JPS6245031A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板
トの段部の手相イと方決、Ｊ−微細パターン形成方法に
関するものである。

〔従来の技術〕

複数の素子領域が形成され次半導体基板上は。

素子領域全形成するための絶縁層や素子領域から導出さ
ｎた導体層のために複数の段部を有し、このため、ウェ
ットエツチング法によるフォトレジストの選択除去では
、微細パターン形成にはきわめて困難である。

そこで、リア・クチイブイオンエツチング（以下ＲＩＥ
と略す）法による微細パターンの形成が用いらｎている
が、さらに、基板上の凹凸の影響を充分に抑える目的で
所謂三層レジスト構造が用いらｎている。すなわち、表
面が凹凸となった半導体基板上に第１層目の７オトレジ
スト（ｊ比較的厚く塗布し、この比に３ｉ０２等の無機
絶縁膜を薄く形成し、さらにこの上にレジストを塗布す
る０最上層のレジストをパターニングし、こｎｉマスク
として中間層の絶縁膜ｋ　ＲＩＥで選択除去し、さらに
、最上層のレジストおよび中間層の絶縁膜をマスクにし
て下層の厚いレジス）ｋＲＩＥで選択除去するものであ
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、かかる微細パターン形成法でも。

基板上にかなシ大きな凹部があると、１層目のレジスト
の平担化が完全ではなく、段差形！Ｊｌｌ　：ｊｙ＋完
全に取り除くことができない。１層目のレジスト層さら
に厚く塗布して段差の影響全除去することは、そｔだけ
微細パターンの障害となる。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明による方法は、ＩＮ目のレジスト材料、好ましく
はフェノール樹脂系ポジ形ホトレジストを基板上に塗布
し、該ホトレジストに平担なｆｆｉ’に押しつけ加重を
加えながら、ワーグナーメーヤワイン転位をおこして同
レジストの表面段差全平担化し、その上に中間層の無機
絶縁膜および上層レジスト層を順に形成し、この後、こ
ｎら乞選択的に除去すること全特徴とする。

〔実施例〕

以下１図面全参照して本発明を説明する。

第１図（Ａ）乃至（Ｈ）は本発明の一実施例を示す工程
断面図である。まず、第１図（Ａ）に示す、表面に凹凸
１がある半導体基板上に、同図（Ｂ）のようにフェノー
ル樹脂系ポジ型ホトレジスト２ヲ２〜３μｍ塗布し、Ｕ
Ｖ照射を行う。その後、同図（Ｃ）に示すように、石英
板４全、２０　ｇ／ｃｍ２以下。

本実施例では１０　ｇ／ｃｍ”の加重でレジスト層２に
押し付け、１９０℃でベークする。この結果、同図（Ｄ
）に示すように、レジストはワーグナーメーヤワイン転
位を起こし、基板表面はベータ後の平担化さｎたレジス
ト５でおおわｎることになる。

その後、レジスト層５上に中間層としての５ｉＯ１６を
形成しく同図（Ｅ）、さらに３層目のレジスト層７を塗
布してパターニングする（同図（Ｆ））。

その後、上層のレジスト７をマスクとして中間層６’ｅ
ＲＩＥで選択除去しく同図（Ｇ）　）　、さらに、１層
のレジス）５’ｉ０．ガス？用いたＲＩＥにより選択除
去する（同図（ぬ）０ 〔発明の効果〕 以上説明した様に本発明は、多層レジストにおける１層
目のフェノール樹脂系ポジ形ホトレジストに２０ｇ／ｍ
”以下の加重を加え々から、ワーグナーメーヤワイン転
位全おこし、段差に対して完全に平担化を行うことがで
きる方法である。

【図面の簡単な説明】

第１図の（Ａ）〜（Ｈ）は、本発明の一実施例に工ろ工
Ｓ？、−示す縦断面図である。 １・・・・・・半導体基板上の段差、２・・・・・・フ
ェノール樹脂系ポジ形ホトレジスト、３・・・・・・Ｕ
Ｖ照射％　４・・・・・・石英板、５・・・・・・平担
化さｎたレジスト、６・・・・・・ＳｉＯ，、？・・・
・・・３層目レジスト。 ニー 代理人　弁理士　　内　　原　　　　日１く （Ｃ） 第　１　回

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上にホトレジストを塗布し、このホトレジス
   ト層に平担な板を押しつけてレジスト層表面を平担化す
   る工程と、平担化されたレジスト層上に無機絶縁膜を形
   成する工程と、この絶縁膜上にホトレジスト層を選択的
   に形成する工程と、選択形成されたレジストをマスクと
   して前記絶縁膜を選択的に除去する工程と、残った絶縁
   膜をマスクとして前記１層目レジストをパターンニング
   する工程とを特徴とする半導体装置の製造方法。