JPS6242563A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
- Publication number
- JPS6242563A JPS6242563A JP60182047A JP18204785A JPS6242563A JP S6242563 A JPS6242563 A JP S6242563A JP 60182047 A JP60182047 A JP 60182047A JP 18204785 A JP18204785 A JP 18204785A JP S6242563 A JPS6242563 A JP S6242563A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- electrode
- thin film
- gate
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 6
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、液晶やKL表示装置等に使用される薄膜ト
ランジスタ(以下TPTと略す)に関し、特に、特定の
形状からなるゲート電極を用いて、高い信頼性を有する
TPTに関するものである。
ランジスタ(以下TPTと略す)に関し、特に、特定の
形状からなるゲート電極を用いて、高い信頼性を有する
TPTに関するものである。
従来の技術
近年、液晶やELを用いた平面ディスプレイがCRTに
変わる表示デバイスとして注目されている。特に薄膜コ
ンデンサやTFTなどの非線形素子を用いた表示デバイ
スの研究開発が盛んになってきた。
変わる表示デバイスとして注目されている。特に薄膜コ
ンデンサやTFTなどの非線形素子を用いた表示デバイ
スの研究開発が盛んになってきた。
TPTは一般に第3図のような構造をしている。
すなわち、ガラス等の絶縁性基板11上に形成されたA
1等から成るゲート電極12、人1203等から成るゲ
ート絶縁膜13、n形またはp型の導電形を与える不純
物を含んだGdSe 、 Si等からなる半導体層14
、ムβ等の金属層からなるソース電極16およびドレイ
ン電極16とから構成されている。
1等から成るゲート電極12、人1203等から成るゲ
ート絶縁膜13、n形またはp型の導電形を与える不純
物を含んだGdSe 、 Si等からなる半導体層14
、ムβ等の金属層からなるソース電極16およびドレイ
ン電極16とから構成されている。
またゲート電極12と、ソース電極16およびドレイン
電極16との間のゲート絶縁膜13中にピンホール等の
欠陥が存在すれば、絶縁破壊をひきおこし、それぞれの
電極が蒸発してしまうので、それを防止するため、ゲー
ト電極とソースおよびドレイン電極とが重ならない構造
のTPTも提案されている。
電極16との間のゲート絶縁膜13中にピンホール等の
欠陥が存在すれば、絶縁破壊をひきおこし、それぞれの
電極が蒸発してしまうので、それを防止するため、ゲー
ト電極とソースおよびドレイン電極とが重ならない構造
のTPTも提案されている。
発明が解決しようとする問題点
たとえば表示デバイスにTPTを用いた場合、次のよう
な問題点が存在する。
な問題点が存在する。
マトリクス型EI、表示装置にTPTを用いた場合を考
える。第4図はマ) IJックス型KL表示装置の一絵
素の回路図を示している。すなわちソース端子が蓄積用
コンデンサC8に接続しているスイッチングトランジス
タT、及びゲート端子が前記スイッチングトランジスタ
のソース端子に接続し、かつそのソース端子が前記蓄積
用コンデンサC8の他方の端子と接続している電力用ト
ランジスタT2及びその一方の端子が前記電力用トラン
ジスタT2のドレイン端子に接続し、他方の端子が高周
波ドライブ電源17に接続しているEL素素子Cx上シ
構成されている。また前記スイッチングトランジスタT
1のドレイン端子は情報信号母線X、、X2・・・・・
・に、ゲート端子はスイッチング信号母線Yl l T
2・・・・・・にそれぞれ接続され、前記蓄1積用コン
デンサCsの一方の端子及び前記電力用トランジスタT
2のソース端子は、前記高周波ドライブ電源17に接続
する共通母線Pに接続されている。
える。第4図はマ) IJックス型KL表示装置の一絵
素の回路図を示している。すなわちソース端子が蓄積用
コンデンサC8に接続しているスイッチングトランジス
タT、及びゲート端子が前記スイッチングトランジスタ
のソース端子に接続し、かつそのソース端子が前記蓄積
用コンデンサC8の他方の端子と接続している電力用ト
ランジスタT2及びその一方の端子が前記電力用トラン
ジスタT2のドレイン端子に接続し、他方の端子が高周
波ドライブ電源17に接続しているEL素素子Cx上シ
構成されている。また前記スイッチングトランジスタT
1のドレイン端子は情報信号母線X、、X2・・・・・
・に、ゲート端子はスイッチング信号母線Yl l T
2・・・・・・にそれぞれ接続され、前記蓄1積用コン
デンサCsの一方の端子及び前記電力用トランジスタT
2のソース端子は、前記高周波ドライブ電源17に接続
する共通母線Pに接続されている。
第5図は上記マトリックス型EL表示装置の一例の斜視
断面図を示している。ガラスなどの絶縁性支持基板18
の上に1100n程度の膜厚を有するインジウム錫酸化
物(ITO)からなる透明電極19、その上に500n
m程度の膜厚を有するY2O3からなる絶縁体層20.
