JPS6246963A - シリコンカ−バイド焼結体の製造方法 - Google Patents
シリコンカ−バイド焼結体の製造方法Info
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- JPS6246963A JPS6246963A JP60186593A JP18659385A JPS6246963A JP S6246963 A JPS6246963 A JP S6246963A JP 60186593 A JP60186593 A JP 60186593A JP 18659385 A JP18659385 A JP 18659385A JP S6246963 A JPS6246963 A JP S6246963A
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- carbide sintered
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ポリシラスチレン類又はそれと５ｉｎ（シリ
′フンカーバイド）粉末とを用いてシリコンカーバイド
焼結体を製造する方法に関するものである。
′フンカーバイド）粉末とを用いてシリコンカーバイド
焼結体を製造する方法に関するものである。
シリコンカーバイド焼結体の製造は、従来。
有機珪素化合物を結合剤（焼結助剤）と−ｔろ方法、ホ
ウ素と炭素粉末を給加する方法、酸化マグネシウム、酸
化インドニウム、アルミナ等の酸化物を用いろ方法等が
提案さｔｌている。
ウ素と炭素粉末を給加する方法、酸化マグネシウム、酸
化インドニウム、アルミナ等の酸化物を用いろ方法等が
提案さｔｌている。
有機珪素化合物を結合剤とする方法と１〜ては、Ｓｉ
−Ｃ、５ｉ−８ｉ ＋ ５ｔ−ＯＲ結合等を有する有機
珪素化合物やポリカルボシランを絵加”する方法（％開
昭５２−１０３４０７号）、ポリシラスチレンを使用し
て焼結体を製造−ｆろ方法（ｖｆ開昭５８−２）５４２
ｆｉｑ）が、＆７）−しかし。
−Ｃ、５ｉ−８ｉ ＋ ５ｔ−ＯＲ結合等を有する有機
珪素化合物やポリカルボシランを絵加”する方法（％開
昭５２−１０３４０７号）、ポリシラスチレンを使用し
て焼結体を製造−ｆろ方法（ｖｆ開昭５８−２）５４２
ｆｉｑ）が、＆７）−しかし。
前記１機珪素化合物は、その単１政体のみから直接焼結
体を得ることは不可能であり、また、これらの有機珪素
化合物のみを結合剤とする場合、焼結体の強度発現が不
十分であるという問題が存する。
体を得ることは不可能であり、また、これらの有機珪素
化合物のみを結合剤とする場合、焼結体の強度発現が不
十分であるという問題が存する。
−１−なわち、従来の有機珪素化合物を使用する焼結体
の製法では、成形体をつくるのは比較的容易であるが、
成形体の加熱不融化工程において成形体が溶融変形しや
すく、底形時の形態を保持した状態で不融化するために
は。
の製法では、成形体をつくるのは比較的容易であるが、
成形体の加熱不融化工程において成形体が溶融変形しや
すく、底形時の形態を保持した状態で不融化するために
は。
低温（５０〜４５０℃）で長時間（２０〜５００時間）
の処理を必要とした。また、ポリカルボシランやポリシ
ラスチレン類は、それ単独で成形した成形体上焼成して
シリコンカーバイド焼結体を製造することは極めて困難
である。そのため、ポリカルボシランやポリシラスチレ
ンを使用する方法においては、これらの化合物を結合剤
として用いＳｉＣ粉末と混合して成形した成形体を加熱
処理して不融化・焼結する方法がとられる。しかし、こ
の方法においても、ポリカルボシランやポリシラスチレ
ンの不融化反応が遅く、昇温速度を速くすると成形体が
一部溶融して変形したり、気泡が多く発生したりして、
製造されるシリコンカーバイド焼結体の性能が十分く発
現し得ないという問題があろう 〔発明の目的〕 本発明の目的は、従来のシリコンカーバイド焼結体の製
造にみられる上述の如き諸問題を解決し、有機珪素ポリ
マーを使用、して高強度シリコンカーバイド焼結体を安
働に製造する方法を提供することＫある。
の処理を必要とした。また、ポリカルボシランやポリシ
ラスチレン類は、それ単独で成形した成形体上焼成して
シリコンカーバイド焼結体を製造することは極めて困難
である。そのため、ポリカルボシランやポリシラスチレ
