JPS6233361Y2 - - Google Patents

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JPS6233361Y2
JPS6233361Y2 JP16710781U JP16710781U JPS6233361Y2 JP S6233361 Y2 JPS6233361 Y2 JP S6233361Y2 JP 16710781 U JP16710781 U JP 16710781U JP 16710781 U JP16710781 U JP 16710781U JP S6233361 Y2 JPS6233361 Y2 JP S6233361Y2
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JP
Japan
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envelope
dielectric substrate
transistor
ground conductor
circuit element
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JP16710781U
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JPS5872848U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 考案の技術分野 この考案はマイクロストリツプ線路からなる回
路を形成した誘電体基板に、電界効果型トランジ
スタを収容している外囲器を装荷したマイクロ波
回路素子に関する。
考案の技術的背景とその問題点 マイクロ波用電界効果型トランジスタ
(FET)の外囲器は、第1図例えばイの平面図及
びロの一部欠截断面図に示す構造から成つてい
る。両図でアルミナセラミツク等誘電体製容器1
は外部表面のみが示されていて六面体をなし、こ
の図で天井面には対向する一方の各辺からソース
リード接続面21,22が、又他方の各辺からド
レインリード接続面3及びゲートリード接続面4
がそれぞれ金属化されパターニングされて配置さ
れている。そして側面には天井面の各接続面に接
続するソース電極51,52、ドレイン電極6、
ゲート電極7がそれぞれ金属化されパターニング
されて配置されている。但しソース電極は何れも
金属製蓋体2に接続するように、ドレイン電極、
ゲート電極は金属蓋体には達しないように分布し
ている。尚天井面には各リード接続面に鑞付けさ
れてソースリード81,82、ドレインリード
9、ゲートリード10が、それぞれの電極に導電
的に接続している。これ等リードは、アルミナ磁
器と膨脹系数の近いコバールを金めつきしてあ
てゝある。
この外囲器を、その上面にマイクロストリツプ
線路を形成した誘電体基板に装荷する場合、まず
外囲器のふた2が上向きになるように誘電体基板
に乗せて装荷する場合が一般的である。しかし各
電極リードを半田付け等で固定する場合、半田や
フラツクスが誘電体基板の外囲器とのすき間にし
み込んで短絡したり、また外囲器が誘電体基板上
に乗つているだけであるため、作業に手数がかか
り、また外囲器の位置合せが困難になる欠点があ
る。
この欠点を除くため第2図に示すように誘電体
基板11に孔12を開けて、外囲器の蓋体2が下
側にあるように誘電体基板にマウントする場合が
ある。但し外囲器については第1図と同一番号を
施しており、誘電体基板は、上側面にマイクロス
トリツプ線路131,132等が、下側面に接地
導体14がパターニングされ、下側面で金属製キ
ヤリアプレート15に鎗付けされている。すなわ
ち外囲器は誘電体基板11に穿たれた孔12並び
にキヤリアプレートのひき続く開孔18に収容さ
れドレインリード9とゲートリード8とがマイク
ロストリツプ線路131,132にそれぞれ半田
接続されている。又、ソースリード81及び図示
していないソースリード82は、それぞれ誘電体
基板の他面に形成された接地用パターン14に接
続されている。このような構造においては、とく
に誘電体基板の厚みが薄い場合、外囲器側面のド
レインとゲートのメタライズパターン6,7が接
地導体14あるいはキヤリアプレート15に接触
し、短絡することがある。この欠点を避けるた
め、第2図に示すように誘電体基板の孔12の寸
法を外囲器の外囲器寸法より大きくしておく必要
がある。この結果外囲器を誘電体基板へマウント
する場合に位置ずれが生じ、整合回路との整合条
件がずれて十分な特性を得させなくする。それ故
組立て後にマイクロストリツプ線路を用いた整合
回路の調整を要し、製作上手数を要する欠点を伴
う。
考案の目的 この考案はこのような欠点を除去するもので、
電界効果トランジスタを収納している外囲器を、
一面にマイクロストリツプ線路を他面に接地導体
を形成した誘電体基板を開孔して装着するにあた
り、外囲器の一部リードと接地導体とが短絡する
ことを防止するとともに、外囲器のマウント位置
ずれによる特性の劣化を防止することを目的とし
