JPS6236620B2 - - Google Patents
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- JPS6236620B2 JPS6236620B2 JP56074408A JP7440881A JPS6236620B2 JP S6236620 B2 JPS6236620 B2 JP S6236620B2 JP 56074408 A JP56074408 A JP 56074408A JP 7440881 A JP7440881 A JP 7440881A JP S6236620 B2 JPS6236620 B2 JP S6236620B2
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抵抗器の製造方法に関し、とくに金属
酸化物抵抗器の製造方法に関するものである。
酸化物抵抗器の製造方法に関するものである。
従来金属酸化物抵抗器は抵抗体を無機絶縁基板
上にスクリーン印刷、転写印刷などの公知方法に
より所定形状に形成したのち無機絶縁基板と共に
焼成して製造されている。
上にスクリーン印刷、転写印刷などの公知方法に
より所定形状に形成したのち無機絶縁基板と共に
焼成して製造されている。
しかし前述の従来製造方法では通常抵抗値の偏
差が±15％位あるため、抵抗体をレーザトリミン
グ、再焼成等の方法を用いて抵抗値を増または増
減して抵抗値の偏差が所定の値になるように加工
修正している。
差が±15％位あるため、抵抗体をレーザトリミン
グ、再焼成等の方法を用いて抵抗値を増または増
減して抵抗値の偏差が所定の値になるように加工
修正している。
この加工修正が施された抵抗器は製造コストが
高いだけでなく、加工により長期の信頼性も悪く
なる。
高いだけでなく、加工により長期の信頼性も悪く
なる。
従来のスクリーン印刷、転写印刷などの方法で
抵抗値偏差が大きくなる原因は、抵抗体膜厚の偏
差が大きい、パターンのダレがあるなどの欠点を
前記方法が持つているためである。
抵抗値偏差が大きくなる原因は、抵抗体膜厚の偏
差が大きい、パターンのダレがあるなどの欠点を
前記方法が持つているためである。
本発明の目的はかかる従来欠点を解決し抵抗値
修正工程をなくした抵抗器の製造方法を提供する
ことにある。
修正工程をなくした抵抗器の製造方法を提供する
ことにある。
本発明によれば有機フイルム上に導電性物質と
絶縁性物質からなる金属酸化物の混合体を膜状に
被着形成した第１のシートと、有機フイルム上に
無機絶縁性物質を膜状に被着形成した第２のシー
トとをそれぞれ有機フイルムから剥離する工程
と、この第１のシートを所望の膜厚に圧延したの
ち、第１および第２の両シートをそれぞれ所望の
外枠形状に打抜いたのち、両シートを積層し熱圧
着して多層体にする工程と、この多層体上に導電
性物質を被着形成する工程と、この多層体を個片
に切断したのち焼成する工程とからなることを特
徴とする抵抗器の製造方法を得られる。
絶縁性物質からなる金属酸化物の混合体を膜状に
被着形成した第１のシートと、有機フイルム上に
無機絶縁性物質を膜状に被着形成した第２のシー
トとをそれぞれ有機フイルムから剥離する工程
と、この第１のシートを所望の膜厚に圧延したの
ち、第１および第２の両シートをそれぞれ所望の
外枠形状に打抜いたのち、両シートを積層し熱圧
着して多層体にする工程と、この多層体上に導電
性物質を被着形成する工程と、この多層体を個片
に切断したのち焼成する工程とからなることを特
徴とする抵抗器の製造方法を得られる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説
明する。
明する。
第１図に本発明による抵抗器の製造方法の一実
施例の工程図を示す。（第１図にもとずいて説明
する。） 先ず未焼成絶縁膜の製造工程について述べる。
酸化鉛（PbO）、酸化硼素（B2O3）、酸化珪素
（SiO2）、酸化アルミニウム（Al2O3）からなるガ