ンを使用する方法においては、これらの化合物を結合剤
として用いＳｉＣ粉末と混合して成形した成形体を加熱
処理して不融化・焼結する方法がとられる。しかし、こ
の方法においても、ポリカルボシランやポリシラスチレ
ンの不融化反応が遅く、昇温速度を速くすると成形体が
一部溶融して変形したり、気泡が多く発生したりして、
製造されるシリコンカーバイド焼結体の性能が十分く発
現し得ないという問題があろう 〔発明の目的〕 本発明の目的は、従来のシリコンカーバイド焼結体の製
造にみられる上述の如き諸問題を解決し、有機珪素ポリ
マーを使用、して高強度シリコンカーバイド焼結体を安
働に製造する方法を提供することＫある。
上述の目的は、ポリシラスチレン類を熱処理または／お
よび紫外線照射処理してポリカルボシラスチレン共重合
体類となし、このポリカルボシラスチレン共重合体単独
で又はこれとＳＩＣ粉末とを混合して成形し、得られた
成形体を熱処理して架倫不融化した後、加熱焼成するこ
とによって、高強度シリコンカーバイド焼結体を製造す
ることからなる本発明の方法により：ａａされる。。
よび紫外線照射処理してポリカルボシラスチレン共重合
体類となし、このポリカルボシラスチレン共重合体単独
で又はこれとＳＩＣ粉末とを混合して成形し、得られた
成形体を熱処理して架倫不融化した後、加熱焼成するこ
とによって、高強度シリコンカーバイド焼結体を製造す
ることからなる本発明の方法により：ａａされる。。
本発明の方法にお（・て、原料として使用されるポリシ
ラスチレン類はジクロロメチルシランとジクロロメチル
フェニルシランとをトルエン、キシレンの如き不活性溶
媒中でナトリ９ム金概触媒を用（・、その融点以上で反
応させることＫより容易に合成することができろ。
ラスチレン類はジクロロメチルシランとジクロロメチル
フェニルシランとをトルエン、キシレンの如き不活性溶
媒中でナトリ９ム金概触媒を用（・、その融点以上で反
応させることＫより容易に合成することができろ。
か〜るｄ−リシラスチレン類の織成は１次式％式％
で示される高分子化合物において、ｘ１７）値が０．３
〜０．７の範囲、好ましくは０．４５〜０．５５の範囲
、のものであるが、通常はＸ＝０．５付近の組成のもの
が使用される。
〜０．７の範囲、好ましくは０．４５〜０．５５の範囲
、のものであるが、通常はＸ＝０．５付近の組成のもの
が使用される。
本発明の方法では、まず、上記ポリシラスチレン類に、
熱処理を施すか又は紫外線照射処理を施すことにより、
ポリカルボシラスチレン共重合体類に転換する。
熱処理を施すか又は紫外線照射処理を施すことにより、
ポリカルボシラスチレン共重合体類に転換する。
本発明方法におけろポリシラスチレン類の熱処理は、３
００〜５００℃の温度範囲、好ましくは３５０〜４５０
℃の温度範囲で行われる。熱処理時′間は５分〜１０時
間の範囲内で熱処理温度に応じて適宜選択されろ。
００〜５００℃の温度範囲、好ましくは３５０〜４５０
℃の温度範囲で行われる。熱処理時′間は５分〜１０時
間の範囲内で熱処理温度に応じて適宜選択されろ。
例えば、３００℃の温度で処理する場合は。
５〜１０時間必要とする。それより低い温度では更に長
時間必要とするので経済的でない。
時間必要とするので経済的でない。
また、５００℃の温度では、５分間以上処理すると生成
する共重合体の軟化点が高くなり。
する共重合体の軟化点が高くなり。
成形温度も３００℃以上となって成形物中に不溶融物が
生成し、成形が困難になることがある。従って、１ｆｌ
Ｉ処理の温度及゛び時間は、およそ５００℃では３〜５
分、４５０℃では８〜１５分程度で十分である。
生成し、成形が困難になることがある。従って、１ｆｌ
Ｉ処理の温度及゛び時間は、およそ５００℃では３〜５
分、４５０℃では８〜１５分程度で十分である。
また１％？外線照射による処理にお（゛ては。
例えば出力５〜５００Ｗ／αの紫外線ランプを用いて２
０〜２００℃の温度で照射するのが好ましい。
０〜２００℃の温度で照射するのが好ましい。
この場合も照射処理があまり弱すぎると、七の効果がな
く、あまり強すぎると不溶融物の生成がみられろ。従っ
て、出力５Ｗ／αのランプを用いる場合は５〜】０時間
、】００〜５００Ｗ／ｍのランプを用いる場合は、数秒
〜数分間照射処理するのが好ましい。
く、あまり強すぎると不溶融物の生成がみられろ。従っ
