JPS6236621B2 - - Google Patents
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- JPS6236621B2 JPS6236621B2 JP56127562A JP12756281A JPS6236621B2 JP S6236621 B2 JPS6236621 B2 JP S6236621B2 JP 56127562 A JP56127562 A JP 56127562A JP 12756281 A JP12756281 A JP 12756281A JP S6236621 B2 JPS6236621 B2 JP S6236621B2
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抵抗器の製造方法に関し、とくに金属
酸化物抵抗器の製造方法に関する。
酸化物抵抗器の製造方法に関する。
従来、金属酸化物抵抗器は抵抗体を無機絶縁基
板上にスクリーン印刷、転写印刷などの公知方法
により所定形状に形成したのち、無機絶縁基板と
共に焼成して製造している。
板上にスクリーン印刷、転写印刷などの公知方法
により所定形状に形成したのち、無機絶縁基板と
共に焼成して製造している。
しかし、前述の従来製造方法では通常抵抗値の
百分率変動係数が±30％位あるため、抵抗体をレ
ーザトリミング、再焼成等の方法を用いて抵抗値
を増減して抵抗値の偏差が所定の値になるように
加工し調整している。
百分率変動係数が±30％位あるため、抵抗体をレ
ーザトリミング、再焼成等の方法を用いて抵抗値
を増減して抵抗値の偏差が所定の値になるように
加工し調整している。
この調整が施された抵抗器は製造コストが高い
だけでなく、加工を施すことにより長期間後の信
頼性をも悪くしている。
だけでなく、加工を施すことにより長期間後の信
頼性をも悪くしている。
従来のスクリーン印刷、転写印刷などの方法で
抵抗値の変動係数が大きくなる原因は、抵抗体膜
厚の偏差が大きい、パターンのダレがある、など
の欠点を前述の従来方法がもつているためであ
る。
抵抗値の変動係数が大きくなる原因は、抵抗体膜
厚の偏差が大きい、パターンのダレがある、など
の欠点を前述の従来方法がもつているためであ
る。
本発明の目的はかかる従来欠点を解決し抵抗値
修正工程をなくした抵抗器の製造方法を提供する
ことにある。
修正工程をなくした抵抗器の製造方法を提供する
ことにある。
本発明によれば有機フイルム上に導電性物質と
絶縁性物質からなる金属酸化物の同一組成の混合
体を数種類の膜厚を有する第１のシート膜状に被
着形成する工程と、有機フイルム上に無機絶縁性
物質を膜状に被着して第２のシートを形成する工
程と、第１および第２のシートからそれぞれ有機
フイルムを剥離する工程と、数種類の膜厚を有す
る第１のシートのうち２種類以上の第１のシート
を積層し、熱圧着して多層膜にする工程と、この
多層膜を第２のシート上に積層し熱圧着して多層
体にする工程と、この多層体上に導電性物質を被
着形成し、個片に切断したのち、焼成する工程と
からなることを特徴とする抵抗器の製造方法が得
られる。以下本発面を第１図〜第３図を参照して
詳細に説明する。
絶縁性物質からなる金属酸化物の同一組成の混合
体を数種類の膜厚を有する第１のシート膜状に被
着形成する工程と、有機フイルム上に無機絶縁性
物質を膜状に被着して第２のシートを形成する工
程と、第１および第２のシートからそれぞれ有機
フイルムを剥離する工程と、数種類の膜厚を有す
る第１のシートのうち２種類以上の第１のシート
を積層し、熱圧着して多層膜にする工程と、この
多層膜を第２のシート上に積層し熱圧着して多層
体にする工程と、この多層体上に導電性物質を被
着形成し、個片に切断したのち、焼成する工程と
からなることを特徴とする抵抗器の製造方法が得
られる。以下本発面を第１図〜第３図を参照して
詳細に説明する。
先ず抵抗体の未焼成膜の製造工程について述べ
