JPS6243903A - 超高周波回路サ−キユレ−タ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目　次〕 ・概要 ・　産業上の利用分野 ・　従来の技術（第２，３図） ・　発明が解決しようとする問題点 ・　問題点を解決するための手段 ・作用 ・　実施例（第１昭１） ・　発明の効果 〔概　要〕 フェライト基板（３１）の表面と裏面にマイクロストリ
ップ線路（３２）と導体膜（３３）をそれぞれ設け、マ
イクロストリップ線路（３２）側にマグネット（３５）
を配設し、導体膜（３３）側にポールピース（３４）を
配置して超高周波回路サーキュレータを構成し、ポール
ピース（３４）を前記サーキュレータを搭載するキャリ
ア（４０）の所定位置に挿着することにより、キャリア
（４０）の小形化、伝送損失の減少化等を可能とする。

（産業上の利用分野〕 本発明は、フェライト基板にマイクロストリップ線路を
設けて構成し、マイクロ波からミリ波帯（超高周波）に
使用される超高周波回路サーキュレータ（以下、Ｍ　Ｉ
　Ｃサーキュレータと略称する）に関し、特にキャリア
に搭載するＭＩＣザーキュレータの搭載構造に関するも
のである。

（従来の技術〕 第２図は従来のＭＩＣサーキュレータｌＯを示す図、第
３図は第２図のサーキュレータ１０をキャリア２０に搭
載した構造を示す図であって、（イ）はその斜視図、（
ロ）は（イ）のＡ、−Ａ、線断面図である。

サーキュレータ１０は、第２図に示すように、フェライ
ト基板１１の上面に円形パターン（導体パターン）１２
ａと接Ｖｔ綿路（導体パターン）１２ｂとから成るマイ
クロストリップ線路１２を形成し、基板１１の裏面に導
体膜（接地導体）１３を形成し、基板上面の円形パター
ン１２ａの中央部に、サーキュレータの磁気回路を構成
するポールピース（磁性体）１４を配設し、このポール
ピース１４に対応して基板１１の導体膜１３側に、直流
磁界、印加のための円柱状のマグネノｌ　（永久磁石）
１５を配設して構成される。

第３図に示すように、このサーキュレータ１０をキャリ
ア２０に搭載して使用する場合、キャリア２０にサーキ
ュレータ１０のマグネット１５を挿通させるための挿ｉ
ｍ穴２０ａを形成し、この挿ｉｌｌ穴２０ａにマグネッ
ト１５を挿ｉ１Ｌでサーキュレータ１０がキャリア２０
に搭載される。しかし、ごの場合、キャリア２０の幅寸
法Ｗ２をサーキュレータ１０の基板１１の幅寸法Ｗ１と
同一に設定すると、挿通穴２０ａに対応するキャリア２
０の余肉部２０ｂの幅寸法Ｗ、が非常に小さくなり、こ
の余肉部２０ｂにおけるキャリア２０の機械的強度が不
足することになる。このため、この場合は、挿通穴２０
ａに対応する余肉部２０ｂの機械的強度を確保するため
、キャリア２０の幅寸法Ｗｔをサーキュレータ１０の基
板１１の幅寸法Ｗ１よりも大きく設定する必要がある。

このように、キャリア２０の幅寸法Ｗ２をＷ、＞Ｗ、と
なるように設定することにより、サーキュレータ１０の
基）反１１の両側に接続用基板２１．２２を配設し、こ
れらの基板２１．２２に形成された接ａｌｌ路２１ａ、
２２ａをサーキュレータｌＯの接ｙｔ線路１２ｂとそれ
ぞれ接続して、キャリア２０の側縁までサーキュレータ
１０の接続線路１２ｂを引出す必要がある。尚、第３図
は、上述したようにサーキュレータ１０をキャリア２０
に搭載し、かつ、補助基板２３をサーキュレータ１０の
基板１１に隣接して配設し、この補助基板２３に形成さ
れた終端抵抗２３ａを基板１１の接続線路１２ｂに接続
することにより、アイソレータを形成した例を示してい
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来例にあっては、キャリア（２０）に搭載する構
造において次のような問題点がある。

ｌａｌ　　キャリア（２０）の幅寸法（Ｗ２）を大きく
設定する必要があるため、接続用基板（２１，２２）を
必要とし、キャリア（２０）が大形化されると共に構造
が複雑化される。