て、出力５Ｗ／αのランプを用いる場合は５〜】０時間
、】００〜５００Ｗ／ｍのランプを用いる場合は、数秒
〜数分間照射処理するのが好ましい。
本発明方法において成形に供せられる「ポリカルボシラ
スチレン共重合体類」とは、前記ポリシラスチレンを熱
処理するか又は紫外線照射処理することＫよって得られ
た溶融成形に適した有機珪素ポリマーのことである。
スチレン共重合体類」とは、前記ポリシラスチレンを熱
処理するか又は紫外線照射処理することＫよって得られ
た溶融成形に適した有機珪素ポリマーのことである。
本発明方法に従ってポリシラスチレン類を熱処理又は紫
外線照射処理すると、低沸物として一部ベンゼンが生成
し、同時にメチル基の転位によるカルボシラン（−８ｉ
−ＣＨ，−）結合が生成されると共に、一部架橋化に
より高分子量化され、軟化点が上昇し、成形温匿も上昇
する。
外線照射処理すると、低沸物として一部ベンゼンが生成
し、同時にメチル基の転位によるカルボシラン（−８ｉ
−ＣＨ，−）結合が生成されると共に、一部架橋化に
より高分子量化され、軟化点が上昇し、成形温匿も上昇
する。
本発明でいうポリカルボシラスチレン共重合体類は、こ
れらカルボシラン結合、シラスチレン結合、架橋した結
合を１するものからなる有機珪素ポリマーである。上記
ポリカルボシラスチレンｔＪ４には赤外吸収スペクトル
分析により、フェニル基−８ｉ−結合に基づく吸収、
−８ｉ −８ｉ−１’ｃｉづく吸収、ｓｔ−ｃｍ合に基
づく吸収の存在が確認された。
れらカルボシラン結合、シラスチレン結合、架橋した結
合を１するものからなる有機珪素ポリマーである。上記
ポリカルボシラスチレンｔＪ４には赤外吸収スペクトル
分析により、フェニル基−８ｉ−結合に基づく吸収、
−８ｉ −８ｉ−１’ｃｉづく吸収、ｓｔ−ｃｍ合に基
づく吸収の存在が確認された。
このカルポシラスチレ／共重合体は、これを例えば溶融
紡糸して繊維化し、これを紫外線照射しても、収縮が小
さくまた繊維間の融着も殆んどなく、更にテトラヒドロ
フランやトルエンＫＩＮ！潰しても溶解することもなく
。
紡糸して繊維化し、これを紫外線照射しても、収縮が小
さくまた繊維間の融着も殆んどなく、更にテトラヒドロ
フランやトルエンＫＩＮ！潰しても溶解することもなく
。
繊維の形状を完全に保持している。しかるにポリシラス
チレンとポリカルボシランとを等量ずつ混合して溶融紡
糸した繊維は、室温で紫外線照射しても収縮が小さくｕ
ｔ繊維間融着も少ないが、紫外線照射の効果が殆んどな
く、これをテトラヒドロフランやトルエンに浸漬すると
溶解して繊維の形状を完全に失ってしまう。
チレンとポリカルボシランとを等量ずつ混合して溶融紡
糸した繊維は、室温で紫外線照射しても収縮が小さくｕ
ｔ繊維間融着も少ないが、紫外線照射の効果が殆んどな
く、これをテトラヒドロフランやトルエンに浸漬すると
溶解して繊維の形状を完全に失ってしまう。
従って、本発明方法において成形に供せられるポリカル
ボシラスチレン共重合体類は樽なるポリシラスチレンと
ポリカルボシランとの混合物ではなく、同一分子中にカ
ルボシラン結合（ＳＩ ｃＨｔ ）とポリシラン結
合（−８ｉ−Ｓ ｉ −） を有する共重合体である
。このことは、赤外線吸収スペクトル分析により−Ｓ
ｉ −Ｓ ｉ −８合に基因スル吸収ト、−８１−ｃＨ
ｔ−結合に基因する吸収とが夫々存在することが確認さ
れたことによっても明らかである。
ボシラスチレン共重合体類は樽なるポリシラスチレンと
ポリカルボシランとの混合物ではなく、同一分子中にカ
ルボシラン結合（ＳＩ ｃＨｔ ）とポリシラン結
合（−８ｉ−Ｓ ｉ −） を有する共重合体である
。このことは、赤外線吸収スペクトル分析により−Ｓ
ｉ −Ｓ ｉ −８合に基因スル吸収ト、−８１−ｃＨ
ｔ−結合に基因する吸収とが夫々存在することが確認さ
れたことによっても明らかである。
本発明方法では、上述のポリカルボシラスチレン共重合
体類をそれ単独で成形した後。
体類をそれ単独で成形した後。
その成形体を高温で熱処理し焼結することによって、所
望の形状をしたシリコンカーバイド焼結体を製造するこ
ともできろし、また、このポリカルボシラスチレン共重
合体類を結合剤としてＳｉＣ粉末と混合し成形した後、
その成形体を高温で熱処理し焼結することによって所望
形状のシリコンカーバイド焼結体とすることもできる。
望の形状をしたシリコンカーバイド焼結体を製造するこ