る。
る。
酸化鉛（ＰDＯ）、酸化硼素（B2O3）、酸化珪素
（SiO2）、酸化アルミニウム（Al2O3）からなるガ
ラス形成物をそれぞれ重量比60％、30％、４％、
６％の割合で秤量し、白金ルツボに入れ、加熱炉
を用いて空気雰囲気中で、温度1400℃、ピーク時
間10時間加熱溶融したのち、水中へ滴下して冷却
し、平均粒度10μｍ以下の微小粒子を得る。次に
アルミナボールを用いたボールミルによつて湿式
粉砕を行い、微粉末形状に微細化してガラス形成
物粉末を得る。このガラス形成物粉末と２酸化ル
テニウム粉末をそれぞれ重量比80：20の割合で擂
〓機で乾式混合を30分間行う。この粉末混合物に
エチルセロソルプ、ブチルカビートール、ブチル
フタリルグリコール酸ブチルをそれぞれ重量比で
80％、15％、３％添加してホモジナイザーを用い
て混合し、さらにポリビニールブチラールを重量
比５％添加し、さらに混合を続ける。このように
して作製した泥漿をドクターブレードを用いたス
リツプキヤステイング法によつてポリエステル膜
上に成膜し、つづいて温度85℃、時間10分間乾燥
し、抵抗体の未焼成膜を形成した。この方法を採
用してポリエステル膜の掃引速度およびドクター
ブレードとポリエステル膜のギヤツプを変化させ
ることにより乾燥後の膜厚で50μｍと20μｍの２
種類の抵抗体の未焼成膜を形成した。（この２種
類の膜厚の未焼成膜の密度は50μｍで1.20ｇ／
cm3、20μｍで1.25ｇ／cm3であつた。） 次いで絶縁膜の製造工程について述べる。
（SiO2）、酸化アルミニウム（Al2O3）からなるガ
ラス形成物をそれぞれ重量比60％、30％、４％、
６％の割合で秤量し、白金ルツボに入れ、加熱炉
を用いて空気雰囲気中で、温度1400℃、ピーク時
間10時間加熱溶融したのち、水中へ滴下して冷却
し、平均粒度10μｍ以下の微小粒子を得る。次に
アルミナボールを用いたボールミルによつて湿式
粉砕を行い、微粉末形状に微細化してガラス形成
物粉末を得る。このガラス形成物粉末と２酸化ル
テニウム粉末をそれぞれ重量比80：20の割合で擂
〓機で乾式混合を30分間行う。この粉末混合物に
エチルセロソルプ、ブチルカビートール、ブチル
フタリルグリコール酸ブチルをそれぞれ重量比で
80％、15％、３％添加してホモジナイザーを用い
て混合し、さらにポリビニールブチラールを重量
比５％添加し、さらに混合を続ける。このように
して作製した泥漿をドクターブレードを用いたス
リツプキヤステイング法によつてポリエステル膜
上に成膜し、つづいて温度85℃、時間10分間乾燥
し、抵抗体の未焼成膜を形成した。この方法を採
用してポリエステル膜の掃引速度およびドクター
ブレードとポリエステル膜のギヤツプを変化させ
ることにより乾燥後の膜厚で50μｍと20μｍの２
種類の抵抗体の未焼成膜を形成した。（この２種
類の膜厚の未焼成膜の密度は50μｍで1.20ｇ／
cm3、20μｍで1.25ｇ／cm3であつた。） 次いで絶縁膜の製造工程について述べる。
原料としてアルミナ、酸化鉛、酸化硼素、酸化
珪素の粉末をそれぞれ重量比50％；23；15％；12
％の割合で秤量したのちアルミナボールを用いた
ボールミルで、３時間湿式混合を行い、過乾燥
を行い原料粉末を作製した。
珪素の粉末をそれぞれ重量比50％；23；15％；12
％の割合で秤量したのちアルミナボールを用いた
ボールミルで、３時間湿式混合を行い、過乾燥
を行い原料粉末を作製した。
この原料粉末に抵抗体の未焼成膜の製造工程で
述べたと同じ有機溶媒を添加した後、スリツプキ
ヤステイング法によりポリエステル膜上に絶縁膜
を形成した。
述べたと同じ有機溶媒を添加した後、スリツプキ
ヤステイング法によりポリエステル膜上に絶縁膜
を形成した。
前述した製造工程で形成した抵抗体の未焼成膜
の抵抗値の確認は次に示す方法で行つた。
の抵抗値の確認は次に示す方法で行つた。
ポリエステル膜上に成膜された抵抗体の未焼成
膜（膜厚50μｍと20μｍ）と絶縁膜をポリエステ