この上に200nm程度の膜厚を有するZnS : M
nの蛍光体層21、さらにその上に300nm程度の膜
厚を有するY2O3からなる絶縁体層22からEL層2
3が構成されている。その上にスイッチング信号母線に
接続しているスイッチングトランジスタT1のゲート電
極24、前記EL層23の光反射用電極25、電力用ト
ランジスタのゲート電極でもある蓄積用コンデンサC8
の片側電源26として1100n程度の膜厚を有するア
ルミニウム層が構成されている。その上に500nm程
度の膜厚を有するAl2O5堂Ta205などから成る
絶縁体層2了がT1のゲート絶縁膜およびC5の誘電体
薄膜層でありかつT2のゲート絶縁膜として構成される
。その上にT、 、 T2の半導体層28.29を設け
、最後に情報信号母線に接続しているT1 のドレイ
ン電極30.Tjのソース電極31、T2 のドレイ
ン電極32であり共通母線Pに接続しているC8の片側
電極33、T2のソース電極34が1100n程度の膜
厚を有するアルミニウムから構成されている。
断面図を示している。ガラスなどの絶縁性支持基板18
の上に1100n程度の膜厚を有するインジウム錫酸化
物(ITO)からなる透明電極19、その上に500n
m程度の膜厚を有するY2O3からなる絶縁体層20.
この上に200nm程度の膜厚を有するZnS : M
nの蛍光体層21、さらにその上に300nm程度の膜
厚を有するY2O3からなる絶縁体層22からEL層2
3が構成されている。その上にスイッチング信号母線に
接続しているスイッチングトランジスタT1のゲート電
極24、前記EL層23の光反射用電極25、電力用ト
ランジスタのゲート電極でもある蓄積用コンデンサC8
の片側電源26として1100n程度の膜厚を有するア
ルミニウム層が構成されている。その上に500nm程
度の膜厚を有するAl2O5堂Ta205などから成る
絶縁体層2了がT1のゲート絶縁膜およびC5の誘電体
薄膜層でありかつT2のゲート絶縁膜として構成される
。その上にT、 、 T2の半導体層28.29を設け
、最後に情報信号母線に接続しているT1 のドレイ
ン電極30.Tjのソース電極31、T2 のドレイ
ン電極32であり共通母線Pに接続しているC8の片側
電極33、T2のソース電極34が1100n程度の膜
厚を有するアルミニウムから構成されている。
以上の構成から成るマトリクス型KL、表示装置では、
絶縁体層中の欠陥のため不良品となることがしばしばあ
った。たとえばKL層にT2を介して高電圧を印加して
発光させる場合、T2のソース電極34とゲート電極2
6との間の絶縁体層27中にピンホール等の欠陥が存在
すれば、絶縁破壊のため、電極部分が蒸発してなくなる
ことがあった。同様に、半導体層29とゲート電極26
の間で絶R破壊が生じても、ゲート電極が断線する等の
不都合があった。
絶縁体層中の欠陥のため不良品となることがしばしばあ
った。たとえばKL層にT2を介して高電圧を印加して
発光させる場合、T2のソース電極34とゲート電極2
6との間の絶縁体層27中にピンホール等の欠陥が存在
すれば、絶縁破壊のため、電極部分が蒸発してなくなる
ことがあった。同様に、半導体層29とゲート電極26
の間で絶R破壊が生じても、ゲート電極が断線する等の
不都合があった。
またT1にも同様の欠陥が存在して、ゲート電極24と
ドレイン電極3oとの間で短絡したり、漏れ電流が存在
すれば情報信号母線を介して、信号がはいらず、T2を
ON状態とすることができない。このような欠陥をなく
する方法としては、ゲート電極24とドレイン電極3o
との間に、瞬時に大電流を投入して、欠陥部で強制的に
絶縁破壊をおこさせて電気的に開放状態とすることなど
が考えられる。しかしながら、ゲート電極およびドレイ
ン電極の面積が小さいような場合には、上記の方法では
電極のすべてが破壊してし1つことかあり、表示デバイ
ス全体の面積が大きくなければなるほど欠陥の生じる確
率が増し、歩留まりが極端に悪くなるという問題があっ
た。
ドレイン電極3oとの間で短絡したり、漏れ電流が存在
すれば情報信号母線を介して、信号がはいらず、T2を
ON状態とすることができない。このような欠陥をなく
する方法としては、ゲート電極24とドレイン電極3o
との間に、瞬時に大電流を投入して、欠陥部で強制的に
絶縁破壊をおこさせて電気的に開放状態とすることなど
が考えられる。しかしながら、ゲート電極およびドレイ
ン電極の面積が小さいような場合には、上記の方法では
電極のすべてが破壊してし1つことかあり、表示デバイ
ス全体の面積が大きくなければなるほど欠陥の生じる確
率が増し、歩留まりが極端に悪くなるという問題があっ
た。
またゲート電極とソースおよびドレイン電極とが重なら
ない構造のTPTでは、ゲート電極で制御できない領域
が存在するため、TPTの特性が悪くなるという欠点が