ともできろし、また、このポリカルボシラスチレン共重
合体類を結合剤としてＳｉＣ粉末と混合し成形した後、
その成形体を高温で熱処理し焼結することによって所望
形状のシリコンカーバイド焼結体とすることもできる。
この場合、 ６ｉＪ記ポリ力ルボシラスチレン共重合体
からなる結合剤の他に、 ＭｇＯ＋ Ａ／、Ｏ，。
からなる結合剤の他に、 ＭｇＯ＋ Ａ／、Ｏ，。
ＳｉＯ，＋ Ｔｉｅ、 ＺｎＯ＋ ＰｂＯ＊ Ｂ、Ｏ，
等の金ｆ４ ｒｔ２化４３あるいはＢ ＋ Ｓｉｔ Ｐ
ｂ＋ Ｚｎ 等の金！１ＡｉＡ粉末を少量混合して成
形、焼成喋ることもできる。
等の金ｆ４ ｒｔ２化４３あるいはＢ ＋ Ｓｉｔ Ｐ
ｂ＋ Ｚｎ 等の金！１ＡｉＡ粉末を少量混合して成
形、焼成喋ることもできる。
また、ポリビニルアルフール、ポリエチレンオキサイド
、ポリプロピレンオキサイド、ポリエチレングリコール
等の高温焼成によって分解焼Ｍ−ｆるような有機高分子
化合物を冷加して成形性を向上させ、これを成形し′〔
焼成するようＫしてもよい。
、ポリプロピレンオキサイド、ポリエチレングリコール
等の高温焼成によって分解焼Ｍ−ｆるような有機高分子
化合物を冷加して成形性を向上させ、これを成形し′〔
焼成するようＫしてもよい。
ポリカルボシラスチレン共重合体類と。
ＳｉＣ粉末及びその他の上記金＾酸化物を混合するには
、それぞれの１末をプレンクー″Ｔ：混合することもで
き、又ポリカルボシラスチレン共重合体類を有機溶媒中
に溶解分散させた溶液中Ｋ ＳｉＣ粉末を有機バインタ
と共に投入し、ボールミル中で微粉化混合したのち成形
（ミ供することもできる。かかる混合分散の方法は通常
の公知の方法をすべて適用して実施することができる。
、それぞれの１末をプレンクー″Ｔ：混合することもで
き、又ポリカルボシラスチレン共重合体類を有機溶媒中
に溶解分散させた溶液中Ｋ ＳｉＣ粉末を有機バインタ
と共に投入し、ボールミル中で微粉化混合したのち成形
（ミ供することもできる。かかる混合分散の方法は通常
の公知の方法をすべて適用して実施することができる。
本発明方法で成形を行うには、ポリカルボシラスチレン
共重合体類単独の場合においては、射出成形を押出成形
により、またＳｉＣ粉末を混合したものＫついては、圧
縮成形、加圧成形等により成形体く成形することができ
る。６右記成形体は、熱処理して架橋不融化し圧下ある
いは窒素ガスの如き不活性雰囲気中５０〜３５０、好ま
しくは１００〜３５０℃の温度で１〜５時間処理するこ
とにより行われる。
共重合体類単独の場合においては、射出成形を押出成形
により、またＳｉＣ粉末を混合したものＫついては、圧
縮成形、加圧成形等により成形体く成形することができ
る。６右記成形体は、熱処理して架橋不融化し圧下ある
いは窒素ガスの如き不活性雰囲気中５０〜３５０、好ま
しくは１００〜３５０℃の温度で１〜５時間処理するこ
とにより行われる。
この加熱処理は、最初から急檄に３５０℃以上で行うと
成形体の形状が変形したり収縮が生じたりするので、３
５０℃以下の温度で処理することが好ましい。また５０
℃以下の温度での処理は、不融化に要する時間が長（な
るので、好ましくは１００℃以上の温度で処理される。
成形体の形状が変形したり収縮が生じたりするので、３
５０℃以下の温度で処理することが好ましい。また５０
℃以下の温度での処理は、不融化に要する時間が長（な
るので、好ましくは１００℃以上の温度で処理される。
このように不融化処理した成形体は、次いで８００〜２
２００℃の温度、好ましくは１０００〜２０００℃の温
度で減圧下（０，２止Ｈ９以下）又はヘリウム、アルゴ
ン、窒素ガス等の不活性ガスもしくは水素ガスの雰囲気
中で焼成され高強度のシリコンカーバイド焼結体となる
。
２００℃の温度、好ましくは１０００〜２０００℃の温
度で減圧下（０，２止Ｈ９以下）又はヘリウム、アルゴ
ン、窒素ガス等の不活性ガスもしくは水素ガスの雰囲気
中で焼成され高強度のシリコンカーバイド焼結体となる
。
上述の如き本発明方法によれば。
（ｆｉ＞ 従来不可能とされていた有機硅素ポリマー
のみを用いてシリコンカーバイド焼結体を製造すること
が可能となる。
のみを用いてシリコンカーバイド焼結体を製造すること
が可能となる。
（ｂ） 従来のシリコンカーバイド焼結体のシ遣方法
に比べて、焼結時間が短縮され、生産性が向上する。
