JPS6236616B2 - - Google Patents
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- JPS6236616B2 JPS6236616B2 JP56074404A JP7440481A JPS6236616B2 JP S6236616 B2 JPS6236616 B2 JP S6236616B2 JP 56074404 A JP56074404 A JP 56074404A JP 7440481 A JP7440481 A JP 7440481A JP S6236616 B2 JPS6236616 B2 JP S6236616B2
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Landscapes
- Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は可変抵抗器用抵抗体の製造方法に関
し、とくに金属酸化物を用いた非直線抵抗変化特
性可変抵抗器用抵抗体の製造方法に関する。
し、とくに金属酸化物を用いた非直線抵抗変化特
性可変抵抗器用抵抗体の製造方法に関する。
従来金属酸化物を用いた非直線抵抗変化特性可
変抵抗器用抵抗体（以下非直線特性抵抗体と呼
ぶ）は無機絶縁基板上にスクリーン印刷などの手
段によりシート抵抗値の異なつた抵抗ペーストを
抵抗体のパターンの一部分が重なり合う形状に被
着したのち焼成して製造されている。
変抵抗器用抵抗体（以下非直線特性抵抗体と呼
ぶ）は無機絶縁基板上にスクリーン印刷などの手
段によりシート抵抗値の異なつた抵抗ペーストを
抵抗体のパターンの一部分が重なり合う形状に被
着したのち焼成して製造されている。
しかし、かかる従来非直線性抵抗体の製造方法
では、通常シート抵抗値の異なつた抵抗体が重な
り合う部分は抵抗体が２度塗りされるため高さ20
μｍ位の段差が発生する。このため可変抵抗器の
摺動子がこの段差を剰越えるとき上下方向に跳躍
し、抵抗体と摺動子間の接触抵抗値が大きくなる
欠点がある。
では、通常シート抵抗値の異なつた抵抗体が重な
り合う部分は抵抗体が２度塗りされるため高さ20
μｍ位の段差が発生する。このため可変抵抗器の
摺動子がこの段差を剰越えるとき上下方向に跳躍
し、抵抗体と摺動子間の接触抵抗値が大きくなる
欠点がある。
本発明の目的はかかる従来欠点を解決した非直
線性抵抗体の製造方法を提供することにある。
線性抵抗体の製造方法を提供することにある。
本発明によれば有機フイルム上に導電性物質と
絶縁性物質とを異なつた割合で含む数種の抵抗組
成物をそれぞれ膜状に被着してシートを形成する
工程をシートのそれぞれを有機フイルムから剥離
する工程と、この数種のシートをそれぞれ所望外
枠形状に打抜いたのち、所望枚数を積層し、熱圧
着して多層体にする工程と、この多層体を薄片に
切断する工程とを含むことを特徴とする非直線性
抵抗体の製造方法が得られる。
絶縁性物質とを異なつた割合で含む数種の抵抗組
成物をそれぞれ膜状に被着してシートを形成する
工程をシートのそれぞれを有機フイルムから剥離
する工程と、この数種のシートをそれぞれ所望外
枠形状に打抜いたのち、所望枚数を積層し、熱圧
着して多層体にする工程と、この多層体を薄片に
切断する工程とを含むことを特徴とする非直線性
抵抗体の製造方法が得られる。
以下、本発明による非直線性抵抗体の製造方法
の一実施例を従来例と比較し、第１図〜第４図を
参照し詳細に説明する。
の一実施例を従来例と比較し、第１図〜第４図を
参照し詳細に説明する。
まず第１図ａ〜ｅに基づいて抵抗体未焼成膜の
製造工程を説明する。酸化鉛（PbO）、酸化硼素
（B2O3）、酸化珪素（SiO2）、酸化アルミニウム
（Al2O3）からなるガラス形成物をそれぞれ重量化
60％、30％、４％、６％の割合で秤量して白金ル
ツボに入れ、加熱炉を用いて空気雰囲気中で約10
時間加熱溶融したのち、水中へ滴下して冷却し平
均粒度10μｍ中以下の微小粒子を得る。次にアル
