JPS6240812A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPS6240812A JPS6240812A JP18051385A JP18051385A JPS6240812A JP S6240812 A JPS6240812 A JP S6240812A JP 18051385 A JP18051385 A JP 18051385A JP 18051385 A JP18051385 A JP 18051385A JP S6240812 A JPS6240812 A JP S6240812A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術ヅ）野〕
本発明は弾・１ノ１表面波フィルタおＪ、σ弾１ノ１人
面波共振子等の弾・１ノ１表面波装置に係り、１−４（
こ半導体部＋Ａまたは高抵抗部口から４（る基板１に；
［電体層を配置した装置（こ関する。。
面波共振子等の弾・１ノ１表面波装置に係り、１−４（
こ半導体部＋Ａまたは高抵抗部口から４（る基板１に；
［電体層を配置した装置（こ関する。。
［発明の技術的青用とぞの問題熱〕
ガラス等の非１１電ｔノ１基板−１に、酸化曲鎗、窒化
アルミニウム等の圧電ｆノｌ薄膜をスパッタリング等に
Ｊ、り設（）てへる弾″口表面波装置ｔま、一般に４種
類の態様がある。。第１のものＧＪ、、１ｌＦＩ電１ノ
１基板−目こ、くし歯電極等からなる電極を設（」、こ
の電）〜１に斤電↑ノ１膜を設（）た弾１ノ１表面波装
置である。
アルミニウム等の圧電ｆノｌ薄膜をスパッタリング等に
Ｊ、り設（）てへる弾″口表面波装置ｔま、一般に４種
類の態様がある。。第１のものＧＪ、、１ｌＦＩ電１ノ
１基板−目こ、くし歯電極等からなる電極を設（」、こ
の電）〜１に斤電↑ノ１膜を設（）た弾１ノ１表面波装
置である。
第２のらの（」１、ＪＩＩＴ電″１）１阜根１−にロー
電゛１ノ１膜を設（Ｊ、この１１電１）■膜十にくし歯
電極等からイー１６電極を設（Ｊた弾′１４表面波装置
である。第３のもの（，１、ロー化・１〕１肱を薄くり
るＩこめに、第１の弾゛１ノ１表面波装置のＩＴ電″１
ノ１膜−１に短絡電極を設【−ノた弾性１表面波装置で
おる。第４の・ｂの（３１、圧電１４膜を博くするため
に、第２の弾ｆ）１表面波装置の１１電性膜と非電Ｆｊ
−・ＰＩ基板との間（こ短絡電極を設（Ｊた弾性表面波
装置である。
電゛１ノ１膜を設（Ｊ、この１１電１）■膜十にくし歯
電極等からイー１６電極を設（Ｊた弾′１４表面波装置
である。第３のもの（，１、ロー化・１〕１肱を薄くり
るＩこめに、第１の弾゛１ノ１表面波装置のＩＴ電″１
ノ１膜−１に短絡電極を設【−ノた弾性１表面波装置で
おる。第４の・ｂの（３１、圧電１４膜を博くするため
に、第２の弾ｆ）１表面波装置の１１電性膜と非電Ｆｊ
−・ＰＩ基板との間（こ短絡電極を設（Ｊた弾性表面波
装置である。
しかしイにがら、非／ｊ市Ｍ基板１−にスパッタリング
等の技術を用いて１１電ｔ４Ｍｔｌ！を形成すると、こ
の薄膜に内部応力が／−１し皐仮にぞりが牛しる。本発
明省らが確認した実験にＪ、れば、０．５緬の即みを右
する１白ｉ￥３イン”Ｊのパイレックス・カラス基板−
１に１凱の斤みの酸化仙鎗薄膜をスパッタリング蒸６（
阜板温痘が１００°Ｃ乃〒３５０’Ｃ）にＪ、り形成し
た場合に１．−１約４００周のそりが牛した。例えばト
）小の第１の−ｂのの電極構造で５７Ｍ ｌＩＺ帯のノ
イルタを形成りるに（Ｊｌ、ガラス基板士＃ご約２２ｐ
のハ電↑４膜としての酸化曲鎗薄膜を設（〕る必要があ
る。
等の技術を用いて１１電ｔ４Ｍｔｌ！を形成すると、こ
の薄膜に内部応力が／−１し皐仮にぞりが牛しる。本発
明省らが確認した実験にＪ、れば、０．５緬の即みを右
する１白ｉ￥３イン”Ｊのパイレックス・カラス基板−
１に１凱の斤みの酸化仙鎗薄膜をスパッタリング蒸６（
阜板温痘が１００°Ｃ乃〒３５０’Ｃ）にＪ、り形成し
た場合に１．−１約４００周のそりが牛した。例えばト
）小の第１の−ｂのの電極構造で５７Ｍ ｌＩＺ帯のノ
イルタを形成りるに（Ｊｌ、ガラス基板士＃ご約２２ｐ
のハ電↑４膜としての酸化曲鎗薄膜を設（〕る必要があ
る。
この場合、カラス基板に０，５ｊ楯の１ψみを有づる肖
径３インチのパイレックス・カラスを用いる（継板温度
１００℃乃〒３５０’ＱＣのスパッタリング蒸＠）と、
２＃乃〒３Ｍのそりが生じる。このそりが生じる過程に
おいて、圧電１１膜が割れたり、剥離したり、最悪の時
には、カラス基板に割れ目等が牛しる。したかつて、上
）４（のそりは、弾↑Ｊ４表面波装画形成ｌ−のプ［１
−１＝スの防げとなるばかりか、圧電１）ＩＩＲ９１模
のはがれや、基板の〜１れを牛し、弾・１４表面波１の
形成１の歩留りを低下さｊｊる危険かある。
径３インチのパイレックス・カラスを用いる（継板温度
１００℃乃〒３５０’ＱＣのスパッタリング蒸＠）と、
２＃乃〒３Ｍのそりが生じる。このそりが生じる過程に
おいて、圧電１１膜が割れたり、剥離したり、最悪の時
には、カラス基板に割れ目等が牛しる。したかつて、上
）４（のそりは、弾↑Ｊ４表面波装画形成ｌ−のプ［１
−１＝スの防げとなるばかりか、圧電１）ＩＩＲ９１模
のはがれや、基板の〜１れを牛し、弾・１４表面波１の
形成１の歩留りを低下さｊｊる危険かある。
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたしのＣ゛あり、
良質な弾１ノＦ表面波装置を提供することをｌ」的とづ
る。
良質な弾１ノＦ表面波装置を提供することをｌ」的とづ
る。
上）小の［１的を達成するために、本発明の弾↑１表面
波装置は、弾性表面波駅間を構成する基板の電極を構成
する面と対称の面に金属１閑また１は誘電体層の少なく
とも一方からなる被覆層を設（Ｊたことを特徴とする・
ｂのである。これにより、里仮−にに設置〕られた圧電
ｆ４膜か割れたり、剥離したりすることが防１１される
。
波装置は、弾性表面波駅間を構成する基板の電極を構成
する面と対称の面に金属１閑また１は誘電体層の少なく
とも一方からなる被覆層を設（Ｊたことを特徴とする・
ｂのである。これにより、里仮−にに設置〕られた圧電
ｆ４膜か割れたり、剥離したりすることが防１１される
。
以下、本発明の一実施例を説明する。第１図は、本発明
の弾ｔノ［表面波装置の模式断面図である。
の弾ｔノ［表面波装置の模式断面図である。
第１図において、０．５１Ｉｕｎの厚さを有するパイレ
ックス・カラス基板（以下ガラス基板と称す）（１）−
目こは、複数の電極指からなる電極（アルミニウムから
構成されている）■かＰＥＰＷの写真蝕刻技術にＪ、り
形成されている。この電極■が形成されにノコラス棋（
反（１）の１而−１にＩＪｌ、即さか２０ｐのｒｌ−電
↑ノＩの第１の酸化引ｉ鎗膜ぐつかスパッタリング魚肴
ツタリング蒸盾等の技術にＪ、り被りされている。
ックス・カラス基板（以下ガラス基板と称す）（１）−
目こは、複数の電極指からなる電極（アルミニウムから
構成されている）■かＰＥＰＷの写真蝕刻技術にＪ、り
形成されている。この電極■が形成されにノコラス棋（
反（１）の１而−１にＩＪｌ、即さか２０ｐのｒｌ−電
↑ノＩの第１の酸化引ｉ鎗膜ぐつかスパッタリング魚肴
ツタリング蒸盾等の技術にＪ、り被りされている。
イｆお、（へ）（は吸洛＋Ａを示す。
上）ボの如く構成されＩこ弾１ノ１表面波装置は、例え
ばＵ板温磨が１００°０乃金３５０℃のスパッタリング
蒸楯て酸化ｉ１’ｊ鎗膜を形成した際、ガラス基板（１
）にぞりか生じることかなくなる。したがって、従来の
弾１ノ１表面波装首の如く、！■電１４膜に割れ目が入
ったりまた喀ま剥離−する危険かなくｂつＩこことを本
発明者らは確認した。１なわ６、パイレックス・ガラス
上にスパッタリング蒸６の技術により形成された酸化Ｉ
Ｉ鎗薄膜の内部応力は１ｆ縮↑４のものであり、本発明
の効果ＩＡ、この１１縮１ノ１の内部応力を裏面からの
内部応力により打り消すことにｊ、Ｖ）牛じるものであ
る。したがって、同じ様に圧縮性応力を有する金属層例
えばＣｒ 、 Ｎ ｂ 、 Ｆ 、ｅ ２０３などの薄
膜をガラス基板（ト）裏面にスパッタリング蒸着等によ
り形成することによっても、本発明の所望の効果は期待
できる。
ばＵ板温磨が１００°０乃金３５０℃のスパッタリング
蒸楯て酸化ｉ１’ｊ鎗膜を形成した際、ガラス基板（１
）にぞりか生じることかなくなる。したがって、従来の
弾１ノ１表面波装首の如く、！■電１４膜に割れ目が入
ったりまた喀ま剥離−する危険かなくｂつＩこことを本
発明者らは確認した。１なわ６、パイレックス・ガラス
上にスパッタリング蒸６の技術により形成された酸化Ｉ
Ｉ鎗薄膜の内部応力は１ｆ縮↑４のものであり、本発明
の効果ＩＡ、この１１縮１ノ１の内部応力を裏面からの
内部応力により打り消すことにｊ、Ｖ）牛じるものであ
る。したがって、同じ様に圧縮性応力を有する金属層例
えばＣｒ 、 Ｎ ｂ 、 Ｆ 、ｅ ２０３などの薄
膜をガラス基板（ト）裏面にスパッタリング蒸着等によ
り形成することによっても、本発明の所望の効果は期待
できる。
例えば、パイレックス・ガラス上に１蝉の酸化亜鉛薄膜
をスパッタリング蒸着等（Ａｒ＋Ｏｚガス１Ｐａ（パス
カル）、成長速度１Ｊｍ／ｈｒ）によって設けた場合に
は、約２Ｘ１０’ｄｙｎ／−圧縮性の内部応力が薄膜内
に生じる。この内部応力を打ち消すには、次の表１に上
げた様な物質を表１に掲げた条件でスパッタリング蒸着
を行なえば良い。
をスパッタリング蒸着等（Ａｒ＋Ｏｚガス１Ｐａ（パス
カル）、成長速度１Ｊｍ／ｈｒ）によって設けた場合に
は、約２Ｘ１０’ｄｙｎ／−圧縮性の内部応力が薄膜内
に生じる。この内部応力を打ち消すには、次の表１に上
げた様な物質を表１に掲げた条件でスパッタリング蒸着
を行なえば良い。
表１
また、非圧電゛［４基板にパイレックス・カラス以外の
カラス・リ−）１イＡノ等の結晶を用いた場合にも同等
の効果を得ることかでさる。ざらに、カラス基板（１）
の厚さｙと、酸化亜鉛膜■の厚さンと、酸化亜鉛膜０）
の１９ざｌとが ０．２ｍ＜ ｘ ＜ １．５ａｎ。
カラス・リ−）１イＡノ等の結晶を用いた場合にも同等
の効果を得ることかでさる。ざらに、カラス基板（１）
の厚さｙと、酸化亜鉛膜■の厚さンと、酸化亜鉛膜０）
の１９ざｌとが ０．２ｍ＜ ｘ ＜ １．５ａｎ。
０．５ｚｉｌ＜ン〈５０ＪＪＩｎ１
０．５ｐ＜ Ｚ ＜ ５０朗
の範囲にあるものＣ′は内部応力をたがいに打ら消し合
うことか可能であることか実験的に確認された。
うことか可能であることか実験的に確認された。
次に第２図に）、ａ）、（へ）を参照して、本発明の他
の実施例Ｊ３よび仙の発明を説明する。
の実施例Ｊ３よび仙の発明を説明する。
第２図（２）は、圧電↑４酸化曲鉛膜■十に電極を構成
したものの例Ｃ′ある。
したものの例Ｃ′ある。
第２図０に示したしのは、第２図（２）に示したものに
、圧電１／Ｉ Ｍ化曲鎗膜■を’ｊ＋＊（Ａるために、
カラス基板（１）と斤電１ノＩ Ｍ化曲鎗膜■との間に
アルミニウムからなる短絡電極（１１）を設（）たもの
Ｃある。
、圧電１／Ｉ Ｍ化曲鎗膜■を’ｊ＋＊（Ａるために、
カラス基板（１）と斤電１ノＩ Ｍ化曲鎗膜■との間に
アルミニウムからなる短絡電極（１１）を設（）たもの
Ｃある。
第２図（０に示したものは、第グＮ９に示したもの番こ
、圧電↑４醸化曲鉛膜■を博くＪるために、圧電ｔ４醸
化ｉ＋ＦｆＡｔ膜ぐ炉口こアルミニウムからなる短絡電
１ｉｉ （ＩＩ）を設（）たものである。
、圧電↑４醸化曲鉛膜■を博くＪるために、圧電ｔ４醸
化ｉ＋ＦｆＡｔ膜ぐ炉口こアルミニウムからなる短絡電
１ｉｉ （ＩＩ）を設（）たものである。
以上、第２図に）、住Ｌ（に）に示した弾１ノ１表面波
装圓１．ｉ、第１図に示した弾゛［１表面波装置と同等
の効果をｊ［ｔられること１．ｊ、古うまてもない。
装圓１．ｉ、第１図に示した弾゛［１表面波装置と同等
の効果をｊ［ｔられること１．ｊ、古うまてもない。
次に第３図を参照して本発明の他の実施例を説明する。
第３図において、第３図に示した弾性表面波装置（，１
、第１図に示した弾ｔｉｔ表面波装置のカラス基板（１
）の裏面に電極■を設Ｃプたものである。この第′３図
に示した弾性表面波装置は、表面と裏面とに□゛同等の
酸化１Ｉｆｉ’ｌｆ膜■、０）を被着したので、内部応
力がたがいに打ら消し合うため、酸化亜鉛膜にぞりが牛
しることがなくなる。
、第１図に示した弾ｔｉｔ表面波装置のカラス基板（１
）の裏面に電極■を設Ｃプたものである。この第′３図
に示した弾性表面波装置は、表面と裏面とに□゛同等の
酸化１Ｉｆｉ’ｌｆ膜■、０）を被着したので、内部応
力がたがいに打ら消し合うため、酸化亜鉛膜にぞりが牛
しることがなくなる。
ここで１５１図面を用いて説明しくｒかったが、第２図
０．住）に示したものの基板の他の面ｔこ短絡電極を形
成しぞの１に斤電Ｍ薄膜を形成し、この圧電ｆ４薄膜１
−に電極を形成した弾・１４表面波装置、あるいは第２
図に）、的に示したものの基板の他の而に圧電１１薄膜
を形成し、この圧電１４博膜十に電極を形成しに弾′１
４表面波装置、または、第１図、第２図＠）に承した−
しのの基板の他の面に電極を形成しぞの１−に圧電１／
Ｉ薄膜を形成し、この圧電・１ノ１薄膜ｌにλ０絡電４
４！を形成しに弾性表面波装贋、ぞして第２図（０に示
したものの阜俄の他の面に電極を形成し、この電極を被
覆するＪ、うに斤電↑４薄膜を形成した弾性表面波装置
は、第３図に示しに弾′１）１表面波装置と効果か同等
て゛あることは舊うまでも４【い、。
０．住）に示したものの基板の他の面ｔこ短絡電極を形
成しぞの１に斤電Ｍ薄膜を形成し、この圧電ｆ４薄膜１
−に電極を形成した弾・１４表面波装置、あるいは第２
図に）、的に示したものの基板の他の而に圧電１１薄膜
を形成し、この圧電１４博膜十に電極を形成しに弾′１
４表面波装置、または、第１図、第２図＠）に承した−
しのの基板の他の面に電極を形成しぞの１−に圧電１／
Ｉ薄膜を形成し、この圧電・１ノ１薄膜ｌにλ０絡電４
４！を形成しに弾性表面波装贋、ぞして第２図（０に示
したものの阜俄の他の面に電極を形成し、この電極を被
覆するＪ、うに斤電↑４薄膜を形成した弾性表面波装置
は、第３図に示しに弾′１）１表面波装置と効果か同等
て゛あることは舊うまでも４【い、。
（発明のすｊ宋）
本発明の弾・１ノ１表向波装置（，１、十）小の構成を
とることにより、ｒ１電１１膜の剥離香を防１１りる効
果かある。
とることにより、ｒ１電１１膜の剥離香を防１１りる効
果かある。
第１図ＧＥＬ本発明のり１１↑４表面波装置の実施例の
断面を示？Ｊ簡略図、第２図（ハ）乃〒第２図（０（よ
本発明の弾ｔ／１表向波菰首の実施例おＪ、び他の実施
例の断面を示？ｌ切欠簡略図、第３図ＩＪ９本発明の弾
′１１表面波装置の他の実施例を示１断面簡略図Ｃある
。 （１）・・・パイレックス・ガラス基板−１１＝ ■・・・電極 ■、０）・・・酸化ｉＩ′Ｔｉ鎗膜 代理人 弁理ｊ−ｉｌｌ 近 憲 イイｉ同 人間
リロ夫 丁 喝 〜
断面を示？Ｊ簡略図、第２図（ハ）乃〒第２図（０（よ
本発明の弾ｔ／１表向波菰首の実施例おＪ、び他の実施
例の断面を示？ｌ切欠簡略図、第３図ＩＪ９本発明の弾
′１１表面波装置の他の実施例を示１断面簡略図Ｃある
。 （１）・・・パイレックス・ガラス基板−１１＝ ■・・・電極 ■、０）・・・酸化ｉＩ′Ｔｉ鎗膜 代理人 弁理ｊ−ｉｌｌ 近 憲 イイｉ同 人間
リロ夫 丁 喝 〜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）半導体部材または高抵抗部材からなる基板と、こ
の基板の一主面に配置された電極と、 この電極を覆うように配置された圧電体層とを少なくと
も備えた弾性表面波装置において、前記基板の他の面に
金属層または誘電体層の少なくとも一方からなる被覆層
を設けたことを特徴とする弾性表面波装置。 （２）前記圧電体層上には、少なくとも短絡電極が設け
られていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の弾性表面波装置。 （３）前記基板の厚さｘと、 前記圧電体層の厚さｙと、 前記被覆層の厚さｚとは、それぞれ ０．２ｍｍ＜ｘ＜１．５ｍｍ、 ０．５μｍ＜ｙ＜５０μｍ、 ０．５μｍ＜ｚ＜５０μｍ の範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の弾性表面波装置。 （４）前記基板の他の面には、第２の圧電体層が配置さ
れ、かつこの第２の圧電体層とこの他の面との間には電
極が配置されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２項記載の弾性表面波装置。 （５）前記基板の他の面には、第２の圧電体層が配置さ
れ、かつこの第２の圧電体層とこの他の面との間には電
極が配置され、さらにこの第２の圧電体層上に短絡電極
が配置されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の弾性表面波装置。 （６）半導体部材または高抵抗部材からなる基板と、こ
の基板の一主面に配置された圧電体層と、この圧電体層
上に配置された電極とを少なくとも備えた弾性表面波装
置において、 前記基板の他の面に金属層または誘電体層の少なくとも
一方からなる被覆層を設けたことを特徴とする弾性表面
波装置。 （７）前記電極が配置された前記圧電体層の他の面には
、少なくとも短絡電極か配置されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第６項記載の弾性表面波装置。 （８）前記基板の厚さｘと、 前記圧電体層の厚さｙと、 前記被覆層の厚さｚとは、それぞれ ０．２ｍｍ＜ｘ＜１．５ｍｍ、 ０．５μｍ＜ｙ＜５０μｍ、 ０．５μｍ＜ｚ＜５０μｍ の範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第６項記
載の弾性表面波装置。 （９）前記基板の他の面には、第２の圧電体層が配置さ
れ、かつこの第２の圧電体層上に電極が配置されたこと
を特徴とする特許請求の範囲第６項または第７項記載の
弾性表面波装置。 （１０）前記基板の他の面には、短絡電極か形成され、
この短絡電極上には第２の圧電体層が配置され、かつこ
の第２の圧電体層上に電極が配置されたことを特徴とす
る特許請求の範囲第６項または第７項記載の弾性表面波
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18051385A JPS6240812A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18051385A JPS6240812A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240812A true JPS6240812A (ja) | 1987-02-21 |
Family
ID=16084565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18051385A Pending JPS6240812A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6240812A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018204A1 (fr) * | 1996-10-18 | 1998-04-30 | Tdk Corporation | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface |
| JP2006222512A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5837222B2 (ja) * | 1980-10-16 | 1983-08-15 | 住金鋼材工業株式会社 | 形鋼等の反転組合わせ装置 |
| JPS6192022A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面波フイルタ |
| JPS61128618A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP18051385A patent/JPS6240812A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| US6121713A (en) * | 1996-10-18 | 2000-09-19 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave device |
| JP2006222512A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子 |
| JP4609096B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2011-01-12 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波素子 |
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