に比べて、焼結時間が短縮され、生産性が向上する。
（ｃ） 更に架橋不融化あるいは焼成工程におけろ成
形品の変形が小さく１発泡がなく、また、成形品に亀裂
が発生しないため、高強度のシリコンカーバイド焼結体
を製造することができる。
形品の変形が小さく１発泡がなく、また、成形品に亀裂
が発生しないため、高強度のシリコンカーバイド焼結体
を製造することができる。
等の多（の利点があり、本発明方法は工業的にきわめて
有用である。
有用である。
次に１本発明の実施例及び比較例を詳述するが、本発明
はこれらによって限定されるものではない。
はこれらによって限定されるものではない。
実施例１
ジクロロメチルシランとジクロロメチルフェニルシラン
ノ等モルを使用し、トルエン＃ｆＪｉ中Ｎａ分散触媒を
用いて１１０℃で１合反応によって得られたポリシラス
チレン（軟化点８６〜９４℃）を４５０℃で１０分間減
圧下で熱処理して軟化点１７０〜１８０℃のポリカルボ
シラスチレン共重合体を得た。
ノ等モルを使用し、トルエン＃ｆＪｉ中Ｎａ分散触媒を
用いて１１０℃で１合反応によって得られたポリシラス
チレン（軟化点８６〜９４℃）を４５０℃で１０分間減
圧下で熱処理して軟化点１７０〜１８０℃のポリカルボ
シラスチレン共重合体を得た。
このポリカルボシラスチレン共重合体をｆ６ しし、２
２０℃で射出成形し、ダンペル型小片の成形物とした。
２０℃で射出成形し、ダンペル型小片の成形物とした。
この成形物を窒気中で１０θ〜３０Ｕ’ＣのΩ度ｇ！、
四内で序々に昇温しながら合計３時間熱処理して架橋不
融化したのち、覆素ガス雰囲気中で３００℃から１２０
０℃まで６００℃／ｈｒの昇温速度で昇温坑底し、さら
Ｖｃ１２００℃で１時間焼成をｖｃゆた。・ 焼成後のダレベル型小片は、シリコンカーバイド焼結体
に転換されており、圧ｊＩａ強度は４８５０＃Ｃｇ／ｃ
ｄであった。また、核小片には全く気泡を含まず、亀裂
も全（認められなかった。
四内で序々に昇温しながら合計３時間熱処理して架橋不
融化したのち、覆素ガス雰囲気中で３００℃から１２０
０℃まで６００℃／ｈｒの昇温速度で昇温坑底し、さら
Ｖｃ１２００℃で１時間焼成をｖｃゆた。・ 焼成後のダレベル型小片は、シリコンカーバイド焼結体
に転換されており、圧ｊＩａ強度は４８５０＃Ｃｇ／ｃ
ｄであった。また、核小片には全く気泡を含まず、亀裂
も全（認められなかった。
実施例２
ジメチルジクロロシラン０．４５当社に対しジクロロメ
チルフェニルシランｏ、５ｓ当ｉを用いてトルエン溶媒
中Ｎａ分数触媒の存在下で得られた軟化点７８〜８４℃
のポリシラスチレンを。
チルフェニルシランｏ、５ｓ当ｉを用いてトルエン溶媒
中Ｎａ分数触媒の存在下で得られた軟化点７８〜８４℃
のポリシラスチレンを。
３０℃σ）温度で減圧下に２時市紮外綜照射処理した。
この処理によって得られｔこ軟化点１６０〜１７０℃の
ポリカルボスチレン共重合体（４）をトルエン中に俗解
分散させ、これを市販のシリコンノノーバイド（Ｂ）の
微粉末とＡ／Ｂの割合が１／９となるように混合し、浴
媒を蒸発除去したのち金型に入れ圧福成型した。成形体
を空気中で１υＯ〜３５０℃の県度範囲内で序々に昇温
しながら合計４時間熱処理して架橋不ナム化せしめた後
、これを象素ガク、雰囲気中で２００℃から６００ ’
Ｃまでを４００℃／ｈｒの昇温速度で昇温焼成し、６０
０℃から１６００℃までを５００°Ｃ／ｈｒの昇温速度
で昇温焼成し、さらに１６００℃で１時間焼成を！２け
た、 得られた成形体は、１００Ｘシリコンカーバイド焼結体
に転換されており、その圧縮強度は６９００ゆ／ｄであ
り、良好な′力性を示した。
ポリカルボスチレン共重合体（４）をトルエン中に俗解
分散させ、これを市販のシリコンノノーバイド（Ｂ）の
微粉末とＡ／Ｂの割合が１／９となるように混合し、浴
媒を蒸発除去したのち金型に入れ圧福成型した。成形体
を空気中で１υＯ〜３５０℃の県度範囲内で序々に昇温
しながら合計４時間熱処理して架橋不ナム化せしめた後
、これを象素ガク、雰囲気中で２００℃から６００ ’
Ｃまでを４００℃／ｈｒの昇温速度で昇温焼成し、６０
０℃から１６００℃までを５００°Ｃ／ｈｒの昇温速度
で昇温焼成し、さらに１６００℃で１時間焼成を！２け
た、 得られた成形体は、１００Ｘシリコンカーバイド焼結体
に転換されており、その圧縮強度は６９００ゆ／ｄであ
り、良好な′力性を示した。
実施例３
