JPS6236312B2 - - Google Patents

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JPS6236312B2
JPS6236312B2 JP55142087A JP14208780A JPS6236312B2 JP S6236312 B2 JPS6236312 B2 JP S6236312B2 JP 55142087 A JP55142087 A JP 55142087A JP 14208780 A JP14208780 A JP 14208780A JP S6236312 B2 JPS6236312 B2 JP S6236312B2
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JP
Japan
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display
address
period
character
ram
Prior art date
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Application number
JP55142087A
Other languages
English (en)
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JPS5766590A (en
Inventor
Shigeru Komatsu
Kunihiko Nagai
Takuo Koyama
Tsuguji Tateuchi
Mikiaki Kobayashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP55142087A priority Critical patent/JPS5766590A/ja
Publication of JPS5766590A publication Critical patent/JPS5766590A/ja
Publication of JPS6236312B2 publication Critical patent/JPS6236312B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Digital Computer Display Output (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は表示のための読み出しと兼ねて、ダイ
ナミツクメモリのリフレツシユを行なうダイナミ
ツクメモリリフレツシユ回路に関するものであ
る。
近年、半導体技術の発展と共に、マイクロコン
ピユータと呼ばれるプログラマブルな演算処理
LSIを内蔵した個人用あるいは小規模な事務処理
用の超小型コンピユータが市販され、比較的安価
に入手可能となつてきた。これらのコンピユータ
は通常キーボードを入力装置、陰極線管表示装置
を出力装置として持つている。そして低価格を実
現するために、特に高価となりがちな記憶回路や
出力装置としての文字図形表示装置に工夫をこら
している例が多い。
第1図は、かかる従来の文字図形表示装置の回
路構成の一例を示すブロツク図であり、コンピユ
ータ・システムの動作手順(プログラム)を記憶
する記憶回路2(以下ROMと称する)と、シス
テム動作時に一時データを記憶する記憶回路6
(以下RAMと称する)と、図示せざる表示装置に
文字を表示するための信号を発生する文字図形表
示駆動回路7と、これらを制御すると共に、デー
タを演算処理する中央演算処理回路1(以下
CPUと略記する)と、発振回路3から基本クロ
ツク信号を用いて、CPU1に供給するクロツク
信号を発生するクロツク信号発生回路4と、文字
図形表示のタイミング信号を発生するタイミング
信号発生回路8と、該タイミング信号発生回路8
からのタイミング信号とCPU1からのRAM6に
対するデータ授受のためのアドレス信号を交互に
切り換えて該RAM6に供給する切換回路5とか
らなつている。また、9はデータバス、10はア
ドレスバス、11はタイミング信号路、12は図
示せざる表示装置へ至る出力端子である。
第1図に示すものは、表示装置の表示面に常に
文字や図形を表示することが可能なφサイクル
スチール表示方式と仮称する表示方式を利用した
文字図形表示装置である。φサイクルスチール
表示方式とは、第2図に示すように、CPU1の
動作が、φクロツク信号(第2図a)の立ち上
がりエツジからT1時間遅れてアドレス信号(第
2図c)を出力し、φクロツク信号(第2図
b)の立ち下がりエツジでデータ信号(第2図
d)をやりとりするという事を有効に利用した方
式であり、φクロツク信号bが発生していない
期間−すなわち、T2期間に、RAM6をCPU1の
アドレスバス10から切り離し、タイミング信号
発生回路8からのタイミング信号路11を用いて
表示用アドレス信号を送ることにより、上記
RAM6からデータを取り出し文字や図形を表示
する方式である。
次に第1図の回路の概略動作を、ROM2に記
憶された所定のプログラムに従つて図示せざる表
示装置に文字を表示する場合について説明する。
CPU1は、アドレス信号を用いてROM2に記
憶された処理手順により表示せんとする文字デー