あった。また、半導体層とゲート電極との間での絶縁破
壊をふせぐことはできなかった。
ない構造のTPTでは、ゲート電極で制御できない領域
が存在するため、TPTの特性が悪くなるという欠点が
あった。また、半導体層とゲート電極との間での絶縁破
壊をふせぐことはできなかった。
そこで本発明は、絶縁体層中の欠陥部分で絶縁破壊が生
じても、一部分のみの破壊にとどめることのできる信頼
性の高いTPTを提供することを目的としている。
じても、一部分のみの破壊にとどめることのできる信頼
性の高いTPTを提供することを目的としている。
問題点を解決するだめの手段
本発明は前記問題点を解決するために、ソース電極、ド
レイン電極または半導体層とゲート絶縁体層を介して重
なっているゲート電極の一部または全部において、ソー
ス電極からドレイン電極の方向に前記ゲート電極を少な
くとも2つの領域に分割したことを特徴とする。
レイン電極または半導体層とゲート絶縁体層を介して重
なっているゲート電極の一部または全部において、ソー
ス電極からドレイン電極の方向に前記ゲート電極を少な
くとも2つの領域に分割したことを特徴とする。
作用
本発明のTPTでは、絶縁体層中に欠陥部が存在して、
駆動中や強制的に大電流を投入するような場合に絶縁破
壊が生じても、ゲート電極が少なくとも2つの領域に分
割されているので、弱い部分で発生した放電が広がって
断線に至る心配がない0 実施例 以下、本発明の一実施例を添付図面にもとすいて説明す
る。
駆動中や強制的に大電流を投入するような場合に絶縁破
壊が生じても、ゲート電極が少なくとも2つの領域に分
割されているので、弱い部分で発生した放電が広がって
断線に至る心配がない0 実施例 以下、本発明の一実施例を添付図面にもとすいて説明す
る。
第1図及び第2図は本発明のTPTを第5図のマトリッ
クス型KL表示装置中のT、及びT2に用いた場合の平
面拡大図を示している。図中1,6はそれぞれT、 、
T2のゲート電極であり、ここでは1100n程度の
膜厚を有するAlから成り、真空蒸着法及びホ) IJ
ングラフ技術を用いて図に示すように、それぞれ3分割
及び4分割して形成される。次にム!!205等から成
るゲート絶縁膜を全面に周知のスパッタ法等を用いて形
成し、その上に50nm程度の膜厚を有するセレン化カ
ドミウム(CdSe)から成る半導体層2.7を同様の
方法で形成する。最後に200nm程度の膜厚を有する
Alから成るT1のソース・ドレイン電極3゜4及びT
2のソース・ドレイン電極8,9を同様の方法で形成す
る。
クス型KL表示装置中のT、及びT2に用いた場合の平
面拡大図を示している。図中1,6はそれぞれT、 、
T2のゲート電極であり、ここでは1100n程度の
膜厚を有するAlから成り、真空蒸着法及びホ) IJ
ングラフ技術を用いて図に示すように、それぞれ3分割
及び4分割して形成される。次にム!!205等から成
るゲート絶縁膜を全面に周知のスパッタ法等を用いて形
成し、その上に50nm程度の膜厚を有するセレン化カ
ドミウム(CdSe)から成る半導体層2.7を同様の
方法で形成する。最後に200nm程度の膜厚を有する
Alから成るT1のソース・ドレイン電極3゜4及びT
2のソース・ドレイン電極8,9を同様の方法で形成す
る。
このあとT1のゲート絶縁膜中のピンホールやクラック
等の欠陥を除去するため、第6図に示すスイッチング信
号母線3oと情報信号母線24との間、すなわち、ゲー
ト電極1及びソース電極3との間に瞬時に大電流を投入
して強制的に絶縁破壊をおこさせる。この時、ゲート電
極1は分割されているので、電極の切れ目で破壊がとま
り(図中5)、それ以上他の電極または半導体層部分を
破壊するのを防止することができる。
等の欠陥を除去するため、第6図に示すスイッチング信
号母線3oと情報信号母線24との間、すなわち、ゲー
ト電極1及びソース電極3との間に瞬時に大電流を投入
して強制的に絶縁破壊をおこさせる。この時、ゲート電
極1は分割されているので、電極の切れ目で破壊がとま
り(図中5)、それ以上他の電極または半導体層部分を
破壊するのを防止することができる。
またEL層23中にT2を介して発光に必要な高電界を
印加する時、同じくゲート電極6とソース電極8または
半導体層7との間のゲート絶縁膜中の欠陥部で絶縁破壊
が生じても、上記した理由と同様の理由で一部のみの破
壊でとどまり(図中10)、TFTとしての性能にはな
んら問題はない。
印加する時、同じくゲート電極6とソース電極8または
半導体層7との間のゲート絶縁膜中の欠陥部で絶縁破壊
が生じても、上記した理由と同様の理由で一部のみの破
壊でとどまり(図中10)、TFTとしての性能にはな
んら問題はない。
半導体層としてセレン化カドミウムを用いた場合には、
厚さが極めて薄いためゲート電極との間で絶縁破壊が生
