JPS6294850A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［／！Ｉ東上の利用分野］ この・発明は、帯電特性、光感度特性及び耐環境性等が
帰れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術及びその問題点］ 従来、電子写真感光体の光導電層を形成する材料として
、ＣｄＳ、ＺｎＯ，Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ若しくはアモルフ
ァスシリコン等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール（ＰＶＣｚ）若しくはトリニトロフルオレン（Ｔ
ＮＦ＞等の有機材料が使用されている。しかしながら、
これらの従来の光導電性材料においては、光導電特性上
、又は製造上、種々の問題点があり、感光体システムの
特性をある程度犠牲にして使用目的に応じてこれらの材
料を使い分けている。

例えば、３ｅ及びＣｄＳは、人体に対して有害な材料で
あり、その製造に際しては、安全対策上、特別の配慮が
必要である。従って、製造装置が複雑となるため製造コ
ス１〜が高いと共に、特に、Ｓｅは回収する必要がある
ため回収コストが付加されるという問題点がある。また
、Ｓｅ又はＳｅ−゛「ｅ系においては、結晶化温度が６
５℃と低いため、複写を繰り返している間に、残量等に
より光導電特性上の問題が生じ、このため、寿命が短い
ので実用性が低い。

更に、ＺｎＯは、酸化還元が生じやすく、環境゛雰囲気
の影響を著しく受けろため、使用上、信頼性が低いとい
う問題点がある。

更にまた、ＰＶＣｚ及びＴＮＦ等の有機光導電性材料は
、発癌性物質である疑いが持たれており、人体のｔｉＰ
ｍ上問題があるのに加え、有機材料は熱安定性及び耐１
９４耗性が低く、寿命が灼いという欠点がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）
は、近時、光４電変換材料として注目されており、太陽
電池、ｉ？ＩＩＩＩ　ｌ〜ランジスタ及びイメージセン
サへの応用が活発になされている。このａ−８ｉの応用
の一環として、ａ−３ｉを電子写真感光体の光導電性材
料として使用する試みがなされており、ａ−３ｉを使用
した感光体は、無公害の材料であるから回収処理の必要
がないこと、他の材料に比して可視光領域で高い分光感
度を有すること、表面硬度が高く耐摩耗性及び耐雨撃性
が浸れでいること等の初点を有する。

このａ−３ｉは、カールソン方式に基づく感光体どして
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される、しかしなが
ら、この両特性を単一層の感光体で満足させることが困
ｔＫであるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁
層を設け、光導電ａ　ｔに表面電荷保持層を設けた積層
型の構造にすることにより、このような要求を満足させ
ている。

ところで、ａ−８ｉは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
８ｉ膜中に水素が取り込まれ、水１ｇ間の差により電気
的及び光学的特性が大きく変動する。即ら、ａ−８ｉｌ
ｌｉに侵入する水素の糟が多くなると、光学的バンドギ
ャップが大きくなり、ａ−３ｉの抵抗が高くなるが、そ
れにともない、長波長光に対する光感度が低下してしま
うので、例えば、半導体レーザを搭載したレーザヒーム
プリンタに使用することが困難である。また、ａ−８１
膜中の水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって、
（Ｓ！Ｈ２）ｎ及び３ｉ）−１２等の結合ｔＭ　ｊｉ′
＋　’ｉ行するしのが膜中で大部５）の領域を占める場
合がある。そうすると、ボイドが増加し、シリコンダン
グリングボンドが増加するため、光４電特性が劣化し、
電子写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−３ｉ
中に侵入する水素の潰が低下すると、光学的バンドギｔ
Ｉツブが小さくなり、その抵抗が小さくなるが、長波長
光に封する光感度が増加する。しかし、通常の成膜条件
で作成した従来のａ−８ｉにおいては、水素含有量が少
ないと、シリコンダングリングボンドと結合してこれを
減少させるべき水素が少なくなる。このため、発生する
キャリアの移動度が低下し、寿命が短くなると共に、光
導電特性が劣化してしまい、電子写真感光体として使用
し難いものとなる。