タ信号をCPU1の内部レジスタに取り入れ、そ
の後、表示装置における文字表示位置に対応した
RAM6の表示領域のアドレス信号と、先に取り
入れた文字データ信号を出力する。切換回路5
は、φクロツク信号bによつて切り換えられ、
第2図に示すようにφクロツク信号のT3期間
に、CPU1とRAM6が接続されるようになつて
いる。したがつてCPU1によつてT3期間に、上
記文字データ信号がRAM6に書き込まれる。こ
のようにして次々とT3期間に文字データ信号が
RAM6に書き込まれていく。切換回路5は、第
2図に示すようにφクロツク信号のT2期間
に、第1図に示す接続位置とは逆の位置に切り換
え接続され、タイミング信号発生回路8とRAM
6とが信号路11を介して接続される。したがつ
て、RAM6に記憶された文字データ信号は、
次々とT2期間にタイミング信号発生回路8より
の表示用アドレス信号によつて読み出され、文字
表示駆動回路7を介して文字表示信号として出力
端子12より出力され、図示せざる陰極線管の如
き表示装置に表示される。このようにして切換回
路路5をφクロツク信号bによつて切り換え、
第2図eに示すように、1文字表示期間T4
で、CPU1からRAM6への文字データ書込みと
タイミング信号発生回路8よりの表示用アドレス
信号によるRAM6からの文字データの読み出し
とを行なうことできる。かかるφサイクルスチ
ール方式は、CPUの処理効率を低下させること
なく、比較的簡単な回路構成で陰極線管の画面等
に常に文字を表示することができ、かつCPUは
表示用デーを記憶するRAM(以下表示用RAMと
略すことがある)を常に読み書きできるという長
所がある。
上述した長所に加えて、本方式は、スタテイツ
クRAMよりもはるかに安価なダイナミツクRAM
を、新たにリフレツシユカウンタを設ける事なく
使用できるという特長も有している。
これは、前期φ期間に表示のためRAMを読
み出す動作により、リフレツシユを行なえるため
である。しかし、この場合ダイナミツクRAMを
完全にリフレツシユするには次の条件が満たされ
ている必要がある。すなわち、定められた期間t
REF(MAX)に、一定のアドレス領域を全てアクセス
するということである。
ところが、一行あたりの表示文字数が、少ない
場合や一水平周期が長い場合、上述した条件を満
たせなくなる。このことを図面を用いて、より具
体的に説明する。
第3図は、φサイクルスチール表示方式によ
り構成した表示画面の概念図で、第3図におい
て、13は表示期間領域、14は帰線期間領域、
15は1文字表示領域である。1文字表示領域1
5の中の数字は、その1文字表示領域の番地を1
6進数で示したものであり、帰線期間領域14で
も例えば第3図に示したような番地を表示読み出
ししているが、画面上には、帰線期間に読み出さ
れた内容は表示されないようになつている。第3
図に示した例では、1行を48文字で構成し、その
うち32文字を表示している。また、1行は12水平
周期かけて12本のラスタで走査している。このた
め、12水平周期に48とおりのアドレスをアクセス
するが、帰線期間のアドレスは次の行の前半のア
ドレスと同じなので、実質32とおりである。一般
的な16KビツトのダイナミツクRAMをリフレツ
シユする場合128とおりのアドレスをtREF(MAX)
=2ms以内でアクセスする必要がある。これを、
第3図の場合にあてはまると、128とおりのアド
レスを表示読み出しするには、128÷32=4行、
但し最後の一行は、最初のラスターを読み出した
時点で128とおりとなるので12水平周期×3行+
1水平周期=37水平周期必要となる。これでは、
通常のテレビジヨン方式で採用している1水平周
期63.5μsだと63.5μs×37≒2.35msとなりtRE
F(MAX)の仕様を満足しない。
これに対処するための一般的な手法としては、
前記tREF(MAX)以下の周期で前出のCPU1を一
時停止させ、その間に別に設けたリフレツシユカ
ウンタの出力をダイナミツクRAMのアドレスと
して直接与え、一定領域をアクセスする方法であ
る。また、別の手法としては、前記tREF(MAX)
下の周期で前記CPU1に割り込みをかけ、その
割り込み処理の中で、ソフトウエア的にダイナミ
ツクRAMの必要なアドレスを全てアクセスする
方である。
しかしながら、このどちらの方法も、ハードウ
エアの規模が大きくなる上、前記CPU1の処理
効率が低下してしまいせつかくφサイクルスチ
ール表示方式の長所を無効にしてしまうという欠
点があつた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、CPUの処理効果を全く落とすことなく、
ダイナミツクメモリのリフレツシユ周期の短縮化
を可能とし、しかもハードウエアの規模はほとん
ど増加しないダイナミツクメモリリフレツシユ回
路を提供するにある。
上述した目的を達成するため、表示期間は文字
単位で変化する表示用アドレスを帰線期間は、1
文字中の1走査単位で変化するように切換えるこ
とにより、一行を表示読み出しする期間にアクセ
スするメモリのアドレスを増加せしめリフレツシ
ユ周期を短縮しようとするものである。
本発明による具体的実施例を図面を用いて説明
する。
第4図は本発明による一実施例を示す構成図で
ある。第4図において、bはφクロツク、5は
アドレス切換え回路、6はダイナミツクRAM、