（ｂｌ　　接続用基板（２１，２２）の接続線路（２１
ａ　、　２２ａ）を介してサーキュレータ（１０）の接
続線路（１２ｂ）をキャリア（２０）の側縁に引出して
いるので、線路長が長くなること、及び接続線路（１２
ｂ、　２１ａ、　２２ａ）同士の接続損失が発生ずるこ
と、等の理由から信号の伝送損失が増大化される。

（Ｃ１キャリア（２０）にマグネット（１５）挿通用の
大きな挿通穴（２０ａ）の加工、及びこのサーキュレー
タ（１０）とキャリア（２０）を実装すべきＭＩＣ筐体
にマグネッ）　（１５）収容部の加工が必要であり、上
記ｉａ１項に記載の理由を含めてコスト高になる。

本発明は、このような問題点にかんがみて創作されたも
ので、キャリアに搭載された構造において、キャリアの
小形化、伝送損失の減少化等が可能なＭＩＣサーキュレ
ータを提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点を解決するため、本発明では、フェライト基
板３１の表面にマイクロストリップ線路３２を設け、裏
面に導体膜３３を設けて構成する超高周波回路サーキュ
レータにおいて、［−記サーキュレータの磁気回路を構
成する磁性体のポールピース３４を、上記サーキュレー
タをそのフェライ）Ｍ板３１の裏面を介して搭載するキ
ャリア４０の所定位置に挿着し、 上記サーキュレータに直流磁界を印加するためのマグネ
ット３５を、上記フェライト基板３１のマイクロストリ
ップ線路３２側に配設したことを特徴とする超高周波回
路サーキュレータを掃供する。

〔作　用〕

マグネット（３５）をフェライト基板（３１）のマイク
ロストリップ線路（３２）側に配置することにより、サ
ーキュレータを搭載するキャリア（４０）の幅寸法を一
１〕記フェライト基板（３１）の幅寸法と同一に設定す
ることができる。この結果、キャリア（４０）の小形化
、伝送を置火の減少化等を図ることができる。

〔実施例〕

第１図は本発明実施例をキャリアに搭載した構造を示す
図であって、その斜視図（イ）と、（イ）のＢ１−Ｂ１
線断面図（ロ）とを示す図である。

本実施例（Ｍ　Ｉ　Ｃサーキュレータ）３０は、フェラ
イト基板３１と、この基板３１の上面（表面）に形成さ
れた円形パターン（導体パターン）３２ａ及び複数本の
接続線路（導体パターン、この場合は３本構成）３２ｂ
とから成るマイクロストリップ線路３２と、基板３１の
裏面に形成された導体膜（接地導体）３３と、基板３１
の円形パターン３２ａに対応するキャリア（金属板）４
０の所定位置に挿着されサーキュレータ３０の磁気回路
を構成するポールピース（磁性体）３４と、基板３１の
円形パターン３２ａ上に配設された直流磁界印加のため
の円柱状マグネット（永久磁石）３５とから構成される
。ポールピース３４はキャリア４０の所定位置に設けら
れた嵌合穴４０ａ内に接着又は圧入されて挿着される。

