JPS6236618B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6236618B2 JPS6236618B2 JP56071611A JP7161181A JPS6236618B2 JP S6236618 B2 JPS6236618 B2 JP S6236618B2 JP 56071611 A JP56071611 A JP 56071611A JP 7161181 A JP7161181 A JP 7161181A JP S6236618 B2 JPS6236618 B2 JP S6236618B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- film
- manufacturing
- sheets
- multilayer body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-M Glycolate Chemical compound OCC([O-])=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001557 phthalyl group Chemical group C(=O)(O)C1=C(C(=O)*)C=CC=C1 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抵抗器の製造方法に関し、とくに金属
酸化物抵抗器の製造方法に関するものである。
酸化物抵抗器の製造方法に関するものである。
従来金属酸化物抵抗器は抵抗体を無機絶縁基板
上にスクリーン印刷、転写印刷などの公知方法に
より所定形状に形成したのち無機絶縁基板と共に
焼成して製造されている。
上にスクリーン印刷、転写印刷などの公知方法に
より所定形状に形成したのち無機絶縁基板と共に
焼成して製造されている。
しかし前述の従来製造方法では通常抵抗値の偏
差が±15％位あるため、抵抗体をレーザトリミン
グ、再焼成等の方法を用いて抵抗値を増減して抵
抗値の偏差が所定の値になるように加工修正して
いる。
差が±15％位あるため、抵抗体をレーザトリミン
グ、再焼成等の方法を用いて抵抗値を増減して抵
抗値の偏差が所定の値になるように加工修正して
いる。
この加工修正が施された抵抗器は製造コストが
高いだけでなく、加工により長期の信頼性も悪く
なる。
高いだけでなく、加工により長期の信頼性も悪く
なる。
従来のスクリーン印刷、転写印刷などの方法で
抵抗値偏差が大きくなる原因は、抵抗体膜厚の偏
差が大きい、パターンのダレがあるなどの欠点を
前記方法が持つているためである。
抵抗値偏差が大きくなる原因は、抵抗体膜厚の偏
差が大きい、パターンのダレがあるなどの欠点を
前記方法が持つているためである。
本発明の目的はかかる従来欠点を解決し抵抗値
修正工程をなくした抵抗器の製造方法を提供する
ことにある。
修正工程をなくした抵抗器の製造方法を提供する
ことにある。
本発明によれば有機フイルム上の導電性物質と
絶縁性物質からなる金属酸化物の混合体を膜状に
被着形成した第１のシートと、有機フイルム上に
無機絶縁性物質を膜状に被着形成した第２のシー
トから、それぞれ有機フイルムを剥離する工程
と、前記両シートをそれぞれ所望の外枠形状に打
抜いたのち、両シートを積層し熱圧着して多層体
化する工程と、この多層体上に導電性物質を被着
形成する工程と、この多層体を個片し切断したの
ち焼成する工程とからなることを特徴とする抵抗
器の製造方法が得られる。
絶縁性物質からなる金属酸化物の混合体を膜状に
被着形成した第１のシートと、有機フイルム上に
無機絶縁性物質を膜状に被着形成した第２のシー
トから、それぞれ有機フイルムを剥離する工程
と、前記両シートをそれぞれ所望の外枠形状に打
抜いたのち、両シートを積層し熱圧着して多層体
化する工程と、この多層体上に導電性物質を被着
形成する工程と、この多層体を個片し切断したの
ち焼成する工程とからなることを特徴とする抵抗
器の製造方法が得られる。
以下本発明について実施例を用いて詳細に説明
する。第１図に本発明による抵抗器の製造方法の
一実施例の工程図を示す。第１図にもとずいて説
明する。
する。第１図に本発明による抵抗器の製造方法の
一実施例の工程図を示す。第１図にもとずいて説
明する。
(i) 抵抗体未焼成膜の製造工程：
酸化鉛（PbO）、酸化硼素（B2O3）、酸化珪
素（SiO2）、酸化アルミニウム（Al2O3）からな
るガラス形成物をそれぞれ重量比60％、30％、
４％、６％の割合で秤量し、秤量したガラス形
成物を白金ルツボに入れ、加熱炉を用いて空気
中で10時間加熱溶融したのち、水中へ滴下して
冷却し、10μｍ以下の微小粒子を得る。次に、
アルミナボールを用いたボールミルによつてさ
らに微粉末形状に微細化するこの微細化したガ
ラス形成物と２酸化ルテニウム粉末をそれぞれ
重量比80：20の割合で乳鉢混合を30分間行う。
この混合物にエチルセルローズ、ブチルカービ
トール、ブチルフタリルグリコール酸ブチル、
ポリビニールブチラールを重量比でそれぞれ50
％、10％、３％、12％添加し、ひきつづき撹拌
機で１時間混合して泥漿化した。この泥漿をド
クターブレードを用いたスリツプキヤステイン
グ法によつて第１図ａに示すようにポリエステ
ル膜１上に成膜し、つづいて温度115℃で10分
間乾燥し、抵抗体の未焼成膜２を形成した。こ
の抵抗体の未焼成膜２の乾燥後の膜厚は35μｍ
±１μｍであつた。
素（SiO2）、酸化アルミニウム（Al2O3）からな
るガラス形成物をそれぞれ重量比60％、30％、
４％、６％の割合で秤量し、秤量したガラス形
成物を白金ルツボに入れ、加熱炉を用いて空気
中で10時間加熱溶融したのち、水中へ滴下して
冷却し、10μｍ以下の微小粒子を得る。次に、
アルミナボールを用いたボールミルによつてさ