8はタイミング信号発生回路、10はCPUアド
レスバス、16はアドレス切換回路、17は表示
期間信号、18はラスターアドレス、19は表示
読み出しアドレス、20は表示用RAMアドレス
である。b,5,6,8,10の各ブロツクは、
第1図の同一番号の各ブロツクと対応している。
また、前記ラスターアドレス18は現在走査して
いるラスターが、一行の中の何番目のラスターか
を示す信号、前記表示読み出しアドレス19は、
表示のために読み出すアドレス信号、表示期間信
号17は表示期間か帰線期間かを示す信号で、本
信号により、アドレス切換回路16において、前
記表示読み出しアドレス19のうち3ビツトを、
前記ラスターアドレスの中の下位3ビツトを切換
え、表示期間には前者、帰線期間には後者を表示
用RAMアドレス20として出力する。
本実施例において、ダイナミツクRAM6は、
現在最も一般的に使用されているロウアドレス,
カラムアドレス時分割入力型の16Kビツトのもの
を用いている。この型のダイナミツクRAMは14
ビツトのアドレス入力のうち半分の7ビツトをロ
ウアドレス、残り7ビツトをカラムアドレスとし
て時分割で入力し、このうちロウアドレスの方だ
け、2ms以内にアクセスすることにより、RAM
の内容がリフレツシユされる。本実施例では、14
ビツトの前記表示用RAMアドレス20のうち、
下位7ビツトをロウアドレスに割り当て、その7
ビツトの中の上位3ビツト即ち、最下位ビツトか
ら第5,第6,第7ビツトを前記アドレス切換回
路16の出力より得る。前記アドレス切換回路1
6の出力とは帰線期間即ち、非表示期間には前記
ラスターアドレス18の4ビツトのうち下位3ビ
ツトを、また、表示期間には前記表示読み出しア
ドレス19のうちの最下位ビツトから数えて第
5,第6,第7ビツトである。
本実施例を前出の第3図と同様の表示構成に摘
要した場合の表示読み出しアドレスと画面の対応
を第5図に示す。第3図と第5図を比較すれば分
かるように、表示期間は両者共同じ表示読み出し
アドレスが同一文字表示領域内で走査線の数だけ
くり返し与えられる。一方、帰線期間において
は、第3図の従来例だと表示期間と同様のアドレ
スが与えられているのに対して、本実施例による
第5図の方では、同一文字表示領域内でも一走査
線ごとに異なるアドレスが与えられる。この結
果、最悪でも1行と4走査線すなわち、16水平周
期で前記ダイナミツクRAM6のリフレツシユに
必要な領域を読み出せる。通常は1水平周期≒
63.5μsなので、リフレツシユ周期tREFは、tR
EF=63.5〓s×16=1.016nsとなり、tREF(MAX)
ある2nsよりも充分小さくなることが分かる。
また、本実施例では、便宣上16Kビツトダイナ
ミツクRAMを用いているが、他の4Kビツトある
いは64Kビツトのものを用いても同様の効果が得
られる事は自明であろう。
本発明を採用することにより、φサイクルス
チール方式によるダイナミツクRAMのリフリツ
シユを従来の2〜3倍の速度で行なえるので、表
示文字数が少ない場合や、水平周期が長い場合で
もほとんど回路規模を増やすことなく、また、
CPUの処理効率を落とすことなくリフレツシユ
が行なえ、大変経済的である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を説明するための構成図、第2
図a〜eは従来例を説明するためのタイミング
図、第3図は従来例を説明するための概念図、第
4図は本発明によるダイナミツクメモリリフレツ
シユ回路の一実施例を示す構成図、第5図は第4
図のダイナミツクメモリリフレツシユ回路を説明
するための概念図である。 16……アドレス切換回路、17……表示期間
信号、18……ラスターアドレス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ダイナミツク型メモリと、該メモリの少なく
    も一部の領域を一定周期で表示のため読み出す文
    字アドレス信号発生手段および走査線アドレス信
    号発生手段と、文字図形表示可能期間を示す表示
    期間信号を発生する手段を有するラスタースキヤ
    ン型文字図形表示装置駆動回路において、前記文
    字アドレス信号の内1本以上の信号と、同一本数
    の前記走査線アドレス信号の一部または全部と
    を、前記表示期間信号により切換える手段を有す
    るを特徴とするダイナミツクメモリリフレツシユ
    回路。
JP55142087A 1980-10-13 1980-10-13 Dynamic memory refreshing circuit Granted JPS5766590A (en)

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JPS5766590A JPS5766590A (en) 1982-04-22
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102165210B1 (ko) * 2019-11-27 2020-10-15 주식회사 코씨드바이오팜 동규자 추출물을 유효성분으로 포함하는 탈모 방지용 화장료 조성물

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