じた場合、放電が伝播して蒸発しやすいため、本発明に
よる構造を有するTPTが特に有効である。
厚さが極めて薄いためゲート電極との間で絶縁破壊が生
じた場合、放電が伝播して蒸発しやすいため、本発明に
よる構造を有するTPTが特に有効である。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ゲー
ト電極を、ソースおよびドレイン電極またば半導体層と
重なっている領域において、少なくとも2つの領域に分
割しているので、絶縁破壊が生じたような場合にも、ゲ
ート電極のすべてが破壊することはなく、TPTの信頼
性を大巾に向上することができる。
ト電極を、ソースおよびドレイン電極またば半導体層と
重なっている領域において、少なくとも2つの領域に分
割しているので、絶縁破壊が生じたような場合にも、ゲ
ート電極のすべてが破壊することはなく、TPTの信頼
性を大巾に向上することができる。
第1図および第2図は本発明の一実施例における薄膜ト
ランジスタの要部を説明するための平面図、第3図は一
般的なTPTの構造を示す断面図、第4図及び第5図は
それぞれ従来のTFTの問題点を説明するだめの回路図
及び斜視断面図である。 1.6・・・・・・ゲート電極、2.了・・・・・・半
導体層、3.8・・・・・・ソース電極、4.9・・・
・・・ドレイン電極、5.1o・・・・・・絶縁破壊部
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 (fl) (b) 第2図 <a−> lO陀甥j支壊きp 第3図 ?s4図 第5図
ランジスタの要部を説明するための平面図、第3図は一
般的なTPTの構造を示す断面図、第4図及び第5図は
それぞれ従来のTFTの問題点を説明するだめの回路図
及び斜視断面図である。 1.6・・・・・・ゲート電極、2.了・・・・・・半
導体層、3.8・・・・・・ソース電極、4.9・・・
・・・ドレイン電極、5.1o・・・・・・絶縁破壊部
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 (fl) (b) 第2図 <a−> lO陀甥j支壊きp 第3図 ?s4図 第5図
Claims (2)
- (1)ソース電極、ドレイン電極または半導体層とゲー
ト絶縁体層を介して重なっているゲート電極の一部また
は全部において、ソース電極からドレイン電極の方向に
前記ゲート電極を少なくとも2つの領域に分割したこと
を特徴とする薄膜トランジスタ。 - (2)半導体層がセレン化カドミウム(CdSe)から
成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄膜
トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60182047A JPH0673380B2 (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60182047A JPH0673380B2 (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 薄膜トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6242563A true JPS6242563A (ja) | 1987-02-24 |
JPH0673380B2 JPH0673380B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=16111412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60182047A Expired - Fee Related JPH0673380B2 (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0673380B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63173369A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体素子およびその製造方法 |