なお、長波長光に対する感度を高める技術として、シラ
ン系ガスとゲルマンＧｅＨ４とを混合し、グロー放電分
解することにより、光学的バンドギャップが狭い躾を生
成するものがあるが、一般に、シラン系ガスとＧ　ｅ　
Ｈ４とでは、最適基板温度が異なるため、生成した膜は
構造欠陥が多く、良好な光導電特性を得ることができな
い。また、ＱｅＨ＋の廃ガスは酸化されるとｈ重ガスと
なるので、廃ガス処理も複雑である。従って、このＪ：
うな技術は実用性がない。

この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が侵れそおり、残留電位が低ζ、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、帯電及び除電の
礫返しによる光疲労が抑制され、基板との密着性が良く
、耐環境性が優れた電子写真感光体を１Ｐｌｉ！洪する
ことを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ この発明に係る゛電子写真感光体は、導電性支持体と、
光導電層と、導電性支持体と光導電層との間に配設され
た障壁層とを有する電子写真感光体において、前記光導
電層は、マイクロクリスタリンシリコンで形成された少
なくとも２層以上の積層体であり、それらの平均粒■は
相互に異なることを特徴とする。

この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、層れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを１備し、光疲
労が抑制され、帯°耐曲が高く、残留電位が低い電子写
真感光体を開Ｒすべく本願発明省等が種々実験研究を重
ねた結果、マイクロクリスタリンシリコン（以下、μｃ
−３ｉと略′？ｌ）を電子写真感光体の少なくとも一部
に使用すると共に、結晶粒径が相互に異なるμｃ−３ｉ
を２層以上積層すること【こより、この目的を達成する
ことができることに惣到して、この発明を完成させたも
のである。

以下、この発明について具体的に説明する。この光明の
特徴は、従来の８−３ｉの間りに、μＣ−３ｉを使用し
たことにある。つまり、光導″１看時の全ての領域又は
一部の領域がμＣ−８ｉの単体で形成されているか、μ
Ｃ−３ｉとアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと略
す）との混合体で形成されているか、又は１又は２以上
のμＣ−３ｉ層及びａ−３ｉ層の積層体で形成されてい
る。

μＣ−８ｉｌｉ、以下のような物性］〕の特１歎により
、ａ−３１及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリ
コン）から明ｂ「に区別される。即ら、Ｘ線回折測定に
おいては、ａ−３ｉは、無定形であるため、ハローのみ
が埠れ、回折パターンを認めることができないか、μｃ
−３ｉは、２θが２８乃至２８．５’付近にある結晶回
折パターンを示す。また、ポリクリスタリンシリコンは
暗抵抗か１０６Ω・ｃｍであるのに対し、μｃ−８ｉは
’ＩＱＩＩΩ・Ｃ１１ｒ以上の暗抵抗を有する。このμ
Ｃ−８１は粒径が約数十人以、Ｆである微結晶が集合し
て形成されている。

例えば、μｃ−８ｉとａ−３ｉとの混合体とは、μＣ−
３ｉの結晶領域がａ−３ｉ中に混在していて、μＣ−３
ｉ及びａ−８ｉが同程度の体積比で存在するものをいう
。また、μｃ−３ｉとａ−８ｉとの積層体とは、大部分
がａ−３ｉからなる層と、μＣ−８ｉが充填された層と
が積層されているものをいう。

