉ、ネ包間裸兜グ旦ヱ上二１（イ） 判）次の配合物を混合し、１００℃で６０分間硬化させ、ケロイドを製造しｊこ 。

ヒドリン（Ｔ−Ｉｙｄｒｉｎ）　１０　Ｘ　１（液状エビクロロヒドリンゴム） 　１００メダイマー酸ジイソシアネ−１・　架橋剤　４６ｇジオクチルフタレー ト　可塑剤　１００１ｉ１ｒ−＋２　スズ触媒　ｌｏｇ クブ：Ｊ（Ｄａｂｃｏ）３３　ＬＶ（三級アミン、助触媒）２ｇアンヂオキシグ ン）　（Ａｎｔｉｏｘｉｄａｎｔ）　２２４６置換フエノール型酸化防止剤　０ ８！／生成ゲロイドは、５０Ｈｚにおいて比インピーダンス１．８Ｘ１０８．５ ０Ｉ（ｚにおいて誘電率７４７、円錐貫入度５Ｉを仔ｊ２だ。

実施例２ ストレス勾配緩和ポリアミド架橋ヒドリンゲルヒドリン　ｌ０ＸＩ（液状エビク ロロヒドリンゴム）　１００９パーザミド（Ｖｅｒｓａｍｉｄ）　１２５　（ポ リアミド樹脂）　１５ｇレクｌ＝口（Ｔ、ｅｃｔｒｏ）７８　（鉛安定剤）　５ ｇジウンデシルフタレート（可塑剤）　３０９赤色酸化鉄　３．２９ 組成物を９０℃で４時間硬化させ、ゲルを製造した。生成ゲルは、５０Ｈｚにお いて比インピーダンス１゜５ｘｌＯｓオーム・Ｃ肩、５０Ｈｚにおいて誘電率１ ｇ、９０、円錐貫入度１５０を有した。

実施例３ ストレス勾配緩和ブチルゲル カレン（Ｋａｌｅｎｅ）２００　（液状ブチルゴム）　１００ｇカイドール（Ｋ 　ａｙｄｏｉ）浦（鉱油）　９５２ｐ−キノンジオキツム分散液（６２，５％） 　４．８９二酸化鉛分故液（５０％）　１８９ Ｎ９９０カーボンブラツク （ザーマックス（Ｔｈｅｒｍａｘ）ＭＴ）　６９．４ｇ５３７カーボンブラツク （パルカン（Ｖｕｌｃａｎ）Ｐ）　１４　、７９１００℃で３０分間架橋させ、 円錐貫入度８１．比インピーダンス９゜５ＸＩＯ１１，誘電率３２，６を有する ゲルを得た。

実施例４ 導電性ブチルゲル カレン２００（液状ブチルゴム）　＋００９ｐ−キノンジオキツム分散液（６２ ，５％）　Ｎ（Ｅｊ￥ｌＪ　４．８ｇ二酸化鉛分散液（５０％）硬化活性剤　１ ８９ケツチエン（Ｋｅｔｊｅｎ）カーボンブラック（導電性カーボンブランク） 　２０ｇ 上記の配合物ｌＯＯ℃で３０分間架橋し、円錐貫入度４２、体積抵抗率２．４　 ｘ　１０’オーム・Ｃ２のゲルを得た。

実施例５ 高分子奄ブチルゲロイド 下記の配合物を混合し、９０℃で３時間硬化させ、ケロイド材料を製造した。

高分子量ブチルゴム　２０゜ インドボール（Ｉ　ｎｄｏｐｏｌ）Ｈ３００（１状ポリブテン）　８０ｇＷ−１ 導電性充填剤 （アンチモンおよびスズ酸化物被覆二酸化チタン’）　１００９内位添加（ｉｎ ｔｅｒｃａｌａｔｅｄ）グラ７フイト（塩化銅処理のグラファイト）　２０９Ｑ ＤＯ分散液　（硬化剤）　ｌ　６９ ケンミ・・！クス（Ｋｅｎｍｉに）（過酸化鉛分散液）　７．６９体積抵抗率　 １．２ＸＩ０８オーム・０ｗｌ率（５０Ｉ（ｚ）　１８ 比インピーダンス（５０１−（ｚ）　１．９９ｘｌＯ’円錐ｖ１人度　１０１ 実施例６ ブ〔ｙ・ツク：１ポリマーゲロイド 下記の配合物を混ａ・１２．１５０　℃で３０分間硬化さ（４ｊ□だ。