ラス形成物をそれぞれ比重比60％、30％、４％、
６％の割合で秤量し、白金ルツボに入れ、加熱炉
を用いて空気雰囲気中で10時間加熱溶融したの
ち、水中へ滴下して冷却し、平均粒度10μｍ以下
の微小粒子を得る。次にアルミナボールを用いた
ボールミルによつてさらに微粉末形状に微細化し
てガラス粉末を得る。このガラス粉末とアルミナ
粉末を重量比45％：55％で秤量し、エタノールを
用いたアルミナボールミルによつて３時間湿式混
合を行う。この粉末を一度過・乾燥したのち、
エチルセロソルブ、ブチルカービトル、ブチルフ
タリルグリコール酸ブチル、ポリビニールブチラ
ールを重量比でそれぞれ50％、10％、３％、12％
添加し、ひきつづき撹拌器で１時間混合して泥漿
化した。この泥漿をビクターブレードを用いたス
リツプキヤステイング法によつて第１図ａに示す
ようにポリエステルフイルム１上に成膜し、つづ
いて温度115℃で10分間乾燥し、未焼成絶縁膜２
を形成した。
施例の工程図を示す。（第１図にもとずいて説明
する。） 先ず未焼成絶縁膜の製造工程について述べる。
酸化鉛（PbO）、酸化硼素（B2O3）、酸化珪素
（SiO2）、酸化アルミニウム（Al2O3）からなるガ
ラス形成物をそれぞれ比重比60％、30％、４％、
６％の割合で秤量し、白金ルツボに入れ、加熱炉
を用いて空気雰囲気中で10時間加熱溶融したの
ち、水中へ滴下して冷却し、平均粒度10μｍ以下
の微小粒子を得る。次にアルミナボールを用いた
ボールミルによつてさらに微粉末形状に微細化し
てガラス粉末を得る。このガラス粉末とアルミナ
粉末を重量比45％：55％で秤量し、エタノールを
用いたアルミナボールミルによつて３時間湿式混
合を行う。この粉末を一度過・乾燥したのち、
エチルセロソルブ、ブチルカービトル、ブチルフ
タリルグリコール酸ブチル、ポリビニールブチラ
ールを重量比でそれぞれ50％、10％、３％、12％
添加し、ひきつづき撹拌器で１時間混合して泥漿
化した。この泥漿をビクターブレードを用いたス
リツプキヤステイング法によつて第１図ａに示す
ようにポリエステルフイルム１上に成膜し、つづ
いて温度115℃で10分間乾燥し、未焼成絶縁膜２
を形成した。
次に抵抗体未焼成膜の製造工程について述べ
る。目標とする抵抗値は1KΩとした。前述の未
焼成絶縁膜用に製作したガラスリツトと、二酸化
ルテニウム粉末をそれぞれ重量比80：20の割合で
秤量し乳鉢混合を30分間行う。この混合物にエチ
ルセロソールブ、ブチルカービトール、ブチルフ
タリルグリコール酸ブチル、ポリビニールブチラ
ールを重量比でそれぞれ50％、10％、３％、12％
添加し、ひきつづき撹拌器で１時間混合して泥漿
化した。この泥漿を第１図ａのように、先に成膜
した未焼成絶縁膜２上にドクターブレードを用い
たスリツプキヤステイング法によつて成膜し、つ
づいて温度115℃で10分間乾燥し、抵抗体未焼成
膜３を形成した。
る。目標とする抵抗値は1KΩとした。前述の未
焼成絶縁膜用に製作したガラスリツトと、二酸化
ルテニウム粉末をそれぞれ重量比80：20の割合で
秤量し乳鉢混合を30分間行う。この混合物にエチ
ルセロソールブ、ブチルカービトール、ブチルフ
タリルグリコール酸ブチル、ポリビニールブチラ
ールを重量比でそれぞれ50％、10％、３％、12％
添加し、ひきつづき撹拌器で１時間混合して泥漿
化した。この泥漿を第１図ａのように、先に成膜
した未焼成絶縁膜２上にドクターブレードを用い
たスリツプキヤステイング法によつて成膜し、つ
づいて温度115℃で10分間乾燥し、抵抗体未焼成
膜３を形成した。
前述した抵抗体未焼成膜と未焼成絶縁膜を用い
て抵抗器を製作するが、この製作の始めに抵抗値
確認用試作を行う。
て抵抗器を製作するが、この製作の始めに抵抗値
確認用試作を行う。
第１図ｂに示すようにポリエステルフイルム１
上に成膜された未焼成絶縁膜２と抵抗体未焼成膜
３からなる多層膜４をポリエステルフイルム１よ
り剥離する。
上に成膜された未焼成絶縁膜２と抵抗体未焼成膜