このように、ポールピース３４をキャリア４０に挿着し
て、図示のように基板３１の側縁をキャリア４０の側縁
に整合させることにより、ポールピース３４に対応する
位置関係にマグネット３５を簡便に位置決めすることが
できる。尚、ポールピース３４は、マグネット３５に対
応する基板３１の裏面側（導体膜３３上）の所定位置に
予め固設してもよい。そして、この場合は、ポールピー
ス３４をキャリア４０の嵌合穴４０ａに固定させる必要
はなく、単に嵌合穴４０ａに密着状に嵌入させるのみで
よい。マグネット３５は絶縁接着剤等を用いて、絶縁層
を介して基板３１の上面（マイクロストリップ線路３２
側）に固設される。そして、マグネット３５はその軸線
方向（矢印すＣ方向）に直流磁界（ｉｉ束）を印加する
もので、その磁束はポールピース３４によって制御され
る。ポールピース３４に対するマグネット３５の磁極（
Ｎ及びＳ）の配置方向はサーキュレータ３０の伝送回転
方向く時計方向又は反時計方向）に対応して設定される
。基板３１はその裏面側（導体膜３３側）が導電接着剤
や低温ハンダ付は等によってキャリア３１上に固設され
る。このように、本発明のサーキュレータ３０は、ポー
ルピース３４とマグネット３５を前記した従来例（１０
）の場合と逆に配置して構成したものであるが、マグネ
ット３５が円形パターン３２ａ　（及び接続線路３２ｂ
）上に絶縁接着剤による絶縁層（又は別個の絶縁体）を
介して固設されるため、従来例（１０）と同様の伝送回
転特性を有するものである。尚、第１図は、上述したよ
うにサーキュレータ３０をキャリア４０に搭載し、かつ
補助基板４３をサーキュレータ３０の基板３１に隣接し
て配設し、この補助基板４３に形成された終端抵抗４３
ａを基板１１の接続線路３２ｂに接続することにより、
アイソレータを形成した例を示している。このように、
サーキュレータ３０を構成しかつキャリア４０に搭載し
た構造とすることにより、嵌合穴４０ａに対応するキャ
リア４０の余肉部４０ｂの幅寸法Ｗ、を充分な機械的強
度を確保するに足る寸法に設定できるので、キャリア４
０の幅寸法Ｗｔを基板３１の幅寸法Ｗ１と同一（ＷＺ　
＝Ｗ＋　）に設定することができる。このため、前述し
た従来例（第３図）の場合に必要であった接続用基板２
１．２２（第３図）を本実施例では不要とすることがで
きる。

〔発明の効果〕

以−り説明してきたように、本発明によれば、基板（３
１）の上面側、すなわちマイクロストリップ線路（３２
）側にマグネット３５を配設し、基板３１の下面側、す
なわち導体膜３３側にポールピース３４を配置してＭＩ
Ｃサーキュレータ（３０）を構成し、ポールピース３４
をキャリア（４０）に挿着したサーキュレータ（３０）
の搭載構造とすることにより、キャリア（４０）の幅寸
法（Ｗ８）をサーキュレータ（３０）の基板（３１）の
幅寸法（Ｗ、）と同一（Ｗ、＝Ｗ、）に設定することが
できかつ従来例で必要とされた接続用基板（２１，２２
）を不要とすることができるので、キャリア（４０）の
小形化（幅寸法Ｗ２の縮小化）及び搭載構造の簡素化を
図ることができること、基板（３１）の接続線路（３２
ｂ）をそのま＼の状態でキャリア（４０）の側縁に引出
して線路長を短縮し、信号の伝送損失の減少化を図るこ
とができること、キャリア（４０）にポールピース（３
４）用の小さい嵌合穴（４０ａ）を設けるのみでサーキ
ュレータ（３０）とキャリア（４０）を実装すべきＭＩ
Ｃｉ体にマグネット（３５）収容部の加工を不要とし、
かつ搭載構造の簡素化による製造コストの低減化を図る
ことができること、さらにはＭ　Ｉ　Ｃ筐体の高さを低
くできること、等の著しい効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例（３０）をキャリア（４０）に搭
載した構造を示す図、 第２図は従来例（１０）を示す図、 第３図は従来例（１０）をキャリア（２０）に搭載した
構造を示す図である。 第１図において、 ３０は本発明の超高周波サーキュレータ（旧Ｃサーキュ
レータ）、 ３１はフェライト基板、 ３２はマイクロストリップ線路、 ３２ａ　と３２ｂはマイクロストリップ線路を構成する
円形パターン（導体パターン）と接続線路（導体パター
ン）、 ３３は導体膜（接地導体）、 ３４はポールピース（磁性体） ３５はマグネット（永久磁石）、 ４０はキャリア（金属板）、 ４０ａはポールピース（３４）挿着用の嵌合穴、４０ｂ
は嵌合穴（４０ａ）に対応するキャリア（４０）の余肉
部、をそれぞれ示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、フェライト基板（３１）の表面にマイクロストリッ
   プ線路（３２）を設け、裏面に導体膜（３３）を設けて
   構成する超高周波回路サーキュレータにおいて、上記サ
   ーキュレータの磁気回路を構成する磁性体のポールピー
   ス（３４）を、上記サーキュレータをそのフェライト基
   板（３１）の裏面を介して搭載するキャリア（４０）の
   所定位置に挿着し、 上記サーキュレータに直流磁界を印加するためのマグネ
   ット（３５）を、上記フェライト基板（３１）のマイク
   ロストリップ線路（３２）側に配設したことを特徴とす
   る超高周波回路サーキュレータ。