ミナボールを用いたボールミルによつてさらに微
粉末形状に微細化する。
製造工程を説明する。酸化鉛（PbO）、酸化硼素
（B2O3）、酸化珪素（SiO2）、酸化アルミニウム
（Al2O3）からなるガラス形成物をそれぞれ重量化
60％、30％、４％、６％の割合で秤量して白金ル
ツボに入れ、加熱炉を用いて空気雰囲気中で約10
時間加熱溶融したのち、水中へ滴下して冷却し平
均粒度10μｍ中以下の微小粒子を得る。次にアル
ミナボールを用いたボールミルによつてさらに微
粉末形状に微細化する。
次にシート抵抗値が100KΩ／□と1kΩ／□に
なるように微細化したガラス形成物と二酸化ルテ
ニウム粉末をそれぞれ重量比75：25を85：15の割
合で秤量し乳鉢混合を30分間行なう。この組成割
合の異なる二種類の混合物にエチルセルローズ、
ブチルカービトール、ブチルフタリルグリコール
酸ブチル、ポリビニールブチラールを重量比でそ
れぞれ50％、10％、３％、12％添加し、ひきつづ
き撹拌機で１時間混合して泥漿化した。この二種
類の泥漿を第１図ａに示すようにドクターブレー
ドを用いたスリツプキヤステイング法によつてポ
リエステルフイルム１上に別々に成膜し、つづい
て温度115℃で10分間乾燥し、シート抵抗値1K
Ω／□の抵抗体未焼成膜２とシート抵抗値100K
Ω／□の抵抗体未焼成膜３を形成した。
なるように微細化したガラス形成物と二酸化ルテ
ニウム粉末をそれぞれ重量比75：25を85：15の割
合で秤量し乳鉢混合を30分間行なう。この組成割
合の異なる二種類の混合物にエチルセルローズ、
ブチルカービトール、ブチルフタリルグリコール
酸ブチル、ポリビニールブチラールを重量比でそ
れぞれ50％、10％、３％、12％添加し、ひきつづ
き撹拌機で１時間混合して泥漿化した。この二種
類の泥漿を第１図ａに示すようにドクターブレー
ドを用いたスリツプキヤステイング法によつてポ
リエステルフイルム１上に別々に成膜し、つづい
て温度115℃で10分間乾燥し、シート抵抗値1K
Ω／□の抵抗体未焼成膜２とシート抵抗値100K
Ω／□の抵抗体未焼成膜３を形成した。
この抵抗体未焼成膜２，３の乾燥後の膜厚はそ
れぞれ35μｍ±１μｍであつた。なお本実施例で
は異なつたシート抵抗値を有する抵抗体未焼成膜
２および３は別個のポリエステルフイルム上に成
膜したが、同一ポリエステルフイルム上に順次成
膜してもよい。
れぞれ35μｍ±１μｍであつた。なお本実施例で
は異なつたシート抵抗値を有する抵抗体未焼成膜
２および３は別個のポリエステルフイルム上に成
膜したが、同一ポリエステルフイルム上に順次成
膜してもよい。
次に第１図ｂに示すようにポリエステルフイル
ム１上に成膜されたシート抵抗値が1KΩ／□の
抵抗体未焼成膜２をポリエステルフイルム１より
剥離する。
ム１上に成膜されたシート抵抗値が1KΩ／□の
抵抗体未焼成膜２をポリエステルフイルム１より
剥離する。
次いで第１図ｃに示すように、この剥離した抵
抗体未焼成膜２を金型４を用いたパンチングなど
の公知の方法により打抜いて外枠寸法が60×40
ｍ／ｍの打抜き膜２ａに成形する。さらにシート
抵抗値が100KΩ／□の抵抗体未焼成膜３も同一
の方法で打抜いて打抜き膜３ａを形成する。
抗体未焼成膜２を金型４を用いたパンチングなど
の公知の方法により打抜いて外枠寸法が60×40
ｍ／ｍの打抜き膜２ａに成形する。さらにシート
抵抗値が100KΩ／□の抵抗体未焼成膜３も同一
の方法で打抜いて打抜き膜３ａを形成する。
次に第１図ｄに示すようにシート抵抗値1K
Ω／□の抵抗体未焼成膜２ａとシート抵抗値
100KΩ／□の抵抗体未焼成膜３ａをそれぞれ抵
抗体の長さが0.6mmと0.8mmになるように20枚と25
枚重ね合せ熱プレス機で温度130℃、圧力250Kg／
cm2、20分間熱圧着を行ない、多層体５を形成す
る。
Ω／□の抵抗体未焼成膜２ａとシート抵抗値
100KΩ／□の抵抗体未焼成膜３ａをそれぞれ抵
抗体の長さが0.6mmと0.8mmになるように20枚と25