この発明においては、光導電層が、少なくと５２府以上
のμｃ−８ｉ層の積層体で構成されており、各μＣ−８
ｉ層の平均結晶粒径が相互に異なる。μｃ−３ｉの光学
的バンドギヤップＥａは、１．６０乃至’ｌ　、　’６
５８　Ｖであり、ａ−３：の光学的バンドギヤップＥａ
　（１，７０ｅＶ以上）に比して低い。ところで、光導
電層は、その光学的バンドギャップより大きなエネルギ
の光が入射されるとキャリアを弁士する。従って、ａ−
８ｉは、可視光に対しては十分な光感度を有するが、可
視光よりもエネルギが小さい近赤外光等の長波長光に対
しては、光感度を有しない。これに対し、光学的バンド
ギャップが小さいμｃ−３ｉはこのような長波長光ら吸
収してキャリアを発生する。このため、μＣ−３ｉは、
可７１２光から近赤外光に至る広い波長領域に百って光
感度か高く、発１辰波長が７９０ｎｍの半導体レーザ光
に対してｔＪ充分の感度を有するから、この発明に係る
電子写真感光体は、ＲＰＣ（Ｈ通ｆＪｉ復写機）のみな
らず、レーナプリンタに適用することができる。一方、
μＣ−３ｉは、その平均粒径が大きい稈、１ヤリアの移
動度が大きい。従って、感光体の表面側に配設したμｃ
−３ｉｊｌの平均粒径よりす、４電性支持体側に配設し
たμＣ３ｉＩｒＡの平均粒径を大きくすることにより、
表面側のμｃ−８ｉ層で発生したキャリアが導電性支持
体側のμｃ−８ｉ層を高効率で移動することができる。

このため、帯電及び露光除電を繰り返した場合の光疲労
を軽減することができる。光導電層は、キャリアを捕獲
するトラップが存在しないことが理想的である。しかし
、シリコン層は、単結晶でない以上、多少の不規則性が
存在し、ダングリングボンドが存在する。

この場合に、水素を含有させると、水素がシリコンダン
グリングボンドのターミネータとして作用し、結合を補
償する。この発明において使用するμｃ−８ｉ層におい
ては、少量の水素を含有させることにより、ダングリン
グボンドが高効率で補償される。このため、この光導％
ｉ層は、キャリアの走（ｊ性が高く、良好な光導電性を
示す。μＣ−３ｉの平均粒径は、透過型電子顕ｗＩ鏡写
真、Ｘ線スペクトル及びラマンスペクトル等により、測
定することができる。通常、μｃ−８ｉにおいては、平
均忙径が２０乃至数百人である。なお、光導電層の各μ
ｃ−３ｉ闇の層厚は、３乃至８０μｍ、好ましくｔユ、
１０乃至５０μｍ、更に好ましくは、１５乃至３０μｍ
である。

このようなμｃ−３ｉ層は、ａ−８ｉ祠と同様に、高周
波グロー放電分解法により、シランガスを原料として、
導電性支持１本上に堆積させることにより製造すること
ができる。しかしながら、その成、膿条件は従来のａ−
８１を成膜するときの条件と異なる。つまり、支持体の
温度はａ−３ｉを形成する場合よりも高く設定し、高周
波電力ちａ−８ｉの場合よりも高く設定する。このよう
に、支持体温度を高くし、高周波電力を大きくすること
により、原料ガス（シランガス等）の流量を増大させろ
ことができ、その結果、成膜速度を速くすることができ
る。また、原料ガス（Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス及び５ｉ２ｆ−
］ｓガスを含む）を水素ガスで希釈すると、μｃ−３ｉ
か形成されやすい。

第１図は、この発明に係る電子写真感光体を製造する装
置を示す図である。カスボンベ’１，２゜３．４には、
例えば、夫々Ｓ　！Ｈ４，Ｂ２　Ｈ５。

Ｈ２、Ｈｅ、ＡＩ’、Ｃｌ−１４、Ｎ２等の原料カスが
収容されている。これらのガスボンベ１．２，３゜４内
のガスは、流量調整用のバルブ６及び配管７を介して混
合器８に供給されるようになっている。

各ボンベには、圧力計５が設置されており、この圧力計
５を監視しつつ、バルブ６を調整することにより、混合
器８に供給する各原料ガスの流出及び混合比を調節する
ことができる。混合器８にて混合されたガスは反応容器
９に供給される。反応容器９の底部１１には、回転軸１
０が鉛直方向の回りに回転可能に取りつけられており、
この回転軸１０の上端に、円板状の支持台１２がその而
を回転軸１０に垂直にして固定されている。反応容器９
内には、円筒状の電極１３がその軸中心を回転軸１０の
軸中心と一致させて底部１１上に設置されている。感光
体のドラム基体１４が支持台１２上にその軸中心を回転
軸１０の軸中心と一致させて載量されており、このドラ
ム堆体１４の内側には、ドラム基体加熱用のヒータ１５
が配設されている。電極１３とドラム基体１４との間に
は、高周波宙、１１．′ｉ１６が接続されており、電極
１３及びドラム基体１４間に高周波電流が供給されるよ
うになっている。回転軸１０はモータ１８により回転駆
動される。反応容器９内の圧力は、圧力計１７により監
視され、反応容器９は、ゲートバルブ１８を介して真空
ポンプ等の適宜の排気手段に連結されている。

このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム載体１４を設置した後、ゲ
ートバルブ１９を開にして反応容器９内を約０．１トル
（−「ｏ　ｒ　ｒ　）の圧力以下に排気する。次いで、
ボンベ１．２．３．４から所要の反応ガスを所定の混合
比で混合して反応容器９内に導入する。この場合に、反
応容器９内に導入するガス滝川は、反応容器９内の圧力
が０．１乃至１トルになるように設定する。次いで、モ
ータ１８を作動させてドラム袖体１４を回転させ、ヒー
タ１５によりドラム基体１４を一定温度に加熱すると共
に、高周波電源１６により電（＠１３とドラム基体１４
との間に高周波電流を供給して、両名間にグロー放電を
形成する。これにより、ドラム基体１４上にμｃ−８ｉ
又はａ−８ｉが堆積する。なお、原料ガス中にＮ２０．
ＮＨ３゜ＮＯ２、Ｎ２　、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４，０２ガス
等を使用することにより、これらの元素をμＣ−３ｉ又
はａ−８ｉ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は従来のａ
−８ｉを使用したものと同様に、クローズドシステムの
製造装置で製造することができるため、人体に対して安
全である。また、この電子写真感光体は、耐熱性、耐湿
性及び耐摩耗性が浸れているため、長期にぼり繰り返し
使用しても劣化か少なく、寿命が良いという利点がある
。ざらに、ＧｅＨ＋等の長波長増感用ガスが不要である
ので、廃ガス処１１１！設備を設ける必要がなく、工業
的生産性が著しく高い。

μｃ−３ｉ１１には、水素Ｈを０．０１乃至３０原子％
、好ましくは、０．０５乃至２０原子％含有させること
が好ましい。これにより、光導電層の暗抵抗と明抵抗と
が調和のとれたものになり、光導電特性が向上する。μ
ｃ−３ｉ／＼の水素のドーピングは、例えば、グロー敢
を分解法による場合は、５ｉｔ−１＋及び３ｉ２ト１６
等のシラン系の原料ガスと、水素、アルゴン又はヘリウ
ム等のキャリアガスとを反応容器内に導入してグロー放
電さぜるか、ＳｉＦ＋及び５ｉＣ１＋等のハロゲン化ケ
イ素と、水素ガス、アルゴンガス又はヘリウムガスとの
混合ガスを使用してもよいし、また、シラン系ガスと、
ハロゲン化ケイ素との混合ガスで反応させてもよい。更
に、グローｔｊり重分解法によらず、スパッタリング等
の物理的な方法によってらμｃ−３＋層を形成すること
ができる。なお、これらの材料で形成された光導電層は
、光導電１ｈ性上、１乃至８０μｍの層厚を有すること
がｉｆましく、更に層厚を５乃至５０ｕｍにすることか
望ましい。

、ｃｚｃ−３ｉ　ニ、窒＃Ｎ　、　ｍ素ｃ及ＵｒｔＪ素
０から選択された少なくとし１種の元素をドーピングす
ることが好土しい。これにより、μｃ−３ｉの（暗抵抗
を高くして光導電特性を高めろことができろ。

これらの元素はシリコンダングリングボンドのターミネ
ータとして作用して、バンド間の禁制帯中に存在する状
態密度を減少させ、これにより、１！８抵抗が高くなる
と考えられる。