３からなる多層膜４をポリエステルフイルム１よ
り剥離する。
次に第１図ｃに示すようにこの剥離した多層膜
４を金型５を用いたパンケングなどの公知の方法
により打抜いて外枠寸法が60×40mmである打抜き
膜４ａに成形する。
４を金型５を用いたパンケングなどの公知の方法
により打抜いて外枠寸法が60×40mmである打抜き
膜４ａに成形する。
しかる後第１図ｄに示すように銀−パラジウム
導体ペーストを打抜き膜4aの抵抗体未焼成膜３側
にスクリーン印刷などの公知の方法により被着形
成したのち、温度150℃１時間10分乾燥炉で乾燥
して電極６を形成する。
導体ペーストを打抜き膜4aの抵抗体未焼成膜３側
にスクリーン印刷などの公知の方法により被着形
成したのち、温度150℃１時間10分乾燥炉で乾燥
して電極６を形成する。
次に切断線Ａ−Ａ，Ｂ−Ｂに沿つてナイフなど
により、打抜き膜４ａを切断し、第１図ｅに示す
ような個片７に成形する。次いでこの個片７を第
２図に示す温度曲線を有する焼成炉（図示省略）
中で焼成した。
により、打抜き膜４ａを切断し、第１図ｅに示す
ような個片７に成形する。次いでこの個片７を第
２図に示す温度曲線を有する焼成炉（図示省略）
中で焼成した。
ここで抵抗値確認用試作で製作した抵抗器の平
均抵抗値は0.8KΩであつた。この結果から抵抗
体焼成膜３の膜厚を25％薄くする必要があり、本
実施例では膜厚を26μｍとした。抵抗体未焼成膜
３を薄くする方法を次に示す。
均抵抗値は0.8KΩであつた。この結果から抵抗
体焼成膜３の膜厚を25％薄くする必要があり、本
実施例では膜厚を26μｍとした。抵抗体未焼成膜
３を薄くする方法を次に示す。
第３図は上下に対向する圧延ローラ８を用いて
抵抗体未焼成膜３を薄くする状態を示すものであ
る。圧延ローラ８に加わる圧力は500Kg／cm2であ
り、上下の圧延ローラ８のギヤツプを24μｍとし
て圧延後の応力緩和による寸法変化を24μｍとし
た。
抵抗体未焼成膜３を薄くする状態を示すものであ
る。圧延ローラ８に加わる圧力は500Kg／cm2であ
り、上下の圧延ローラ８のギヤツプを24μｍとし
て圧延後の応力緩和による寸法変化を24μｍとし
た。
上記方法によつて薄くした抵抗体未焼成膜３を
用いて、前述した工程と同一工程、同一条件で抵
抗値確認用試作を行い得られた抵抗器の平均抵抗
値は0.97KΩであつた。
用いて、前述した工程と同一工程、同一条件で抵
抗値確認用試作を行い得られた抵抗器の平均抵抗
値は0.97KΩであつた。
第４図ａおよびｂは従来例のスクリーン印刷方
法によつて製造した抵抗器と本実施例で製造した
抵抗器の抵抗値偏差を示す分布図であり、抵抗値
はともに100KΩを目標に製造したものである。
法によつて製造した抵抗器と本実施例で製造した
抵抗器の抵抗値偏差を示す分布図であり、抵抗値
はともに100KΩを目標に製造したものである。
以上第４図ａ，ｂを比較して明らかなように抵
抗値の百分率変動係数は従来のスクリーン印刷方
法では±28.2％であつたものが、本発明の方法に
よれば±5.2％ときわめて小さくなる。この±5.2
％の百分率変動係数は固定抵抗器の抵抗値偏差規
格のＪ規格（±５％）を満足する良い結果であ
る。従つてＪ規格の抵抗器の製造方法に本発明の
方法を採用すればトリミングを廃止できる効果が
ある。
抗値の百分率変動係数は従来のスクリーン印刷方
法では±28.2％であつたものが、本発明の方法に
よれば±5.2％ときわめて小さくなる。この±5.2
％の百分率変動係数は固定抵抗器の抵抗値偏差規
格のＪ規格（±５％）を満足する良い結果であ
る。従つてＪ規格の抵抗器の製造方法に本発明の
方法を採用すればトリミングを廃止できる効果が
ある。
第１図ａはポリエスラルフイルム上に本発明の
一実施例で製作した絶縁膜と抵抗体未焼成膜とを
被着形成した状態を示す斜視図。第１図ｂは第１
図ａの多層膜をポリエステルフイルムより剥離す
る状態を示す斜視図。第１図ｃは第１図ｂで剥離