枚重ね合せ熱プレス機で温度130℃、圧力250Kg／
cm2、20分間熱圧着を行ない、多層体５を形成す
る。
この多層体５を第１図ｄに示すように切断線Ａ
−A′に沿つて厚さ約0.1mmになるようにナイフな
どにより切断し、さらに切断線Ｂ−B′に沿つて幅
約1.0mmに切断して第１図ｅに示すような個片６
を形成する。
−A′に沿つて厚さ約0.1mmになるようにナイフな
どにより切断し、さらに切断線Ｂ−B′に沿つて幅
約1.0mmに切断して第１図ｅに示すような個片６
を形成する。
第２図は可変抵抗器用基板の斜視図を示す。第
２図に示すように厚さ約0.1mm、幅約1.0mmの個片
６を外形寸法約40mm×60mm、厚さ約0.8mmの未焼
成絶縁膜７上に載置し、熱プレス機で温度130
℃、圧力250Kg／cm2、20分間熱圧着を行なつて、
未焼成絶縁膜７と個片６との表面に段差が発生し
ないように一体化する。
２図に示すように厚さ約0.1mm、幅約1.0mmの個片
６を外形寸法約40mm×60mm、厚さ約0.8mmの未焼
成絶縁膜７上に載置し、熱プレス機で温度130
℃、圧力250Kg／cm2、20分間熱圧着を行なつて、
未焼成絶縁膜７と個片６との表面に段差が発生し
ないように一体化する。
この未焼成絶縁膜７と一体化された個片６の両
端部に銀−パラジウム電極ペーストをスクリーン
印刷によつて被着したのち、温度150℃、時間10
分間乾燥炉で乾燥し電極８を形成する。
端部に銀−パラジウム電極ペーストをスクリーン
印刷によつて被着したのち、温度150℃、時間10
分間乾燥炉で乾燥し電極８を形成する。
次に上述の工程によつて電極８を形成した未焼
成絶縁膜７を第３図に示す温度曲線を有する焼成
炉（図示省略）中で焼成した。
成絶縁膜７を第３図に示す温度曲線を有する焼成
炉（図示省略）中で焼成した。
第４図ａおよびｂは従来例のスクリーン印刷方
法にて製造した抵抗体と本実施例で製造した抵抗
体の接触抵抗値の測定値である。測定に使用した
摺動子は0.4mm中のエンボス部を有する厚さ約
0.15mmの洋白板である。測定時の接触圧は100ｇ
になるように錘りを載せた。
法にて製造した抵抗体と本実施例で製造した抵抗
体の接触抵抗値の測定値である。測定に使用した
摺動子は0.4mm中のエンボス部を有する厚さ約
0.15mmの洋白板である。測定時の接触圧は100ｇ
になるように錘りを載せた。
第４図から明らかなように従来例ではシート抵
抗値の異なつた抵抗体が重さなり合う境界部で異
常に大きな接触抵抗値が見られる。これに反して
本発明の方法によつた抵抗体では境界部で異常な
接触抵抗値は見られない。これは２種類の抵抗体
未焼成膜を重さね合わせた後熱圧着して一体化
し、切断するために段差が発生しないためであ
る。
抗値の異なつた抵抗体が重さなり合う境界部で異
常に大きな接触抵抗値が見られる。これに反して
本発明の方法によつた抵抗体では境界部で異常な
接触抵抗値は見られない。これは２種類の抵抗体
未焼成膜を重さね合わせた後熱圧着して一体化
し、切断するために段差が発生しないためであ
る。
以上本発明により(i)二種類の抵抗体の重なり部
の段差を無くすことができる。(ii)接触抵抗値の小
さい改良された非直線性抵抗体を得ることができ
るなどの効果がありその工業的価値は多大であ
る。
の段差を無くすことができる。(ii)接触抵抗値の小
さい改良された非直線性抵抗体を得ることができ
るなどの効果がありその工業的価値は多大であ
る。
第１図ａはポリエステルフイルム上に本発明の
一実施例で製作した抵抗体未焼成膜を被着形成し
た状態を示す斜視図。第１図ｂは第１図ａの膜を
ポリエステルフイルムより剥離する状態を示す斜
視図。第１図ｃは第１図ｂで剥離した膜を所望形
状に打抜く状態を示す斜視図。第１図ｄはシート
抵抗値の異なつた抵抗体未焼成膜を積層した状態
を示す斜視図。第１図ｅは切断された個片を示す
斜視図。第２図は本発明の一実施例で製作した可
変抵抗器用基板の斜視図。第３図は第２図で使用
した焼成炉の温度曲線図。第４図ａ，ｂは従来例