４電性支持体と光導電層との間に、障壁層を配設するこ
とが好ましい。この障壁層は、導電性支持体から、光導
電層ｌ＼のキャリアの流れを抑制することにより、電子
写真感光体の表面における電荷の保持機能を高め、電子
写真感光体の帯電能を高める。カールソン方式において
は、感光体表面に正帯電させる場合には、支持陣側から
光導電層Ｉ＼電子が注入されることを防止するために、
障壁層をｎ型にする。一方、感光体表面に負帯電させる
場合には、支持体側から光導電層へ正孔が注入されるこ
とを防止するために、１ｌＩｌｉａ層をｎ型にする。ま
た、障壁層として、絶縁性の躾を支持体の上に形成する
ことも可能である。１４壁層はμＣ−８１を使用して形
成してもよいし、ａ−８ｉを使用して障壁層を構成する
ことも可能である。この障壁層の層厚は０．０１乃至１
０μｍであることが好ましい。

μｃ−３ｉ及びａ−３ｉをｎ型にするためには、周期律
表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ、アルミニ
ウムＡＩ、ガリウムＧａ、インジウムＩｎ、及びタリウ
ムＴ１等をドーピングすることが好ましく、μｃ−３＋
層をｎ？にするためには、周期律表の第Ｖ族に属する元
素、例えば、“窒素Ｎ、リンＰ、ヒ＃ＡＳ、アンチ七ン
ｓｂ、及びビスマス８１等をドーピングすることが好ま
しい。

このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支
持体側から光導電層へ電荷が移動することが防止される
。また、これらの元素をドーピングすることにより、光
感度特性を向上させることができ、更に、その少量のド
ーピング（ライトドープ）でμｃ−３ｉ又はａ−３ｉを
真性半導体（Ｉ型）にしてその抵抗を高めることができ
る。

また、バンドギｉ？ツブを拡げることにより、障壁層を
形成することもできる。これは１、ｃｚｃ−３ｉ又はａ
−８ｉにＣ，Ｏ，Ｎを含有させればよい。このＣ，Ｏ，
Ｎｅ含有するμｃ−８ｉ又はａ−３ｉに周７ＪＦ　（１
表の第■族又は第Ｖ族に属する元素をドーピングするこ
とによって、そのブロッキング能を一判高めることがで
きる。史に、Ｃ，Ｏ，Ｎを含有するａ　３＋層と１周規
律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素を含有するａ−３
１層とを積層させることによっても、帯電能及び電荷保
持能が高い障壁層を得ることができる。

光導電層の上に表面層を設けることが好ましい。

光４電層のμｃ−３ｉ又はａ−３ｉは、その屈折率が３
乃至４と比較的大きいため、表面での光反射が起きやす
い。このような光反射が生じると、先導゛電嗜に吸収さ
れる光間の割合いが低下し、光損失が大きくなる。この
ため、表面層を設けて反射を防止することが好ましい。

また、表面層を設けることにより、光導電層が損傷から
保護される。

さらに、表面層を形成することにより、帯゛市能が向上
し、表面にＭ？４がよくのるようになる。表面層を形成
する材料としては、Ｓｉ３Ｎ＋、ＳｉＯ２，３ｉＣ，Ａ
ｌ１０３　、ＢＮ、ａ−８ｉＮ：ｌ−１，ａ−８ｉＯ：
Ｈ，ａ−８ｉＣ：ｌ−１、μｃ−８ｉＮ、μｃ−３ｉＣ
及びμｃ−８ｉＯ等の無ｌ化合物及びポリ塩化ビニル及
びポリアミド等の有機材料がある。