らに微粉末形状に微細化するこの微細化したガ
ラス形成物と２酸化ルテニウム粉末をそれぞれ
重量比80：20の割合で乳鉢混合を30分間行う。
この混合物にエチルセルローズ、ブチルカービ
トール、ブチルフタリルグリコール酸ブチル、
ポリビニールブチラールを重量比でそれぞれ50
％、10％、３％、12％添加し、ひきつづき撹拌
機で１時間混合して泥漿化した。この泥漿をド
クターブレードを用いたスリツプキヤステイン
グ法によつて第１図ａに示すようにポリエステ
ル膜１上に成膜し、つづいて温度115℃で10分
間乾燥し、抵抗体の未焼成膜２を形成した。こ
の抵抗体の未焼成膜２の乾燥後の膜厚は35μｍ
±１μｍであつた。
(ii) 絶縁膜の製造工程：
アルミナ、酸化鉛、酸化硼素、酸化珪素の粉
末をそれぞれ重量比50％、23％、15％、12％を
用いて抵抗体の未焼成膜の製造工程と同一工
程、かつ同様の温度条件で絶縁膜３を形成し
た。乾燥後の膜厚は50μｍ±２μｍであつた。
末をそれぞれ重量比50％、23％、15％、12％を
用いて抵抗体の未焼成膜の製造工程と同一工
程、かつ同様の温度条件で絶縁膜３を形成し
た。乾燥後の膜厚は50μｍ±２μｍであつた。
(iii) (i)と(ii)の各膜の積層工程
第１図ｂに示すようにポリエステルフイルム
１上に別々に成膜された(i)、(ii)の抵抗体未焼成
膜２と絶縁膜３をポリエステルフイルム１より
剥離する。次に第１図ｃに示すようにこの剥離
した膜２と３を金型４を用いたパンチングなど
の公知の方法により打抜いて外枠寸法が60mm×
40mmである打抜き膜２ａ，３ａに成形する。次
に第１図ｄに示すように絶縁膜３ａ上に抵抗体
膜２ａを重ね合せ、熱プレス機で温度130℃、
圧力250Kg／cm220分間熱圧着を行ない、多層体
５を形成する。
１上に別々に成膜された(i)、(ii)の抵抗体未焼成
膜２と絶縁膜３をポリエステルフイルム１より
剥離する。次に第１図ｃに示すようにこの剥離
した膜２と３を金型４を用いたパンチングなど
の公知の方法により打抜いて外枠寸法が60mm×
40mmである打抜き膜２ａ，３ａに成形する。次
に第１図ｄに示すように絶縁膜３ａ上に抵抗体
膜２ａを重ね合せ、熱プレス機で温度130℃、
圧力250Kg／cm220分間熱圧着を行ない、多層体
５を形成する。
(iv) 電極形成、切断、焼成工程
第１図ｅに示すように銀−パラジウム、導体
ペーストを多層体５上にスクリーン印刷などの
公知の方法により電極６を被着形成したのち温
度150℃、時間10分間乾燥炉で乾燥する。
ペーストを多層体５上にスクリーン印刷などの
公知の方法により電極６を被着形成したのち温
度150℃、時間10分間乾燥炉で乾燥する。
次に切断線Ａ−Ａ，Ｂ−Ｂに沿つてナイフな
どにより多層体５を切断し第１図ｆに示すよう
な個片７に成形する。次いでこの個片７を第２
図に示す温度曲線を有する焼成炉（図示省略）
中で焼成した。
どにより多層体５を切断し第１図ｆに示すよう
な個片７に成形する。次いでこの個片７を第２
図に示す温度曲線を有する焼成炉（図示省略）
中で焼成した。
切断時の寸法精度は±１％以下であつた。
第３図ａおよびｂは従来例のスクリーン印刷
方法によつて製造された抵抗器と本実施例で製
造された抵抗器の抵抗値偏差を示す分布図であ
り、抵抗値はともに100kΩを目標に製造した
ものである。
方法によつて製造された抵抗器と本実施例で製
造された抵抗器の抵抗値偏差を示す分布図であ
り、抵抗値はともに100kΩを目標に製造した
ものである。
以上第３図ａ，ｂを比較して明らかなように
抵抗値偏差は従来のスクリーン印刷方法では±
12％であつたものが、本発明の方法によれば±
３％ときわめて小さくなる。この±３％の偏差
は固定抵抗器の抵抗偏差規格のＪ規格（±５
％）を満足する良い結果である。従つてＪ規格
の抵抗器の製造方法に本発明の方法を採用すれ
ばトリミングを廃止できる効果がある。
抵抗値偏差は従来のスクリーン印刷方法では±
12％であつたものが、本発明の方法によれば±
３％ときわめて小さくなる。この±３％の偏差
は固定抵抗器の抵抗偏差規格のＪ規格（±５
％）を満足する良い結果である。従つてＪ規格
の抵抗器の製造方法に本発明の方法を採用すれ
ばトリミングを廃止できる効果がある。
第１図ａはポリエステルフイルム上に本発明の
一実施例で製作した絶縁膜と抵抗体未焼成膜とを
被着形成した状態を示す斜視図。第１図ｂは第１
図ａの各膜をポリエステルフイルムより剥離する
状態を示す斜視図。第１図ｃは第１図ｂで剥離し
た各膜を所望形状に打抜く状態を示す斜視図。第
１図ｄは本発明の一実施例で製作した絶縁膜と抵
抗体未焼成膜とを積層した状態を示す斜視図。第
１図ｅは第１図ｄ上に電極を被着させた状態を示
す斜視図。第１図ｆは本発明の一実施例で製作し
た抵抗器の斜視図。第２図は第１図で使用した焼
成炉の温度曲線図。第３図は従来例のスクリーン
印刷と本実施例で製作された抵抗体の抵抗値の分
布図。 １……ポリエステルフイルム、２……抵抗体未
焼成膜、２ａ……（抵抗体未焼成膜の）打抜き
膜、３……絶縁膜、３ａ……（絶縁膜の）打抜き
膜、４……金型、５……多層体、６……電極、７
……個片。
一実施例で製作した絶縁膜と抵抗体未焼成膜とを
被着形成した状態を示す斜視図。第１図ｂは第１
図ａの各膜をポリエステルフイルムより剥離する
状態を示す斜視図。第１図ｃは第１図ｂで剥離し
た各膜を所望形状に打抜く状態を示す斜視図。第
１図ｄは本発明の一実施例で製作した絶縁膜と抵
抗体未焼成膜とを積層した状態を示す斜視図。第
１図ｅは第１図ｄ上に電極を被着させた状態を示
す斜視図。第１図ｆは本発明の一実施例で製作し
た抵抗器の斜視図。第２図は第１図で使用した焼
成炉の温度曲線図。第３図は従来例のスクリーン
印刷と本実施例で製作された抵抗体の抵抗値の分
布図。 １……ポリエステルフイルム、２……抵抗体未
焼成膜、２ａ……（抵抗体未焼成膜の）打抜き
膜、３……絶縁膜、３ａ……（絶縁膜の）打抜き