実施例１で使用した軟１ヒ点８４〜９４℃のポリシラス
チレンを窒素ガス雰囲気中で４５０℃で１０分間熱処理
し、該熱処理の最後で２分間減圧下に低沸物を除去して
、軟化点１８０〜２００℃のポリカルボシラスチレン共
重合体を得た このポリカルボシラスチレン共重合体を微粉末とし、該
微粉末５１黛部を市販のシリコ／カーバ微粉末５１黛重
魚部とを均一に混合したのち、金型に入れて圧縮成形し
た。
チレンを窒素ガス雰囲気中で４５０℃で１０分間熱処理
し、該熱処理の最後で２分間減圧下に低沸物を除去して
、軟化点１８０〜２００℃のポリカルボシラスチレン共
重合体を得た このポリカルボシラスチレン共重合体を微粉末とし、該
微粉末５１黛部を市販のシリコ／カーバ微粉末５１黛重
魚部とを均一に混合したのち、金型に入れて圧縮成形し
た。
次に、この成形体を空気中で１５０〜４５０℃の温度範
囲で序々に昇温しながら合計２時間熱処理して架橋不融
化したのち、窒素ガス雰囲気中で６００℃から１５００
℃までを６００℃／ ｈｒの昇温速度で昇温焼成し、さ
らに１５００℃で１時間焼成を続けた。
囲で序々に昇温しながら合計２時間熱処理して架橋不融
化したのち、窒素ガス雰囲気中で６００℃から１５００
℃までを６００℃／ ｈｒの昇温速度で昇温焼成し、さ
らに１５００℃で１時間焼成を続けた。
焼成によって得られた成形体は１００％シリコンカーバ
イドに転換されていた。このものの圧縮強庭は７１００
ｋｇ／ｄであり、良好な物性を示した。
イドに転換されていた。このものの圧縮強庭は７１００
ｋｇ／ｄであり、良好な物性を示した。
Claims (3)
- （１）ポリシラスチレン類を熱処理又は／及び紫外線照
射処理してポリカルボシラスチレン共重合体類にした後
、該共重合体類単独で又は該共重合体類とシリコンカー
バイド粉末とを混合して成形し、得られた成形体を熱処
理して架橋不融化した後、焼成することを特徴とする、
シリコンカーバイド焼結体の製造方法。 - （２）ポリシラスチレン類の熱処理を３００〜５００℃
の温度で５分〜１０時間行う、特許請求の範囲第（１）
項記載のシリコンカーバイド焼結体の製造方法。 - （３）ポリシラスチレン類の紫外線照射処理を、出力５
〜５００Ｗ／ｃｍの紫外線ランプを用いて２０〜２００
℃の温度で行う特許請求の範囲第（１）項記載の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60186593A JPS6246963A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | シリコンカ−バイド焼結体の製造方法 |
| EP86110960A EP0212485A3 (en) | 1985-08-16 | 1986-08-08 | Process for producing shaped silicon carbide article from the same |
| US06/895,803 US4743411A (en) | 1985-08-16 | 1986-08-12 | Process for producing shaped silicon carbide article from a polycarbosilastyrene copolymer |
| US07/044,891 US4826892A (en) | 1985-08-16 | 1987-04-30 | Polycarbosilastyrene copolymer, method for producing the same, and process for producing shaped silicon carbide article from the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60186593A JPS6246963A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | シリコンカ−バイド焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246963A true JPS6246963A (ja) | 1987-02-28 |
| JPS644984B2 JPS644984B2 (ja) | 1989-01-27 |