電子写真感光体としては、上述のごとく、支持体上に障
壁層を形成し、この障壁層上に光導電層を形成し、この
光４電層の上に表面層を形成したものに限らず、支持体
の上に電荷移動層（ＣＴＬ）を形成し、電荷移動層の上
に電荷発生Ｒ（ＣＧＬ　）を形成した機能分離型の形態
に構成することもできる。この場合に、電荷移動層と、
支持体との間に、障壁層を設けてもよい。電ｖＩ発生層
は、光の照０４によりキャリアを梵生ヂろ。この電荷発
生層は、層の一部又は全部がμｃ−３ｉで形成されてい
ることが好ましい。このようなμｃ−８ｉ）Ｆｌは、そ
の光学的バンドギャップＥａがａ−３ｉより小さいので
広い波長領域に亘って高感度である。従って、特に、半
導体レーザを使用したレーザプリンタ用の感光体として
好適である。この電荷発生層の厚さは０．１乃至１０μ
ｍにするのが好ましい。電荷移動層は電荷発生層でずそ
生したキャリアを高効率で支持体側に到達させる壱であ
り、このため、キャリアの寿命が良く、移動度が大きく
輸送性が高いことが必要である。電荷移！ＩＪ唐はμＣ
−３ｉ又はａ−３ｉの１又は２以上の材料で形成するこ
とができる。電荷移動層には、暗抵抗を高めて帯電能を
向上させるために、周期律表の第■族又は第Ｖ族のいず
れか一方に属する元素をライトドーピングすることが好
ましい。また、帯電能を一層向上させ、電荷移′＃Ｊ＃
！と電荷発生層との両機能を持たせるために、Ｃ，Ｎ、
Ｏの元素のうち、いずれか１種以上を含有させてもよい
。電荷移動層は、その摸１りが簿過ぎる場合及び厚過ぎ
る場合はその機能を充分に発揮しない。このため、電荷
移動層の厚さは３乃至８０μｍ、好ましくは、１０乃至
３０μｍである。

ｌＩＩ壁層を設けることにより、電荷移動層と電荷発生
層とを有する機能分離型の感光体においても、その電荷
保持機能を高め、帯電能を向上させることができる。な
お、障壁層をｐ型にするか、又はｎ型にするかは、その
帯電特性に応じて決定される。このＩＩＩ壁層は、ａ−
３ｉで形成してもよく、またμｃ−３ｉで形成してもよ
い。

［実施例］ 第２図及び第３図は、この発明の実施例に係る電子写真
感光体を示す一部断面図である。第２図に示す感光体に
おいては、導電性支持体２１の上に、障壁層２２が形成
され、障壁層２２の上に光導電層３１が形成されている
。この先導Ｙ１層３１は、障壁層２２の上に形成された
μｃ−３ｉ第１層２３と、この第１層２３の上に形成さ
れたμＣ−３ｉ第２層２４との積層体で構成されている
。

第３図においては、光導電層３１の上に、表面層２５が
形成されている。

光導電層３１の第１層２３及び第２層２４は、水素を含
有するμｃ−８ｉで形成されており、この光導電１１１
３１には周規律表の第■族又は第Ｖ族に属する元素をド
ーピングすることが好ましい。

また、Ｃ，Ｏ，Ｎのうち、少なくとも１種の元素を含有
させることによって、帯電能及び電荷保持能を高めるこ
とができる。また、光導ｒＲ層３１に入射した光は、表
面側の第２Ｗ４で主として吸収され、キャリアが発生す
る。この場合に、光導′Ｆ１Ｗ！Ｊ３１のμｃ−３ｉは
、光学的バンドギャップがａ−８ｉよりも小さいので、
長波長光までの広い波長領域に亘って高感度である。一
方、導電性支持体２１側の第１層２３は、その平均結晶
粒径が第２に４２４の平均結晶粒径よりも大きいことが
好ましい。結晶粒径が大きいほうが、キャリアの移動度
が高く、走行性が良好であるからである。これにより、
第２１Ｊ２４で光導したキャリアが第１層２３を伝搬し
て導電性支持体２１に速やかに移動する。また、この光
導電層は少量の水素でシリコンダングリングボンドが高
効率で補質されるので、欠陥が少なくキャリアの走行性
が一層高い。

次に、この発明の実施例について説明する。

実施１″ｌＩ　１ 導電性基板としてのＡｌ製ドラム（直径８０ｍ！Ｒ１長
さ３５０ａｍ）をトリクレンで脱脂した後、反応容器内
に装填し、反応容器内を、図示しない拡散ポンプにより
、排気し、約１０うトルの真空度にする。なお、必要に
応じて、ドラム基体表面を酸処理、アルカリ処理及びサ
ンドブラスト処理等する。その後、ドラム基体を加熱し
て約３００℃に保持し、５００８ＣＣＭの流量のＳｉＨ
＋ガス、このＳｉＨ＋ガス流聞に流量る流量比が１０４
の８２　Ｈｓガス、及び１１００５ＣＣのＣＨ４ガスを
混合して反応容器に供給した。その後、メカニカルブー
スタポンプ及びロータリポンプにより反応容器内を排気
し、その圧力を１トルに調整した。