ル膜より剥離し、絶縁膜は外枠寸法60mm×40mmに
金型を用いてパンチングして成形する。抵抗体の
未焼成膜は外形寸法２mm×14mmに打抜き、外枠寸
法60mm×40mmの絶縁膜上に10個配置した。これを
上下方向からポリエステルフイルムで挾み金型に
挿入して、温度115℃、圧力250Kg／cm2、時間20分
間熱圧着を実施した。
膜（膜厚50μｍと20μｍ）と絶縁膜をポリエステ
ル膜より剥離し、絶縁膜は外枠寸法60mm×40mmに
金型を用いてパンチングして成形する。抵抗体の
未焼成膜は外形寸法２mm×14mmに打抜き、外枠寸
法60mm×40mmの絶縁膜上に10個配置した。これを
上下方向からポリエステルフイルムで挾み金型に
挿入して、温度115℃、圧力250Kg／cm2、時間20分
間熱圧着を実施した。
次に熱圧着を施した絶縁膜上に抵抗体の未焼成
膜の両端に接するようにパラジウム15重量％−銀
ペーストをスクリーン印刷を用いて電極を形成し
た。これを温度150℃、時間10分間乾燥してから
第１図に示すような温度曲線を有する焼成炉（図
示省略）中で焼成した。この焼成した抵抗体の抵
抗値は未焼成膜厚が50μｍと20μｍでそれぞれ
7.0kΩ／ロ、1.8kΩ／ロであつた。また抵抗値の
百分率変動係数は未焼成膜厚が50μｍと20μｍで
それぞれ4.5％と5.5％であり、従来のスクリーン
印刷方法での抵抗値の百分率変動係数が28.2％で
あることと比べるときわめてロツト内変動の小さ
い抵抗体を得ることが出来た。
膜の両端に接するようにパラジウム15重量％−銀
ペーストをスクリーン印刷を用いて電極を形成し
た。これを温度150℃、時間10分間乾燥してから
第１図に示すような温度曲線を有する焼成炉（図
示省略）中で焼成した。この焼成した抵抗体の抵
抗値は未焼成膜厚が50μｍと20μｍでそれぞれ
7.0kΩ／ロ、1.8kΩ／ロであつた。また抵抗値の
百分率変動係数は未焼成膜厚が50μｍと20μｍで
それぞれ4.5％と5.5％であり、従来のスクリーン
印刷方法での抵抗値の百分率変動係数が28.2％で
あることと比べるときわめてロツト内変動の小さ
い抵抗体を得ることが出来た。
本発明ではこのように抵抗値の確認を行つた抵
抗シートを数枚積層し組合せることにより各シー
トの抵抗値の設計値とのズレがあつても、所望の
抵抗値に調整する。
抗シートを数枚積層し組合せることにより各シー
トの抵抗値の設計値とのズレがあつても、所望の
抵抗値に調整する。
本実施例では公称抵抗値100kΩ（5kΩ／ロ）
の抵抗器を製作する。まず膜厚が50μｍと25μｍ
の２種類の抵抗体の未焼成膜１，２をそれぞれ１
枚づつ重ねて絶縁膜３に配置して温度115℃、圧
力250Kg／cm2、時間20分間熱圧着を実施した。次
にパラジウム−銀ペーストを用いて電極５を抵抗
体膜４上に形成し、温度150℃、時間10分間乾燥
した。この乾燥した絶縁膜３を第１図に示すよう
な温度曲線を有する焼成炉（図示省略）中で焼成
した。
の抵抗器を製作する。まず膜厚が50μｍと25μｍ
の２種類の抵抗体の未焼成膜１，２をそれぞれ１
枚づつ重ねて絶縁膜３に配置して温度115℃、圧
力250Kg／cm2、時間20分間熱圧着を実施した。次
にパラジウム−銀ペーストを用いて電極５を抵抗
体膜４上に形成し、温度150℃、時間10分間乾燥
した。この乾燥した絶縁膜３を第１図に示すよう
な温度曲線を有する焼成炉（図示省略）中で焼成
した。
第３図ａおよびｂは従来例のスクリーン印刷法
によつて製造した抵抗器と本実施例で製造した抵
抗器の抵抗値偏差を示す分布図である。この公称
抵抗値100kΩ（5kΩ／ロ）の抵抗値の実測値は
98kΩ（4.9kΩ／ロ）で抵抗値の百分率変動係数
は5.2％であつた。
によつて製造した抵抗器と本実施例で製造した抵
抗器の抵抗値偏差を示す分布図である。この公称
抵抗値100kΩ（5kΩ／ロ）の抵抗値の実測値は
98kΩ（4.9kΩ／ロ）で抵抗値の百分率変動係数