て改良したマイクロ波回路素子を提供するにあ
る。
考案の概要 即ちこの考案のマイクロ波回路素子では基板開
孔が、外囲器を密に収容するたて孔として設けら
れ、基板他面に分布する接地導体は、トランジス
タのドレイン電極及びゲート電極に無縁であるよ
うにたて孔の周囲で一部を欠除されている点で特
徴付けられている。この結果ドレイン及びゲート
は接地導体に短絡することがなく、外囲器の位置
ずれも防止されるのである。
考案の実施例 以下この考案の実施例について図面を用いて説
明する。
第3図及び第4図はそれぞれこの考案の実施例
に係る一部欠截断面図である。何れも第2図と同
一部分については同一番号を施してある。又誘電
体基板11の開孔寸法は外囲器側面の各電極を含
めた外径寸法とほぼ等しくする。しかしキヤリア
プレートの開孔18は、基板開孔よりも粗に設け
る。まず第3図の場合には、外囲器側面のドレイ
ン電極、ゲート電極に近い部分の接地導体14の
一部をエツチング等により除去して161,16
2の個所で基板面を露出させてある。また第4図
の場合には外囲器近傍の誘電体基板の一部を基板
面露出域171,172で裏面から扇状に面とり
してある。
考案の効果 このようなマイクロ波回路素子にあつては誘電
体基板に対しトランジスタ外囲器の位置ずれはほ
とんどなしに装着できる。従つて従来例にみられ
たような整合条件のずれを十分小さくすることが
できる利点がある。さらに、第3図、第4図両例
において、誘電体基板11の接地導体14がトラ
ンジスタ外囲器に接触するおそれはなく電極の所
望しない短絡を防止することができる。尚第4図
例では基板開孔縁の一部を除く加工を施すのみで
製作を簡単にする利点を併せる。
【図面の簡単な説明】
第1図イ並びにロはトランジスタの外囲器を示
す平面図並びに断面図、第2図はトランジスタ外
囲器を誘電体基板に装着した従来のマイクロ波回
路素子例を示す断面図、第3図並びに第4図は何
れもこの考案の実施例マイクロ波回路素子を示す
断面図である。 第3図並びに第4図で、131,132……マ
イクロストリツプ線路、14……接地導体、11
……誘電体基板、1……トランジスタ外囲器、6
……ドレイン電極、7……ゲート電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一面にマイクロストリツプ線路、他面に接地導
    体が形成されている誘電体基板に電界効果型トラ
    ンジスタを装荷してなるマイクロ波回路素子に於
    いて、前記誘電体基板は、前記トランジスタを外
    囲器ごと密に収容するたて孔を備え、且つトラン
    ジスタのドレイン電極及びゲート電極に無縁であ
    るように前記たて孔の周囲で接地導体を一部欠除
    して前記トランジスタ外囲器を他面側で凸出する
    ように装荷させているものであることを特徴とす
    るマイクロ波回路素子。
JP16710781U 1981-11-11 1981-11-11 マイクロ波回路素子 Granted JPS5872848U (ja)

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JP16710781U JPS5872848U (ja) 1981-11-11 1981-11-11 マイクロ波回路素子

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JP16710781U JPS5872848U (ja) 1981-11-11 1981-11-11 マイクロ波回路素子

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Publication Number Publication Date
JPS5872848U JPS5872848U (ja) 1983-05-17
JPS6233361Y2 true JPS6233361Y2 (ja) 1987-08-26

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ID=29959222

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JP16710781U Granted JPS5872848U (ja) 1981-11-11 1981-11-11 マイクロ波回路素子

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185655A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波回路

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Publication number Publication date
JPS5872848U (ja) 1983-05-17

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