ドラム基体を回転（毎分１０回転）させつつ、電極に１
３．５６ＭＨｚで３００ワツトの高周波電力を印加して
、Ｎ極とドラム基体との間に、Ｓ＋Ｈ４、Ｂ２　Ｈｓ及
びＣＨ４のプラズマを生起させ、所定時開成膜を継続し
た後、ガスの供給及び電力の印加を停止した。これによ
り、ｐ型のアモルファス炭化シリコンからなる障壁層を
形成した。

その後、ＳｉＨ＋ガス流聞を流量０ＳＣＣＭ、Ｂ２　Ｈ
６ガス流量をＳｉＨ４ガスに対する流量比で１０−Ｔに
設定し、更に２ＳＬＭの流量でＨ２ガスを反応容器に導
入した。そして、反応圧力が１．２トル、高周波電力が
２ｋＷの条件で、光導電層の第１層を形成した。次いで
、高周波電力を２．５ｋＷに上昇させ、微結晶粒の粒径
が第１層より小さいμｃ−８ｉ第２層を形成した。この
第１層及び第２層からなる光導電層のＩｉ！厚は３０μ
ｍである。その後、同様の操作により、Ｃ９Ｏ及びＮを
含有したａ−３ｉからなる表面層を形成した。

このようにして成膜した電子写真感光体を半導１本レー
ザプリンタに装着してカーＪレソンプロセスにより画像
を形成したところ、感光体表面の露光量が２５ｅｒｇ／
ｃｄであっても、鮮明で解霞度が高い画像を得ることが
できた。また、複写を繰返して転写プロセスの再現性及
び安定性を調査したところ、転写画像は極めて良好であ
り、耐コロナ性、耐湿性及び耐摩耗性等の耐久性が浸れ
ていることが実証された。

［発明の効果］ この発明によれば、高抵抗で帯電特性が浸れており、ま
た可視光及び近赤外光ｆＡＩｔｌＪにおいて高光感度特
性を有し、光疲労が少なく、製造が容易であり、実用性
が高い電子写真感光体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る電子写真感光体の製造装置を示
す図、第２図及び第３図はこの発明の実施例に係る電子
写真感光体を示す断面図である。 １．２．３，４；ボンベ、５：圧力計、６；バルブ、７
：配管、８；混合器、９；反応容器、１０：回転軸、１
３：電極、１４；ドラム基体、１５；ヒータ、１６；高
周波Ｎ＃ｉ、１９；ゲートバルブ、２１；支持体、２２
：障壁層、２３；第１層、２４：第２層、２５；表面層
、３１；光導電層 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図 第２０ 第３図

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と、光導電層と、導電性支持体と光
   導電層との間に配設された障壁層とを有する電子写真感
   光体において、前記光導電層は、マイクロクリスタリン
   シリコンで形成された少なくとも２層以上の積層体であ
   り、それらの平均粒径は相互に異なることを特徴とする
   電子写真感光体。
2. （２）前記光導電層は、水素を含有することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。
3. （３）前記光導電層は、周規律表の第III族又は第Ｖ族
   に属する元素から選択された少なくとも１種の元素を含
   有することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
   項に記載の電子写真感光体。
4. （４）前記光導電層は、炭素、酸素及び窒素から選択さ
   れた少なくとも１種の元素を含有することを特徴とする
   特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に記載
   の電子写真感光体。
5. （５）前記障壁層は、マイクロクリスタリンシリコン又
   はアモルファスシリコンで形成され、炭素、酸素及び窒
   素から選択された少なくとも１種の元素を含有すること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感
   光体。
6. （６）前記障壁層は、周規律表の第III族又は第Ｖ族に
   属する元素から選択された少なくとも１種の元素を含有
   することを特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の電
   子写真感光体。
7. （７）前記光導電層の上に表面層が形成されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感
   光体。