のスクリーン印刷と本発明の一実施例で製作した
抵抗体の接触抵抗値の測定値。 １……ポリエステルフイルム、２……シート抵
孔値1KΩ／□の抵抗体未焼成膜、２ａ……（符
号２の膜の）打抜き膜、３……シート抵抗値
100KΩ／□の抵抗体未焼成膜、３ａ……（符号
３の膜の）打抜き膜、４……金型、５……多層
体、６……個片、７……未焼成絶縁膜、８……電
極。
一実施例で製作した抵抗体未焼成膜を被着形成し
た状態を示す斜視図。第１図ｂは第１図ａの膜を
ポリエステルフイルムより剥離する状態を示す斜
視図。第１図ｃは第１図ｂで剥離した膜を所望形
状に打抜く状態を示す斜視図。第１図ｄはシート
抵抗値の異なつた抵抗体未焼成膜を積層した状態
を示す斜視図。第１図ｅは切断された個片を示す
斜視図。第２図は本発明の一実施例で製作した可
変抵抗器用基板の斜視図。第３図は第２図で使用
した焼成炉の温度曲線図。第４図ａ，ｂは従来例
のスクリーン印刷と本発明の一実施例で製作した
抵抗体の接触抵抗値の測定値。 １……ポリエステルフイルム、２……シート抵
孔値1KΩ／□の抵抗体未焼成膜、２ａ……（符
号２の膜の）打抜き膜、３……シート抵抗値
100KΩ／□の抵抗体未焼成膜、３ａ……（符号
３の膜の）打抜き膜、４……金型、５……多層
体、６……個片、７……未焼成絶縁膜、８……電
極。
Claims (1)
- １ 有機フイルム上に導電性物質と絶縁性物質と
を異なつた割合で含む数種の抵抗組成物をそれぞ
れ膜状に被着してシートを形成する工程と、前記
シートのそれぞれを有機フイルムから剥離する工
程と、前記数種のシートをそれぞれ所望の外枠形
状に打抜いたのち、所望枚数を積層し熱圧着して
多層体にする工程と、前記多層体を薄片に切断す
る工程とを含むことを特徴とする可変抵抗器用抵
抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56074404A JPS57188807A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Method of producing variable resistor resistance element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56074404A JPS57188807A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Method of producing variable resistor resistance element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57188807A JPS57188807A (en) | 1982-11-19 |
| JPS6236616B2 true JPS6236616B2 (ja) | 1987-08-07 |
Family
ID=13546210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56074404A Granted JPS57188807A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Method of producing variable resistor resistance element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57188807A (ja) |
-
1981
- 1981-05-18 JP JP56074404A patent/JPS57188807A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57188807A (en) | 1982-11-19 |
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