クラトン（Ｋｒａｔｏｎ）Ｇ　１６５２（ＳＥＢＳブロックコポリマー）　！０ ０９−１Ｉ′〉バ　（Ｓｕｎｐａｒ）２２８０　（可塑剤）　８００．／ケ・・ ノヂＪンブラック　（導電性カー水浴ノブラック）　８０２ノ／１ミルバーオキ ザイド　（硬化剤）（′、）・カップ（Ｄｉ　Ｃｕｐ）４０ＫＥ）　４９イルガ ノツクス（Ｉｒｇａｎｏｘ）Ｉ　Ｏ１０２ｇ体積抵抗率　１．３６ｘ４０ｅオー ム・０次誘電率（５０Ｈｚ）　６２６７・Ｉ 比インピーダンス（５０Ｈｚ）　５，０ＸＩＯ１１円錐貫入度　４６ 実施例７ ノリコンストレス勾配緩和ケロイ゛ド Ｆ記の配合物を混合し、８メガラドで電子線照射した。

ダウ・コーニング（Ｄｏｗ　Ｃｏｒｎｉｎｇ）　２００　フルイド（Ｆｌｕｉｄ ）！２．５００ｅｔ、粘度（ノリコン流体）　１００ｇＶ、／−１導電性充填剤 （アン・ｆ、Ｅンおよびスズ酸化物被覆二酸化−Ｖ′々ン）　＋７５ｙ体積抵抗 率　３．２３ＸＩ０９オーム・ｃｍ誘電率（５０ｉ−ｆｚ）　１８．５ 比インピーダンス（５０Ｈｚ）　！、９４ｘｌ　Ｏｇ円錐貫入度　１４６ 実施例８ シリコン導電慴ニゲ〔ｙ　ｉ′ト ー上記の配合物を混合し、８メガラドで電子線照射した。

ダウ・コーニング・フルイド １２．５０ｎｅｔ、粘度（シリコン流体）　＋００９内位添加グラファイト　（ 塩化銅処理のグラファイト）　３０ｇ休債抵抗率　３．８４ｘｌＯＬ１ 円錐１′１人度　＋３４ 国際調査報告

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. １．電気的デバイスにおいて、磁場または電場、あるいはイオン化し得る空隙の 影響を制御する方法であって、ａ）液体およびポリマーの重量基準で約２０〜９ ５重量％の量の液体を分散して含有し、３０〜約３５０（１０−１ｍｍ）の円錐 貫入度を有し、かつ、１０７オーム・ｃｍ以下の体積抵抗率を有するポリマーを 含有する導電性ゲロイド組成物を選択し、 ｂ）磁場または電場、あるいはイオン化し得る空隙の影響を制御する部分におい て、電気的デバイスにゲロイド組成物を適用することから成る方法。
2. ２．選択されたゲロイド組成物を含有するポリマーが、架橋される請求の範囲第 １項記載の方法。
3. ３．選択されたゲロイド組成物が、更に約３０％を越えない導電性充填剤を含有 する請求の範囲第１項記載の方法。
4. ４．選択されたゲロイド組成物が、一次または二次ブロッキングを示す請求の範 囲第１項記載の方法。
5. ５．選択されたゲロイド組成物が、約５０〜１５０（１０−１ｍｍ）の円錐貫入 度を有する請求の範囲第１項記載の方法。
6. ６．ゲロイド組成物が、約２５〜７５０％の伸びを有する請求の範囲第１項記載 の方法。
7. ７．ゲロイド組成物が、約１５０〜６００％の伸びを有する請求の範囲第６項記 載の方法。
8. ８．外層によりゲロイド組成物を被覆する工程を更に加える伸びを、ゲロイド組 成物が有する請求の範囲第６項記載の方法。
9. ９．電気的デバイスにおけるイオン化し得る空隙を充填し、あるいは導体と接地 遮蔽との間の均一な電圧降下を提供する方法であって、ａ）液体およびポリマー の重量基準で約２０〜９５重量％の量の液体を分散して含有し、３０〜約３５０ （１０−１ｍｍ）の円錐貫入度を有し、かっ、５０Ｈｚにおいて１０７〜１０１ ０オーム・ｃｍの比インピーダンスを有するポリマーを含有するストレス勾配緩 和ゲロイドを選択し、ｂ）イオン化され得る空隙が充填されるべき、あるいは均 一な電圧降下が供給されるべき部分において、電気的デバイスにゲロイド組成物 を適用することから成る方法。
10. １０．選択されたゲロイド組成物を含有するポリマーが架橋される請求の範囲第 ９項記載の方法。
11. １１．選択されたゲロイド組成物が、ストレス勾配緩和充填剤を含有する請求の 範囲第９項記載の方法。
12. １２．選択されたゲロイド組成物が、一次または二次ブロッキングを示す請求の 範囲第９項記載の方法。
13. １３．ゲロイド組成物が、約５０〜１５０（１０−１ｍｍ）の円錐貫入度を有す る請求の範囲第９項記載の方法。
14. １４．ゲロイド組成物が、約２５〜７５０％の伸びを有する請求の範囲第９項記 載の方法。
15. １５．ゲロイド組成物が、約１５０〜６００％の伸びを有する請求の範囲第９項 記載の方法。
16. １６．外層によりゲロイド組成物を被覆する工程を更に加える請求の範囲第９項 記載の方法。