は5.2％であつた。
以上、本考案に示した抵抗値の調整方法を用い
れば、抵抗器の抵抗値の平均値が所望の公称抵抗
値の±２〜３％にコントロールでき、かつ抵抗値
の百分率変動係数が５〜６％である抵抗器が得ら
れる。
れば、抵抗器の抵抗値の平均値が所望の公称抵抗
値の±２〜３％にコントロールでき、かつ抵抗値
の百分率変動係数が５〜６％である抵抗器が得ら
れる。
従つてＪ規格（±５％）の抵抗器へ本発明の製
造方法を採用すれば、抵抗値のトリミングを廃止
できる効果がある。これは１種のシートでは設計
値とのズレが10％程度出てしまうのと比較し、ズ
レを確認した２種以上のシートを組合せる本願に
よることによつて得られた大きな効果である。
造方法を採用すれば、抵抗値のトリミングを廃止
できる効果がある。これは１種のシートでは設計
値とのズレが10％程度出てしまうのと比較し、ズ
レを確認した２種以上のシートを組合せる本願に
よることによつて得られた大きな効果である。
第１図は本発明の一実施例で使用した焼成炉の
温度曲線図。第２図ａはシート抵抗値の異なつた
抵抗体未焼成膜を積層した状態を示す斜視図。第
２図ｂは電極を形成しＡ−A′，Ｂ−B′に沿つて
切断する状態を示す斜視図。第３図ａ，ｂは従来
例のスクリーン印刷と本実施例で製作された抵抗
器の抵抗値の分布図。 １，２……抵抗体未焼成膜、３……未焼成絶縁
膜、４……積層した抵抗体未焼成膜、５……電
極。
温度曲線図。第２図ａはシート抵抗値の異なつた
抵抗体未焼成膜を積層した状態を示す斜視図。第
２図ｂは電極を形成しＡ−A′，Ｂ−B′に沿つて
切断する状態を示す斜視図。第３図ａ，ｂは従来
例のスクリーン印刷と本実施例で製作された抵抗
器の抵抗値の分布図。 １，２……抵抗体未焼成膜、３……未焼成絶縁
膜、４……積層した抵抗体未焼成膜、５……電
極。
Claims (1)
- １ 有機フイルム上に導電性物質と絶縁性物質か
らなる金属酸化物のほぼ同一組成の混合体を数種
類の膜厚を有する第１のシートを膜状に被着形成
する工程と、有機フイルム上に無機絶縁性を膜状
に被着して第２のシートを形成する工程と、前記
第１および第２のシートからそれぞれ有機フイル
ムを剥離する工程と、数種類の膜厚を有する第１
のシートのうち２種類以上の第１のシートを積層
して多層膜にする工程と、前記多層膜を第２のシ
ート上に積層して多層体にする工程と、前記多層
体上に導電性物質を被着形成し、個片に切断した
のち、焼成する工程とからなることを特徴とする
抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56127562A JPS5830104A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56127562A JPS5830104A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830104A JPS5830104A (ja) | 1983-02-22 |
| JPS6236621B2 true JPS6236621B2 (ja) | 1987-08-07 |
Family
ID=14963091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56127562A Granted JPS5830104A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830104A (ja) |
-
1981
- 1981-08-14 JP JP56127562A patent/JPS5830104A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5830104A (ja) | 1983-02-22 |
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