した各膜を所望形状に打抜く状態を示す斜視図。
第１図ｄは第１図ｃの打抜き膜上に電極を被着さ
せた状態を示す斜視図。第１図ｅは切断された個
片の斜視図。第２図は本発明例で使用した焼成炉
の温度曲線図。第３図は抵抗体未焼成膜の圧延状
態を示す斜視図。第４図ａ，ｂは従来例のスクリ
ーン印刷と本実施例で製作された抵抗体の抵抗値
の分布図。 １……ポリエステルフイルム、２……未焼成絶
縁膜、３……抵抗体未焼成膜、４……多層膜、４
ａ……（多層膜の）打抜き膜、５……金型、６…
…電極、７……個片、８……圧延ローラ。
一実施例で製作した絶縁膜と抵抗体未焼成膜とを
被着形成した状態を示す斜視図。第１図ｂは第１
図ａの多層膜をポリエステルフイルムより剥離す
る状態を示す斜視図。第１図ｃは第１図ｂで剥離
した各膜を所望形状に打抜く状態を示す斜視図。
第１図ｄは第１図ｃの打抜き膜上に電極を被着さ
せた状態を示す斜視図。第１図ｅは切断された個
片の斜視図。第２図は本発明例で使用した焼成炉
の温度曲線図。第３図は抵抗体未焼成膜の圧延状
態を示す斜視図。第４図ａ，ｂは従来例のスクリ
ーン印刷と本実施例で製作された抵抗体の抵抗値
の分布図。 １……ポリエステルフイルム、２……未焼成絶
縁膜、３……抵抗体未焼成膜、４……多層膜、４
ａ……（多層膜の）打抜き膜、５……金型、６…
…電極、７……個片、８……圧延ローラ。
Claims (1)
- １ 有機フイルム上に導電性物質と絶縁性物質か
らなる金属酸化物の混合体を膜状に被着形成した
第１のシートと、有機フイルム上に無機絶縁性物
質を膜状に被着形成した第２のシートとをそれぞ
れ有機フイルムから剥離する工程と、前記第１の
シートを所望の膜厚に圧延したのち、前記第１お
よび第２の両シートをそれぞれ所望の外枠形状に
打抜いたのち、前記両シートを積層し熱圧着して
多層体にする工程と、前記多層体上に導電性物質
を被着形成する工程と、前記多層体を個片に切断
したのち焼成する工程とからなることを特徴とす
る抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56074408A JPS57188809A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Method of producing resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56074408A JPS57188809A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Method of producing resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57188809A JPS57188809A (en) | 1982-11-19 |
| JPS6236620B2 true JPS6236620B2 (ja) | 1987-08-07 |
Family
ID=13546326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56074408A Granted JPS57188809A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Method of producing resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57188809A (ja) |
-
1981
- 1981-05-18 JP JP56074408A patent/JPS57188809A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57188809A (en) | 1982-11-19 |
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