Family
ID=16191261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60186593A Granted JPS6246963A (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-27 | シリコンカ−バイド焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6246963A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63277564A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 繊維強化炭化ケイ素成形体の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4756526B2 (ja) * | 1999-10-25 | 2011-08-24 | 富士通株式会社 | 多孔質化低誘電率絶縁膜の形成方法及び該方法で形成された多孔質化低誘電率絶縁膜及び該多孔質化低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52100512A (en) * | 1976-02-18 | 1977-08-23 | Tohoku Daigaku Kinzoku Zairyo | Manufacture of thermal resisting ceramics sintered mold bodies |
| JPS52103407A (en) * | 1976-02-26 | 1977-08-30 | Tohoku Daigaku Kinzoku Zairyo | Manufacture of silicon carbide mold articles essentially consisting of sic |
| JPS5726527A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-12 | Minoru Yamamoto | Fish breeding method using circular assembling tank made of foamed synthetic resin |
| JPS5734080A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-24 | Nippon Carbon Co Ltd | Manufacture of sintered body |
| JPS5738548A (en) * | 1980-08-21 | 1982-03-03 | Seiko Epson Corp | X-ray generator device |
| JPS5756566A (en) * | 1980-09-16 | 1982-04-05 | Hanii Sttel Kk | Tufted looper |
| JPS58215426A (ja) * | 1982-06-03 | 1983-12-14 | ウイスコンシン、アラムナイ、リサーチ、フアウンデーシヨン | 可溶性ポリシラスチレンの架橋法 |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP60186593A patent/JPS6246963A/ja active Granted
Patent Citations (7)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63277564A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 繊維強化炭化ケイ素成形体の製造方法 |
| JPH0577631B2 (ja) * | 1987-05-08 | 1993-10-27 | Kogyo Gijutsuin |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS644984B2 (ja) | 1989-01-27 |
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