膜、４……金型、５……多層体、６……電極、７
……個片。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機フイルム上に導電性物質と絶縁性物質か
らなる金属酸化物の混合体を膜状に被着形成した
第１のシートと、有機フイルム上に無機絶縁性物
質を膜状に被着形成した第２のシートから、それ
ぞれ有機フイルムを剥離する工程と、前記両シー
トを積層し熱圧着して多層体化する工程と、前記
多層化体上に導電性物質を被着形成する工程と、
前記多層化体を個片に切断したのち、焼成する工
程とからなることを特徴とする抵抗器の製造方
法。 ２ 前記両シートをそれぞれ所望の外枠形状に打
抜いたのち、積層し、熱圧着する工程を含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の抵抗器
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56071611A JPS57186301A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Method of producing resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56071611A JPS57186301A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Method of producing resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57186301A JPS57186301A (en) | 1982-11-16 |
| JPS6236618B2 true JPS6236618B2 (ja) | 1987-08-07 |
Family
ID=13465613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56071611A Granted JPS57186301A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Method of producing resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57186301A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63226004A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-20 | 松下電器産業株式会社 | チツプ抵抗器の製造方法 |
-
1981
- 1981-05-13 JP JP56071611A patent/JPS57186301A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57186301A (en) | 1982-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0312817B1 (en) | Multi-layered ceramic capacitor | |
| JPH0992983A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JPH06231906A (ja) | サーミスタ | |
| EP0285873B1 (en) | Method of producing a multi-layered ceramic capacitor | |
| US5506058A (en) | Mutlilayer glass ceramic substrate and method of fabricating the same | |
| US4810528A (en) | Process for producing multilayer circuit board | |
| JPS5951716B2 (ja) | 発熱体の製造方法 | |
| JPS6236618B2 (ja) | ||
| JP2001519595A (ja) | 発熱体とその製造法 | |
| JPS6236620B2 (ja) | ||
| JPS6328321B2 (ja) | ||
| JPS6236619B2 (ja) | ||
| JPH0348415A (ja) | ペースト組成物および積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPS6119082B2 (ja) | ||
| JPH09260203A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JPS6236616B2 (ja) | ||
| JP2532626B2 (ja) | 積層磁器コンデンサ用グリ―ンシ―ト | |
| JPH0432213A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JPS5830104A (ja) | 抵抗器の製造方法 | |
| JPH0435886B2 (ja) | ||
| JPH0528867A (ja) | ガラスセラミツク基板の製造方法 | |
| JPH03108709A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPH09260202A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JPH0191401A (ja) | 抵抗器の製造方法 | |
| JP3240873B2 (ja) | 低温焼成セラミック誘電体及び低温焼成セラミック多層回路基板 |