JPS63226063A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-09-20 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2008112962A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-05-15 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ、電気光学装置および電子機器 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182047A patent/JPH0673380B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63226063A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-09-20 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JPS63173369A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体素子およびその製造方法 |
JP2008112962A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-05-15 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ、電気光学装置および電子機器 |
US7781760B2 (en) | 2006-09-26 | 2010-08-24 | Seiko Epson Corporation | Thin film transistor, electro-optical device, and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0673380B2 (ja) | 1994-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6475837B2 (en) | Electro-optical device | |
JP4088619B2 (ja) | アクティブマトリクス基板及び表示装置 | |
JP3418653B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
JP4282219B2 (ja) | 画素暗点化方法 | |
US7326602B2 (en) | Fabricating method of a thin film transistor array | |
JPH01219824A (ja) | 非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ基板 | |
JP3926879B2 (ja) | アクティブマトリクス方式の液晶表示装置及びその製造方法 | |
JPH01217325A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP3111944B2 (ja) | アクティブマトリクス液晶表示装置 | |
KR100303350B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 소자 | |
JPS6242563A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JPH01255831A (ja) | 平面デイスプレイ | |
JPS61166172A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JP3628125B2 (ja) | アクティブマトリクス基板及びアクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
JPS6136972A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JP3246150B2 (ja) | 薄膜トランジスタパネル | |
JPH04338728A (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
JPH01102525A (ja) | 薄膜トランジスタアレー、その製造方法およびこれを用いた液晶表示装置 | |
JP2687967B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2539594B2 (ja) | 薄膜集積装置の安定化処理方法 | |
KR101074409B1 (ko) | 평판 표시 소자 및 그의 제조방법 | |
JP3545879B2 (ja) | 表示素子の製造方法 | |
JPS61121471A (ja) | 薄膜集積装置の製造方法 | |
JPH05323381A (ja) | 薄膜トランジスタ形成パネル | |
JPH0267524A (ja) | マトリックス型表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |