JPS6237111B2 - - Google Patents
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- JPS6237111B2 JPS6237111B2 JP55154641A JP15464180A JPS6237111B2 JP S6237111 B2 JPS6237111 B2 JP S6237111B2 JP 55154641 A JP55154641 A JP 55154641A JP 15464180 A JP15464180 A JP 15464180A JP S6237111 B2 JPS6237111 B2 JP S6237111B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
この発明は無定形ケイ素を用いた電子写真感光
体に関し、とくに無定形ケイ素の抵抗率を高くし
た電子写真用感光体の製造方法に関する。 無定形ケイ素（以下ａ−Siと記す）による電子
写真用感光体の開発が一部に試みられているが、
未だ実用化の域に至つていない。実用化に至らな
い最大の問題は、ａ−Siの抵抗率が低いというこ
とである。ａ−Siはドープしないで成膜した場
合、構造欠陥によると思われるエネルギー準位に
よりｎ型になる。これに対し第族をドープする
ことにより抵抗を上げることができるが、たかだ
か1010〜1012Ω・cmにしかならない。このため電
子写真の過程で帯電を保持し得る時間が短かく、
使用不可能である。これを解決するために、
N2；O2或いはO2とＢ；O2とＢ、Ｐ或いは先に本
発明者等が示したように（特願昭55−111592号）
N2とＢ；N2とＢ、Ｐを適量ドープして抵抗値を
1013Ω・cm以上に上げる方法が提案されている。 一方、光感度は局在準位を減らし、キヤリアの
移動度、寿命を上げることにより増加するから、
N2、O2等を導入することは光感度の上からはマ
イナスであり、実験により明らかに光感度は低下
し、N2、O2が更に多くなれば絶縁物になつてし
まう。O2、N2等のガスをドーピングする場合、
適量範囲を超えると高抵抗であるが感度の低いも
のになり、不足すれば抵抗が上らず抵抗が低いま
まになつてしまう。その制御が難かしい。 従来、ａ−Si層を形成する場合、例えば誘導結
合または容量結合を用いた高周波によりグロー放
電を起させ、それによつてSiH4を分解し、基板
にａ−Si層を形成させる方法が利用されている。
今までａ−Siの開発は光感度に主力がおかれてい
て光感度をある程度低下させても高抵抗を作り出
そうという開発は余りなされていない。光感度に
重きをおく結果として高周波電力も一般に低電力
で良いとされ、容量結合の場合0.2W／cm2（電極
面積に対する進行波による電力の比）以下で行わ
れることが多い。さらに、例えばＢ、或いはＰ等
を同時にドープする場合、付着速度を早くするた
めに進行波によるRF電力を大にすると反応装置
内の汚れが混入されたりする。 本発明者等は光感度を多少低下させても現用の
セレニウム、硫化カドミウム、酸化亜鉛、その他
の有機半導体で光導電特性の良いもの以上の感度
をもつ電子写真用ａ−Siは可能であると考え実験
した。この結果次のようなことが判つた。 容量結合の場合、RFの進行波による電力が電
極の放電面（試料と相対している面）の面積に対
して或る値以下であると完全な無定形であるのに
対し或る値以上では多結晶が含まれていること、
及びこの多結晶を含むａ−Siは抵抗率が高いこと
が判つた。つまりRF電力を0.2W／m2以下にした
ａ−SiはＸ線回折でピークがなく無定形であるこ
とを示しているのに対し、例えば0.32W／cm2の電
力を投入したときにはSi（）にピークが発生し
た。これらを太陽電池として比較するためにSi層
を形成させるときの電力を変えてｐ−ｉ−ｎ接合
体を作製した。そのｐ層はSiH4にB2H6を添加し
たものを用い、厚み66Åに成膜することにより作
り、ｉ層はSiH4を用い、厚み5000Å、ｎ層はPH3
をSiH4に添加したものを用い、厚み200Åの層で
あつた。RF電力0.16W／cm2のものはAMI（地表
上の太陽光の強度）で約３％の効率となるのに対
し、RF電力0.63W／cm2の場合は0.9％にしかなら
なかつた。またこのときのｉ層の抵抗率はRF電
力0.16W／cm2のとき108Ω・cmであり、0.63W／cm2
のものは５×1012Ω・cmであつた。さらに
1.6W／cm2にしたとき抵抗率は1013Ω・cmとなつ
た。また0.16W／cm2のものは赤外分光で2100cm-1
に吸収が出ないが他の２つは2100cm-1に吸収がで
た。 次に電子写真用感光体としての特性を調べるた
めに直径120mm、長さ300mmのJIS3003Alを素材と
した円筒の外周上に12μの厚さに成膜した（成膜
条件は後に記載の実施例１の場合と同じ）。この
円筒ドラムの電子写真的特性は下表の如くであつ
た。
体に関し、とくに無定形ケイ素の抵抗率を高くし
た電子写真用感光体の製造方法に関する。 無定形ケイ素（以下ａ−Siと記す）による電子
写真用感光体の開発が一部に試みられているが、
未だ実用化の域に至つていない。実用化に至らな
い最大の問題は、ａ−Siの抵抗率が低いというこ
とである。ａ−Siはドープしないで成膜した場
合、構造欠陥によると思われるエネルギー準位に
よりｎ型になる。これに対し第族をドープする
ことにより抵抗を上げることができるが、たかだ
か1010〜1012Ω・cmにしかならない。このため電
子写真の過程で帯電を保持し得る時間が短かく、
使用不可能である。これを解決するために、
N2；O2或いはO2とＢ；O2とＢ、Ｐ或いは先に本
発明者等が示したように（特願昭55−111592号）
N2とＢ；N2とＢ、Ｐを適量ドープして抵抗値を
1013Ω・cm以上に上げる方法が提案されている。 一方、光感度は局在準位を減らし、キヤリアの
移動度、寿命を上げることにより増加するから、
N2、O2等を導入することは光感度の上からはマ
イナスであり、実験により明らかに光感度は低下
し、N2、O2が更に多くなれば絶縁物になつてし
まう。O2、N2等のガスをドーピングする場合、
適量範囲を超えると高抵抗であるが感度の低いも
のになり、不足すれば抵抗が上らず抵抗が低いま
まになつてしまう。その制御が難かしい。 従来、ａ−Si層を形成する場合、例えば誘導結
合または容量結合を用いた高周波によりグロー放
電を起させ、それによつてSiH4を分解し、基板
にａ−Si層を形成させる方法が利用されている。
今までａ−Siの開発は光感度に主力がおかれてい
て光感度をある程度低下させても高抵抗を作り出
そうという開発は余りなされていない。光感度に
重きをおく結果として高周波電力も一般に低電力
で良いとされ、容量結合の場合0.2W／cm2（電極
面積に対する進行波による電力の比）以下で行わ
れることが多い。さらに、例えばＢ、或いはＰ等
を同時にドープする場合、付着速度を早くするた
めに進行波によるRF電力を大にすると反応装置
内の汚れが混入されたりする。 本発明者等は光感度を多少低下させても現用の
セレニウム、硫化カドミウム、酸化亜鉛、その他
の有機半導体で光導電特性の良いもの以上の感度
をもつ電子写真用ａ−Siは可能であると考え実験
した。この結果次のようなことが判つた。 容量結合の場合、RFの進行波による電力が電
極の放電面（試料と相対している面）の面積に対
して或る値以下であると完全な無定形であるのに
対し或る値以上では多結晶が含まれていること、
及びこの多結晶を含むａ−Siは抵抗率が高いこと
が判つた。つまりRF電力を0.2W／m2以下にした
ａ−SiはＸ線回折でピークがなく無定形であるこ
とを示しているのに対し、例えば0.32W／cm2の電
力を投入したときにはSi（）にピークが発生し
た。これらを太陽電池として比較するためにSi層
を形成させるときの電力を変えてｐ−ｉ−ｎ接合
体を作製した。そのｐ層はSiH4にB2H6を添加し
たものを用い、厚み66Åに成膜することにより作
り、ｉ層はSiH4を用い、厚み5000Å、ｎ層はPH3
をSiH4に添加したものを用い、厚み200Åの層で
あつた。RF電力0.16W／cm2のものはAMI（地表
上の太陽光の強度）で約３％の効率となるのに対
し、RF電力0.63W／cm2の場合は0.9％にしかなら
なかつた。またこのときのｉ層の抵抗率はRF電
力0.16W／cm2のとき108Ω・cmであり、0.63W／cm2
のものは５×1012Ω・cmであつた。さらに
1.6W／cm2にしたとき抵抗率は1013Ω・cmとなつ
た。また0.16W／cm2のものは赤外分光で2100cm-1
に吸収が出ないが他の２つは2100cm-1に吸収がで
た。 次に電子写真用感光体としての特性を調べるた
めに直径120mm、長さ300mmのJIS3003Alを素材と
した円筒の外周上に12μの厚さに成膜した（成膜
条件は後に記載の実施例１の場合と同じ）。この
円筒ドラムの電子写真的特性は下表の如くであつ
た。
【表】
このドラムを湿式現象により画像を出したとこ
ろ鮮明なる画像を得た。従つて電子写真用感光体
として充分使用できるものであつた。本発明に入
らない条件で成膜したものは帯電できず測定不能
であつた。従つて、高周波電力／電極面積の比は
0.3W／cm2以上がよく、上限は実験で確かめるこ
とはできないが、余り大きいと系の汚れが導入さ
れ不都合であると思われる。それ故、好ましくは
1.5W／cm2以上である。 次に成膜速度の点から見るとSiH4の流量は重
要である。市販のトナーを用いて実験したところ
電子写真用には10μ以上の厚みが必要で、チエン
バー容積に対して0.007 １／min以下であるとRF
電力を0.5W／cm2にしても成膜速度は0.8μ／Ｈに
しかならない。しかし0.04 １／minにしたとき
には同じ電力で５μ／Ｈとなる。従つて２時間で
10μとなり実用的である。我々の実験によれば
SiH4流量はチエンバー容量に対して0.01 １／
min以上を要することが判つた。従つて、全ガス
流量／チエンバー容積比は0.01min-1以上がよい
と思われる。この比はかなり大きくてもよいが、
その上限は実験的に決定できない。ドーピングガ
ス量は必要に応じ定めることができるが、たとえ
ばB2H6の場合、B2H6／SiH4＝５×10-5〜10-3で
ある。以上のように電子写真用感光体としてはａ
−Siに多結晶が分散されていた方が良く、それは
本発明の方法により実現できることが判つた。 この発明の方法を行なうための装置の例を概略
的に第１図及び第２図に示す。いずれも容量結合
によるプラズマCVD装置を利用したもので、も
し誘導結合によるプラズマ発生装置を用いる場合
は試料をコイルの中に入れればよく、その構成は
当業者に容易に判るであろう。チエンバーは例え
ば石英ガラスから構成されていてもよく、ヒータ
ー４で基板３を加熱できるようになつている。操
作の一具体例を述べると、ヒーター４にて試料３
を200℃に加熱する。次にこの装置をロータリー
ポンプ、メカニカルブースターにて0.1Pa（パス
カル）にまで減圧する。ここでチエンバー１内に
SiH410％、H290％の混合ガスを導入する。この
ときB2H6をSiH4に対して５×10-3〜10-4、あるい
はB2H6とともにN2またはO2を全ガス流量の５％
を超えない範囲で導入しても良い。しかし、いか
なる場合でもチエンバー１の容積に対し全ガス流
量は次の式による値以上でなければならない。 全ガス流量／チエンバー容積＝0.01（１／min） チエンバー１の真空度は1.3×102〜1.3×103Pa
となるように排気バルブで調整する。流量及び真
空度が設定値になり安定したならRF電源をONに
する（使用した周波数は13.56MHzであつたが、
この周波数に限定されることはない）。RF電力は
電極２の表面積（プラズマ発生側）に対して
0.5W／cm2以上を投入する（誘導結合においては
RFコイルの巻かれているチエンバーの表面積を
取れば良い）。電力は進行波によるものを示す。
チエンバー内ではグロー放電が起り、SiH4の分
解が始まる。試料にａ−Siが付着され希望の厚さ
に成膜されたならRF電源を切る。次いで全ガス
を止めヒーターを切る。続いてN2ガスをチエン
バー内に導入し試料を酸化から防ぐとともに温度
を下げる。この間真空度は1.3×102Paに保ち、温
度が100℃以下になつたらN2ガスを止め取り出
す。 この発明により得られる効果・利点を列挙すれ
ば次のようになる。 (1) 高抵抗のａ−Siができること。 グロー放電法によるａ−Siはドナーとアクセ
プターを等しくするようにしても高々1011〜
1012Ω・cmにしかならない。しかし本発明によ
ると1013Ω・cm程度になりその理由は不明であ
るが、Ｘ線回折によると多結晶のSiが分散して
いることを示している。このことが高抵抗をも
たらしていると思われる。 (2) 高感度であること。 O2あるいはN2をドープする方法において、
O2、N2がどのように入つているか未だ明確に
なつていないが、SiO2、Si3N4は絶縁物であ
り、高抵抗が実現できるが感度の低下も大であ
る。その点多結晶が分散されることになる本発
明は感度の低下と高抵抗化を制御しやすく高感
度のａ−Siが実現できる。 (3) 系の汚染が少ないこと。 本発明によればＢ、Ｐ、Ｎ、Ｏを含んでも良
いが必須ではない。このため、SiH4ガスのみ
でも成膜できるからチエンバー内に堆積したSi
を高RF電力でたたいても不純物の入るおそれ
はない。 (4) 付着速度が早いこと。 通常ａ−Siを太陽電地等に使用するにはRF
を少なくした方が光導電性が良いといわれてい
て付着速度も１μ／Ｈ程度である。本発明によ
れば１〜10μ／Ｈが可能で、むしろ付着速度の
早い方が良い特性である。 この発明の方法を用いることにより複写機、プ
リンター等電子写真法を用いる機器に使用される
感光体の性能を改善することができる。 すでに述べてきたように、本発明方法によれば
その形成層にＮ、Ｂ、Ｐをドープしてもよく、
SiH4等を分解させて形成するものであるからＨ
を含むことは当然である。また、Ｘ線回折にてSi
（）にピークを生じていることから、このａ−
Siは微細晶を含んでいると思われる。従つてここ
でいうａ−Siとは完全なる無定形の純シリコンの
みの意味ではない。 本発明の方法を実施例によりさらに説明する。 実施例 １ 10cm×10cm×１cmのアルミニウム板を電極面積
314cm2の直径20cmφSUS304製電極をもつ第１図の
装置に挿入した。チエンバー容積は約14であ
る。この装置を0.13Paまで排気し、SiH410％、
H290％の混合ガスをチエンバーに導入した。ガ
ス流量は1000ml／minである。ロータリーポン
プ、及びメカニカルブースターポンプにより1.3
×103Paに調整し基板温度を200℃に設定した。設
定値に到達したらRF電源をONにし放電を開始し
た。このとき、進行波による電力は1KWで反射
波による電力は約10Wであつた。基板の回転は
10rpmである。２時間後にRFを切りガスを止
め、SiH4を排気した。0.13Paまで排気してから
N2ガスを導入し、1.3×102Paの真空度で30分放置
した後チエンバーを大気圧にもどしてａ−Siの付
着したアルミニウム板を取り出した。24時間の暗
順応の後電子写真特性を測定したところ、下記の
ようであつた。
ろ鮮明なる画像を得た。従つて電子写真用感光体
として充分使用できるものであつた。本発明に入
らない条件で成膜したものは帯電できず測定不能
であつた。従つて、高周波電力／電極面積の比は
0.3W／cm2以上がよく、上限は実験で確かめるこ
とはできないが、余り大きいと系の汚れが導入さ
れ不都合であると思われる。それ故、好ましくは
1.5W／cm2以上である。 次に成膜速度の点から見るとSiH4の流量は重
要である。市販のトナーを用いて実験したところ
電子写真用には10μ以上の厚みが必要で、チエン
バー容積に対して0.007 １／min以下であるとRF
電力を0.5W／cm2にしても成膜速度は0.8μ／Ｈに
しかならない。しかし0.04 １／minにしたとき
には同じ電力で５μ／Ｈとなる。従つて２時間で
10μとなり実用的である。我々の実験によれば
SiH4流量はチエンバー容量に対して0.01 １／
min以上を要することが判つた。従つて、全ガス
流量／チエンバー容積比は0.01min-1以上がよい
と思われる。この比はかなり大きくてもよいが、
その上限は実験的に決定できない。ドーピングガ
ス量は必要に応じ定めることができるが、たとえ
ばB2H6の場合、B2H6／SiH4＝５×10-5〜10-3で
ある。以上のように電子写真用感光体としてはａ
−Siに多結晶が分散されていた方が良く、それは
本発明の方法により実現できることが判つた。 この発明の方法を行なうための装置の例を概略
的に第１図及び第２図に示す。いずれも容量結合
によるプラズマCVD装置を利用したもので、も
し誘導結合によるプラズマ発生装置を用いる場合
は試料をコイルの中に入れればよく、その構成は
当業者に容易に判るであろう。チエンバーは例え
ば石英ガラスから構成されていてもよく、ヒータ
ー４で基板３を加熱できるようになつている。操
作の一具体例を述べると、ヒーター４にて試料３
を200℃に加熱する。次にこの装置をロータリー
ポンプ、メカニカルブースターにて0.1Pa（パス
カル）にまで減圧する。ここでチエンバー１内に
SiH410％、H290％の混合ガスを導入する。この
ときB2H6をSiH4に対して５×10-3〜10-4、あるい
はB2H6とともにN2またはO2を全ガス流量の５％
を超えない範囲で導入しても良い。しかし、いか
なる場合でもチエンバー１の容積に対し全ガス流
量は次の式による値以上でなければならない。 全ガス流量／チエンバー容積＝0.01（１／min） チエンバー１の真空度は1.3×102〜1.3×103Pa
となるように排気バルブで調整する。流量及び真
空度が設定値になり安定したならRF電源をONに
する（使用した周波数は13.56MHzであつたが、
この周波数に限定されることはない）。RF電力は
電極２の表面積（プラズマ発生側）に対して
0.5W／cm2以上を投入する（誘導結合においては
RFコイルの巻かれているチエンバーの表面積を
取れば良い）。電力は進行波によるものを示す。
チエンバー内ではグロー放電が起り、SiH4の分
解が始まる。試料にａ−Siが付着され希望の厚さ
に成膜されたならRF電源を切る。次いで全ガス
を止めヒーターを切る。続いてN2ガスをチエン
バー内に導入し試料を酸化から防ぐとともに温度
を下げる。この間真空度は1.3×102Paに保ち、温
度が100℃以下になつたらN2ガスを止め取り出
す。 この発明により得られる効果・利点を列挙すれ
ば次のようになる。 (1) 高抵抗のａ−Siができること。 グロー放電法によるａ−Siはドナーとアクセ
プターを等しくするようにしても高々1011〜
1012Ω・cmにしかならない。しかし本発明によ
ると1013Ω・cm程度になりその理由は不明であ
るが、Ｘ線回折によると多結晶のSiが分散して
いることを示している。このことが高抵抗をも
たらしていると思われる。 (2) 高感度であること。 O2あるいはN2をドープする方法において、
O2、N2がどのように入つているか未だ明確に
なつていないが、SiO2、Si3N4は絶縁物であ
り、高抵抗が実現できるが感度の低下も大であ
る。その点多結晶が分散されることになる本発
明は感度の低下と高抵抗化を制御しやすく高感
度のａ−Siが実現できる。 (3) 系の汚染が少ないこと。 本発明によればＢ、Ｐ、Ｎ、Ｏを含んでも良
いが必須ではない。このため、SiH4ガスのみ
でも成膜できるからチエンバー内に堆積したSi
を高RF電力でたたいても不純物の入るおそれ
はない。 (4) 付着速度が早いこと。 通常ａ−Siを太陽電地等に使用するにはRF
を少なくした方が光導電性が良いといわれてい
て付着速度も１μ／Ｈ程度である。本発明によ
れば１〜10μ／Ｈが可能で、むしろ付着速度の
早い方が良い特性である。 この発明の方法を用いることにより複写機、プ
リンター等電子写真法を用いる機器に使用される
感光体の性能を改善することができる。 すでに述べてきたように、本発明方法によれば
その形成層にＮ、Ｂ、Ｐをドープしてもよく、
SiH4等を分解させて形成するものであるからＨ
を含むことは当然である。また、Ｘ線回折にてSi
（）にピークを生じていることから、このａ−
Siは微細晶を含んでいると思われる。従つてここ
でいうａ−Siとは完全なる無定形の純シリコンの
みの意味ではない。 本発明の方法を実施例によりさらに説明する。 実施例 １ 10cm×10cm×１cmのアルミニウム板を電極面積
314cm2の直径20cmφSUS304製電極をもつ第１図の
装置に挿入した。チエンバー容積は約14であ
る。この装置を0.13Paまで排気し、SiH410％、
H290％の混合ガスをチエンバーに導入した。ガ
ス流量は1000ml／minである。ロータリーポン
プ、及びメカニカルブースターポンプにより1.3
×103Paに調整し基板温度を200℃に設定した。設
定値に到達したらRF電源をONにし放電を開始し
た。このとき、進行波による電力は1KWで反射
波による電力は約10Wであつた。基板の回転は
10rpmである。２時間後にRFを切りガスを止
め、SiH4を排気した。0.13Paまで排気してから
N2ガスを導入し、1.3×102Paの真空度で30分放置
した後チエンバーを大気圧にもどしてａ−Siの付
着したアルミニウム板を取り出した。24時間の暗
順応の後電子写真特性を測定したところ、下記の
ようであつた。
【表】
ここで、Ｖnaxは60μワイヤによるコロトロン
による帯電電位、暗減衰は３秒後の電位とＶnax
の比、白色感度は2800〓Ｗランプで感光体表面で
10lxの光源を用いた。残留電位はFLにて〓5lx秒
露光した後の電位である。各実施例の結果はすべ
てこの規定によつて記してある。 実施例 ２ 内容積約75と電極面積（円筒電極の内側表面
積）2260cm2の円筒電極をもつ第２図のプラズマ
CVD装置を用いて、φ120mm×300mmＬ、ｔ＝５
mmのJIS3003Alドラムを試料としてａ−Siを作製
した。このときの付着条件は試料（基板）温度
200℃、真空度6.6×102Pa、SiH410％、H290％の
ガス流量3000ml／min、RF電力は3KWである。
３時間の付着の後ガスを止め基板温度制御のヒー
ターを切つた。SiH4を排気した後N2ガスを導入
しドラムの温度を下げた。100℃になつたところ
でN2ガスを止め真空を破つてａ−Siの付着したド
ラムを取り出した。24時間の暗順応の後これを測
定したところ下記のようであつた。
による帯電電位、暗減衰は３秒後の電位とＶnax
の比、白色感度は2800〓Ｗランプで感光体表面で
10lxの光源を用いた。残留電位はFLにて〓5lx秒
露光した後の電位である。各実施例の結果はすべ
てこの規定によつて記してある。 実施例 ２ 内容積約75と電極面積（円筒電極の内側表面
積）2260cm2の円筒電極をもつ第２図のプラズマ
CVD装置を用いて、φ120mm×300mmＬ、ｔ＝５
mmのJIS3003Alドラムを試料としてａ−Siを作製
した。このときの付着条件は試料（基板）温度
200℃、真空度6.6×102Pa、SiH410％、H290％の
ガス流量3000ml／min、RF電力は3KWである。
３時間の付着の後ガスを止め基板温度制御のヒー
ターを切つた。SiH4を排気した後N2ガスを導入
しドラムの温度を下げた。100℃になつたところ
でN2ガスを止め真空を破つてａ−Siの付着したド
ラムを取り出した。24時間の暗順応の後これを測
定したところ下記のようであつた。
【表】
このドラムを負帯電トナーを用いる自社製の試
験複写機にて現像したところ、正帯電によりポジ
画像、負帯電で現像バイアス電圧も変えてネガ画
像を得た。ポジ、ネガ両画像ともに鮮明な画像で
あつた。 実施例 ３ 実施例２と同様の条件で行なつた。但し、下記
のガス流量のみ変更した。 SiH410％、H290％ 3000ml／min N2100％ ５ml／min 同様に測定したところ、下表のようになつた。
験複写機にて現像したところ、正帯電によりポジ
画像、負帯電で現像バイアス電圧も変えてネガ画
像を得た。ポジ、ネガ両画像ともに鮮明な画像で
あつた。 実施例 ３ 実施例２と同様の条件で行なつた。但し、下記
のガス流量のみ変更した。 SiH410％、H290％ 3000ml／min N2100％ ５ml／min 同様に測定したところ、下表のようになつた。
【表】
実施例 ４
下記のガス流量のみ変更し、その他は実施例２
と同様に行なつた。 SiH410％、H290％ 3000ml／min N2100％ ３ml／min B2H60.1％、H299.9％ 150ml／min
と同様に行なつた。 SiH410％、H290％ 3000ml／min N2100％ ３ml／min B2H60.1％、H299.9％ 150ml／min
【表】
本実施例においてSiH4を用いているが、Si2H6
でも良く、またB2H6の代わりにAsH3を用いても
良く、N2を用いる代わりにNH3を用いても良いこ
とは当然である。
でも良く、またB2H6の代わりにAsH3を用いても
良く、N2を用いる代わりにNH3を用いても良いこ
とは当然である。
第１図は、この発明の方法を平板状基板上にケ
イ素層を形成する際に用いられる容量結合型プラ
ズマCVD装置の一例の概略図である。第２図
は、この発明の方法を円筒状基板上にケイ素層を
形成する際に用いられる容量結合型プラズマ
CVD装置の一例の概略図である。 １……チエンバー；２……電極；３……基板；
４……ヒーター。
イ素層を形成する際に用いられる容量結合型プラ
ズマCVD装置の一例の概略図である。第２図
は、この発明の方法を円筒状基板上にケイ素層を
形成する際に用いられる容量結合型プラズマ
CVD装置の一例の概略図である。 １……チエンバー；２……電極；３……基板；
４……ヒーター。
Claims (1)
- １ 高周波グロー放電による気体状ケイ素化合物
を分解することにより光導電性無定形ケイ素層を
製造する方法において、高周波電力（進行波によ
る電力）を放電面に面している電極面積に対して
高周波電力と電極面積の比が0.3W／cm2以上と
し、全ガス流量をグロー放電室の内容積との比で
0.01min-1以上で導入することを特徴とする光導
電性無定形ケイ素層の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55154641A JPS5778546A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Production of photoconductive silicon layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55154641A JPS5778546A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Production of photoconductive silicon layer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5778546A JPS5778546A (en) | 1982-05-17 |
| JPS6237111B2 true JPS6237111B2 (ja) | 1987-08-11 |
Family
ID=15588648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55154641A Granted JPS5778546A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Production of photoconductive silicon layer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5778546A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0691010B2 (ja) * | 1983-01-11 | 1994-11-14 | 三井東圧化学株式会社 | 非晶質薄膜の製法 |
| JPH0644552B2 (ja) * | 1983-03-30 | 1994-06-08 | 三井東圧化学株式会社 | 非晶質薄膜の製法 |
| JPS6028662A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用アモルフアスシリコン感光体 |
| JPH0611032B2 (ja) * | 1984-09-04 | 1994-02-09 | 株式会社リコー | プラズマｃｖｄ法による非晶質半導体薄膜の製造方法 |
| JPH0351971Y2 (ja) * | 1988-05-12 | 1991-11-08 | ||
| JP2700208B2 (ja) * | 1988-09-08 | 1998-01-19 | 住友電気工業株式会社 | 薄膜形成法 |
| JP2719184B2 (ja) * | 1989-04-06 | 1998-02-25 | 住友電気工業株式会社 | 薄膜形成法 |
| JP2719183B2 (ja) * | 1989-04-06 | 1998-02-25 | 住友電気工業株式会社 | 薄膜形成装置 |
-
1980
- 1980-11-05 JP JP55154641A patent/JPS5778546A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5778546A (en) | 1982-05-17 |
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